CN107604306A - 用于oled器件蒸镀的掩膜板及其制造的oled器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于OLED器件蒸镀的掩膜板及其制造的OLED器件,所述掩膜板包括:第一槽形掩膜部,沿预定方向间隔设置;第二槽形掩膜部,垂直于所述第一槽形掩膜部间隔设置;所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部将基板对应的像素区域分隔为至少两个显示区域,所述显示区域为所述OLED器件的有机膜在所述基板上的镀膜区域;所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部用以掩盖所述基板的非镀膜区域;其中,所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部的交叉处覆盖一连接辅助阴极的连接孔;以解决WOLED器件电极的电压降与显示屏显示均匀性问题。

Description

用于OLED器件蒸镀的掩膜板及其制造的OLED器件
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种用于OLED器件蒸镀的掩膜板及其制造的OLED器件。
背景技术
OLED显示屏具有低功耗、体积小、超薄、可视角大等等优势,其应用方向非常广泛,被业内认可为下一代优秀显示器件,OLED在显示终端TV市场的应用,随着时间推移将普及。
大尺寸WOLED(White OLED)器件目前主流为Bottom-OLED技术,Bottom-OLED设计开口率低无法满足市场产品高分辨率发展需求,因此必须开发Top-OLED技术,Top-OLED设计具有要求高分辨率、透明阴极光学效果好等优点,但由于制成设备及工艺受限,WOLED各层与阴极采用开口掩模板(Open mask)整面镀膜,WOLED器件电极的电压降与显示屏显示均匀性问题比较突出。
综上所述,现有技术的OLED器件中,OLED器件各膜层均采用开口掩模板镀膜,然而先成膜的有机材料会将连接孔堵塞,使阴极无法连接到辅助阴极,从而影响电极的电压降与显示屏显示均匀性,进而影响OLED器件性能的问题。
发明内容
本发明提供一种用于OLED器件蒸镀的掩膜板及其制造的OLED器件,能够使先成膜的有机材料不会堵塞连接孔,保证阴极与辅助阴极的有效连接,从而有效改善OLED器件电极的电压降与显示屏显示的均匀性,进而提高OLED器件的性能。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种用于OLED器件蒸镀的掩膜板,包括:
第一槽形掩膜部,沿预定方向间隔设置;
第二槽形掩膜部,垂直于所述第一槽形掩膜部间隔设置;
所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部将基板对应的像素区域分隔为至少两个显示区域,所述显示区域为所述OLED器件的有机膜在所述基板上的镀膜区域;
所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部用以掩盖所述基板的非镀膜区域;
其中,所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部的交叉处覆盖一连接辅助阴极的连接孔。
根据本发明一优选实施例,所述第一槽形掩膜部的宽度与所述第二槽形掩膜部的宽度相等。
根据本发明一优选实施例,所述第一槽形掩膜部的宽度与所述第二槽形掩膜部的宽度均比所述连接孔的直径大3微米-7微米。
根据本发明一优选实施例,所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部的覆盖区域位于所述显示区域的范围外。
根据本发明一优选实施例,所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部均位于与像素隔离柱对应的位置,且所述覆盖区域在所述像素隔离柱区域范围内。
根据本发明一优选实施例,两所述第一槽形掩膜部与两所述第二槽形掩膜部形成所述掩膜板的外边框,且所述外边框的所述交叉处在所述基板的对应位置不设置所述连接孔。
本发明还提供一种用如上述所述的掩膜板制造的OLED器件,包括:
第一基板;
薄膜晶体管层,制备于所述第一基板表面,所述薄膜晶体管层包括间隔设置的开关单元;
辅助阴极层,制备于所述第一基板表面,包括间隔设置的辅助阴极,且所述辅助阴极与所述开关单元间隔设置;
像素界定层,制备于所述薄膜晶体管层表面,所述像素界定层包括间隔设置的像素隔离柱;
阳极层,制备于所述薄膜晶体管层表面,且位于相邻两所述像素隔离柱之间;
有机发光层,制备于所述阳极层表面,所述有机发光层包括像素单元;
阴极层,制备于所述有机发光层表面;
第二基板,与所述第一基板相对设置;
其中,至少一所述像素单元对应的阴极通过一连接孔连接到相应的所述辅助阴极。
根据本发明一优选实施例,所述连接孔包括位于所述像素隔离柱的第一过孔,以及位于所述薄膜晶体管层对应于所述第一过孔的第二过孔。
根据本发明一优选实施例,所述连接孔大小为25微米-50微米。
根据本发明一优选实施例,所述有机发光层采用槽形掩膜板以避开所述连接孔成膜,所述阴极层采用开口掩膜板以将金属膜成膜于所述连接孔,以将所述阴极层与所述辅助阴极层进行连接。
本发明的有益效果为:相较于现有的OLED器件,本发明的OLED器件,用辅助阴极(Auxiliary cathode)设计方式,将每个像素阴极或多个像素阴极通过连接孔引入到OLED器件下方进行驱动补偿,其中,在OLED器件制备过程中通过设计带有遮挡连接孔的槽形掩膜板(Slot Type Mask),用槽形掩膜板的交叉处遮挡连接孔的位置,从而解决了在有机成膜过程中堵塞连接孔的问题,阴极镀膜采用开口掩模板将金属膜成膜于连接孔,从而有效将阴极与辅助阴极连接,进而有效控制器件压降,保证器件点亮均一性。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的用于OLED器件蒸镀的掩膜板示意图;
图2为用本发明提供的掩膜板制造的OLED器件示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有技术的OLED器件,先成膜的有机材料会将连接孔堵塞,使阴极无法连接到辅助阴极,从而影响电极的电压降与显示屏显示均匀性,进而影响OLED器件性能的问题,本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示,为本发明提供的用于OLED器件蒸镀的掩膜板示意图,所述掩膜板为槽形掩模版,包括:第一槽形掩膜部101,沿预定方向间隔设置,所述预定方向可以为水平方向;第二槽形掩膜部102,垂直于所述第一槽形掩膜部101间隔设置;所述第一槽形掩膜部101与所述第二槽形掩膜部102将基板对应的像素区域分隔为至少两个显示区域,所述显示区域为所述OLED器件的有机膜在所述基板上的镀膜区域105;所述第一槽形掩膜部101与所述第二槽形掩膜部102用以掩盖所述基板的非镀膜区域;所述第一槽形掩膜部101的宽度与所述第二槽形掩膜部102的宽度相等。
所述第一槽形掩膜部101与所述第二槽形掩膜部102形成网状结构,一所述第一槽形掩膜部101依次与所述第二槽形掩膜部102形成多个交叉处103,其中,所述第一槽形掩膜部101与所述第二槽形掩膜部102的交叉处103覆盖连接辅助阴极的连接孔104,所述连接孔104的直径大小为25微米-50微米,为有效将所述连接孔104遮盖,所述第一槽形掩膜部101的宽度与所述第二槽形掩膜部102的宽度均比所述连接孔104的直径大3微米-7微米。所述第一槽形掩膜部101与所述第二槽形掩膜部102的覆盖区域位于所述显示区域的范围外。两所述第一槽形掩膜部101与两所述第二槽形掩膜部102形成所述掩膜板的外边框,且所述外边框的所述交叉处103在所述基板的对应位置可以不设置所述连接孔104。
本发明可根据实际情况,可将每个像素的阴极或多个所述像素的所述阴极通过所述连接孔104引入到所述OLED器件下方的所述辅助阴极,所述连接孔104的数量可根据实际需求而定,所以相邻两所述第一槽形掩膜部101与相邻两所述第二槽形掩膜部102之间的距离,可根据实际需求中相邻两所述连接孔104的距离而定,使每一所述连接孔104均被所述交叉处103覆盖。
如图2所示,为用本发明提供的掩膜板制造的OLED器件示意图,所述OLED器件为白光OLED,包括:第一基板201,所述第一基板201上涂覆有一层缓冲层;辅助阴极层,制备于所述第一基板201表面,包括间隔设置的辅助阴极202;薄膜晶体管层220,制备于所述第一基板201表面,所述薄膜晶体管层220包括栅绝缘层203、间绝缘层204、平坦化层205以及贯穿其中间隔设置的开关单元206,所述栅绝缘层203制备于所述第一基板201与所述辅助阴极202表面,所述间绝缘层204制备于所述栅绝缘层203表面,所述平坦化层205制备于所述间绝缘层204表面;所述开关单元206的有源层与所述辅助阴极202同在所述栅绝缘层203,且所述辅助阴极202与所述开关单元206间隔设置;像素界定层,制备于所述薄膜晶体管层220表面,所述像素界定层包括间隔设置的像素隔离柱207,用以隔开不同子像素;阳极层208,制备于所述薄膜晶体管层220表面,且位于相邻两所述像素隔离柱207之间;有机发光层209,制备于所述阳极层208表面,所述有机发光层209包括像素单元;阴极层,制备于所述有机发光层209表面,所述阴极层包括对应于所述像素单元的阴极210;第二基板211,所述第二基板211即封装盖板,与所述第一基板201相对设置,所述第二基板211包括黑色矩阵2111与色阻层2112,所述黑色矩阵2111与所述色阻层2112间隔设置。
其中,至少一所述像素单元对应的所述阴极210通过一连接孔212连接到相应的所述辅助阴极202。所述连接孔212包括位于所述像素隔离柱207的第一过孔2121,以及位于所述薄膜晶体管层220对应于所述第一过孔2121的第二过孔2122。所述连接孔212的直径大小为25微米-50微米,所述辅助阴极202与所述连接孔212以及所述开关单元206均位于所述黑色矩阵2111的正下方,所述色阻层2112对应于所述有机发光层209,所述阳极层208与所述开关单元206的漏极相连。由于所述连接孔212紧邻所述有机发光层209,现有技术在制备所述OLED器件过程中,所述有机发光层209先于所述阴极210制备,所以所述有机发光层209很容易造成所述连接孔212的堵塞,从而影响所述阴极210与所述辅助阴极202的顺利导通。
本发明的所述有机发光层209采用槽形掩膜板以避开所述连接孔212成膜,所述阴极210采用开口掩膜板以将金属膜成膜于所述连接孔212中,以将所述阴极210与所述辅助阴极202进行连接。所述槽形掩膜板的所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部均位于与所述像素隔离柱207对应的位置,且所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部的覆盖区域在所述像素隔离柱207区域范围内。所述连接孔212被所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部的所述交叉处所覆盖,所述有机发光层209通过所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部形成的镂空区域进行蒸镀到预定区域;之后采用开口掩膜板蒸镀所述阴极210,并使所述阴极210蒸镀到连接孔212中,保证所述阴极210与所述辅助阴极202的顺利导通。
本发明的所述OLED器件,至少将一个像素对应的所述阴极通过连接孔连接到对应的所述辅助阴极,进行驱动补偿,从而保证能有效控制所述OLED器件压降,保证所述OLED器件点亮均一性。
相较于现有的OLED器件,本发明的OLED器件,用辅助阴极设计方式,将每个像素阴极或多个像素阴极通过连接孔引入到OLED器件下方进行驱动补偿,其中,在OLED器件制备过程中通过设计带有遮挡连接孔的槽形掩膜板,用槽形掩膜板的交叉处遮挡连接孔的位置,从而解决了在有机成膜过程中堵塞连接孔的问题,阴极镀膜采用开口掩模板将金属膜成膜于连接孔,从而有效将阴极与辅助阴极连接,进而有效控制器件压降,保证器件点亮均一性。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种用于OLED器件蒸镀的掩膜板,其特征在于,包括:
第一槽形掩膜部,沿预定方向间隔设置;
第二槽形掩膜部,垂直于所述第一槽形掩膜部间隔设置;
所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部将基板对应的像素区域分隔为至少两个显示区域,所述显示区域为所述OLED器件的有机膜在所述基板上的镀膜区域;
所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部用以掩盖所述基板的非镀膜区域;
其中,所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部的交叉处覆盖一连接辅助阴极的连接孔。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一槽形掩膜部的宽度与所述第二槽形掩膜部的宽度相等。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一槽形掩膜部的宽度与所述第二槽形掩膜部的宽度均比所述连接孔的直径大3微米-7微米。
4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部的覆盖区域位于所述显示区域的范围外。
5.根据权利要求4所述的掩膜板,其特征在于,所述第一槽形掩膜部与所述第二槽形掩膜部均位于与像素隔离柱对应的位置,且所述覆盖区域在所述像素隔离柱区域范围内。
6.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,两所述第一槽形掩膜部与两所述第二槽形掩膜部形成所述掩膜板的外边框,且所述外边框的所述交叉处在所述基板的对应位置不设置所述连接孔。
7.一种用如权利要求1所述的掩膜板制造的OLED器件,其特征在于,包括:
第一基板;
薄膜晶体管层,制备于所述第一基板表面,所述薄膜晶体管层包括间隔设置的开关单元;
辅助阴极层,制备于所述第一基板表面,包括间隔设置的辅助阴极,且所述辅助阴极与所述开关单元间隔设置;
像素界定层,制备于所述薄膜晶体管层表面,所述像素界定层包括间隔设置的像素隔离柱;
阳极层,制备于所述薄膜晶体管层表面,且位于相邻两所述像素隔离柱之间;
有机发光层,制备于所述阳极层表面,所述有机发光层包括像素单元;
阴极层,制备于所述有机发光层表面;
第二基板,与所述第一基板相对设置;
其中,至少一所述像素单元对应的阴极通过一连接孔连接到相应的所述辅助阴极。
8.根据权利要求7所述的OLED器件,其特征在于,所述连接孔包括位于所述像素隔离柱的第一过孔,以及位于所述薄膜晶体管层对应于所述第一过孔的第二过孔。
9.根据权利要求8所述的OLED器件,其特征在于,所述连接孔大小为25微米-50微米。
10.根据权利要求7所述的OLED器件,其特征在于,所述有机发光层采用槽形掩膜板以避开所述连接孔成膜,所述阴极层采用开口掩膜板以将金属膜成膜于所述连接孔,以将所述阴极层与所述辅助阴极层进行连接。
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