CN110148615B - 发光器件及其制造方法、掩膜板、显示基板及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示器件及其制造方法、掩膜板、显示基板及装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成辅助电极和第一电极，辅助电极在衬底基板上的第一正投影位于第一电极在衬底基板上的第二正投影外；利用具有镂空区域的掩膜板，在形成有辅助电极和第一电极的衬底基板上沉积发光层；在形成有发光层的衬底基板上形成第二电极。本申请解决了杂质颗粒会对发光层的发光造成影响的问题，使得发光器件的发光效果也不会受到杂质颗粒的影响。本申请用于显示器件。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示器件及其制造方法、掩膜板、显示基板及装置。
背景技术
有机发光二极管（英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED）显示装置由于显示效果较好而得到了广泛的应用。
相关技术中，OLED显示装置包括：发光器件，发光器件包括：衬底基板、绝缘层、OLED和辅助电极，OLED包括沿远离衬底基板的方向依次排布的阳极、发光层和阴极。辅助电极和绝缘层均位于衬底基板和OLED的发光层之间，沿远离衬底基板的方向依次排布。并且，OLED的阴极通过绝缘层和发光层中的过孔与辅助电极电连接。在制造该发光器件时，需要首先在衬底基板上先形成辅助电极、绝缘层、阳极和发光层，之后采用激光在发光层和绝缘层中形成过孔，以使辅助电极通过该过孔裸露。最后，形成阴极，以使阴极通过该过孔电连接至辅助电极。
相关技术中，发光层通常为有机材质，在采用激光照射发光层以形成过孔时，会形成杂质颗粒附着在发光层上，该杂质颗粒会对发光层的发光造成影响。
发明内容
本申请提供了一种显示器件及其制造方法、掩膜板、显示基板及装置，可以解决杂质颗粒会对发光层的发光造成影响的问题，所述技术方案如下：
一方面，提供了一种发光器件的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成辅助电极和第一电极，所述辅助电极在所述衬底基板上的第一正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的第二正投影外；
利用具有镂空区域的掩膜板，在形成有所述辅助电极和所述第一电极的衬底基板上沉积发光层，其中，所述发光层在所述衬底基板上的第三正投影位于目标正投影外，且与所述第二正投影至少部分重叠，所述目标正投影包括至少部分所述第一正投影；
在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极，其中，所述第二电极在所述衬底基板上的第四正投影与所述目标正投影至少部分重叠，所述第四正投影与所述第三正投影至少部分重叠。
可选地，所述掩膜板具有所述镂空区域和目标非镂空区域，所述利用具有镂空区域的掩膜板，在形成有所述辅助电极和所述第一电极的衬底基板上沉积发光层，包括：
将所述掩膜板置于所述辅助电极远离所述衬底基板的一侧的目标位置，以使所述目标正投影位于所述目标非镂空区域在所述衬底基板上的正投影内，且所述第二正投影与所述镂空区域在所述衬底基板上的正投影存在重叠；
从所述掩膜板远离所述衬底基板的一侧，通过所述掩膜板的所述镂空区域，向形成有所述辅助电极和所述第一电极的衬底基板上沉积所述发光层。
可选地，所述第三正投影与所述第一正投影的间距大于零；和/或，所述第三正投影包围所述第一正投影；和/或，所述第二正投影位于所述第三正投影内；和/或，所述第一正投影和所述第三正投影均位于所述第四正投影内。
可选地，所述第一电极透光且所述第二电极遮光，或者，所述第一电极遮光且所述第二电极透光。
可选地，所述掩膜板为精细金属掩膜板。
可选地，所述在衬底基板上形成辅助电极和第一电极，包括：
在所述衬底基板上形成所述辅助电极；
在形成有所述辅助电极的衬底基板上形成所述第一电极。
可选地，在所述在衬底基板上形成辅助电极和第一电极之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成控制电路层；
所述在衬底基板上形成辅助电极和第一电极，包括：在形成有所述控制电路层的衬底基板上形成所述辅助电极和所述第一电极，所述第一电极与所述控制电路层电连接。
另一方面，提供了一种发光器件，所述发光器件由本发明实施例提供的发光器件的制造方法制成，所述发光器件包括：衬底基板、辅助电极、第一电极、发光层和第二电极；
所述第一电极与所述辅助电极位于所述衬底基板上，且所述辅助电极在所述衬底基板上的第一正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的第二正投影外；
所述发光层位于所述辅助电极远离所述衬底基板的一侧，且所述发光层在所述衬底基板上的第三正投影位于目标正投影外，且与所述第二正投影至少部分重叠，所述目标正投影包括至少部分所述第一正投影；
所述第二电极位于所述发光层远离所述衬底基板的一侧，且所述第二电极在所述衬底基板上的第四正投影与所述目标正投影至少部分重叠，所述第四正投影与所述第三正投影至少部分重叠。
另一方面，提供了一种掩膜板，所述掩膜板用于制备本发明实施例提供的发光器件，所述掩膜板具有镂空区域和非镂空区域；
当利用具有镂空区域的掩膜板，在形成有所述辅助电极和所述第一电极的衬底基板上沉积发光层时，目标正投影位于所述非镂空区域在所述衬底基板上的正投影内，所述第一电极在所述衬底基板上的第二正投影与所述镂空区域在所述衬底基板上的正投影存在重叠，其中，所述目标正投影包括至少部分第一正投影，所述第一正投影为所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影。
另一方面，提供了一种显示基板，所述显示面板包括：本发明实施例提供的发光器件。
另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：本发明实施例提供的显示基板。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本发明实施例提供的发光器件的制造方法中，在衬底基板上形成辅助电极和第一电极后，利用掩膜板沉积发光层，且发光层并未覆盖辅助电极。之后，再形成第二电极，以使第二电极能够直接覆盖辅助电极和发光层，从而实现第二电极电连接至辅助电极。由于该制造方法中并未使用激光，因此，发光层上并不会附着有杂质颗粒，发光器件的发光效果也不会受到杂质颗粒的影响。
另外，利用掩膜板形成发光层的效率较高，因此，本发明实施例中发光器件的制造效率高于相关技术中发光器件的制造效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了相关技术中的OLED显示装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种发光器件的制造方法的流程图；
图3为本发明实施例提供的另一种发光器件的制造方法的流程图；
图4为本发明实施例提供的一种发光器件的制造过程示意图；
图5为本发明实施例提供的一种发光器件的制造过程示意图；
图6为本发明实施例提供的一种发光器件的制造过程示意图；
图7为本发明实施例提供的一种发光器件的制造过程示意图；
图8为本发明实施例提供的一种发光器件的制造过程示意图；
图9为本发明实施例提供的一种发光器件的制造过程示意图；
图10为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
图1示出了相关技术中的OLED显示装置的结构示意图。如图1所示，OLED显示装置01包括：显示基板（图1中未标出）、盖板012、黑矩阵013、彩膜014、上层覆盖层015、支撑柱016、填充层017和封框胶（图1中未示出）。
其中，显示基板包括发光器件011，发光器件011包括：衬底基板0111、控制电路层0112、OLED和辅助电极0113，OLED包括沿远离衬底基板0111的方向依次排布的阳极0114、发光层0115和阴极0116。控制电路层0112包括导电层和绝缘层（图1中均未示出）。辅助电极0113和控制电路层0112均位于衬底基板0111和OLED的发光层0115之间，且沿远离衬底基板0111的方向依次排布。并且，OLED的阴极0116通过绝缘层和发光层0115中的过孔A与辅助电极0113电连接。
在制造该发光器件011时，需要首先在衬底基板0111上先形成辅助电极0113、控制电路层0112、阳极0114和发光层0115，之后采用激光在发光层0115和控制电路层0112中的绝缘层中形成过孔A，以使辅助电极0113通过该过孔A裸露。最后，形成阴极0114，以使阴极0114通过该过孔A电连接至辅助电极0113。
但由于发光层0115通常为有机材质，在采用激光照射发光层0115以形成过孔时，会形成杂质颗粒附着在发光层0115上，进而影响发光器件的发光效果。并且，采用激光形成过孔的效率较低，因此，发光器件的制造效率较低。本发明实施例提供了一种发光器件的制造方法，采用该制造方法制造发光器件并不会影响发光器件的发光效果，且制造效率较高。
示例地，图2为本发明实施例提供的一种发光器件的制造方法的流程图，如图2所示，该发光器件的制造方法可以包括：
步骤201、在衬底基板上形成辅助电极和第一电极，辅助电极在衬底基板上的第一正投影位于第一电极在衬底基板上的第二正投影外。
步骤202、利用具有镂空区域的掩膜板，在形成有辅助电极和第一电极的衬底基板上沉积发光层，其中，发光层在衬底基板上的第三正投影位于目标正投影外，且与第二正投影至少部分重叠，目标正投影包括至少部分第一正投影。
步骤203、在形成有发光层的衬底基板上形成第二电极，其中，第二电极在衬底基板上的第四正投影与目标正投影至少部分重叠，第四正投影与第三正投影至少部分重叠。
综上所述，本发明实施例提供的发光器件的制造方法中，在衬底基板上形成辅助电极和第一电极后，利用掩膜板沉积发光层，且发光层并未覆盖辅助电极。之后，再形成第二电极，以使第二电极能够直接覆盖辅助电极和发光层，从而实现第二电极电连接至辅助电极。由于该制造方法中并未使用激光，因此，发光层上并不会附着有杂质颗粒，发光器件的发光效果也不会受到杂质颗粒的影响。
另外，利用掩膜板形成发光层的效率较高，因此，本发明实施例中发光器件的制造效率高于相关技术中发光器件的制造效率。
示例地，图3为本发明实施例提供的另一种发光器件的制造方法的流程图，如图3所示，该发光器件的制造方法可以包括：
步骤301、在衬底基板上形成控制电路层。
该控制电路层可以包括多个绝缘层和多个导体层，且该多个绝缘层和多个导体层能够形成薄膜晶体管（或者薄膜晶体管和电容）。在步骤301之后，就可以得到如图4所示的结构，该结构包括衬底基板021，以及位于衬底基板021上的控制电路层022。
步骤302、在形成有控制电路层的衬底基板上形成辅助电极。
在步骤302中，可以采用涂覆、物理气相沉积（英文：Physical Vapor Deposition；简称：PVD）或化学气相沉积（英文：Chemical Vapor Deposition；简称：CVD）等方法在形成有控制电路层的衬底基板上形成一层导电材料，得到导电材质层。其中，PVD包括：磁控溅射或热蒸发等物理沉积方法，CVD包括离子体增强化学气相沉积法（英文： Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition；简称：PECVD）等化学沉积方法。
在得到导电材质层后，可以采用一次构图工艺对该导电材质层进行处理就可以得到如图5所示的辅助电极023。一次构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。采用一次构图工艺对导电材质层进行处理包括：在导电材质层上涂覆一层光刻胶；然后采用掩膜版对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成曝光区和非曝光区；之后采用显影工艺进行处理，使曝光区和非曝光区中一种区域的光刻胶被去除，而另一种区域的光刻胶保留；之后对导电材质层上未覆盖有光刻胶的区域进行刻蚀；刻蚀完毕后剥离导电材质层上的光刻胶即可得到辅助电极。
需要说明的是，光刻胶可以为正性光刻胶或负性光刻胶。若光刻胶为正性光刻胶，则在上述显影工艺之后，曝光区的光刻胶被去除，而非曝光区的光刻胶保留；若光刻胶为负性光刻胶，则在上述显影工艺之后，非曝光区的光刻胶被去除，而曝光区的光刻胶保留。
步骤303、在形成有辅助电极的衬底基板上形成第一电极，辅助电极在衬底基板上的第一正投影位于第一电极在衬底基板上的第二正投影外。
在形成辅助电极后，可以在形成有辅助电极的衬底基板上，采用涂覆、PVD或CVD等方法形成一层导电材料，得到导电材质层。在得到该导电材质层后，可以采用一次构图工艺对该导电材质层进行处理就可以得到如图6所示的第一电极024。第一电极024与控制电路层022电连接。
辅助电极023和第一电极024均可以位于控制电路层022远离衬底基板的表面。如图6所示，辅助电极023在衬底基板021上的第一正投影B1位于第一电极024在衬底基板021上的第二正投影B2外，相当于辅助电极023和第一电极024相互绝缘。
需要说明的是，第一电极和辅助电极的材质可以相同也可以不同，当第一电极和辅助电极的材质相同或不同时，均可以按照步骤302和步骤303中的方式形成辅助电极和第一电极。当第一电极和辅助电极的材质相同时，还可以是不采用步骤302和步骤303的方式形成辅助电极和第一电极。比如，可以直接在形成有控制电路层的衬底基板上形成导电材质层，之后，再通过一次构图工艺对该导电材质层进行处理，即可同时得到上述辅助电极和第一电极。本发明实施例对此不作限定。
步骤304、将掩膜板置于辅助电极远离衬底基板的一侧的目标位置，以使目标正投影位于目标非镂空区域在衬底基板上的正投影内，且第二正投影与镂空区域在衬底基板上的正投影存在重叠，其中，目标正投影包括至少部分第一正投影。
本发明实施例中利用掩膜板制备发光器件，如图7所示，该掩膜板03具有镂空区域031和目标非镂空区域032。可选地，掩膜板03还可以包括除镂空区域031和目标非镂空区域032之外的辅助非镂空区域（图7中未标出）。示例地，该掩膜板03可以为精细金属掩膜板（英文：Fine Metal Mask；简称：FFM）。
在形成辅助电极023和第一电极024后，可以将掩膜板03置于辅助电极023远离衬底基板021的一侧的目标位置（如图7中掩膜板所在的位置）。此时，掩膜板03可以悬空在衬底基板021上，当然也可以是掩膜板03位于形成有辅助电极023和第一电极024的衬底基板021上。
当掩膜板位于目标位置时，目标正投影位于掩膜板03的目标非镂空区域032在衬底基板021上的正投影C3内，第一电极024在衬底基板021上的第二正投影B2与掩膜板03的镂空区域031在衬底基板021上的正投影C4存在重叠。图7中以目标正投影为辅助电极023在衬底基板021上的全部第一正投影B1为例，当然，目标正投影也可以仅包括部分第一正投影B1。图7中以正投影C3包围第一正投影B1，且第二正投影B2位于正投影C3外为例。可选地，第二正投影B2也可以不位于正投影C3外（比如第二正投影B2与正投影C3部分重叠）。
步骤305、从掩膜板远离衬底基板的一侧，通过掩膜板的镂空区域，向形成有辅助电极和第一电极的衬底基板上沉积发光层。
在将掩膜板置于目标位置后，如图8所示，可以从掩膜板03远离衬底基板021的一侧，通过掩膜板03的镂空区域031，向形成有辅助电极023和第一电极024的衬底基板021上沉积发光材质X，以在形成有辅助电极023和第一电极024的衬底基板021上形成发光层025。示例的，上述沉积发光材质的过程可以通过蒸镀等方式实现。
沉积得到的发光层025的形状与掩膜板03中镂空区域031的形状相同，所以发光层025在衬底基板021上的第三正投影B3位于目标正投影（如图7中辅助电极023在衬底基板021上的第一正投影B1）之外，且第一电极024在衬底基板021上的第二正投影B2与该第三正投影B3至少部分重叠。
并且，图8中以第三正投影B3包围第一正投影B1，且第二正投影B2位于第三正投影B3内为例。可选地，第二正投影B2也可以不位于第三正投影B3内（比如第二正投影B2与第三正投影B3部分重叠等）。可选地，第三正投影B3与第一正投影B1的间距可以大于零，此时发光层与辅助电极不接触。
步骤306、在形成有发光层的衬底基板上形成第二电极，其中，第二电极在衬底基板上的第四正投影与目标正投影至少部分重叠，第四正投影与第三正投影至少部分重叠。
上述第二电极可以为整面电极，覆盖衬底基板上的各个区域。此时，在形成上述发光层后，可以在形成有发光层的衬底基板上采用涂覆、PVD或CVD等方法形成一层导电材料，得到该第二电极。
如图9所示，第二电极026在衬底基板011上的第四正投影B4与目标正投影（如辅助电极023在衬底基板011上的第一正投影B1）至少部分重叠。第二电极026在衬底基板011上的第四正投影B4与发光层025在衬底基板011上的第三正投影B3至少部分重叠。可以看出，在步骤306之前形成的发光层025并未覆盖辅助电极023，在步骤306中形成的第二电极026能够直接与辅助电极023和发光层025接触，从而实现第二电极026电连接至辅助电极023和发光层025的目的。由于第二电极与辅助电极电连接，因此，辅助电极能够降低第二电极上的阻抗。
需要说明的是，图9中以第一正投影B1和第三正投影B3均位于第四正投影B4内为例。可选地，第一正投影B1和第三正投影B3也可以不是均位于第四正投影B4内（比如第三正投影B3可以与第四正投影B4部分重叠等）。
在执行完毕步骤306后，即可得到发光器件，且该发光器件中的发光层能够在第一电极上的电位和第二电极上的电位的作用下发光，第一电极上的电位可以由控制电路层提供。该第一电极、发光层和第二电极可以组成OLED或发光二极管（英文：Light EmittingDiode；简称：LED）或其他能够发光的元件，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，本发明实施例制造得到的发光器件可以为顶发光器件也可以为底发光器件，本发明实施例对此不作限定。当发光器件为顶发光器件时，第一电极遮光且第二电极透光（如第一电极的材质包括金属或石墨烯等，第二电极的材质包括为氧化铟锡或氧化铟锌等），衬底基板可以透光也可以遮光，此时发光器件中第二电极所在侧出光。当发光器件为底发光器件时，第一电极透光且第二电极遮光（如第一电极的材质包括氧化铟锡或氧化铟锌等，第二电极的材质包括为金属或石墨烯等），且衬底基板透光，此时发光器件中第一电极所在侧出光。
另外，无论发光器件为顶发光器件还是底发光器件，上述辅助电极均可以透光或遮光。比如辅助电极的材质包括金属（如铝或铜）或氧化铟锡等。
本发明实施例以制造得到的发光器件如图9所示为例，可选地，发光器件也可以与图9所示的结构不同。比如，制造得到的发光器件也可以不包括控制电路层，此时，无需执行步骤201，且在步骤202中可以直接在衬底基板上形成辅助电极。
综上所述，本发明实施例提供的发光器件的制造方法中，在衬底基板上形成辅助电极和第一电极后，利用掩膜板沉积发光层，且发光层并未覆盖辅助电极。之后，再形成第二电极，以使第二电极能够直接覆盖辅助电极和发光层，从而实现第二电极电连接至辅助电极。由于该制造方法中并未使用激光，因此，发光层上并不会附着有杂质颗粒，发光器件的发光效果也不会受到杂质颗粒的影响。
另外，利用掩膜板形成发光层的效率较高，因此，本发明实施例中发光器件的制造效率高于相关技术中发光器件的制造效率。
本发明实施例提供了一种发光器件，该发光器件可以由本发明实施例提供的发光器件的制造方法（如图2或图3所示的方法）制成。
如图9所示，该发光器件02包括：衬底基板021、辅助电极023、第一电极024、发光层025和第二电极026；第一电极024与辅助电极023位于衬底基板021上，且辅助电极023在衬底基板021上的第一正投影B1位于第一电极024在衬底基板021上的第二正投影B2外。
发光层025位于辅助电极023远离衬底基板021的一侧，且发光层025在衬底基板021上的第三正投影B3位于目标正投影之外，第二正投影B2与第三正投影B3至少部分重叠。该目标正投影包括至少部分第一正投影B1，图9中以目标正投影包括全部的第一正投影B1为例。
第二电极026位于发光层025远离衬底基板021的一侧，且第二电极026在衬底基板021上的第四正投影B4与目标正投影（如上述第一正投影B1）至少部分重叠，第四正投影B4与第三正投影B3至少部分重叠。
可选地，请继续参考图9，该发光器件02还可以包括控制电路层022，控制电路层022位于衬底基板021上，辅助电极023和第一电极024位于形成有控制电路层022的衬底基板021上。第一电极024与控制电路层022电连接。当然，发光器件02也可以不包括控制电路层022，本发明实施例对此不作限定。
本发明实施例还提供了一种掩膜板，该掩膜板可以用于制备本发明实施例提供的发光器件（如图9所示的发光器件）。如图7所示，该掩膜板03具有镂空区域031和目标非镂空区域032。
在掩膜板03位于辅助电极023远离衬底基板021的一侧的目标位置（如图7中掩膜板所在的位置）时，目标正投影（如辅助电极023在衬底基板021上的第一正投影B1）位于掩膜板03的目标非镂空区域032在衬底基板021上的正投影C3内，第一电极024在衬底基板021上的第二正投影B2与掩膜板03的镂空区域031在衬底基板021上的正投影C4存在重叠。
本发明实施例还提供了一种显示基板，该显示基板可以包括：本发明实施例提供的发光器件（如图9所示的发光器件）。
图10为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图10所示，该显示装置04可以包括：本发明实施例提供的显示基板，该显示基板包括本发明实施例提供的发光器件。图10中以发光器件为图9所示的发光器件为例。
可选地，显示装置04还可以包括盖板05。盖板05可以与发光器件02中的衬底基板021相对设置，发光器件02中除衬底基板021之外的其他结构均位于衬底基板021和盖板05之间。
可选地，显示装置04还可以包括：位于盖板05朝向衬底基板021一侧的彩膜06和黑矩阵07。此时，发光器件02发出的光可以为白光。需要说明的是，当显示装置04不包括彩膜06时，发光器件02发出的光可以为白光或者彩色光。
可选地，显示装置还可以包括：位于彩膜06朝向衬底基板021一侧的上层覆盖层08。可选地，显示装置还可以包括：位于上层覆盖层08和发光器件01之间的填充层09、支撑柱10和封框胶（图10中未示出）。
在制造图10所示的显示装置时，可以采用本发明实施例提供的发光器件的制备方法制备发光元件，进而得到显示基板。还可以在盖板上形成彩膜、黑矩阵和上层覆盖层。之后，在显示基板中第二电极所在侧形成填充层、支撑柱和封框胶，再将形成有彩膜、黑矩阵和上层覆盖层的盖板与显示基板对盒即可。
另外，本发明实施例提供的显示装置可以为：显示面板（如OLED显示面板或LED显示面板）、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例提供的显示装置可以为大尺寸（如大于30~40英寸）的显示装置，或小尺寸（如小于或等于30英寸）的显示装置。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本公开中，术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
本发明中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
需要说明的是，本发明实施例提供的方法实施例能够与相应的发光模组实施例相互参考，本发明实施例对此不做限定。本发明实施例提供的方法实施例步骤的先后顺序能够进行适当调整，步骤也能够根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成控制电路层，
在形成有所述控制电路层的衬底基板上形成导电材质层；
通过一次构图工艺对所述导电材质层进行处理，得到辅助电极和第一电极，所述第一电极和所述辅助电极的材质相同，所述第一电极与所述控制电路层电连接，所述辅助电极和所述第一电极均位于所述控制电路层远离所述衬底基板的表面，所述辅助电极在所述衬底基板上的第一正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的第二正投影外；
将具有镂空区域和目标非镂空区域的掩膜板置于所述辅助电极远离所述衬底基板的一侧的目标位置，以使目标正投影位于所述目标非镂空区域在所述衬底基板上的正投影内，且所述第二正投影与所述镂空区域在所述衬底基板上的正投影存在重叠；
从所述掩膜板远离所述衬底基板的一侧，通过所述掩膜板的所述镂空区域，向形成有所述辅助电极和所述第一电极的衬底基板上沉积发光层，其中，所述发光层在所述衬底基板上的第三正投影位于目标正投影外，且所述第二正投影位于所述第三正投影内，所述目标正投影为所述第一正投影，所述目标非镂空区域在所述衬底基板上的正投影包围所述第一正投影；
在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极，其中，所述第二电极在所述衬底基板上的第四正投影与所述目标正投影至少部分重叠，所述第四正投影与所述第三正投影至少部分重叠；
所述辅助电极和所述发光层与所述衬底基板垂直的侧边均与所述第二电极接触。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三正投影与所述第一正投影的间距大于零；和/或，所述第三正投影包围所述第一正投影；和/或，所述第二正投影位于所述第三正投影内；和/或，所述第一正投影和所述第三正投影均位于所述第四正投影内。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极透光且所述第二电极遮光，或者，所述第一电极遮光且所述第二电极透光。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜板为精细金属掩膜板。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成辅助电极和第一电极，包括：
在所述衬底基板上形成所述辅助电极；
在形成有所述辅助电极的衬底基板上形成所述第一电极。
6.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件由权利要求1至5任一所述的方法制成，所述发光器件包括：衬底基板、控制电路层、辅助电极、第一电极、发光层和第二电极；
所述控制电路层位于所述衬底基板上，所述第一电极与所述辅助电极位于所述控制电路层上，所述第一电极与所述辅助电极通过一次构图工艺形成，所述第一电极和所述辅助电极的材质相同，所述第一电极与所述控制电路层电连接，所述辅助电极和所述第一电极均位于所述控制电路层远离所述衬底基板的表面，且所述辅助电极在所述衬底基板上的第一正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的第二正投影外；
目标正投影位于所述目标非镂空区域在所述衬底基板上的正投影内，且所述第二正投影与所述镂空区域在所述衬底基板上的正投影存在重叠；
所述发光层位于所述辅助电极远离所述衬底基板的一侧，且所述发光层在所述衬底基板上的第三正投影位于目标正投影外，且所述第二正投影位于所述第三正投影内，所述目标正投影为所述第一正投影，所述目标非镂空区域在所述衬底基板上的正投影包围所述第一正投影；
所述第二电极位于所述发光层远离所述衬底基板的一侧，且所述第二电极在所述衬底基板上的第四正投影与所述目标正投影至少部分重叠，所述第四正投影与所述第三正投影至少部分重叠；
所述辅助电极和所述发光层与所述衬底基板垂直的侧边均与所述第二电极接触。
7.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板用于制备权利要求6所述的发光器件，所述掩膜板具有镂空区域和非镂空区域；
当利用具有镂空区域的掩膜板，在形成有所述辅助电极和所述第一电极的衬底基板上沉积发光层时，目标正投影位于所述非镂空区域在所述衬底基板上的正投影内，所述第一电极在所述衬底基板上的第二正投影与所述镂空区域在所述衬底基板上的正投影存在重叠，其中，所述目标正投影包括至少部分第一正投影，所述第一正投影为所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影。
8.一种显示基板，其特征在于，显示面板包括：权利要求6所述的发光器件。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：权利要求8所述的显示基板。
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