JP2000068071A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
発光素子及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ層を挟む一方の電極と他方電極との
間にショートが発生するのを防止でき、且つ微細化を図
ることができる発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１１上に前面電極１２を形成
した後、発光部に対応する領域を露呈させる開口部１３
Ａを有する層間絶縁膜１３を形成する。層間絶縁膜１３
上に前面電極１２と直交する方向にレジスト層１４を複
数列をなすようにパターン形成する。このレジスト層１
４は、その側壁が逆テーパ状に形成され、発光部に対応
する領域間の層間絶縁膜１３より幅狭に形成する。その
後、有機ＥＬ層１５と背面電極材料を順次蒸着してレジ
スト層１４の段差下に有機ＥＬ層１５と背面電極１６Ａ
を形成する。このとき、有機ＥＬ層１５と背面電極１６
Ａの端縁は、層間絶縁膜１３に在るため、前面電極１２
と背面電極１６Ａとの間にショートが発生するのを防止
できる。また、レジスト層１４がリソグラフィー技術で
パターン形成できるため、電極の微細化を達成すること
ができる。
間にショートが発生するのを防止でき、且つ微細化を図
ることができる発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１１上に前面電極１２を形成
した後、発光部に対応する領域を露呈させる開口部１３
Ａを有する層間絶縁膜１３を形成する。層間絶縁膜１３
上に前面電極１２と直交する方向にレジスト層１４を複
数列をなすようにパターン形成する。このレジスト層１
４は、その側壁が逆テーパ状に形成され、発光部に対応
する領域間の層間絶縁膜１３より幅狭に形成する。その
後、有機ＥＬ層１５と背面電極材料を順次蒸着してレジ
スト層１４の段差下に有機ＥＬ層１５と背面電極１６Ａ
を形成する。このとき、有機ＥＬ層１５と背面電極１６
Ａの端縁は、層間絶縁膜１３に在るため、前面電極１２
と背面電極１６Ａとの間にショートが発生するのを防止
できる。また、レジスト層１４がリソグラフィー技術で
パターン形成できるため、電極の微細化を達成すること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は発光素子の製造方
法に関し、さらに詳しくは、有機ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス）材料を発光層に用いる発光素子及びその製
造方法に関する。
法に関し、さらに詳しくは、有機ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス）材料を発光層に用いる発光素子及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機ＥＬ材料を用いた発光素子と
しては、図１３に示すような構造のものがある。同図に
示すように、この発光素子１は、ガラス基板２上に形成
した透明な前面電極３上に、有機ＥＬ層４が形成され、
有機ＥＬ層４の上に背面電極５が形成されている。そし
て、前面電極３と背面電極５との間に電圧を印加するこ
とにより発光を起こすようになっている。背面電極５
は、真空蒸着により形成されるが、このとき所望のパタ
ーンを形成するために、メタルマスクを基板上に配置し
た状態で蒸着を行う。メタルマスクには、所望のパター
ンが開口部として形成されている。
しては、図１３に示すような構造のものがある。同図に
示すように、この発光素子１は、ガラス基板２上に形成
した透明な前面電極３上に、有機ＥＬ層４が形成され、
有機ＥＬ層４の上に背面電極５が形成されている。そし
て、前面電極３と背面電極５との間に電圧を印加するこ
とにより発光を起こすようになっている。背面電極５
は、真空蒸着により形成されるが、このとき所望のパタ
ーンを形成するために、メタルマスクを基板上に配置し
た状態で蒸着を行う。メタルマスクには、所望のパター
ンが開口部として形成されている。
【０００３】この方法を用いて背面電極５を微細化する
場合、メタルマスクを微細に加工することが要求される
が、メタルマスクの強度が保てないため、０．１ｍｍ程
度のスペースが限界となる。そこで、さらに微細化を進
めるため、図１４〜図１６に示すような方法が提案され
ている。なお、図１４は背面電極５を蒸着した後の状態
を示す平面図、図１５は図１４のＸ−Ｘ断面図、図１６
は図１４のＹ−Ｙ断面図である。この方法は、メタルマ
スクを用いず、所望の背面電極形成領域間に側壁が逆テ
ーパ状のフォトレジスト６を形成した後、図１６に示す
ように有機ＥＬ層４と背面電極５の蒸着を行ったもので
ある。この方法では、逆テーパ状のフォトレジスト６で
有機ＥＬ層４及び背面電極５を分断させているので、フ
ォトレジスト６上に分離された有機ＥＬ層４Ａ並びにそ
の有機ＥＬ層４Ａ上に分離された背面電極５Ａが背面電
極５と電気的に絶縁された状態にパターン形成が行われ
て微細なパターン形成が可能となる。
場合、メタルマスクを微細に加工することが要求される
が、メタルマスクの強度が保てないため、０．１ｍｍ程
度のスペースが限界となる。そこで、さらに微細化を進
めるため、図１４〜図１６に示すような方法が提案され
ている。なお、図１４は背面電極５を蒸着した後の状態
を示す平面図、図１５は図１４のＸ−Ｘ断面図、図１６
は図１４のＹ−Ｙ断面図である。この方法は、メタルマ
スクを用いず、所望の背面電極形成領域間に側壁が逆テ
ーパ状のフォトレジスト６を形成した後、図１６に示す
ように有機ＥＬ層４と背面電極５の蒸着を行ったもので
ある。この方法では、逆テーパ状のフォトレジスト６で
有機ＥＬ層４及び背面電極５を分断させているので、フ
ォトレジスト６上に分離された有機ＥＬ層４Ａ並びにそ
の有機ＥＬ層４Ａ上に分離された背面電極５Ａが背面電
極５と電気的に絶縁された状態にパターン形成が行われ
て微細なパターン形成が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方法において、側壁が逆テーパ状のフォトレジスト６
を用いて背面電極５を形成する場合、図１７に示すよう
に、フォトレジスト６の側壁下部付近において前面電極
３と背面電極５との間でショートが発生し易くなるとい
う問題点がある。これは、フォトレジスト６の側壁下部
付近で有機ＥＬ層４が背面電極５の蒸着される範囲より
もフォトレジスト６の近くまで蒸着されれば電極間のシ
ョートは発生しないが、背面電極５の方が有機ＥＬ層４
よりもフォトレジスト６の近くまで蒸着されると電極間
のショートが発生する。
た方法において、側壁が逆テーパ状のフォトレジスト６
を用いて背面電極５を形成する場合、図１７に示すよう
に、フォトレジスト６の側壁下部付近において前面電極
３と背面電極５との間でショートが発生し易くなるとい
う問題点がある。これは、フォトレジスト６の側壁下部
付近で有機ＥＬ層４が背面電極５の蒸着される範囲より
もフォトレジスト６の近くまで蒸着されれば電極間のシ
ョートは発生しないが、背面電極５の方が有機ＥＬ層４
よりもフォトレジスト６の近くまで蒸着されると電極間
のショートが発生する。
【０００５】本発明は、前面電極と背面電極との間にシ
ョートが発生するのを防止できる発光素子及びその製造
方法を提供することを目的としている。
ョートが発生するのを防止できる発光素子及びその製造
方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
一方の電極上に、開口部を有するとともに部分的に前記
一方の電極を覆う所定の幅の第１絶縁膜と、前記第１絶
縁膜上に設けられた前記第１絶縁膜の幅より狭い幅の逆
テーパ状の第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜の開口部に対
応する一方の電極上に設けられた電界発光層と、前記電
界発光層上に設けられた他方の電極と、を有することを
特徴としている。請求項１に記載の発明によれば、電界
発光層上の他方の電極の外縁が電界発光層の外縁を越え
て形成されても第１絶縁膜上にあるので、一方の電極と
他方の電極が他方の電極の外縁でショートすることを防
止することができる。また、第２絶縁膜は逆テーパ状な
ので、第２絶縁膜端面で電界発光層と他方の電極を良好
に段切れして複数の画素に分離することができる。請求
項２記載の発明は、基板上に、順次、一方の電極、電界
発光層、他方の電極が積層された発光素子の製造方法に
おいて、前記一方の電極を形成した後、該一方の電極の
個々の発光部に相当する領域を露呈させる開口部を有す
る層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜上に、側壁が逆
テーパ状をなし、且つパターン上部の端縁が該層間絶縁
膜の前記開口部の平面領域外に位置する分離層を形成
し、前記分離層をマスクとして、順次、電界発光層、他
方の電極を形成する材料を成膜させることを特徴として
いる。
一方の電極上に、開口部を有するとともに部分的に前記
一方の電極を覆う所定の幅の第１絶縁膜と、前記第１絶
縁膜上に設けられた前記第１絶縁膜の幅より狭い幅の逆
テーパ状の第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜の開口部に対
応する一方の電極上に設けられた電界発光層と、前記電
界発光層上に設けられた他方の電極と、を有することを
特徴としている。請求項１に記載の発明によれば、電界
発光層上の他方の電極の外縁が電界発光層の外縁を越え
て形成されても第１絶縁膜上にあるので、一方の電極と
他方の電極が他方の電極の外縁でショートすることを防
止することができる。また、第２絶縁膜は逆テーパ状な
ので、第２絶縁膜端面で電界発光層と他方の電極を良好
に段切れして複数の画素に分離することができる。請求
項２記載の発明は、基板上に、順次、一方の電極、電界
発光層、他方の電極が積層された発光素子の製造方法に
おいて、前記一方の電極を形成した後、該一方の電極の
個々の発光部に相当する領域を露呈させる開口部を有す
る層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜上に、側壁が逆
テーパ状をなし、且つパターン上部の端縁が該層間絶縁
膜の前記開口部の平面領域外に位置する分離層を形成
し、前記分離層をマスクとして、順次、電界発光層、他
方の電極を形成する材料を成膜させることを特徴として
いる。
【０００７】請求項２記載の発明では、層間絶縁膜の開
口部の平面領域に分離層のパターン上部端縁が重ならな
いように形成されているため、分離層をマスクとして成
膜された電界発光層と他方の電極材料膜の端縁部は、層
間絶縁膜上に形成される。このため、他方の電極と一方
の電極との間には、少なくとも層間絶縁膜が介在される
ため、ショートが発生することを防止できる。また、分
離層の側壁が逆テーパ状に形成されているため、分離層
上に形成される電界発光層及び他方の電極材料層と、分
離層側壁の側方に形成される電界発光層及び他方の電極
とは段切れを起こして分断される。このため、分離層上
の電界発光層及び他方の電極材料層は、発光に寄与する
ことはない。また、分離層を剥離することにより、リフ
トオフ法を適用して不要な電界発光層及び他方の電極材
料層を除去することができる。さらに、他方の電極を形
成するのにフォトリソグラフィー技術を適用できるた
め、微細化を促進することが可能となる。
口部の平面領域に分離層のパターン上部端縁が重ならな
いように形成されているため、分離層をマスクとして成
膜された電界発光層と他方の電極材料膜の端縁部は、層
間絶縁膜上に形成される。このため、他方の電極と一方
の電極との間には、少なくとも層間絶縁膜が介在される
ため、ショートが発生することを防止できる。また、分
離層の側壁が逆テーパ状に形成されているため、分離層
上に形成される電界発光層及び他方の電極材料層と、分
離層側壁の側方に形成される電界発光層及び他方の電極
とは段切れを起こして分断される。このため、分離層上
の電界発光層及び他方の電極材料層は、発光に寄与する
ことはない。また、分離層を剥離することにより、リフ
トオフ法を適用して不要な電界発光層及び他方の電極材
料層を除去することができる。さらに、他方の電極を形
成するのにフォトリソグラフィー技術を適用できるた
め、微細化を促進することが可能となる。
【０００８】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
光素子の製造方法であって、前記基板は透明性を有し、
前記一方の電極は透明な導電性材料でなる前面電極であ
ることを特徴としている。
光素子の製造方法であって、前記基板は透明性を有し、
前記一方の電極は透明な導電性材料でなる前面電極であ
ることを特徴としている。
【０００９】請求項４記載の発明は、基板上に、順次、
一方の電極、複数の膜を積層してなる電界発光層、他方
の電極が形成されてなる発光素子の製造方法において、
前記一方の電極を形成した後、側壁が逆テーパ状をな
し、且つパターン上部の端縁が前記一方の電極の個々の
発光部に相当する平面領域外に位置する分離層を形成
し、前記電界発光層を構成する複数の膜のうちの所定の
膜を基板上の全面に湿式成膜して前記電界発光層を成膜
後、前記他方の電極を形成する材料を前記分離層をマス
クとして成膜することを特徴としている。
一方の電極、複数の膜を積層してなる電界発光層、他方
の電極が形成されてなる発光素子の製造方法において、
前記一方の電極を形成した後、側壁が逆テーパ状をな
し、且つパターン上部の端縁が前記一方の電極の個々の
発光部に相当する平面領域外に位置する分離層を形成
し、前記電界発光層を構成する複数の膜のうちの所定の
膜を基板上の全面に湿式成膜して前記電界発光層を成膜
後、前記他方の電極を形成する材料を前記分離層をマス
クとして成膜することを特徴としている。
【００１０】請求項４記載の発明では、複数の膜のうち
の所定の有機膜を湿式成膜することにより、分離層が所
定の膜で被覆され、後の工程で蒸着される他方の電極と
一方の電極との間でショートが発生するのを防止するこ
とができる。
の所定の有機膜を湿式成膜することにより、分離層が所
定の膜で被覆され、後の工程で蒸着される他方の電極と
一方の電極との間でショートが発生するのを防止するこ
とができる。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項４記載の発
光素子の製造方法であって、前記所定の膜は、有機溶剤
で可溶な材料でなることを特徴としている。
光素子の製造方法であって、前記所定の膜は、有機溶剤
で可溶な材料でなることを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る発光素子の
製造方法の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明
する。 （実施形態１）図１〜図１０は、本発明に係る発光素子
の製造方法の実施形態１を示している。まず、本実施形
態では、図１及び図２に示すように、ガラス基板１１の
上に複数の前面電極１２を所定間隔を介して平行に形成
する。この前面電極１２は、透明な導電性材料である、
例えばＩＴＯ（indium tin oxide）で形成される。この
前面電極１２の形成方法は、ガラス基板１１の全面にＩ
ＴＯ膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術及びエッチ
ング技術によりパターニングする。なお、図２は図１の
Ａ−Ａ断面図である。
製造方法の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明
する。 （実施形態１）図１〜図１０は、本発明に係る発光素子
の製造方法の実施形態１を示している。まず、本実施形
態では、図１及び図２に示すように、ガラス基板１１の
上に複数の前面電極１２を所定間隔を介して平行に形成
する。この前面電極１２は、透明な導電性材料である、
例えばＩＴＯ（indium tin oxide）で形成される。この
前面電極１２の形成方法は、ガラス基板１１の全面にＩ
ＴＯ膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術及びエッチ
ング技術によりパターニングする。なお、図２は図１の
Ａ−Ａ断面図である。
【００１３】次に、前面電極１２を形成したガラス基板
１１上に、ＳｉＯ2でなる層間絶縁膜１３を全面に堆積
させた後、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技
術を用いて、図３及び図４に示すように、発光部となる
部分が矩形状の開口部１３Ａとなるようにパターン形成
する。なお、図４は図３のＢ−Ｂ断面図である。この開
口部１３Ａは、各々発光画素領域になる。
１１上に、ＳｉＯ2でなる層間絶縁膜１３を全面に堆積
させた後、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技
術を用いて、図３及び図４に示すように、発光部となる
部分が矩形状の開口部１３Ａとなるようにパターン形成
する。なお、図４は図３のＢ−Ｂ断面図である。この開
口部１３Ａは、各々発光画素領域になる。
【００１４】その後、前面にフォトレジストを塗布し、
露光・現像を行って、図５及び図６に示すように、開口
部１３Ａ間で前面電極１２の延在方向に直交する方向に
延在し、後述する背面電極を形成すべき部分を露出させ
るようにパターニングしたレジスト層１４を形成する。
このレジスト層１４は、図６に示すように、側壁が逆テ
ーパ状になるように形成する。なお、図６は図５のＣ−
Ｃ断面図である。図６に示すように、レジスト層１４
は、前面電極１２の延在方向で隣接する開口部１３Ａど
うしの距離よりもその幅が短く設定され、且つ隣接する
開口部１３Ａどうしの間の層間絶縁膜１３の中央を通る
ように形成されている。
露光・現像を行って、図５及び図６に示すように、開口
部１３Ａ間で前面電極１２の延在方向に直交する方向に
延在し、後述する背面電極を形成すべき部分を露出させ
るようにパターニングしたレジスト層１４を形成する。
このレジスト層１４は、図６に示すように、側壁が逆テ
ーパ状になるように形成する。なお、図６は図５のＣ−
Ｃ断面図である。図６に示すように、レジスト層１４
は、前面電極１２の延在方向で隣接する開口部１３Ａど
うしの距離よりもその幅が短く設定され、且つ隣接する
開口部１３Ａどうしの間の層間絶縁膜１３の中央を通る
ように形成されている。
【００１５】次に、図７〜図９に示すように、全面に有
機ＥＬ材料層と背面電極材料層１６とを順次蒸着して形
成する。この結果、レジスト層１４の逆テーパ状の段差
により分断されて、レジスト層１４上に有機ＥＬ層１５
が成膜され、有機ＥＬ層１５の上に背面電極材料層１６
が形成される。層間絶縁膜１３の開口部１３Ａ内で露出
した前面電極１２の上に有機ＥＬ層１５Ａが接合し、有
機ＥＬ層１５Ａの上には背面電極１６Ａが接合して形成
される。なお、本実施形態における有機ＥＬ層１５Ａ
は、発光層やキャリア輸送層などを積層してなる。背面
電極１６Ａは、前面電極１２と交差する方向にストライ
プ状に複数が形成される。
機ＥＬ材料層と背面電極材料層１６とを順次蒸着して形
成する。この結果、レジスト層１４の逆テーパ状の段差
により分断されて、レジスト層１４上に有機ＥＬ層１５
が成膜され、有機ＥＬ層１５の上に背面電極材料層１６
が形成される。層間絶縁膜１３の開口部１３Ａ内で露出
した前面電極１２の上に有機ＥＬ層１５Ａが接合し、有
機ＥＬ層１５Ａの上には背面電極１６Ａが接合して形成
される。なお、本実施形態における有機ＥＬ層１５Ａ
は、発光層やキャリア輸送層などを積層してなる。背面
電極１６Ａは、前面電極１２と交差する方向にストライ
プ状に複数が形成される。
【００１６】このように、本実施形態においては、レジ
スト層１４の下に層間絶縁膜１３を形成することで、図
９に示すように、背面電極１６Ａの方が有機ＥＬ層１５
Ａよりもレジスト層１４の近くまで蒸着されても、前面
電極１２と背面電極１６Ａ間のショートの発生を防止す
ることない。逆テーパ状のレジストの最大パターン幅を
層間絶縁膜１３のパターン幅よりも細く形成すること
で、安定して層間絶縁膜１３上に有機ＥＬ層１５と背面
電極１６Ａとが蒸着できる。また、本実施形態では、層
間絶縁膜１３で発光パターンの規制をするため、発光パ
ターンが従来の逆テーパ状のレジスト層により規制され
た発光パターンのような背面電極１６Ａのパターン精度
の影響がないため、均一な発光パターンを得ることがで
きる。なお、本実施形態では、層間絶縁膜１３をＳｉＯ
2で形成したが、層間絶縁膜にブラックマスク機能を持
たせたアクリル系の有機系薄膜としてもよい。さらに、
本実施形態では、上記製造プロセスの後、レジスト層１
４を剥離液を用いて剥離することにより、図１０に示す
ようにレジスト層１４上の有機ＥＬ層１５と背面電極材
料層１６を除去してもよい。
スト層１４の下に層間絶縁膜１３を形成することで、図
９に示すように、背面電極１６Ａの方が有機ＥＬ層１５
Ａよりもレジスト層１４の近くまで蒸着されても、前面
電極１２と背面電極１６Ａ間のショートの発生を防止す
ることない。逆テーパ状のレジストの最大パターン幅を
層間絶縁膜１３のパターン幅よりも細く形成すること
で、安定して層間絶縁膜１３上に有機ＥＬ層１５と背面
電極１６Ａとが蒸着できる。また、本実施形態では、層
間絶縁膜１３で発光パターンの規制をするため、発光パ
ターンが従来の逆テーパ状のレジスト層により規制され
た発光パターンのような背面電極１６Ａのパターン精度
の影響がないため、均一な発光パターンを得ることがで
きる。なお、本実施形態では、層間絶縁膜１３をＳｉＯ
2で形成したが、層間絶縁膜にブラックマスク機能を持
たせたアクリル系の有機系薄膜としてもよい。さらに、
本実施形態では、上記製造プロセスの後、レジスト層１
４を剥離液を用いて剥離することにより、図１０に示す
ようにレジスト層１４上の有機ＥＬ層１５と背面電極材
料層１６を除去してもよい。
【００１７】（実施形態２）図１１は、本発明に係る発
光素子の製造方法の実施形態２を示す要部断面図であ
る。本実施形態では、上記した実施形態１のような層間
絶縁膜１３を形成せずに、前面電極１２上に側壁が逆テ
ーパ状のレジスト層１４を直接形成し、この後有機ＥＬ
層１５を構成する、有機溶剤に溶解するポリビニルカル
バゾルやポリアニリンなどの高分子材料、又は有機ＥＬ
前駆体であるポリフェニレンビニレンなどにより形成さ
れる第１有機膜１５Ａを湿式成膜し、全面電極１２上及
びレジスト層１４の側壁及び上面を完全に覆う。その
後、発光層及びキャリア輸送層などを順次積層してなる
第２有機膜１５Ｂを蒸着する。続いて、第２有機膜１５
Ｂの上に背面電極材料層１６を蒸着する。本実施形態２
においても、レジスト層１４の側壁が逆テーパ状に形成
されているため、レジスト層１４の段差により第２有機
膜１５Ｂと背面電極材料層１６はそれぞれ分断されてパ
ターニングされる。この後、有機溶剤で露出した第１有
機膜１５Ａを溶解させた後、レジスト層１４を剥離液で
剥離してリフトオフを行ってもよい。
光素子の製造方法の実施形態２を示す要部断面図であ
る。本実施形態では、上記した実施形態１のような層間
絶縁膜１３を形成せずに、前面電極１２上に側壁が逆テ
ーパ状のレジスト層１４を直接形成し、この後有機ＥＬ
層１５を構成する、有機溶剤に溶解するポリビニルカル
バゾルやポリアニリンなどの高分子材料、又は有機ＥＬ
前駆体であるポリフェニレンビニレンなどにより形成さ
れる第１有機膜１５Ａを湿式成膜し、全面電極１２上及
びレジスト層１４の側壁及び上面を完全に覆う。その
後、発光層及びキャリア輸送層などを順次積層してなる
第２有機膜１５Ｂを蒸着する。続いて、第２有機膜１５
Ｂの上に背面電極材料層１６を蒸着する。本実施形態２
においても、レジスト層１４の側壁が逆テーパ状に形成
されているため、レジスト層１４の段差により第２有機
膜１５Ｂと背面電極材料層１６はそれぞれ分断されてパ
ターニングされる。この後、有機溶剤で露出した第１有
機膜１５Ａを溶解させた後、レジスト層１４を剥離液で
剥離してリフトオフを行ってもよい。
【００１８】本実施形態２では、レジスト層１４を形成
した後に第１有機膜１５Ａを湿式成膜することにより、
前面電極１２及びレジスト層１４を完全に被覆すること
ができる。このため、背面電極１６Ａが第２有機膜１５
Ｂよりもレジスト層１４に近づいて蒸着されても、前面
電極１２と背面電極１６Ａとの間のショートを防止する
ことができる。また、本実施形態では、レジスト層１４
の幅を狭くしてもショートを防止できるため、発光部の
面積を大きく設定することが可能になる。
した後に第１有機膜１５Ａを湿式成膜することにより、
前面電極１２及びレジスト層１４を完全に被覆すること
ができる。このため、背面電極１６Ａが第２有機膜１５
Ｂよりもレジスト層１４に近づいて蒸着されても、前面
電極１２と背面電極１６Ａとの間のショートを防止する
ことができる。また、本実施形態では、レジスト層１４
の幅を狭くしてもショートを防止できるため、発光部の
面積を大きく設定することが可能になる。
【００１９】（実施形態３）図１２は、本発明に係る発
光素子の製造方法の実施形態３を示す要部断面図であ
る。本実施形態３では、上記した実施形態１と同様に層
間絶縁膜１３を形成し、その後、上記した実施形態２と
同様に第１有機膜１５Ａを湿式成膜し、続いて、第２有
機膜１５Ｂと背面電極材料層１６を順次蒸着する。な
お、本実施形態では、レジスト層１４の幅寸法が層間絶
縁膜１３の幅寸法以下であればよい。なお、本実施形態
３における他の工程は、上記した実施形態２と同様であ
る。
光素子の製造方法の実施形態３を示す要部断面図であ
る。本実施形態３では、上記した実施形態１と同様に層
間絶縁膜１３を形成し、その後、上記した実施形態２と
同様に第１有機膜１５Ａを湿式成膜し、続いて、第２有
機膜１５Ｂと背面電極材料層１６を順次蒸着する。な
お、本実施形態では、レジスト層１４の幅寸法が層間絶
縁膜１３の幅寸法以下であればよい。なお、本実施形態
３における他の工程は、上記した実施形態２と同様であ
る。
【００２０】本実施形態３では、層間絶縁膜１３の幅寸
法を短く設定することができるため、微細化を促進する
ことができる。また、前面電極１２上に層間絶縁膜１３
が形成されているため、ショートを確実に防止すること
ができる。
法を短く設定することができるため、微細化を促進する
ことができる。また、前面電極１２上に層間絶縁膜１３
が形成されているため、ショートを確実に防止すること
ができる。
【００２１】以上、実施形態について説明したが、本発
明はこれらに限定されるものではなく、構成の要旨に付
随する各種の設計変更が可能である。
明はこれらに限定されるものではなく、構成の要旨に付
随する各種の設計変更が可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、発光素子の有機ＥＬ層を挟む一方の電極と
他方電極との間にショートが発生するのを防止すること
ができる。また、他方の電極のパターンをリソグラフィ
ー技術を適用して形成できるため、微細化を図ることが
できる。
明によれば、発光素子の有機ＥＬ層を挟む一方の電極と
他方電極との間にショートが発生するのを防止すること
ができる。また、他方の電極のパターンをリソグラフィ
ー技術を適用して形成できるため、微細化を図ることが
できる。
【図１】本発明に係る発光素子の製造方法の実施形態１
の初期工程を示す平面図。
の初期工程を示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】実施形態１の工程を示す平面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ断面図。
【図５】実施形態１の工程を示す平面図。
【図６】図５のＣ−Ｃ断面図。
【図７】実施形態１の工程を示す平面図。
【図８】図７のＤ−Ｄ断面図。
【図９】図７のＥ−Ｅ断面図。
【図１０】実施形態１の発光素子を示す断面図。
【図１１】本発明に係る発光素子の製造方法の実施形態
２を示す要部断面図。
２を示す要部断面図。
【図１２】本発明に係る発光素子の製造方法の実施形態
３を示す要部断面図。
３を示す要部断面図。
【図１３】従来の発光素子を示す断面図。
【図１４】従来の他の発光素子の製造方法を示す平面
図。
図。
【図１５】図１４のＸ−Ｘ断面図。
【図１６】図１４のＹ−Ｙ断面図。
【図１７】従来の他の発光素子の問題点を示す要部断面
図。
図。
１０ 発光素子 １１ ガラス基板 １２ 前面電極（一方の電極） １３ 層間絶縁膜 １３Ａ 開口部 １４ レジスト層 １５ 有機ＥＬ層 １５Ａ 第１有機膜（所定の有機膜） １５Ｂ 第２有機膜（他の有機膜） １６ 背面電極材料層 １６Ａ 背面電極（他方の電極）
Claims (5)
- 【請求項１】 一方の電極上に、開口部を有するととも
に部分的に前記一方の電極を覆う所定の幅の第１絶縁膜
と、前記第１絶縁膜上に設けられた前記第１絶縁膜の幅
より狭い幅の逆テーパ状の第２絶縁膜と、前記第１絶縁
膜の開口部に対応する一方の電極上に設けられた電界発
光層と、前記電界発光層上に設けられた他方の電極と、
を有することを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 基板上に、順次、一方の電極、電界発光
層、他方の電極が積層された発光素子の製造方法におい
て、 前記一方の電極を形成した後、該一方の電極の個々の発
光部に相当する領域を露呈させる開口部を有する層間絶
縁膜を形成し、 前記層間絶縁膜上に、側壁が逆テーパ状をなし、且つパ
ターン上部の端縁が該層間絶縁膜の前記開口部の平面領
域外に位置する分離層を形成し、 前記分離層をマスクとして、順次、前記電界発光層、他
方の電極を形成する材料を成膜させることを特徴とする
発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板は透明性を有し、前記一方の電
極は透明な導電性材料でなる前面電極であることを特徴
とする請求項２記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項４】 基板上に、順次、一方の電極、複数の膜
を積層してなる電界発光層、他方の電極が形成されてな
る発光素子の製造方法において、 前記一方の電極を形成した後、側壁が逆テーパ状をな
し、且つパターン上部の端縁が前記一方の電極の個々の
発光部に相当する平面領域外に位置する分離層を形成
し、 前記電界発光層を構成する複数の膜のうちの所定の膜を
基板上の全面に湿式成膜して前記電界発光層を成膜後、
前記他方の電極を形成する材料を前記分離層をマスクと
して成膜することを特徴する発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記所定の膜は、有機溶剤で可溶な材料
でなることを特徴とする請求項４記載の発光素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25334198A JP3807114B2 (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25334198A JP3807114B2 (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068071A true JP2000068071A (ja) | 2000-03-03 |
| JP3807114B2 JP3807114B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=17249987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25334198A Expired - Lifetime JP3807114B2 (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3807114B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001735A1 (fr) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Nitto Denko Corporation | Dispositif organique electroluminescent et procede de fabrication |
| JP2002008869A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Tohoku Pioneer Corp | 有機ｅｌパネル表示装置 |
| JP2003077652A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| JP2008251872A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 複合型有機発光トランジスタ素子およびその製造方法 |
| JP5096641B1 (ja) * | 2011-09-05 | 2012-12-12 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
Citations (5)
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| JPH1167455A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JPH11185968A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-08-25 JP JP25334198A patent/JP3807114B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US8093586B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-01-10 | Pioneer Corporation | Hybrid organic light-emitting transistor device and manufacturing method thereof |
| JP5096641B1 (ja) * | 2011-09-05 | 2012-12-12 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
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