JP2002184573A - ピクセル化有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法 - Google Patents

ピクセル化有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法

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JP2002184573A JP2001291183A JP2001291183A JP2002184573A JP 2002184573 A JP2002184573 A JP 2002184573A JP 2001291183 A JP2001291183 A JP 2001291183A JP 2001291183 A JP2001291183 A JP 2001291183A JP 2002184573 A JP2002184573 A JP 2002184573A
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エー．バン スライク スティーブン
Ching W Tang
ダブリュ．タン チン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡潔で正確な有機ＥＬデバイスの製造方法を
提供することである。 【解決手段】 有機ＥＬ媒体層及びカソードを蒸着させ
るための蒸着ゾーンを定める単一の蒸着マスクを用いる
ことにより、そしてカソードとカソードコネクター間に
電気接続をもたらすためのカソードコネクターシャドウ
構造物を形成することによる、有機ＥＬデバイスを製造
するための方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に有機エレク
トロルミネセンス（ＥＬ）デバイス、更に詳細には、デ
バイスのカソードとカソードコネクター構造物間に電気
接続をもたらす接続構造物を有する有機ＥＬデバイスに
関する。
【０００２】
【従来の技術】単純マトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ ｍ
ａｔｒｉｘ）有機ＥＬデバイスは、パターン化アノード
とその直角方向に向けられたカソード間に有機ＥＬ媒体
層を挟むことにより製造する。フルカラーの単純マトリ
ックス有機ＥＬデバイスは、米国特許第５，７０１，０
５５号に開示されているが、モノクロム及びエリア−カ
ラーの有機ＥＬデバイスに対する大きな市場が潜在的に
存在する。競合する経済環境におけるこの市場の要請に
合致するためには、デバイスの製造コストを低減するよ
うなデバイス製造方法が見出され、且つ開発されなけれ
ばならない。
【０００３】従来のピクセル化有機ＥＬデバイスでは、
光透過性アノード、例えば、インジウム−スズ−酸化物
（ＩＴＯ）を光透過性基板、例えば、ガラス基板上に形
成する。比較的小さいデバイス用には、アノード、及び
有機ＥＬデバイスを作動させるのに要する駆動信号を供
給するための駆動回路に電気接続を与えるための、基板
縁端から内側方向に延びるカソードコネクターを形成す
るのに、ＩＴＯをまた用いることができる。より大きい
面積のデバイスでは、アクティブピクセル化デバイス域
から駆動回路まで及び駆動回路から電流を流すために、
少なくともカソード用には、低抵抗性金属コネクターが
必要とされる。
【０００４】アノードとカソード間に形成された有機Ｅ
Ｌ媒体層は相対的に電気絶縁性であるので、従来の有機
ＥＬデバイスを作成する際には次の二つの基本的要件に
合致しなければならない：第一に、通常、層が駆動回路
に電気接続が必要とされる低抵抗性金属コネクターの一
部を有機ＥＬ媒体層が覆わないように蒸着により形成し
なければならず；そして第二に、アノードとカソード間
の直接の電気接続が起こらないように、すなわち、電極
間で電気ショートが起こらないように、有機ＥＬ媒体層
を形成しなければならない。従来の有機ＥＬデバイスを
作成するには、少なくとも２つの別個のマスク操作を選
択すること、すなわち、第一蒸着ゾーンを定める第一蒸
着マスクを提供することにより定められた有機ＥＬ媒体
層を形成し、そして第二蒸着ゾーンを定める第二蒸着マ
スクを提供することにより定められたカソードを形成す
ることにより、これらの二つの要件に合致することがで
きる。
【０００５】有機ＥＬ媒体層は、周囲条件下で湿気に対
して敏感なので、有機ＥＬデバイスの第三の製造要件
は、真空系の外側の周囲条件下で起こりうる湿気レベル
に有機ＥＬ媒体層を曝すことなく、真空蒸着法式で連続
蒸着することにより、有機ＥＬ媒体層とカソードを連続
形成することである。前記の第一蒸着マスクは、真空系
の外側ですなわち、有機ＥＬ媒体層を形成する前に、基
板に関して正確に配置できるが、真空系内での操作によ
って、第一マスクの除去、及び基板に対して及び有機Ｅ
Ｌ媒体層に対して第二マスクを正確に配置することは、
比較的複雑なそして時間を費やす操作であり、誤配置の
間違いが生じるかもしれない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、有機
ＥＬ媒体層及びカソードを蒸着させるための蒸着ゾーン
を定める単一の蒸着マスクを用いることにより、そして
カソードとカソードコネクター間に電気接続をもたらす
ためのカソードコネクターシャドウ構造物を形成するこ
とによる、有機ＥＬデバイスを製造するための方法を提
供することある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は、ピクセル化
有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスの製造方
法であって、 ａ）選択されたアノードと少なくとも１個のカソード間
に駆動電圧を印加してその選択されたアノードとその少
なくとも１個のカソードにより形成されたデバイスのピ
クセルから発光させるように、基板上に間隔を空けて設
けられた複数個の光透過性アノード、及び電気接続が得
られるように基板縁端から内側へ延びる少なくとも１個
のカソードコネクターを有する光透過性基板を提供し； ｂ）前記の少なくとも１個のカソードコネクター上に電
気絶縁性有機カソードコネクターシャドー構造物を形成
し； ｃ）電気絶縁性有機ＥＬ媒体層及びその有機ＥＬ媒体層
上に導電性カソードを蒸着させるための、基板上の蒸着
ゾーンを定めるマスクを提供し； ｄ）蒸着ゾーン中に、そして少なくとも１個のカソード
コネクターシャドウ構造物のベースから間隔を空けた位
置に末端が来るように有機ＥＬ媒体層の形成を起こさせ
るような、カソードコネクターシャドウ構造物に対する
蒸着方向を用いて、基板に向けられた有機ＥＬ材料を蒸
着させることにより、有機ＥＬ媒体層を第一蒸着し；そ
して ｅ）蒸着ゾーン中に、そして前記有機ＥＬ媒体層上に導
電性カソードの形成を起こさせるような、カソードコネ
クターシャドウ構造物に対する蒸着方向を用いて、有機
ＥＬ媒体層に向けられた導電性材料を蒸着させることに
より、導電性カソードを第二蒸着し、ここで前記導電性
カソードは、有機ＥＬ媒体層が少なくとも１個のカソー
ドコネクターシャドウ構造物のベースから間隔を空けて
設けられている位置に、少なくとも１個のカソードコネ
クターと電気接続した状態でその末端が来るものであ
る、工程を含むピクセル化有機エレクトロルミネセンス
デバイスの製造方法により達成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明を更に十分に理解するため
に、従来技術のピクセル化有機エレクトロルミネセンス
（ＥＬ）デバイスの製造方法の特徴を図１〜図８を参照
して説明する。
【０００９】図１は、基板上に間隔を空けて設けられた
複数個の光透過性アノード１４、並びに間隔を空けて設
けられその基板縁端から内側に延びる複数個のカソード
コネクター２０を有する光透過性基板１２を含む基板配
置物１０−１の平面図である。複数個の有機カソード分
離シャドウ構造物３０が、アノード及び基板１２の一部
上に、そしてアノードと直角方向延びて形成されてい
る。カソード分離シャドウ構造物３０は、電気絶縁性で
あり、そして各々がカソードコネクター２０と電気接続
状態にある複数個のカソードを間隔を空けて設けるよう
に作用する。ｘ方向のアクティブピクセルの寸法、Ｐ
ｘ、及びｙ方向のアクティブピクセルの寸法、Ｐｙを図
１に示す。
【００１０】光透過性基板１２は、ガラス、石英、適切
なプラスチック材料等から作成できる。アノード１４
は、好ましくはインジウムースズー酸化物（ＴＩＯ）か
ら作成し、そしてカソードコネクター２０は好ましくは
低抵抗性金属、例えば、銅、アルミニウム、モリブデン
等から作成する。
【００１１】図示しないが、アノード１４の各々は、そ
の上に形成され、基板１２の縁端から、例えば、図１に
示したように下端から内側へ伸びる低抵抗性金属コネク
ターパッドを有することができることが理解される。
【００１２】図２は、図１の断面線２−２についての基
板配置物１０−１の断面図であり、バックグラウンドに
カソード分離シャドウ構造物を示す。
【００１３】図３は、図１の断面線３−３についての基
板配置物１０−１の断面図であり、２個の隣接するカソ
ード分離シャドウ構造物３０間に位置するカソードコネ
クター２０を示す。
【００１４】図４は、カソード分離シャドウ構造物３０
の１つの拡大断面図であり、電気絶縁性有機ベース層３
２、及び中心線３１の周りのベース層３２上に形成され
た電気絶縁性有機シャドウ構造物３４を含む。有機ベー
ス層３２の幅寸法ＷＢは、有機シャドウ構造物３４の幅
寸法ＷＳより大きい。
【００１５】カソード分離シャドウ構造物は、米国特許
第５，２７６，３８０号及び米国特許第５，７０１，０
５５号（それらの開示は引用することにより本願明細書
に包含する）に開示されているように、一般に隣接カソ
ード間に電気絶縁をもたらすように、慣用の単純マトリ
ックス有機ＥＬデバイス（一体のシャドウマスクの形
態）を作成するのに用いられてきた。
【００１６】図５は、第一蒸着ゾーン５２を定める第一
マスク５０により、基板１２の一部が覆われている基板
配置物１０−２の平面図である。有機ＥＬ媒体層５４
は、蒸着ゾーン内の基板上に形成される（表示を明瞭に
するために、マスク５０上に形成されたＥＬ媒体蒸着物
は図示しない）。第一マスク５０及びその蒸着ゾーン５
２は、真空蒸着室の外側で、すなわち、真空蒸着室(図
示せず）内で蒸着によりＥＬ媒体層５４を形成するのに
先立って、基板１２に関し正確に配向される。
【００１７】図６には、図５の断面線５−５についての
基板１２の拡大断面図を示す。基板に対して実質的に直
角な(又はカソード分離シャドウ構造物３０の中心線３
１に対して実質的に平行な）蒸着方向で蒸着ゾーン５２
中に、基板１２に向けられた有機ＥＬ材料蒸気流５３を
蒸着させることにより、有機ＥＬ媒体層５４の一部が形
成されるのを示す。
【００１８】図７は、基板１２が第二マスク６０により
覆われた部分を有する、有機ＥＬデバイス１０の平面図
であり、前記第二マスクは、有機ＥＬ媒体層５４上に導
電性カソード６６を蒸着するための第二蒸着ゾーン６２
を定め、且つカソード（有機カソード分離シャドウ構造
物３０により互いに分離している）とカソードコネクタ
ー２０間に接続領域２４を形成するための、それに関す
るオフセットである。
【００１９】カソード６６を形成する前に、第一マスク
５０(図５参照）は、蒸着室内で基板１２から分離され
ていなければならず、そして第二マスク６０は、先に形
成された有機ＥＬ媒体層５４に対して、ここでも蒸着室
内で、可能な限り最良の配置に置かれなければならない
ことが理解されるであろう。
【００２０】図８は、図７の断面線７−７についての拡
大断面図であり、カソードコネクター２０の一部とカソ
ード６６間の接続領域２４を示す。隣接カソード６６
が、カソード６６が基板に対して実質的に直角の（又は
シャドウ構造物の中心線３１と実質的に平行な）方向で
蒸着ゾーン６２中に、基板に向けられたカソード材料蒸
気流６３を蒸着することにより形成されるので、カソー
ド分離シャドウ構造物３０により互いにスペースを空け
て配置されている。
【００２１】図６及び図８に示したように、有機ＥＬ媒
体層５４及びカソード６６は、図６及び８に示したよう
に、蒸気流５３及び６３が蒸着ゾーン５２及び６２の基
板上で方向づけられている場合、かかる構造物のシャド
ウ効果に依り、シャドウ構造物３４のベースから間隔を
空けた位置でベース層３２上に末端が来る。
【００２２】図７のデバイス１０からマスク６０を取り
はずすと、単純マトリックス有機ＥＬデバイス１０は、
カソードコネクターを介して選択されたカソードと、選
択されたアノード間に電位をかけることにより作動す
る。選択されたカソードに、選択されたアノードより負
のバイアス電圧をかけると、選択されたピクセル、Ｐ
ｘ，Ｐｙは、光透過性アノード14及び光透過性基板１２
を介して発光する。
【００２３】図９〜１７は、蒸着ゾーンを定める単一の
蒸着マスクを用い、そしてカソードコネクターシャドウ
構造物を包含させることによる、単純マトリックスピク
セル化有機エレクトロルミネセンスデバイスを製造する
ための操作順序の略図である。
【００２４】図９は、有機ＥＬ媒体層を蒸着する前の基
板配置物１００−１の平面図である。光透過性基板１１
２、光透過性アノード１１４、カソードコネクター１２
０、及び有機カソード分離シャドウ構造物１３０は、図
１の従来技術の配置物１０−１の基板１２、アノード１
４、カソードコネクター２０及びカソード分離シャドウ
構造物３０に対応するので、さらに説明する必要はな
い。
【００２５】有機カソードコネクターシャドウ構造物１
２６は、各カソードコネクター１２０上に形成され、２
つの有機境界層１４０はアノード１１４及び基板１１２
上に配備される。有機シャドウ構造物１２６及び１３
０、並びに有機境界層１４０は電気絶縁性であり、フォ
トリソグラフィ工程により形成する。
【００２６】図１０は、図９の断面線９−９についての
拡大断面図であり、アノード１１４上に形成された有機
境界層１４０を示す。
【００２７】図１１は、図９の断面線１０−１０につい
てのカソードコネクターシャドウ構造物１２６の拡大断
面図である。カソードコネクターシャドウ構造物１２６
はカソードコネクター１２０上に形成され、中心線１２
７を有する。アノード１１４はバックグラウンドに示さ
れている。
【００２８】図１２では、図９の基板配置物１００−１
は、蒸着ゾーン１７２を定めるマスク１７０により覆わ
れる部分を有し、この部分は蒸着ＥＬ媒体層及びカソー
ドをその後に形成するためのものである。マスク１７０
及びその蒸着ゾーン１７２は、蒸着室の外側で、基板１
１２に対して正確に位置づけ、このアセンブリをその後
蒸着室に移す。蒸着ゾーン１７２は、カソードコネクタ
ー１２０及びカソードコネクターシャドウ構造物１２６
の一部、並びに有機境界層１４０の一部を含む。
【００２９】図１３は、図１２の断面線１２−１２につ
いての拡大断面図であり、配置物１００−１の基板１１
２をスライドして受容でき、そしてマスク１７０を支え
るマスクフレーム構造物１７８を示す。
【００３０】図１４は、蒸着ゾーン１７２中に有機媒体
層１７４を、そしてカソード１７６を形成して完成した
有機ＥＬデバイス１００の平面図である。表現を簡潔に
するために、マスク１７０でマスクされた部分上に形成
された蒸着物は図から省略した。
【００３１】図１５は、図１４の断面線１４−１４につ
いての有機カソードコネクターシャドウ構造物１２６の
拡大断面図である。
【００３２】第一蒸着では、有機ＥＬ材料蒸気流１７３
は、基板に対して実質的に直角（又はシャドウ構造物１
２６の中心線１２７に対して実質的に平行）な方向で基
板１１２に向かって蒸着ゾーン１７２(図１４参照）中
に向けられる。この第一蒸着により、有機ＥＬ媒体層１
７４が形成され、この層は、カソードコネクターシャド
ウ構造物１２６のベースから間隔を空けた位置でカソー
ドコネクター１２０上で末端となる。
【００３３】第二蒸着では、カソード材料蒸気流１７５
は、有機ＥＬ媒体層１７４に向かって蒸着ゾーン１７２
中に向けられる。カソード材料蒸気流１７５は、シャド
ウ構造物１２６の中心線１２７に関して角度Θ内に向け
られている。この第二蒸着により、カソード１７６が形
成され、有機ＥＬ媒体層１７４がカソードコネクターシ
ャドウ構造物１２６のベースから間隔を空けて設けられ
ている位置の接続領域１８０でカソードコネクター１２
０と電気接続する。
【００３４】このように、蒸着ゾーンを定め、且つ基板
上の特徴物に関して正確に方向づけられる単一マスクを
用い、そしてカソードコネクターシャドウ構造物を形成
すると、簡潔で信頼性があり時間を節約できる，モノク
ロム単純マトリックス有機ＥＬデバイスの製造方法が得
られる。
【００３５】図１６は、図１３の断面図と同様の断面図
であり、マスクフレーム構造物１７８により支えられる
マスク１７０を示す。オーバーレイマスク１７０−１を
マスク１７０上に配備して、例えば、有機材料蒸気流１
７３−１から第一蒸着の基板１１２の一部上に有機ＥＬ
媒体層１７４−１を形成するのに使用できる蒸着ゾーン
１７２−１を形成することができる。有機ＥＬ媒体層１
７４−１は、例えば、１個より多くのピクセルにより覆
われた領域上に、エリア−カラーもしくは色相の光を発
光させる機能を発揮することができる。層１７４−１は
また、カソード分離シャドウ構造物１３０（断面図のバ
ックグラウンドにおいて明らか）の一部上に、そしてオ
ーバーレイマスク１７０−１のマスクされた部分上にも
形成される。次にオーバーレイマスク１７０−１を除去
し、基板の残留部分上に第二のカラー又は色相を与え、
且つマスク１７０の蒸着ゾーン１７２の非覆部分を介し
てカソードコネクターシャドウ構造物１２６を含む有機
ＥＬ媒体層を形成する際、ＥＬ媒体層１７４−１を覆う
カバー(図示せず）と置き換える。最後に、このカバー
を除去し、次いでカソード材料蒸気流１７５（図１５参
照）を有機ＥＬ媒体層（エリア−カラーを形成する）に
向け、図１５のカソード及び接続領域１８０を形成す
る。
【００３６】図１７及び１８は、図１５の図と同様であ
り、カソードコネクターシャドウ構造物１２６及び第
一、第二及び第三蒸着に関する作用を示す。
【００３７】図１７では、図１５に関し先述したよう
に、有機ＥＬ材料蒸気流１７３から第一蒸着させること
により基板１１２上に有機ＥＬ媒体層１７４を形成す
る。カソード１７６は、ＥＬ媒体層１７４上に、カソー
ド材料蒸気流１７５を蒸着ゾーン１７２(図１４参照）
中に、基板に対して実質的に直角(又はシャドウ構造物
１２６の中心線１２７に対して実質的に平行な）方向に
向けることにより形成する。したがって、層１７４及び
カソード１７６の両者は、カソードコネクター１２０の
一部分上に形成されるが、しかしカソードコネクターシ
ャドウ構造物１２６のベースとは間隔を空けて配備され
る。
【００３８】図１８では、補助導電材料蒸気流１９５を
カソード１７６に向けることにより、補助導電層１９６
をカソード１７６上に形成し、この蒸気流１９５は中心
線１２７に関して角度Θ内に向けられている。
【００３９】補助導電層１９６は、有機ＥＬ媒体層１７
４とカソード１７６がシャドウ構造物１２６のベースと
間隔を空けて設けられている位置の接続領域１８０でカ
ソードコネクター１２０と電気接続する。
【００４０】カソード１７６が、カソードを保護できる
又はカソードの環境上の安定性を高揚できる補助導電層
が有利な場合、又は必要とする場合は、図１７及び図１
８に示す方法を用いると有利である。
【００４１】図１９から２２は、有機ＥＬ媒体層を蒸着
するための蒸着ゾーンを定める単一マスク、及びカソー
ドコネクターと電気接続している共通のカソードを用い
る、活性マトリックス有機ＥＬデバイスの製造について
の略図である。
【００４２】図１９は、複数個のアドレス可能な薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）有機ＥＬピクセルを示す回路図で
ある。各ＴＦＴ−有機ＥＬピクセルは、論理トランジス
タＴ１、コンデンサＣｓ及び光透過性アノード（陽極）
及びカソード間に挟まれたＥＬ媒体から発光させること
ができるパワー・トランジズターＴ２を含む。論理トラ
ンジズターＴ１は、ゲートライン及び情報源ラインに適
切な信号を与えることに依り作動させることができる。
カソード（陰極）ラインを太字の輪郭線で示して、デバ
イスのすべてのピクセルについて共通のカソードを表示
する。アクティブマトリックスエレクトロルミネセンス
デバイスの構成及び機能は米国特許第５，５５０，０６
６号（その開示は引用することにより明細書に包含す
る）に開示されている。
【００４３】図２０は、複数個のＴＦＴピクセルが光透
過性基板３１２上に設けられた基板配置物３００−１の
平面図である。ピクセルの論理トランジスタＴ１にアド
レスするための集積駆動回路（ドライバー）を、基板３
１２の周辺域に沿って設けることができる。
【００４４】カソードコネクター３２０を、基板３１２
上に形成し、次いで有機カソードコネクターシャドウ構
造物３３６をカソードコネクター３２０上に形成する。
【００４５】図２１は、アクティブマトリックス有機Ｅ
Ｌデバイス３００の平面図であり、基板上に形成された
有機ＥＬ媒体層３７４、及びマスク３７０中に定められ
た蒸着ゾーン３７２内の層３７４上に形成されたカソー
ド３７６を示す。蒸着ゾーン３７２は、カソードコネク
ターシャドウ構造物３３６及びカソードコネクター３２
０の一部を含む。
【００４６】図２２は、図２１の断面線２０−２０につ
いての拡大断面図であり、２個のカソードコネクターシ
ャドウ構造物３３６を示す。第一蒸着で、基板３１２に
対して実質的に直角(又はシャドウ構造物３３６の中心
線３３７に対して実質的に平行）な方向に蒸着ゾーン３
７２(図２１参照）を介して基板３１２に向けられた有
機ＥＬ材料蒸気流３７３により、基板上及びカソードコ
ネクター３２０上に、有機ＥＬ媒体層３７４を形成され
る。カソード３７６は、カソード材料蒸気流３７５を層
３７４に向けることにより有機ＥＬ媒体層３７４上に形
成され、この蒸気流３７５は中心線３３７に関して角度
Θ内に向けられている。したがって、有機ＥＬ媒体層３
７４がカソードコネクターシャドウ構造物３３６のベー
スから間隔を空けて設けられている位置の接続領域３８
０で、カソード３７６とカソードコネクター３２０間に
電気接続が得られる。
【００４７】本発明のカソードコネクターシャドウ構造
物は、平面で見た場合、円形又は多角形であることがで
きる。特に、図２０及び２１のシャドウ構造物３３６
は、単一のカソードコネクターシャドウ構造物３３６を
構成するように引き伸ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
図１〜８は、従来のピクセル化有機エレクトロルミネセ
ンス（ＥＬ）デバイスの製造についての略図である。
【図１】間隔を空けて設けられた複数個のアノード、カ
ソードコネクター、並びにアノードと直角方向に延びる
カソード分離シャドウ構造物を有する基板の平面図であ
る。
【図２】図１の断面線２−２についての基板の断面図で
ある。
【図３】図１の断面線３−３についての基板の断面図で
ある。
【図４】ベース及びそのベース上にシャドウ構造物を有
する有機カソード分離シャドウ構造物の拡大断面図であ
る。
【図５】有機ＥＬ媒体層を基板上に蒸着させるための第
一蒸着ゾーンを定める第一マスクにより覆われた部分を
有する基板の平面図である。
【図６】図５の断面線５−５についての基板の拡大断面
図であり、基板に対して実質的に直角な方向で、第一蒸
着ゾーン中の基板上に向けられた蒸気流から蒸着させる
ことにより形成された有機ＥＬ媒体層の一部示す。
【図７】有機ＥＬ媒体層がアノードをカソードとの電気
接続から保護するように、有機ＥＬ媒体層上且つカソー
ドコネクターの一部上に導電性カソードを蒸着するため
の第二蒸着ゾーンを定める第二マスクにより覆われた部
分を有する基板の平面図である。
【図８】図７の断面線７−７についての拡大断面図であ
り、カソードコネクターとカソード間の接続領域を示
し、カソードは、基板に対して実質的に直角のな方向で
第二蒸着ゾーン中の基板上に向けられるカソード材料蒸
気流をシャドウする（遮る）カソード分離シャドウ構造
物により、隣接カソードから間隔を空けて設けられてい
る。〔図９〕〜〔図１８〕は、本発明によるピクセル化
有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造操作の略図
であり、基板上に、間隔を空けて設けられた複数個のア
ノード、カソード分離シャドウ構造物、及びカソードコ
ネクターを有し、各カソードコネクターはカソードコネ
クターシャドウ構造物を有する。
【図９】間隔を空けて設けられた複数個のアノード、ア
ノードに対して直角に延びるカソード分離シャドウ構造
物、２個の境界層、及び間隔を空けて設けられ各々カソ
ードコネクターシャドウ構造物を有するカソードコネク
ターを有する基板の平面図である。
【図１０】図９の断面線９−９についての拡大断面図で
あり、アノード及び基板上に形成された境界層の１つを
示す。
【図１１】図９の断面線１０−１０についての拡大断面
図であり、カソードコネクター上に形成されたカソード
コネクターシャドウ構造物を示す。
【図１２】図９の基板配置物１００−１は、蒸着ＥＬ媒
体層を基板上に蒸着するための、そしてその有機ＥＬ媒
体層上にカソードを蒸着させるための、蒸着ゾーンを定
めるマスクにより覆われる部分を有する基板の平面図で
ある。
【図１３】図１２の断面線１２−１２についての基板の
断面図であり、基板はマスクを支えるマスクフレーム構
造物内に配備されている。
【図１４】有機ＥＬ媒体層及びカソードが、蒸着ゾーン
中に図１２の基板上に形成されている有機ＥＬデバイス
の平面図である。
【図１５】図１４の断面線１４−１４についてのカソー
ドコネクター及びカソードコネクターシャドウ構造物の
拡大断面図であり、有機ＥＬ層を形成し、カソードコネ
クターと電気接続状態のカソードを形成するための、第
一蒸着(有機ＥＬ）及び第二蒸着(カソード）を示す。
【図１６】基板の選択された領域上に第一有機ＥＬ媒体
層を蒸着するための、より大きい蒸着ゾーンを定めるマ
スク及びより小さいオーバーレイ蒸着ゾーンを定めるオ
ーバーレイマスクを支えるマスクフレーム構造物内に位
置する基板の断面図である。
【図１７】カソードコネクター上に形成されたカソード
コネクターシャドウ構造物の拡大断面図であり、有機Ｅ
Ｌ媒体層及びその上にカソードを形成するための、基板
に対して直角方向に向けられた第一（有機ＥＬ）及び第
二（カソード）蒸着を示す。
【図１８】図１７の断面図であり、カソード上であっ
て、カソードコネクターと電気接続した状態の補助金属
層を形成するための、第三の補助金属蒸着を示す。〔図
１９〕〜〔図２２〕は、アクティブマトリックス有機エ
レクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスの製造操作の略
図である。
【図１９】各ＴＦＴ有機ＥＬピクセルが、組み合わされ
た光透過性アノード及びシェアされる又は共通のカソー
ドを有する、複数個のアドレス可能な薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）有機ＥＬピクセルを示す回路図である。
【図２０】間隔を空けて設けられた複数個のＴＦＴピク
セル、ｘ及びｙ集積ドライバー（駆動回路）、並びにそ
の上に形成された複数個のカソードコネクターシャドウ
構造物を有するカソードコネクターを有する基板の平面
図である。
【図２１】有機ＥＬ媒体層及びカソードが、マスクで定
められた蒸着ゾーン中の図２０の基板上に形成された、
アクティブマトリックス有機ＥＬデバイスの平面図であ
る。
【図２２】図２１の断面線２０−２０についての、カソ
ードコネクター上に形成されたカソードコネクターシャ
ドウ構造物の断面図であり、有機ＥＬ媒体層を形成する
ための、そしてシャドウ構造物の各々でカソードコネク
ターと電気接続状態のカソードを形成するための、第一
（有機ＥＬ）及び第二（カソード）蒸着を示す。図は必
然的に略図である。これは個々の層の厚さがあまりに薄
く、各種素子の厚さの差異が大きすぎ、比率に応じて又
は適当な比率で表すことができないからである。更に、
表現を簡潔にするために、図は、単一の有機エレクトロ
ルミネセンス(ＥＬ)層を示しているが、実際にはいくつ
かの層、例えば、有機正孔−注入層及び正孔移送層、単
一の色又は色調の光を発する（「モノクロム」ＥＬデバ
イス）、又は有機発光ホスト材料を選択された有機ルミ
ネセンスドーピング材料で適切にドーピングすることに
より、赤、緑もしくは青光を「エリア−カラー」として
発することができる有機発光層、並びに有機電子移送層
を含むことがある。あるいは、有機ＥＬ媒体層は、１層
以上の有機ポリマー層を含むこともある。
【符号の説明】
１０、１０−１、１０−２、１００−１、３００−１…
基板配置物 １２、１１２、３１２…光透過性基板 １４、１１４…アノード ２０、１２０、３２０…カソードコネクター ２４、１８０、３８０…接続領域 ３０、１３０…有機カソード分離シャドウ構造物 ３２…有機ベース層 ３１、１２７、３３７…中心線 ３４…有機シャドウ構造物 ５０、６０、１７０、３７０…マスク ５２、６２、１７２、１７２−１、３７２…蒸着ゾーン ５３、１７３、１７３−１、３７３…有機ＥＬ材料蒸気
流 ５４、１７４、１７４−１、３７４…有機ＥＬ媒体層 ６３、１７５、３７５…カソード材料蒸気流 ６６、１７６、３７６…カソード １００…有機ＥＬデバイス １２６、３３６…有機カソードコネクターシャドウ構造
物 １４０…有機境界層 １７８…マスクフレーム構造物 １７０−１…オーバーレイマスク １９６…補助導電材料蒸気流
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 CA01 CA05 CB01 CC05 DA00 DB03 EA00 EB00 FA01 4M104 AA10 BB02 BB16 BB36 CC01 DD34 GG04 HH16

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）選択されたアノードと少なくとも１
    個のカソード間に駆動電圧を印加してその選択されたア
    ノードとその少なくとも１個のカソードにより形成され
    たデバイスのピクセルから発光させるように、基板上に
    間隔を空けて設けられた複数個の光透過性アノード、及
    び電気接続が得られるように基板縁端から内側へ延びる
    少なくとも１個のカソードコネクターを有する光透過性
    基板を提供し； ｂ）前記の少なくとも１個のカソードコネクター上に電
    気絶縁性有機カソードコネクターシャドー構造物を形成
    し； ｃ）電気絶縁性有機ＥＬ媒体層及びその有機ＥＬ媒体層
    上に導電性カソードを蒸着させるための、基板上の蒸着
    ゾーンを定めるマスクを提供し； ｄ）蒸着ゾーン中に、そして少なくとも１個のカソード
    コネクターシャドウ構造物のベースから間隔を空けた位
    置に末端が来るように有機ＥＬ媒体層の形成を起こさせ
    るような、カソードコネクターシャドウ構造物に対する
    蒸着方向を用いて、基板に向けられた有機ＥＬ材料を蒸
    着させることにより、有機ＥＬ媒体層を第一蒸着し；そ
    して ｅ）蒸着ゾーン中に、そして前記有機ＥＬ媒体層上に導
    電性カソードの形成を起こさせるような、カソードコネ
    クターシャドウ構造物に対する蒸着方向を用いて、有機
    ＥＬ媒体層に向けられた導電性材料を蒸着させることに
    より、導電性カソードを第二蒸着し、ここで前記導電性
    カソードは、有機ＥＬ媒体層が少なくとも１個のカソー
    ドコネクターシャドウ構造物のベースから間隔を空けて
    設けられている位置に、少なくとも１個のカソードコネ
    クターと電気接続した状態でその末端が来るものであ
    る、工程を含むピクセル化有機エレクトロルミネセンス
    デバイスの製造方法。
  2. 【請求項２】 マスク提供工程ｃ）が、 前記マスク上にオーバーレイーマスクを提供する工程を
    更に含み、ここで前記オーバーレイーマスクは、基板上
    のオーバーレイー蒸着ゾーンを定め、このゾーンは、基
    板の第一部分上に第一電気絶縁性有機ＥＬ媒体層を蒸着
    するために定められたマスクの蒸着ゾーンより小さいも
    のである、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 蒸着工程ｄ)及びｅ）が、 ｉ）基板に向けられた第一有機ＥＬ材料をオーバーレイ
    蒸着ゾーン中に蒸着させることにより、基板の第一部分
    上に第一有機ＥＬ媒体層を第一蒸着し； ｉｉ）前記オーバーレイマスクを除去し、そして第一有
    機ＥＬ媒体層を更なる有機ＥＬ媒体層の蒸着から遮蔽
    し； ｉｉｉ）基板に向けられた第二有機ＥＬ材料を前記マス
    クの蒸着ゾーン中に蒸着させることにより、基板の残り
    の非遮蔽部分上に第二有機ＥＬ媒体層を第二蒸着し、； ｉｖ）前記第一有機ＥＬ媒体層上の遮蔽物を除去し、そ
    して； ｖ）第一及び第二有機ＥＬ媒体層に向けられた導電性材
    料を蒸着ゾーンに蒸着させることにより、導電性カソー
    ドを第三蒸着する、工程を更に含む請求項２記載の方
    法。
  4. 【請求項４】 ａ）選択されたＴＦＴ回路のアノード
    と、共通のカソード間に駆動電圧を印加して、その選択
    されたＴＦＴ回路により形成されたデバイスのピクセル
    から発光させるように、基板上に間隔を空けて設けられ
    た複数個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路及びそのＴ
    ＦＴ回路の各々に電気接続した光透過性アノード、並び
    に電気接続が得られるように基板の縁端から内側へ延び
    る１個のカソードコネクターを有する光透過性基板を提
    供し； ｂ）前記のカソードコネクター上に少なくとも１個の電
    気絶縁性有機カソードコネクターシャドー構造物を形成
    し； ｃ）電気絶縁性有機ＥＬ媒体層及びその有機ＥＬ媒体層
    上に導電性カソードを蒸着させるための、基板上の蒸着
    ゾーンを定めるマスクを提供し； ｄ）蒸着ゾーン中に、そして少なくとも１個のカソード
    コネクターシャドウ構造物のベースから間隔を空けた位
    置に末端が来るように有機ＥＬ媒体層の形成を起こさせ
    るような、少なくとも１個のカソードコネクターシャド
    ウ構造物に対する蒸着方向を用いて、基板に向けられた
    有機ＥＬ材料を蒸着させることにより、有機ＥＬ媒体層
    を第一蒸着し；そして ｅ）蒸着ゾーン中に、そして前記有機ＥＬ媒体層上に導
    電性カソードの形成を起こさせるような、少なくとも１
    個のカソードコネクターシャドウ構造物に対する蒸着方
    向を用いて、有機ＥＬ媒体層に向けられた導電性材料を
    蒸着させることにより導電性カソードを第二蒸着し、こ
    こで導電性カソードは、有機ＥＬ媒体層が少なくとも１
    個のカソードコネクターシャドウ構造物のベースから間
    隔を空けて設けられている位置に、カソードコネクター
    と電気接続した状態でその末端が来るものである；工程
    を含む、ピクセル化アクティブマトリックス有機エレク
    トロルミネセンスデバイスの製造方法。
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