JP2002353245A - 電気光学基板装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装置の製造方法 - Google Patents
電気光学基板装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2002353245A JP2002353245A JP2002014607A JP2002014607A JP2002353245A JP 2002353245 A JP2002353245 A JP 2002353245A JP 2002014607 A JP2002014607 A JP 2002014607A JP 2002014607 A JP2002014607 A JP 2002014607A JP 2002353245 A JP2002353245 A JP 2002353245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electro
- hole
- contact hole
- conductive layer
- substrate device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 242
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 222
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 101
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 87
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 84
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 34
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 25
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 225
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 101100116283 Arabidopsis thaliana DD11 gene Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100021735 Galectin-2 Human genes 0.000 description 1
- 101000592773 Halobacterium salinarum (strain ATCC 700922 / JCM 11081 / NRC-1) 50S ribosomal protein L22 Proteins 0.000 description 1
- 101001042446 Homo sapiens Galectin-2 Proteins 0.000 description 1
- 101000650817 Homo sapiens Semaphorin-4D Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 102100027744 Semaphorin-4D Human genes 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 tetramethyl oxy phosphate Chemical compound 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76804—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics by forming tapered via holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/78654—Monocrystalline silicon transistors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/105—Materials and properties semiconductor single crystal Si
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、各画素
の開口領域を広くするのに好適であると共に比較的高性
能のトランジスタを各画素に構築し、明るく高品位の画
像表示を行えるようにする。 【解決手段】 電気光学基板装置は、基板（１０）上
に、画素電極（９ａ）と、これに接続された画素スイッ
チング用のＴＦＴ（３０）とを備える。このＴＦＴは、
ボディイコンタクトを持たないＳＯＩ構造のＰチャネル
型ＴＦＴである。
の開口領域を広くするのに好適であると共に比較的高性
能のトランジスタを各画素に構築し、明るく高品位の画
像表示を行えるようにする。 【解決手段】 電気光学基板装置は、基板（１０）上
に、画素電極（９ａ）と、これに接続された画素スイッ
チング用のＴＦＴ（３０）とを備える。このＴＦＴは、
ボディイコンタクトを持たないＳＯＩ構造のＰチャネル
型ＴＦＴである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下適宜、ＴＦＴと称す）により画素電極をアクティ
ブマトリクス駆動する所謂ＴＦＴアクティブマトリクス
駆動方式の液晶装置等の電気光学装置を構成する電気光
学基板装置及びその製造方法、該電気光学基板装置を含
む電気光学装置、該電気光学装置を具備する電子機器、
並びに基板装置の製造方法の技術分野に属する。
（以下適宜、ＴＦＴと称す）により画素電極をアクティ
ブマトリクス駆動する所謂ＴＦＴアクティブマトリクス
駆動方式の液晶装置等の電気光学装置を構成する電気光
学基板装置及びその製造方法、該電気光学基板装置を含
む電気光学装置、該電気光学装置を具備する電子機器、
並びに基板装置の製造方法の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】この種の電気光学基板装置では、マトリク
ス状に配列された複数の画素電極に夫々、画素電極スイ
ッチング用のＴＦＴが設けられている。そして各ＴＦＴ
は、走査信号がそのゲート電極に印加される度に、オン
状態とされ、当該ＴＦＴを介して画像信号が画素電極に
書き込まれる。
ス状に配列された複数の画素電極に夫々、画素電極スイ
ッチング用のＴＦＴが設けられている。そして各ＴＦＴ
は、走査信号がそのゲート電極に印加される度に、オン
状態とされ、当該ＴＦＴを介して画像信号が画素電極に
書き込まれる。
【０００３】特に、画素スイッチング制御を行う際に、
高性能なトランジスタ特性を有するＴＦＴにより制御で
きるように、キャリアが高移動度の電子であるＮチャネ
ル型のＴＦＴが用いられている。そして近年、電気光学
装置の駆動周波数が高くなるに従って、より高い駆動周
波数に対応可能なように、キャリアが高移動度の電子で
あるＮチャネル型のＴＦＴが依然として用いられてい
る。
高性能なトランジスタ特性を有するＴＦＴにより制御で
きるように、キャリアが高移動度の電子であるＮチャネ
ル型のＴＦＴが用いられている。そして近年、電気光学
装置の駆動周波数が高くなるに従って、より高い駆動周
波数に対応可能なように、キャリアが高移動度の電子で
あるＮチャネル型のＴＦＴが依然として用いられてい
る。
【０００４】他方、高周波数駆動など、より高度な駆動
を行うためには、このような画素スイッチング用のＴＦ
Ｔを、更に高性能にする必要性が生じる。このため、半
導体製造技術におけるＳＯＩ（Silicon On Insulator）
構造或いはＳＯＩ技術を、この種の電気光学基板装置に
応用する試みもなされている。具体的には、基板上に形
成したクオーツ、サファイア等の絶縁体層上に、単結晶
半導体層を貼り合わせ等により形成して、この単結晶半
導体層にトランジスタを作り込む。係るＳＯＩ技術を応
用すれば、アモルファスシリコンＴＦＴやポリシリコン
ＴＦＴよりも高性能の単結晶シリコンＴＦＴを電気光学
基板装置上に作り込むことも可能とされている。
を行うためには、このような画素スイッチング用のＴＦ
Ｔを、更に高性能にする必要性が生じる。このため、半
導体製造技術におけるＳＯＩ（Silicon On Insulator）
構造或いはＳＯＩ技術を、この種の電気光学基板装置に
応用する試みもなされている。具体的には、基板上に形
成したクオーツ、サファイア等の絶縁体層上に、単結晶
半導体層を貼り合わせ等により形成して、この単結晶半
導体層にトランジスタを作り込む。係るＳＯＩ技術を応
用すれば、アモルファスシリコンＴＦＴやポリシリコン
ＴＦＴよりも高性能の単結晶シリコンＴＦＴを電気光学
基板装置上に作り込むことも可能とされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＯＩ
構造を採用した場合、ＮチャネルＭＯＳ型のＴＦＴで
は、その動作中にチャネル領域に余剰キャリアたる正孔
が蓄積する傾向がある。これは、本願発明者の研究によ
れば、ＳＯＩ構造では、チャネル領域下に絶縁体層が配
置されているため、基板浮遊効果による寄生バイポーラ
現象によると考察されている。この現象は、Ｎチャネル
ＭＯＳ型のＴＦＴの場合、ドレイン空乏層内でイオンイ
ンパクト化により生成される電子正孔対のうち電子はド
レインにそのまま流れていくものの、正孔は余剰キャリ
アとしてチャネル下部のソース近傍に蓄積し、チャネル
のポテンシャルが上昇し、更にインパクトイオン化が増
長される結果、余剰正孔の蓄積量が増加してドレイン電
流がなだれ的に増加してしまうという現象である。
構造を採用した場合、ＮチャネルＭＯＳ型のＴＦＴで
は、その動作中にチャネル領域に余剰キャリアたる正孔
が蓄積する傾向がある。これは、本願発明者の研究によ
れば、ＳＯＩ構造では、チャネル領域下に絶縁体層が配
置されているため、基板浮遊効果による寄生バイポーラ
現象によると考察されている。この現象は、Ｎチャネル
ＭＯＳ型のＴＦＴの場合、ドレイン空乏層内でイオンイ
ンパクト化により生成される電子正孔対のうち電子はド
レインにそのまま流れていくものの、正孔は余剰キャリ
アとしてチャネル下部のソース近傍に蓄積し、チャネル
のポテンシャルが上昇し、更にインパクトイオン化が増
長される結果、余剰正孔の蓄積量が増加してドレイン電
流がなだれ的に増加してしまうという現象である。
【０００６】従って、ＳＯＩ構造を採用したＮチャネル
ＭＯＳ型のＴＦＴでは、実践上は、このような余剰キャ
リアを引き抜くためのボディコンタクトをとる必要があ
る。より具体的には、チャネル領域から半導体層部分
を、余剰キャリアを引き抜くために延設すると共に、こ
の延設部分に余剰キャリア引き抜き用の導電層を接触さ
せる必要がある。このため、基板上における積層構造及
び製造プロセスの複雑化を招くという問題点が生じる。
更に、係るボディコンタクトは、画像表示領域内で実際
に表示に寄与しない各画素の非開口領域という限られた
領域内にＴＦＴを作り込むことを困難とし、或いは各画
素の開口領域を広げることの妨げになるという問題点が
ある。
ＭＯＳ型のＴＦＴでは、実践上は、このような余剰キャ
リアを引き抜くためのボディコンタクトをとる必要があ
る。より具体的には、チャネル領域から半導体層部分
を、余剰キャリアを引き抜くために延設すると共に、こ
の延設部分に余剰キャリア引き抜き用の導電層を接触さ
せる必要がある。このため、基板上における積層構造及
び製造プロセスの複雑化を招くという問題点が生じる。
更に、係るボディコンタクトは、画像表示領域内で実際
に表示に寄与しない各画素の非開口領域という限られた
領域内にＴＦＴを作り込むことを困難とし、或いは各画
素の開口領域を広げることの妨げになるという問題点が
ある。
【０００７】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、各画素の開口領域を広くするのに好適である
と共に比較的高性能のトランジスタを各画素に備えてお
り、明るく高品位の画像表示を可能ならしめる電気光学
基板装置及びその製造方法、該電気光学基板装置を含む
電気光学装置、該電気光学装置を具備する電子機器、並
びにそのような電気光学装置に好適に用いられる基板装
置の製造方法を提供することを課題とする。
のであり、各画素の開口領域を広くするのに好適である
と共に比較的高性能のトランジスタを各画素に備えてお
り、明るく高品位の画像表示を可能ならしめる電気光学
基板装置及びその製造方法、該電気光学基板装置を含む
電気光学装置、該電気光学装置を具備する電子機器、並
びにそのような電気光学装置に好適に用いられる基板装
置の製造方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電気光学基板装
置は上記課題を解決するために、基板上に、絶縁体層
と、該絶縁体層上に形成されておりＰ型のソース領域及
びＰ型のドレイン領域並びにチャネル領域を含むＮ型の
単結晶半導体層と、前記チャネル領域における前記単結
晶半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート
電極と、該ゲート電極に接続された走査線と、前記ソー
ス領域及び前記ドレイン領域の一方に接続されたデータ
線と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方に接
続された画素電極とを備えており、前記単結晶半導体
層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極から、前記画
素電極をスイッチング制御するＰチャネル型のトランジ
スタが構築されている。
置は上記課題を解決するために、基板上に、絶縁体層
と、該絶縁体層上に形成されておりＰ型のソース領域及
びＰ型のドレイン領域並びにチャネル領域を含むＮ型の
単結晶半導体層と、前記チャネル領域における前記単結
晶半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート
電極と、該ゲート電極に接続された走査線と、前記ソー
ス領域及び前記ドレイン領域の一方に接続されたデータ
線と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方に接
続された画素電極とを備えており、前記単結晶半導体
層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極から、前記画
素電極をスイッチング制御するＰチャネル型のトランジ
スタが構築されている。
【０００９】本発明の電気光学基板装置を用いれば、走
査線及びデータ線に接続されたトランジスタにより、画
素電極をスイッチング制御することで、アクティブマト
リクス駆動が可能な電気光学装置を構築できる。ここで
特に、本発明の電気光学基板装置では、Ｎ型の単結晶半
導体層が絶縁体層上に形成されており、所謂ＳＯＩ基板
上にＰチャネル型のトランジスタが構築されている。そ
して、Ｐチャネル型のトランジスタは、正孔をキャリア
としており、移動度が低い分だけ、トランジスタとして
の性能はＮチャネル型のトランジスタと比較して一般に
劣るものの、ＳＯＩ基板上に形成しているので、例えば
ポリシリコンやアモルファスシリコンを半導体層として
用いて構成したＭＯＳトランジスタと比べて、そのトラ
ンジスタとしての性能は劣らないようにできる。即ち、
当該ＳＯＩ基板上のＰチャネル型のトランジスタによ
り、画素電極をスイッチング制御するのにトランジスタ
として十分に高い性能が得られる。逆に、ＳＯＩ基板上
に形成しているものの、Ｐチャネル型であるが故に、Ｎ
チャネル型の場合のように、前述した基板浮遊効果によ
る寄生バイポーラ現象は実用上殆ど問題とならない。こ
れは、Ｐチャネル型のトランジスタであれば、前述した
正孔のインパクトイオン化率が小さいためであると考察
される。このため、当該Ｐチャネル型のトランジスタで
は、前述の如くＮチャネル型のトランジスタの場合に実
用上必要となる余剰キャリアの引き抜きが必要なくな
る。従って、このような余剰キャリアを引き抜くための
構造を各画素に作り込まなくてよい分だけ、各画素にお
ける開口率を高めることが可能となり、同時に各画素に
係る積層構造や製造プロセスの複雑化を招かないで済
む。これらの結果、最終的には、比較的高性能のトラン
ジスタによりスイッチング制御或いはアクティブマトリ
クス駆動可能であり、明るく高品位の画像表示を可能な
らしめる電気光学基板装置を実現できる。
査線及びデータ線に接続されたトランジスタにより、画
素電極をスイッチング制御することで、アクティブマト
リクス駆動が可能な電気光学装置を構築できる。ここで
特に、本発明の電気光学基板装置では、Ｎ型の単結晶半
導体層が絶縁体層上に形成されており、所謂ＳＯＩ基板
上にＰチャネル型のトランジスタが構築されている。そ
して、Ｐチャネル型のトランジスタは、正孔をキャリア
としており、移動度が低い分だけ、トランジスタとして
の性能はＮチャネル型のトランジスタと比較して一般に
劣るものの、ＳＯＩ基板上に形成しているので、例えば
ポリシリコンやアモルファスシリコンを半導体層として
用いて構成したＭＯＳトランジスタと比べて、そのトラ
ンジスタとしての性能は劣らないようにできる。即ち、
当該ＳＯＩ基板上のＰチャネル型のトランジスタによ
り、画素電極をスイッチング制御するのにトランジスタ
として十分に高い性能が得られる。逆に、ＳＯＩ基板上
に形成しているものの、Ｐチャネル型であるが故に、Ｎ
チャネル型の場合のように、前述した基板浮遊効果によ
る寄生バイポーラ現象は実用上殆ど問題とならない。こ
れは、Ｐチャネル型のトランジスタであれば、前述した
正孔のインパクトイオン化率が小さいためであると考察
される。このため、当該Ｐチャネル型のトランジスタで
は、前述の如くＮチャネル型のトランジスタの場合に実
用上必要となる余剰キャリアの引き抜きが必要なくな
る。従って、このような余剰キャリアを引き抜くための
構造を各画素に作り込まなくてよい分だけ、各画素にお
ける開口率を高めることが可能となり、同時に各画素に
係る積層構造や製造プロセスの複雑化を招かないで済
む。これらの結果、最終的には、比較的高性能のトラン
ジスタによりスイッチング制御或いはアクティブマトリ
クス駆動可能であり、明るく高品位の画像表示を可能な
らしめる電気光学基板装置を実現できる。
【００１０】本発明の電気光学基板装置の一態様では、
前記トランジスタは、ＰチャネルＭＯＳ型トランジスタ
からなる。
前記トランジスタは、ＰチャネルＭＯＳ型トランジスタ
からなる。
【００１１】この態様によれば、基板上に、Ｐチャネル
ＭＯＳ型トランジスタを備えるため、ＮチャネルＭＯＳ
型のトランジスタのように動作中に半導体層中に蓄積さ
れるキャリアを引き抜くための導電層を設ける必要がな
くなる。そして、当該Ｐチャネル型のトランジスタは、
ＳＯＩ基板上に作られたトランジスタであるので、トラ
ンジスタとして画素電極をスイッチング制御するに十分
に高い性能が得られる。
ＭＯＳ型トランジスタを備えるため、ＮチャネルＭＯＳ
型のトランジスタのように動作中に半導体層中に蓄積さ
れるキャリアを引き抜くための導電層を設ける必要がな
くなる。そして、当該Ｐチャネル型のトランジスタは、
ＳＯＩ基板上に作られたトランジスタであるので、トラ
ンジスタとして画素電極をスイッチング制御するに十分
に高い性能が得られる。
【００１２】本発明の電気光学基板装置の他の態様で
は、前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、該層
間絶縁膜上に形成され且つ前記ソース領域に接続された
Ｐ型導電層からなるソース電極と、前記層間絶縁膜上に
形成され且つ前記ドレイン領域に接続されたＰ型導電層
からなるドレイン電極とを更に備えており、前記データ
線は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方を中
継して前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方に接
続されており、前記画素電極は、前記ソース電極及び前
記ドレイン電極の他方を中継して前記ソース領域及び前
記ドレイン領域の他方に接続されている。
は、前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、該層
間絶縁膜上に形成され且つ前記ソース領域に接続された
Ｐ型導電層からなるソース電極と、前記層間絶縁膜上に
形成され且つ前記ドレイン領域に接続されたＰ型導電層
からなるドレイン電極とを更に備えており、前記データ
線は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方を中
継して前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方に接
続されており、前記画素電極は、前記ソース電極及び前
記ドレイン電極の他方を中継して前記ソース領域及び前
記ドレイン領域の他方に接続されている。
【００１３】この態様によれば、Ｐ型のソース領域に
は、Ｐ型導電層からなるソース電極が接続されているの
で、両者間で良好な電気的な接続が得られる。仮にＮ型
導電層からなるソース電極を接続した場合には、両者間
にＰＮ接合ができてしまい良好な電気的な接続は期待で
きない。他方、Ｐ型のドレイン領域には、Ｐ型導電層か
らなるドレイン電極が接続されているので、両者間で良
好な電気的な接続が得られる。
は、Ｐ型導電層からなるソース電極が接続されているの
で、両者間で良好な電気的な接続が得られる。仮にＮ型
導電層からなるソース電極を接続した場合には、両者間
にＰＮ接合ができてしまい良好な電気的な接続は期待で
きない。他方、Ｐ型のドレイン領域には、Ｐ型導電層か
らなるドレイン電極が接続されているので、両者間で良
好な電気的な接続が得られる。
【００１４】この態様では、前記Ｐ型導電層は、導電層
を堆積後に、イオンインプラによりＰ型にドープされて
いてもよい。
を堆積後に、イオンインプラによりＰ型にドープされて
いてもよい。
【００１５】このように構成すれば、イオンインプラに
よりＰ型にドープされた導電層と、Ｐ型のソース領域或
いはドレイン領域とを良好に電気的に接続できる。
よりＰ型にドープされた導電層と、Ｐ型のソース領域或
いはドレイン領域とを良好に電気的に接続できる。
【００１６】或いはこの態様では、前記ソース電極は、
前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して
前記ソース領域に接続されており、前記ドレイン電極
は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介
して前記ドレイン領域に接続されていてもよい。
前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して
前記ソース領域に接続されており、前記ドレイン電極
は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介
して前記ドレイン領域に接続されていてもよい。
【００１７】このように構成すれば、コンタクトホール
を介してＰ型導電層からなるソース電極とＰ型のソース
領域を良好に電気的に接続でき、コンタクトホールを介
してＰ型導電層からなるドレイン電極とＰ型のドレイン
領域を良好に電気的に接続できる。
を介してＰ型導電層からなるソース電極とＰ型のソース
領域を良好に電気的に接続でき、コンタクトホールを介
してＰ型導電層からなるドレイン電極とＰ型のドレイン
領域を良好に電気的に接続できる。
【００１８】本発明の電気光学基板装置の他の態様で
は、前記基板上に、前記チャネル領域を下側から覆う下
側遮光膜を更に備えており、前記絶縁体層は、前記下側
遮光膜上に形成されている。
は、前記基板上に、前記チャネル領域を下側から覆う下
側遮光膜を更に備えており、前記絶縁体層は、前記下側
遮光膜上に形成されている。
【００１９】この態様によれば、チャネル領域は、下側
遮光膜により下側から覆われているので、基板の裏面反
射光や、当該電気光学基板装置を含んでなるライトバル
ブを複数用いた複板式のプロジェクタにおける他のライ
トバルブから出射されて合成光学系を突き抜けてくる光
などの戻り光から、チャネル領域を遮光できる。この結
果、チャネル領域における戻り光に起因した光電効果に
よる光リーク電流の発生を有効に防止できる。
遮光膜により下側から覆われているので、基板の裏面反
射光や、当該電気光学基板装置を含んでなるライトバル
ブを複数用いた複板式のプロジェクタにおける他のライ
トバルブから出射されて合成光学系を突き抜けてくる光
などの戻り光から、チャネル領域を遮光できる。この結
果、チャネル領域における戻り光に起因した光電効果に
よる光リーク電流の発生を有効に防止できる。
【００２０】本発明の電気光学基板装置の他の態様で
は、前記絶縁体層における前記単結晶半導体層に面する
側の表面には、ＣＭＰ処理が施されている。
は、前記絶縁体層における前記単結晶半導体層に面する
側の表面には、ＣＭＰ処理が施されている。
【００２１】この態様によれば、絶縁体層の表面に対し
てＣＭＰ処理が施されているので、当該絶縁体層の表面
上に単結晶半導体層を貼り付けることが可能となる。特
に、下側遮光膜を形成した場合にも、このようにＣＭＰ
処理を絶縁体層に施すことで、このようなＳＯＩ構造が
問題なく得られる。
てＣＭＰ処理が施されているので、当該絶縁体層の表面
上に単結晶半導体層を貼り付けることが可能となる。特
に、下側遮光膜を形成した場合にも、このようにＣＭＰ
処理を絶縁体層に施すことで、このようなＳＯＩ構造が
問題なく得られる。
【００２２】本発明の電気光学基板装置の他の態様で
は、前記基板は、石英ガラスからなる。
は、前記基板は、石英ガラスからなる。
【００２３】この態様によれば、石英ガラス上にＰチャ
ネル型トランジスタが構築されたＳＯＩ構造が得られ
る。
ネル型トランジスタが構築されたＳＯＩ構造が得られ
る。
【００２４】或いは本発明の電気光学基板装置の他の態
様では、前記基板は、ガラスからなる。
様では、前記基板は、ガラスからなる。
【００２５】この態様によれば、ガラス上にＰチャネル
型トランジスタが構築されたＳＯＩ構造が得られる。
型トランジスタが構築されたＳＯＩ構造が得られる。
【００２６】本発明の電気光学基板装置の他の態様で
は、前記画素電極は、透明電極からなる。
は、前記画素電極は、透明電極からなる。
【００２７】この態様によれば、当該電気光学基板装置
を用いて、透明電極を介して光が透過する透過型の電気
光学装置や透明電極を介して光が反射する反射型の電気
光学装置を実現できる。
を用いて、透明電極を介して光が透過する透過型の電気
光学装置や透明電極を介して光が反射する反射型の電気
光学装置を実現できる。
【００２８】本発明の電気光学基板装置の他の態様で
は、前記画素電極は、反射電極からなる。
は、前記画素電極は、反射電極からなる。
【００２９】この態様によれば、当該電気光学基板装置
を用いて、反射電極で光が反射する反射型の電気光学装
置を実現できる。
を用いて、反射電極で光が反射する反射型の電気光学装
置を実現できる。
【００３０】本発明の電気光学基板装置の他の態様で
は、前記基板上における前記画素電極が形成された画像
表示領域の周辺に周辺回路を更に備えており、該周辺回
路は、Ｎチャネル型のトランジスタを含んでなり、該Ｎ
チャネル型のトランジスタには、その半導体層に蓄積さ
れるキャリアを吸い出す導電層が設けられており、前記
画像表示領域に設けられた前記Ｐチャネル型のトランジ
スタには、その半導体層に蓄積されるキャリアを吸い出
す導電層が設けられていない。
は、前記基板上における前記画素電極が形成された画像
表示領域の周辺に周辺回路を更に備えており、該周辺回
路は、Ｎチャネル型のトランジスタを含んでなり、該Ｎ
チャネル型のトランジスタには、その半導体層に蓄積さ
れるキャリアを吸い出す導電層が設けられており、前記
画像表示領域に設けられた前記Ｐチャネル型のトランジ
スタには、その半導体層に蓄積されるキャリアを吸い出
す導電層が設けられていない。
【００３１】この態様によれば、走査線駆動回路、デー
タ線駆動回路等の周辺回路は、より高性能のＮチャネル
型のトランジスタから少なくとも部分的に構成されてい
る。ここで特に、周辺領域は、画素の開口領域を確保す
る必要がある画像表示領域と比べて、そのような開口領
域を確保する必要がない分だけ、回路を作り込むための
面積に余裕がある。従って、周辺回路を構成するＮチャ
ネル型のトランジスタには、蓄積される余剰キャリアを
吸い出す導電層を設けても問題は相対的に小さい。逆
に、このような余剰キャリアを吸い出す導電層を設けた
高性能のＮチャネル型のトランジスタを含んでなる周辺
回路を用いて、より高度な駆動や制御が可能となる。他
方、画像表示領域におけるＰチャネル型のトランジスタ
には、蓄積される余剰キャリアを吸い出す導電層が設け
なくて済むので、各画素における開口領域を広くとるこ
とが可能となる。これらの結果、最終的には明るく高品
位の画像表示が可能となる。
タ線駆動回路等の周辺回路は、より高性能のＮチャネル
型のトランジスタから少なくとも部分的に構成されてい
る。ここで特に、周辺領域は、画素の開口領域を確保す
る必要がある画像表示領域と比べて、そのような開口領
域を確保する必要がない分だけ、回路を作り込むための
面積に余裕がある。従って、周辺回路を構成するＮチャ
ネル型のトランジスタには、蓄積される余剰キャリアを
吸い出す導電層を設けても問題は相対的に小さい。逆
に、このような余剰キャリアを吸い出す導電層を設けた
高性能のＮチャネル型のトランジスタを含んでなる周辺
回路を用いて、より高度な駆動や制御が可能となる。他
方、画像表示領域におけるＰチャネル型のトランジスタ
には、蓄積される余剰キャリアを吸い出す導電層が設け
なくて済むので、各画素における開口領域を広くとるこ
とが可能となる。これらの結果、最終的には明るく高品
位の画像表示が可能となる。
【００３２】本発明の電気光学基板装置の他の態様で
は、前記基板上に、前記ソース領域及び前記ドレイン領
域の他方と前記画素電極とを中継接続すると共に画素電
位側容量電極を含む中間導電層と、該画素電位側容量電
極に誘電体膜を介して対向配置された固定電位側容量電
極を含む容量線とを更に備えており、前記画素電位側容
量電極及び前記固定電位側容量電極から前記画素電極に
接続された蓄積容量が構築されており、前記容量線及び
前記中間導電層のうち少なくとも一方は、導電性の遮光
膜からなり、前記基板上において前記チャネル領域を上
側から覆う部分を含む。
は、前記基板上に、前記ソース領域及び前記ドレイン領
域の他方と前記画素電極とを中継接続すると共に画素電
位側容量電極を含む中間導電層と、該画素電位側容量電
極に誘電体膜を介して対向配置された固定電位側容量電
極を含む容量線とを更に備えており、前記画素電位側容
量電極及び前記固定電位側容量電極から前記画素電極に
接続された蓄積容量が構築されており、前記容量線及び
前記中間導電層のうち少なくとも一方は、導電性の遮光
膜からなり、前記基板上において前記チャネル領域を上
側から覆う部分を含む。
【００３３】この態様によれば、画素電極とソース領域
及びドレイン領域の他方との間は、中間導電層により、
中継接続されている。このため、両者間の層間距離が長
くても、長距離のコンタクトホール等で両者間を接続す
る技術的な困難性を回避しつつ、両者間を良好に電気的
に接続できる。更に、このように中継接続する機能を持
つ中間導電層は、蓄積容量の画素電位側容量電極として
も機能する。従って、中継接続用の導電層と画素電位側
容量電極用の導電層とを別個に形成する場合と比べて、
積層構造及び製造プロセスの単純化を図れる。加えて、
このように蓄積容量を構築する中間導電層と容量線との
うち少なくとも一方が、導電性の遮光膜からなり、チャ
ネル領域を上側から覆うので、上側からの入射光に対し
てチャネル領域を遮光できる。このため、チャネル領域
における、入射光に起因した光電効果による光リーク電
流の発生を有効に防止できる。しかも、このような遮光
膜を別途形成する場合と比べて、積層構造及び製造プロ
セスの単純化を図れる。
及びドレイン領域の他方との間は、中間導電層により、
中継接続されている。このため、両者間の層間距離が長
くても、長距離のコンタクトホール等で両者間を接続す
る技術的な困難性を回避しつつ、両者間を良好に電気的
に接続できる。更に、このように中継接続する機能を持
つ中間導電層は、蓄積容量の画素電位側容量電極として
も機能する。従って、中継接続用の導電層と画素電位側
容量電極用の導電層とを別個に形成する場合と比べて、
積層構造及び製造プロセスの単純化を図れる。加えて、
このように蓄積容量を構築する中間導電層と容量線との
うち少なくとも一方が、導電性の遮光膜からなり、チャ
ネル領域を上側から覆うので、上側からの入射光に対し
てチャネル領域を遮光できる。このため、チャネル領域
における、入射光に起因した光電効果による光リーク電
流の発生を有効に防止できる。しかも、このような遮光
膜を別途形成する場合と比べて、積層構造及び製造プロ
セスの単純化を図れる。
【００３４】尚、データ線とソース領域及びドレイン領
域の一方との間にも、中間導電層と同一膜からなる島状
の中継接続用の導電層を設けてもよい。また、本態様
で、前述した下側遮光膜を設ければ、チャネル領域を上
下から遮光できるので、一層有利である。
域の一方との間にも、中間導電層と同一膜からなる島状
の中継接続用の導電層を設けてもよい。また、本態様
で、前述した下側遮光膜を設ければ、チャネル領域を上
下から遮光できるので、一層有利である。
【００３５】この態様では、前記蓄積容量は、平面的に
見て前記走査線に重なる領域にも少なくとも部分的に設
けられていてもよい。
見て前記走査線に重なる領域にも少なくとも部分的に設
けられていてもよい。
【００３６】このように構成すれば、走査線に重なる領
域にも蓄積容量を作り込むことができるので、各画素に
おける開口領域を狭めることなく、蓄積容量を増大させ
ることが可能となる。
域にも蓄積容量を作り込むことができるので、各画素に
おける開口領域を狭めることなく、蓄積容量を増大させ
ることが可能となる。
【００３７】或いはこの態様では、前記蓄積容量は、平
面的に見て前記データ線に重なる領域にも少なくとも部
分的に設けられていてもよい。
面的に見て前記データ線に重なる領域にも少なくとも部
分的に設けられていてもよい。
【００３８】このように構成すれば、データ線に重なる
領域にも蓄積容量を作り込むことができるので、各画素
における開口領域を狭めることなく、蓄積容量を増大さ
せることが可能となる。
領域にも蓄積容量を作り込むことができるので、各画素
における開口領域を狭めることなく、蓄積容量を増大さ
せることが可能となる。
【００３９】本発明の電気光学装置は上記課題を解決す
るために、上述した本発明の電気光学基板装置（但し、
上述した各種態様を含む）と、該電気光学基板装置に対
向配置された対向基板と、該対向基板と前記電気光学基
板装置との間に挟持された電気光学物質とを備える。
るために、上述した本発明の電気光学基板装置（但し、
上述した各種態様を含む）と、該電気光学基板装置に対
向配置された対向基板と、該対向基板と前記電気光学基
板装置との間に挟持された電気光学物質とを備える。
【００４０】本発明の電気光学装置によれば、上述した
本発明の電気光学基板装置を備えて構成されているの
で、明るく高品位の画像を表示可能である。
本発明の電気光学基板装置を備えて構成されているの
で、明るく高品位の画像を表示可能である。
【００４１】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の電気光学装置を具備する。
めに、上述した本発明の電気光学装置を具備する。
【００４２】本発明の電子機器は、上述した本発明の電
気光学装置を具備して構成されているので、明るく高品
位の画像表示が可能な、例えばプロジェクタ、ＯＡ機器
に内蔵される表示装置、携帯電話の表示装置等の各種電
子機器を実現できる。
気光学装置を具備して構成されているので、明るく高品
位の画像表示が可能な、例えばプロジェクタ、ＯＡ機器
に内蔵される表示装置、携帯電話の表示装置等の各種電
子機器を実現できる。
【００４３】本発明の電気光学基板装置の製造方法は上
記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学基
板装置におけるコンタクトホールを備えた態様を製造す
る製造方法であって、前記単結晶半導体層上に前記層間
絶縁膜を形成する第１成膜工程と、前記層間絶縁膜に対
して前記コンタクトホールを開孔する開孔工程と、前記
コンタクトホールが開孔された層間絶縁膜上に、前記Ｐ
型導電層となる所定種類の材料膜を形成する第２成膜工
程と、該形成された材料膜に対してイオンインプラによ
りイオンを打ち込むことによって前記Ｐ型導電層を形成
するイオンインプラ工程とを含んでおり、前記イオンイ
ンプラ工程では、前記イオンの打ち込みは、前記コンタ
クトホールの側面に形成された前記材料膜部分に前記イ
オンが打ち込まれるように前記コンタクトホールの中心
線に対して所定角度Ｘだけ傾けて行われ、且つ該所定角
度Ｘは、前記コンタクトホールの底面に形成された前記
材料膜部分に前記イオンが打ち込まれる範囲内に設定さ
れている。
記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学基
板装置におけるコンタクトホールを備えた態様を製造す
る製造方法であって、前記単結晶半導体層上に前記層間
絶縁膜を形成する第１成膜工程と、前記層間絶縁膜に対
して前記コンタクトホールを開孔する開孔工程と、前記
コンタクトホールが開孔された層間絶縁膜上に、前記Ｐ
型導電層となる所定種類の材料膜を形成する第２成膜工
程と、該形成された材料膜に対してイオンインプラによ
りイオンを打ち込むことによって前記Ｐ型導電層を形成
するイオンインプラ工程とを含んでおり、前記イオンイ
ンプラ工程では、前記イオンの打ち込みは、前記コンタ
クトホールの側面に形成された前記材料膜部分に前記イ
オンが打ち込まれるように前記コンタクトホールの中心
線に対して所定角度Ｘだけ傾けて行われ、且つ該所定角
度Ｘは、前記コンタクトホールの底面に形成された前記
材料膜部分に前記イオンが打ち込まれる範囲内に設定さ
れている。
【００４４】本発明の電気光学基板装置の製造方法によ
れば、コンタクトホールが開孔された層間絶縁膜上に、
ソース電極或いはドレイン電極をなすＰ型導電層を形成
する際には、先ず、例えばポリシリコンなどの、Ｐ型導
電層となる所定種類の材料膜を、ＣＶＤ（化学蒸着）法
等により形成する。その後、この形成された材料膜に対
して、例えばＢ（ボロン）等のイオンを、イオンインプ
ラにより打ち込むことによって、Ｐ型導電層を形成す
る。
れば、コンタクトホールが開孔された層間絶縁膜上に、
ソース電極或いはドレイン電極をなすＰ型導電層を形成
する際には、先ず、例えばポリシリコンなどの、Ｐ型導
電層となる所定種類の材料膜を、ＣＶＤ（化学蒸着）法
等により形成する。その後、この形成された材料膜に対
して、例えばＢ（ボロン）等のイオンを、イオンインプ
ラにより打ち込むことによって、Ｐ型導電層を形成す
る。
【００４５】ここで特に、コンタクトホールの側面は基
板上で切り立っているので、仮にイオンインプラ工程
で、コンタクトホールの中心線に沿って即ちコンタクト
ホールの側面に沿ってイオンを打ち込んだのでは、当該
側面に形成された材料膜部分にイオンを打ち込むことは
殆ど又は実践上全くできない。かといって、仮にイオン
インプラ工程で、コンタクトホールの中心線に対して大
きく傾いた方向からイオンを打ち込んだのでは、今度は
コンタクトホールの底面に形成された材料膜部分にイオ
ンを打ち込むことが殆ど又は実践上全くできなくなって
しまう。けだし、コンタクトホールの縁及び周辺部分
が、コンタクトホールの底面に傾いて向かうイオン経路
を妨げるからである。いずれにせよ、コンタクトホール
内の材料膜をムラ無く低抵抗化することが困難或いは不
可能となり、画素電極又はデータ線とソース領域又はド
レイン領域との間にＰ型導電層によって良好な電気的接
続状態を実現することが困難となってしまう。
板上で切り立っているので、仮にイオンインプラ工程
で、コンタクトホールの中心線に沿って即ちコンタクト
ホールの側面に沿ってイオンを打ち込んだのでは、当該
側面に形成された材料膜部分にイオンを打ち込むことは
殆ど又は実践上全くできない。かといって、仮にイオン
インプラ工程で、コンタクトホールの中心線に対して大
きく傾いた方向からイオンを打ち込んだのでは、今度は
コンタクトホールの底面に形成された材料膜部分にイオ
ンを打ち込むことが殆ど又は実践上全くできなくなって
しまう。けだし、コンタクトホールの縁及び周辺部分
が、コンタクトホールの底面に傾いて向かうイオン経路
を妨げるからである。いずれにせよ、コンタクトホール
内の材料膜をムラ無く低抵抗化することが困難或いは不
可能となり、画素電極又はデータ線とソース領域又はド
レイン領域との間にＰ型導電層によって良好な電気的接
続状態を実現することが困難となってしまう。
【００４６】しかるに、本発明によれば、イオンインプ
ラ工程におけるイオンの打ち込みは、コンタクトホール
の中心線に対して所定角度Ｘだけ傾けて行われるので、
コンタクトホールの側面に形成された材料膜部分にイオ
ンが打ち込まれる。同時に、該所定角度Ｘは、コンタク
トホールの底面に形成された材料膜部分にイオンが打ち
込まれる範囲内に設定されているので、コンタクトホー
ルの底面に形成された材料膜部分にも、イオンを打ち込
むことができる。従って、コンタクトホール内の材料膜
を比較的容易に低抵抗化することが可能となり、画素電
極又はデータ線とソース領域又はドレイン領域との間に
Ｐ型導電層によって良好な電気的接続状態を実現可能と
なる。このため、最終的には表示画像の品位向上を図れ
る。
ラ工程におけるイオンの打ち込みは、コンタクトホール
の中心線に対して所定角度Ｘだけ傾けて行われるので、
コンタクトホールの側面に形成された材料膜部分にイオ
ンが打ち込まれる。同時に、該所定角度Ｘは、コンタク
トホールの底面に形成された材料膜部分にイオンが打ち
込まれる範囲内に設定されているので、コンタクトホー
ルの底面に形成された材料膜部分にも、イオンを打ち込
むことができる。従って、コンタクトホール内の材料膜
を比較的容易に低抵抗化することが可能となり、画素電
極又はデータ線とソース領域又はドレイン領域との間に
Ｐ型導電層によって良好な電気的接続状態を実現可能と
なる。このため、最終的には表示画像の品位向上を図れ
る。
【００４７】以上のように、上述した本発明の電気光学
基板装置におけるコンタクトホールを備えた態様を、イ
オンインプラ工程を用いて比較的容易に製造することが
可能となる。
基板装置におけるコンタクトホールを備えた態様を、イ
オンインプラ工程を用いて比較的容易に製造することが
可能となる。
【００４８】本発明の電気光学基板装置の製造方法の一
態様では、前記イオンインプラ工程では、前記イオンの
打ち込みは、前記コンタクトホールの中心線に対して相
前後して又は同時に複数方位に前記所定角度Ｘだけ傾け
て行われ、前記所定角度Ｘは、前記複数方位の各々につ
いて前記コンタクトホールの底面の中央に位置する前記
材料膜部分に前記イオンが打ち込まれる範囲内に設定さ
れている。
態様では、前記イオンインプラ工程では、前記イオンの
打ち込みは、前記コンタクトホールの中心線に対して相
前後して又は同時に複数方位に前記所定角度Ｘだけ傾け
て行われ、前記所定角度Ｘは、前記複数方位の各々につ
いて前記コンタクトホールの底面の中央に位置する前記
材料膜部分に前記イオンが打ち込まれる範囲内に設定さ
れている。
【００４９】この態様によれば、イオンインプラ工程で
は、例えば相前後して又は同時に四方に傾けてイオンが
打ち込まれる。ここで特に、コンタクトホールの底面の
各領域については、傾きの方位に応じて異なる領域へ向
かうイオン経路が、コンタクトホールの縁及び周辺部分
によって妨げられると共に、傾きの方位に応じて異なる
領域へ向かうイオン経路が、コンタクトホールの縁及び
周辺部分によって妨げられない。しかも、コンタクトホ
ールの側面の各領域についても、傾きの方位に応じて異
なる領域へ向かうイオン経路が、コンタクトホールの縁
及び周辺部分によって妨げられると共に、傾きの方位に
応じて異なる領域へ向かうイオン経路が、コンタクトホ
ールの縁及び周辺部分によって妨げられない。従って、
イオンの打ち込みの傾きの方位を変えることで、コンタ
クトホールの底面の各領域についてイオンが打ち込まれ
る領域を変えられる。このため、例えばコンタクトホー
ルの中央を囲んで三方、四方、八方、全方位など、傾き
の方位を適宜方位を変えることで、コンタクトホールの
底面におけるイオンが打ち込まれる領域を、当該底面の
殆ど或いは全域にすることが可能となる。同時に、コン
タクトホールの側面についても、イオンが打ち込まれる
領域を、その殆ど或いは全域にすることが可能となる。
従って、コンタクトホール内の材料膜を比較的容易に低
抵抗化することが可能となり、画素電極又はデータ線と
ソース領域又はドレイン領域との間にＰ型導電層によっ
て良好な電気的接続状態を実現可能となる。
は、例えば相前後して又は同時に四方に傾けてイオンが
打ち込まれる。ここで特に、コンタクトホールの底面の
各領域については、傾きの方位に応じて異なる領域へ向
かうイオン経路が、コンタクトホールの縁及び周辺部分
によって妨げられると共に、傾きの方位に応じて異なる
領域へ向かうイオン経路が、コンタクトホールの縁及び
周辺部分によって妨げられない。しかも、コンタクトホ
ールの側面の各領域についても、傾きの方位に応じて異
なる領域へ向かうイオン経路が、コンタクトホールの縁
及び周辺部分によって妨げられると共に、傾きの方位に
応じて異なる領域へ向かうイオン経路が、コンタクトホ
ールの縁及び周辺部分によって妨げられない。従って、
イオンの打ち込みの傾きの方位を変えることで、コンタ
クトホールの底面の各領域についてイオンが打ち込まれ
る領域を変えられる。このため、例えばコンタクトホー
ルの中央を囲んで三方、四方、八方、全方位など、傾き
の方位を適宜方位を変えることで、コンタクトホールの
底面におけるイオンが打ち込まれる領域を、当該底面の
殆ど或いは全域にすることが可能となる。同時に、コン
タクトホールの側面についても、イオンが打ち込まれる
領域を、その殆ど或いは全域にすることが可能となる。
従って、コンタクトホール内の材料膜を比較的容易に低
抵抗化することが可能となり、画素電極又はデータ線と
ソース領域又はドレイン領域との間にＰ型導電層によっ
て良好な電気的接続状態を実現可能となる。
【００５０】本発明の電気光学基板装置の製造方法の一
態様では、前記開孔工程では、前記コンタクトホールは
柱状に開孔され、前記イオンインプラ工程では、前記所
定角度Ｘは、前記コンタクトホールの径をａとし、前記
コンタクトホールの深さをｅとし、前記材料膜の膜厚を
ｃとするとき、０＜Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２
ｅ｝を満たすように設定される。
態様では、前記開孔工程では、前記コンタクトホールは
柱状に開孔され、前記イオンインプラ工程では、前記所
定角度Ｘは、前記コンタクトホールの径をａとし、前記
コンタクトホールの深さをｅとし、前記材料膜の膜厚を
ｃとするとき、０＜Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２
ｅ｝を満たすように設定される。
【００５１】この態様では、コンタクトホールは、例え
ば円柱状、角柱状など、柱状に開孔される。従って、そ
の側面に形成される材料膜部分は、切り立っている。し
かるに、イオンインプラ工程に係る所定角度Ｘは、０＜
Ｘに設定されるので、コンタクトホールの側面に形成さ
れる材料膜部分にイオンを打ち込める。しかも、Ｘ≦ｔ
ａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２ｅ｝を満たすように所定角
度Ｘは設定されるので、コンタクトホールの底面の中央
にもイオンを打ち込むことができる。従って、前述の如
くイオン打ち込みの傾きの方位を、例えば相前後して又
は同時に四方等の複数方位とすることで、コンタクトホ
ールの底面及び側面の殆ど或いは全域にイオンを打ち込
むことも可能となる。
ば円柱状、角柱状など、柱状に開孔される。従って、そ
の側面に形成される材料膜部分は、切り立っている。し
かるに、イオンインプラ工程に係る所定角度Ｘは、０＜
Ｘに設定されるので、コンタクトホールの側面に形成さ
れる材料膜部分にイオンを打ち込める。しかも、Ｘ≦ｔ
ａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２ｅ｝を満たすように所定角
度Ｘは設定されるので、コンタクトホールの底面の中央
にもイオンを打ち込むことができる。従って、前述の如
くイオン打ち込みの傾きの方位を、例えば相前後して又
は同時に四方等の複数方位とすることで、コンタクトホ
ールの底面及び側面の殆ど或いは全域にイオンを打ち込
むことも可能となる。
【００５２】或いは本発明の基板装置の製造方法の他の
態様では、前記開孔工程では、前記コンタクトホール
は、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広が
る円錐台状或いは角錐台状に開けられ、前記イオンイン
プラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記コンタクトホー
ルの底面における径をａとし、前記コンタクトホールの
口側の縁における径をｄとし、前記コンタクトホールの
深さをｅとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、０≦
Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすように設
定される。
態様では、前記開孔工程では、前記コンタクトホール
は、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広が
る円錐台状或いは角錐台状に開けられ、前記イオンイン
プラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記コンタクトホー
ルの底面における径をａとし、前記コンタクトホールの
口側の縁における径をｄとし、前記コンタクトホールの
深さをｅとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、０≦
Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすように設
定される。
【００５３】この態様では、コンタクトホールは、導電
層側に向かって広がる、即ち基板上で上方に向かって開
いた円錐台状或いは角錐台状に開けられる。従って、そ
の側面に形成される材料膜部分は、傾斜して切り立って
いる。しかるに、イオンインプラ工程に係る所定角度Ｘ
は、０≦Ｘに設定されるので、コンタクトホールの側面
に形成される材料膜部分にイオンを打ち込める。特に、
コンタクトホールの側面に傾斜があるので、その度合い
に応じて、仮にＸ＝０であっても、コンタクトホールの
側面に形成される材料膜部分にイオンを打ち込める。し
かも、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすよ
うに所定角度Ｘは設定されるので、コンタクトホールの
底面の中央にもイオンを打ち込むことができる。従っ
て、前述の如くイオン打ち込みの傾きの方位を、例えば
相前後して又は同時に四方等の複数方位とすることで、
コンタクトホールの底面及び側面の殆ど或いは全域にイ
オンを打ち込むことも可能となる。
層側に向かって広がる、即ち基板上で上方に向かって開
いた円錐台状或いは角錐台状に開けられる。従って、そ
の側面に形成される材料膜部分は、傾斜して切り立って
いる。しかるに、イオンインプラ工程に係る所定角度Ｘ
は、０≦Ｘに設定されるので、コンタクトホールの側面
に形成される材料膜部分にイオンを打ち込める。特に、
コンタクトホールの側面に傾斜があるので、その度合い
に応じて、仮にＸ＝０であっても、コンタクトホールの
側面に形成される材料膜部分にイオンを打ち込める。し
かも、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすよ
うに所定角度Ｘは設定されるので、コンタクトホールの
底面の中央にもイオンを打ち込むことができる。従っ
て、前述の如くイオン打ち込みの傾きの方位を、例えば
相前後して又は同時に四方等の複数方位とすることで、
コンタクトホールの底面及び側面の殆ど或いは全域にイ
オンを打ち込むことも可能となる。
【００５４】或いは本発明の基板装置の製造方法の他の
態様では、前記開孔工程では、前記コンタクトホール
は、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広が
る円錐台状或いは角錐台状に開けられた第１コンタクト
ホール部分と該第１部分の底から連続して柱状に開けら
れた第２コンタクトホール部分とからなるように開けら
れ、前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、
前記第２コンタクトホール部分の径をａとし、前記第１
コンタクトホール部分の口側の縁における径をｄとし、
前記第１コンタクトホール部分の深さをｅとし、前記第
２コンタクトホール部分の深さをｂとし、前記材料膜の
膜厚をｃとするとき、０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓ
ｉｎＹ＋ｂ−ｃ）但し、Ｙ＝ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／
２ｅ｝を満たすように設定される。
態様では、前記開孔工程では、前記コンタクトホール
は、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広が
る円錐台状或いは角錐台状に開けられた第１コンタクト
ホール部分と該第１部分の底から連続して柱状に開けら
れた第２コンタクトホール部分とからなるように開けら
れ、前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、
前記第２コンタクトホール部分の径をａとし、前記第１
コンタクトホール部分の口側の縁における径をｄとし、
前記第１コンタクトホール部分の深さをｅとし、前記第
２コンタクトホール部分の深さをｂとし、前記材料膜の
膜厚をｃとするとき、０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓ
ｉｎＹ＋ｂ−ｃ）但し、Ｙ＝ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／
２ｅ｝を満たすように設定される。
【００５５】この態様では、コンタクトホールは、導電
層側に向かって広がる円錐台状或いは角錐台状に開けら
れた第１コンタクトホール部分と該第１部分の底から連
続して柱状に開けられた第２コンタクトホール部分とか
らなる。即ち基板上で、コンタクトホールの底側に、第
２コンタクトホール部分として前述の柱状のコンタクト
ホールが開けられ、そのコンタクトホールから上側（コ
ンタクトホールの口側）に連続して前述の円錐台状或い
は角錐台状のコンタクトホールが第１コンタクトホール
部分として開けられている。従って、第１コンタクトホ
ール部分の側面に形成される材料膜部分は、傾斜して切
り立っている。更に、第２コンタクトホール部分の側面
に形成される材料膜部分は、ほぼ垂直に切り立ってい
る。しかるに、イオンインプラ工程に係る所定角度Ｘ
は、０＜Ｘに設定されるので、第１及び第２コンタクト
ホール部分の側面に形成される材料膜部分にイオンを打
ち込める。しかも、Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓｉｎＹ
＋ｂ−ｃ）但し、Ｙ＝ｔａｎ− １｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝
を満たすように所定角度Ｘは設定されるので、第２コン
タクトホール部分の底面の中央にもイオンを打ち込むこ
とができる。従って、前述の如くイオン打ち込みの傾き
の方位を、例えば相前後して又は同時に四方等の複数方
位とすることで、コンタクトホールの底面及び側面の殆
ど或いは全域にイオンを打ち込むことも可能となる。
層側に向かって広がる円錐台状或いは角錐台状に開けら
れた第１コンタクトホール部分と該第１部分の底から連
続して柱状に開けられた第２コンタクトホール部分とか
らなる。即ち基板上で、コンタクトホールの底側に、第
２コンタクトホール部分として前述の柱状のコンタクト
ホールが開けられ、そのコンタクトホールから上側（コ
ンタクトホールの口側）に連続して前述の円錐台状或い
は角錐台状のコンタクトホールが第１コンタクトホール
部分として開けられている。従って、第１コンタクトホ
ール部分の側面に形成される材料膜部分は、傾斜して切
り立っている。更に、第２コンタクトホール部分の側面
に形成される材料膜部分は、ほぼ垂直に切り立ってい
る。しかるに、イオンインプラ工程に係る所定角度Ｘ
は、０＜Ｘに設定されるので、第１及び第２コンタクト
ホール部分の側面に形成される材料膜部分にイオンを打
ち込める。しかも、Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓｉｎＹ
＋ｂ−ｃ）但し、Ｙ＝ｔａｎ− １｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝
を満たすように所定角度Ｘは設定されるので、第２コン
タクトホール部分の底面の中央にもイオンを打ち込むこ
とができる。従って、前述の如くイオン打ち込みの傾き
の方位を、例えば相前後して又は同時に四方等の複数方
位とすることで、コンタクトホールの底面及び側面の殆
ど或いは全域にイオンを打ち込むことも可能となる。
【００５６】本発明の基板装置の製造方法は上記課題を
解決するために、基板上に穴が開けられた層間絶縁膜と
該層間絶縁膜上に形成されると共に前記穴内に設けられ
た導電層とを備え、該導電層から電子素子或いは電子回
路の少なくとも一部が前記基板上に構成される基板装置
を製造する基板装置の製造方法であって、前記層間絶縁
膜に対して前記穴を開ける工程と、前記穴が開けられた
層間絶縁膜上に前記導電層となる所定種類の材料膜を形
成する工程と、該形成された材料膜に対してイオンイン
プラによりイオンを打ち込むことによって前記導電層を
形成するイオンインプラ工程とを含んでおり、前記イオ
ンインプラ工程では、前記イオンの打ち込みは、前記穴
の側面に形成された前記材料膜部分に前記イオンが打ち
込まれるように前記穴の中心線に対して所定角度Ｘだけ
傾けて行われ、且つ該所定角度Ｘは、前記穴の底面に形
成された前記材料膜部分に前記イオンが打ち込まれる範
囲内に設定されている。
解決するために、基板上に穴が開けられた層間絶縁膜と
該層間絶縁膜上に形成されると共に前記穴内に設けられ
た導電層とを備え、該導電層から電子素子或いは電子回
路の少なくとも一部が前記基板上に構成される基板装置
を製造する基板装置の製造方法であって、前記層間絶縁
膜に対して前記穴を開ける工程と、前記穴が開けられた
層間絶縁膜上に前記導電層となる所定種類の材料膜を形
成する工程と、該形成された材料膜に対してイオンイン
プラによりイオンを打ち込むことによって前記導電層を
形成するイオンインプラ工程とを含んでおり、前記イオ
ンインプラ工程では、前記イオンの打ち込みは、前記穴
の側面に形成された前記材料膜部分に前記イオンが打ち
込まれるように前記穴の中心線に対して所定角度Ｘだけ
傾けて行われ、且つ該所定角度Ｘは、前記穴の底面に形
成された前記材料膜部分に前記イオンが打ち込まれる範
囲内に設定されている。
【００５７】本発明の基板装置の製造方法によれば、穴
が開けられた層間絶縁膜上に、電子素子或いは電子回路
の少なくとも一部となる導電層を形成する際には、先
ず、例えばポリシリコンなどの、導電層となる所定種類
の材料膜を、ＣＶＤ（化学蒸着）法等により形成する。
その後、この形成された材料膜に対して、例えばＢ（ボ
ロン）等のイオンを、イオンインプラにより打ち込むこ
とによって、導電層を形成する。
が開けられた層間絶縁膜上に、電子素子或いは電子回路
の少なくとも一部となる導電層を形成する際には、先
ず、例えばポリシリコンなどの、導電層となる所定種類
の材料膜を、ＣＶＤ（化学蒸着）法等により形成する。
その後、この形成された材料膜に対して、例えばＢ（ボ
ロン）等のイオンを、イオンインプラにより打ち込むこ
とによって、導電層を形成する。
【００５８】ここで特に、穴の側面は基板上で切り立っ
ているので、仮にイオンインプラ工程で、穴の中心線に
沿って即ち穴の側面に沿ってイオンを打ち込んだので
は、当該側面に形成された材料膜部分にイオンを打ち込
むことは殆ど又は実践上全くできない。かといって、仮
にイオンインプラ工程で、穴の中心線に対して大きく傾
いた方向からイオンを打ち込んだのでは、今度は穴の底
面に形成された材料膜部分にイオンを打ち込むことが殆
ど又は実践上全くできなくなってしまう。けだし、穴の
縁及び周辺部分が、穴の底面に傾いて向かうイオン経路
を妨げるからである。いずれにせよ、穴内の材料膜をム
ラ無く低抵抗化することが困難或いは不可能となり、導
電層によって良好な電子素子或いは電子回路を構築する
ことが困難となってしまう。
ているので、仮にイオンインプラ工程で、穴の中心線に
沿って即ち穴の側面に沿ってイオンを打ち込んだので
は、当該側面に形成された材料膜部分にイオンを打ち込
むことは殆ど又は実践上全くできない。かといって、仮
にイオンインプラ工程で、穴の中心線に対して大きく傾
いた方向からイオンを打ち込んだのでは、今度は穴の底
面に形成された材料膜部分にイオンを打ち込むことが殆
ど又は実践上全くできなくなってしまう。けだし、穴の
縁及び周辺部分が、穴の底面に傾いて向かうイオン経路
を妨げるからである。いずれにせよ、穴内の材料膜をム
ラ無く低抵抗化することが困難或いは不可能となり、導
電層によって良好な電子素子或いは電子回路を構築する
ことが困難となってしまう。
【００５９】しかるに、本発明によれば、イオンインプ
ラ工程におけるイオンの打ち込みは、穴の中心線に対し
て所定角度Ｘだけ傾けて行われるので、穴の側面に形成
された材料膜部分にイオンが打ち込まれる。同時に、該
所定角度Ｘは、穴の底面に形成された材料膜部分にイオ
ンが打ち込まれる範囲内に設定されているので、穴の底
面に形成された材料膜部分にも、イオンを打ち込むこと
ができる。従って、穴内の材料膜を比較的容易に低抵抗
化することが可能となり、導電層によって良好な電子素
子或いは電子回路を構築することが可能となる。
ラ工程におけるイオンの打ち込みは、穴の中心線に対し
て所定角度Ｘだけ傾けて行われるので、穴の側面に形成
された材料膜部分にイオンが打ち込まれる。同時に、該
所定角度Ｘは、穴の底面に形成された材料膜部分にイオ
ンが打ち込まれる範囲内に設定されているので、穴の底
面に形成された材料膜部分にも、イオンを打ち込むこと
ができる。従って、穴内の材料膜を比較的容易に低抵抗
化することが可能となり、導電層によって良好な電子素
子或いは電子回路を構築することが可能となる。
【００６０】本発明の基板装置の製造方法の一態様で
は、前記基板装置は、前記基板上に、前記穴を介して前
記導電層と接続された他の導電層を更に備えてなり、前
記他の導電層上に前記層間絶縁膜を形成する工程を更に
含む。
は、前記基板装置は、前記基板上に、前記穴を介して前
記導電層と接続された他の導電層を更に備えてなり、前
記他の導電層上に前記層間絶縁膜を形成する工程を更に
含む。
【００６１】この態様によれば、コンタクトホールとし
て機能する穴を用いて、層間絶縁膜で層間絶縁された二
つの導電層を含んでなる電子素子或いは電子回路を、基
板上に構築できる。
て機能する穴を用いて、層間絶縁膜で層間絶縁された二
つの導電層を含んでなる電子素子或いは電子回路を、基
板上に構築できる。
【００６２】或いは本発明の基板装置の製造方法の他の
態様では、前記穴を開ける工程では、前記穴は、前記層
間絶縁膜を貫通することなく窪み状或いは凹状に形成さ
れる。
態様では、前記穴を開ける工程では、前記穴は、前記層
間絶縁膜を貫通することなく窪み状或いは凹状に形成さ
れる。
【００６３】この態様によれば、穴は貫通しておらず、
コンタクトホールとして用いることはない。しかるに各
種要請や装置仕様に応じて、凹凸が存在する層間絶縁膜
の表面に導電層を形成することが必要或いは好ましい電
子素子或いは電子回路に係る基板装置を製造する場合が
ある。このような場合にも、本発明における上述の効果
は相応に発揮される。
コンタクトホールとして用いることはない。しかるに各
種要請や装置仕様に応じて、凹凸が存在する層間絶縁膜
の表面に導電層を形成することが必要或いは好ましい電
子素子或いは電子回路に係る基板装置を製造する場合が
ある。このような場合にも、本発明における上述の効果
は相応に発揮される。
【００６４】本発明の基板装置の製造方法の他の態様で
は、前記イオンインプラ工程では、前記イオンの打ち込
みは、前記穴の中心線に対して相前後して又は同時に複
数方位に前記所定角度Ｘだけ傾けて行われ、前記所定角
度Ｘは、前記複数方位の各々について前記穴の底面の中
央に位置する前記材料膜部分に前記イオンが打ち込まれ
る範囲内に設定されているこの態様によれば、イオンイ
ンプラ工程では、例えば相前後して又は同時に四方に傾
けてイオンが打ち込まれる。ここで特に、穴の底面の各
領域については、傾きの方位に応じて異なる領域へ向か
うイオン経路が、穴の縁及び周辺部分によって妨げられ
ると共に、傾きの方位に応じて異なる領域へ向かうイオ
ン経路が、穴の縁及び周辺部分によって妨げられない。
しかも、穴の側面の各領域についても、傾きの方位に応
じて異なる領域へ向かうイオン経路が、穴の縁及び周辺
部分によって妨げられると共に、傾きの方位に応じて異
なる領域へ向かうイオン経路が、穴の縁及び周辺部分に
よって妨げられない。従って、イオンの打ち込みの傾き
の方位を変えることで、穴の底面の各領域についてイオ
ンが打ち込まれる領域を変えられる。このため、例えば
穴の中央を囲んで三方、四方、八方、全方位など、傾き
の方位を適宜方位を変えることで、穴の底面におけるイ
オンが打ち込まれる領域を、当該底面の殆ど或いは全域
にすることが可能となる。同時に、穴の側面について
も、イオンが打ち込まれる領域を、その殆ど或いは全域
にすることが可能となる。従って、穴内の材料膜を比較
的容易に低抵抗化することが可能となる。
は、前記イオンインプラ工程では、前記イオンの打ち込
みは、前記穴の中心線に対して相前後して又は同時に複
数方位に前記所定角度Ｘだけ傾けて行われ、前記所定角
度Ｘは、前記複数方位の各々について前記穴の底面の中
央に位置する前記材料膜部分に前記イオンが打ち込まれ
る範囲内に設定されているこの態様によれば、イオンイ
ンプラ工程では、例えば相前後して又は同時に四方に傾
けてイオンが打ち込まれる。ここで特に、穴の底面の各
領域については、傾きの方位に応じて異なる領域へ向か
うイオン経路が、穴の縁及び周辺部分によって妨げられ
ると共に、傾きの方位に応じて異なる領域へ向かうイオ
ン経路が、穴の縁及び周辺部分によって妨げられない。
しかも、穴の側面の各領域についても、傾きの方位に応
じて異なる領域へ向かうイオン経路が、穴の縁及び周辺
部分によって妨げられると共に、傾きの方位に応じて異
なる領域へ向かうイオン経路が、穴の縁及び周辺部分に
よって妨げられない。従って、イオンの打ち込みの傾き
の方位を変えることで、穴の底面の各領域についてイオ
ンが打ち込まれる領域を変えられる。このため、例えば
穴の中央を囲んで三方、四方、八方、全方位など、傾き
の方位を適宜方位を変えることで、穴の底面におけるイ
オンが打ち込まれる領域を、当該底面の殆ど或いは全域
にすることが可能となる。同時に、穴の側面について
も、イオンが打ち込まれる領域を、その殆ど或いは全域
にすることが可能となる。従って、穴内の材料膜を比較
的容易に低抵抗化することが可能となる。
【００６５】本発明の基板装置の製造方法の一態様で
は、前記穴を開ける工程では、前記穴は柱状に開けら
れ、前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、
前記穴の径をａとし、前記穴の深さをｅとし、前記材料
膜の膜厚をｃとするとき、０＜Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−
２ｃ）／２ｅ｝を満たすように設定される。
は、前記穴を開ける工程では、前記穴は柱状に開けら
れ、前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、
前記穴の径をａとし、前記穴の深さをｅとし、前記材料
膜の膜厚をｃとするとき、０＜Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−
２ｃ）／２ｅ｝を満たすように設定される。
【００６６】この態様では、穴は、例えば円柱状、角柱
状など、柱状に開けられる。従って、その側面に形成さ
れる材料膜部分は、切り立っている。しかるに、イオン
インプラ工程に係る所定角度Ｘは、０＜Ｘに設定される
ので、穴の側面に形成される材料膜部分にイオンを打ち
込める。しかも、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２
ｅ｝を満たすように所定角度Ｘは設定されるので、穴の
底面の中央にもイオンを打ち込むことができる。従っ
て、前述の如くイオン打ち込みの傾きの方位を、例えば
相前後して又は同時に四方等の複数方位とすることで、
穴の底面及び側面の殆ど或いは全域にイオンを打ち込む
ことも可能となる。
状など、柱状に開けられる。従って、その側面に形成さ
れる材料膜部分は、切り立っている。しかるに、イオン
インプラ工程に係る所定角度Ｘは、０＜Ｘに設定される
ので、穴の側面に形成される材料膜部分にイオンを打ち
込める。しかも、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２
ｅ｝を満たすように所定角度Ｘは設定されるので、穴の
底面の中央にもイオンを打ち込むことができる。従っ
て、前述の如くイオン打ち込みの傾きの方位を、例えば
相前後して又は同時に四方等の複数方位とすることで、
穴の底面及び側面の殆ど或いは全域にイオンを打ち込む
ことも可能となる。
【００６７】或いは本発明の基板装置の製造方法の他の
態様では、前記穴を開ける工程では、前記穴は、前記層
間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円錐台状
或いは角錐台状に開けられ、前記イオンインプラ工程で
は、前記所定角度Ｘは、前記穴の底面における径をａと
し、前記穴の口側の縁における径をｄとし、前記穴の深
さをｅとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、０≦Ｘ
≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすように設定
される。
態様では、前記穴を開ける工程では、前記穴は、前記層
間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円錐台状
或いは角錐台状に開けられ、前記イオンインプラ工程で
は、前記所定角度Ｘは、前記穴の底面における径をａと
し、前記穴の口側の縁における径をｄとし、前記穴の深
さをｅとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、０≦Ｘ
≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすように設定
される。
【００６８】この態様では、穴は、導電層側に向かって
広がる、即ち基板上で上方に向かって開いた円錐台状或
いは角錐台状に開けられる。従って、その側面に形成さ
れる材料膜部分は、傾斜して切り立っている。しかる
に、イオンインプラ工程に係る所定角度Ｘは、０≦Ｘに
設定されるので、穴の側面に形成される材料膜部分にイ
オンを打ち込める。特に、穴の側面に傾斜があるので、
その度合いに応じて、仮にＸ＝０であっても、穴の側面
に形成される材料膜部分にイオンを打ち込める。しか
も、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすよう
に所定角度Ｘは設定されるので、穴の底面の中央にもイ
オンを打ち込むことができる。従って、前述の如くイオ
ン打ち込みの傾きの方位を、例えば相前後して又は同時
に四方等の複数方位とすることで、穴の底面及び側面の
殆ど或いは全域にイオンを打ち込むことも可能となる。
広がる、即ち基板上で上方に向かって開いた円錐台状或
いは角錐台状に開けられる。従って、その側面に形成さ
れる材料膜部分は、傾斜して切り立っている。しかる
に、イオンインプラ工程に係る所定角度Ｘは、０≦Ｘに
設定されるので、穴の側面に形成される材料膜部分にイ
オンを打ち込める。特に、穴の側面に傾斜があるので、
その度合いに応じて、仮にＸ＝０であっても、穴の側面
に形成される材料膜部分にイオンを打ち込める。しか
も、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすよう
に所定角度Ｘは設定されるので、穴の底面の中央にもイ
オンを打ち込むことができる。従って、前述の如くイオ
ン打ち込みの傾きの方位を、例えば相前後して又は同時
に四方等の複数方位とすることで、穴の底面及び側面の
殆ど或いは全域にイオンを打ち込むことも可能となる。
【００６９】或いは本発明の基板装置の製造方法の他の
態様では、前記穴を開ける工程では、前記穴は、前記層
間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円錐台状
或いは角錐台状に開けられた第１穴部分と該第１部分の
底から連続して柱状に開けられた第２穴部分とからなる
ように開けられ、前記イオンインプラ工程では、前記所
定角度Ｘは、前記第２穴部分の径をａとし、前記第１穴
部分の口側の縁における径をｄとし、前記第１穴部分の
深さをｅとし、前記第２穴部分の深さをｂとし、前記材
料膜の膜厚をｃとするとき、０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２
（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ）但し、Ｙ＝ｔａｎ−１｛（ｄ−
ａ）／２ｅ｝を満たすように設定される。
態様では、前記穴を開ける工程では、前記穴は、前記層
間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円錐台状
或いは角錐台状に開けられた第１穴部分と該第１部分の
底から連続して柱状に開けられた第２穴部分とからなる
ように開けられ、前記イオンインプラ工程では、前記所
定角度Ｘは、前記第２穴部分の径をａとし、前記第１穴
部分の口側の縁における径をｄとし、前記第１穴部分の
深さをｅとし、前記第２穴部分の深さをｂとし、前記材
料膜の膜厚をｃとするとき、０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２
（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ）但し、Ｙ＝ｔａｎ−１｛（ｄ−
ａ）／２ｅ｝を満たすように設定される。
【００７０】この態様では、穴は、導電層側に向かって
広がる円錐台状或いは角錐台状に開けられた第１穴部分
と該第１部分の底から連続して柱状に開けられた第２穴
部分とからなる。即ち基板上で、穴の底側に、第２穴部
分として前述の柱状の穴が開けられ、その穴から上側
（穴の口側）に連続して前述の円錐台状或いは角錐台状
の穴が第１穴部分として開けられている。従って、第１
穴部分の側面に形成される材料膜部分は、傾斜して切り
立っている。更に、第２穴部分の側面に形成される材料
膜部分は、ほぼ垂直に切り立っている。しかるに、イオ
ンインプラ工程に係る所定角度Ｘは、０＜Ｘに設定され
るので、第１及び第２穴部分の側面に形成される材料膜
部分にイオンを打ち込める。しかも、Ｘ≦（ａ−２ｃ）
／２（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ）但し、Ｙ＝ｔａｎ
−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすように所定角度Ｘは
設定されるので、第２穴部分の底面の中央にもイオンを
打ち込むことができる。従って、前述の如くイオン打ち
込みの傾きの方位を、例えば相前後して又は同時に四方
等の複数方位とすることで、穴の底面及び側面の殆ど或
いは全域にイオンを打ち込むことも可能となる。
広がる円錐台状或いは角錐台状に開けられた第１穴部分
と該第１部分の底から連続して柱状に開けられた第２穴
部分とからなる。即ち基板上で、穴の底側に、第２穴部
分として前述の柱状の穴が開けられ、その穴から上側
（穴の口側）に連続して前述の円錐台状或いは角錐台状
の穴が第１穴部分として開けられている。従って、第１
穴部分の側面に形成される材料膜部分は、傾斜して切り
立っている。更に、第２穴部分の側面に形成される材料
膜部分は、ほぼ垂直に切り立っている。しかるに、イオ
ンインプラ工程に係る所定角度Ｘは、０＜Ｘに設定され
るので、第１及び第２穴部分の側面に形成される材料膜
部分にイオンを打ち込める。しかも、Ｘ≦（ａ−２ｃ）
／２（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ）但し、Ｙ＝ｔａｎ
−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすように所定角度Ｘは
設定されるので、第２穴部分の底面の中央にもイオンを
打ち込むことができる。従って、前述の如くイオン打ち
込みの傾きの方位を、例えば相前後して又は同時に四方
等の複数方位とすることで、穴の底面及び側面の殆ど或
いは全域にイオンを打ち込むことも可能となる。
【００７１】本発明の基板装置の製造方法の他の態様で
は、前記イオンインプラ工程では、前記イオンの打ち込
みは、ポリシリコンを含んでなる前記材料膜をＰ型のド
ープトポリシリコンからなる前記導電層とするように行
われる。
は、前記イオンインプラ工程では、前記イオンの打ち込
みは、ポリシリコンを含んでなる前記材料膜をＰ型のド
ープトポリシリコンからなる前記導電層とするように行
われる。
【００７２】この態様によれば、Ｐ型のドープトポリシ
リコンからなる導電層によって、良好な電子素子或いは
電子回路を構築することが可能となる。
リコンからなる導電層によって、良好な電子素子或いは
電子回路を構築することが可能となる。
【００７３】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。
に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００７４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００７５】（電気光学基板装置）図１は、本発明の実
施形態である電気光学基板装置の断面図である。本実施
形態の電気光学基板装置は、例えば後述の電気光学装置
を構成する一対の基板のうちのＴＦＴアレイ基板側を構
成するものであるが、その用途は特にこれに限定される
ものではない。
施形態である電気光学基板装置の断面図である。本実施
形態の電気光学基板装置は、例えば後述の電気光学装置
を構成する一対の基板のうちのＴＦＴアレイ基板側を構
成するものであるが、その用途は特にこれに限定される
ものではない。
【００７６】図１において、電気光学基板装置２００
は、基板１０上に、下側遮光膜１１ａ、第１下地絶縁膜
１２、第２下地絶縁膜１３、画素スイッチング用のＴＦ
Ｔ３０を構成する単結晶シリコン層からなる半導体層１
ａ、ＴＦＴ３０を構成するゲート電極を含む走査線３
ａ、ＴＦＴ３０を構成するゲート絶縁膜を含む絶縁膜
２、第１層間絶縁膜４１、ＴＦＴ３０のソース電極３０
３及び蓄積容量７０の画素電位側容量電極を含むＴＦＴ
３０のドレイン電極３０２、蓄積容量７０の誘電体膜７
５、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含む容量線３
００、第２層間絶縁膜４２、データ線６ａ、第３層間絶
縁膜４３並びに画素電極９ａをこの順に備えて構成され
ている。
は、基板１０上に、下側遮光膜１１ａ、第１下地絶縁膜
１２、第２下地絶縁膜１３、画素スイッチング用のＴＦ
Ｔ３０を構成する単結晶シリコン層からなる半導体層１
ａ、ＴＦＴ３０を構成するゲート電極を含む走査線３
ａ、ＴＦＴ３０を構成するゲート絶縁膜を含む絶縁膜
２、第１層間絶縁膜４１、ＴＦＴ３０のソース電極３０
３及び蓄積容量７０の画素電位側容量電極を含むＴＦＴ
３０のドレイン電極３０２、蓄積容量７０の誘電体膜７
５、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含む容量線３
００、第２層間絶縁膜４２、データ線６ａ、第３層間絶
縁膜４３並びに画素電極９ａをこの順に備えて構成され
ている。
【００７７】基板１０は、ガラス基板、石英基板、シリ
コン基板等からなり、当該電気光学基板装置を透過型と
する場合には、透明の基板とされ、当該電気光学基板装
置を反射型とする場合には、不透明の基板とされる。
コン基板等からなり、当該電気光学基板装置を透過型と
する場合には、透明の基板とされ、当該電気光学基板装
置を反射型とする場合には、不透明の基板とされる。
【００７８】下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ（チタ
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの
少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイ
ド、ポリサイド、これらを積層したもの等からなる。下
側遮光膜１１ａは、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ
のうち少なくともチャネル領域１ａ’を、図中下側から
覆うことにより、図中下側からＴＦＴ３０に向かう戻り
光を遮光する。
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの
少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイ
ド、ポリサイド、これらを積層したもの等からなる。下
側遮光膜１１ａは、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ
のうち少なくともチャネル領域１ａ’を、図中下側から
覆うことにより、図中下側からＴＦＴ３０に向かう戻り
光を遮光する。
【００７９】第１下地絶縁膜１２は、基板１０の全面に
形成されることにより、基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等でＴＦＴ３０の特性の劣
化を防止する機能を有する。下地絶縁膜１２は、例え
ば、常圧、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によりＴ
ＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、
ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯ
Ｐ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を
用いて、ＮＳＧ（ノンドープト・シリケート・ガラ
ス）、ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）、ＢＳＧ
（ボロン・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロン・
リン・シリケート・ガラス）などを積層した或いは単層
のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン
膜等から形成する。その膜厚は、例えば約５００〜２０
００ｎｍ程度とする。
形成されることにより、基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等でＴＦＴ３０の特性の劣
化を防止する機能を有する。下地絶縁膜１２は、例え
ば、常圧、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によりＴ
ＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、
ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯ
Ｐ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を
用いて、ＮＳＧ（ノンドープト・シリケート・ガラ
ス）、ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）、ＢＳＧ
（ボロン・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロン・
リン・シリケート・ガラス）などを積層した或いは単層
のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン
膜等から形成する。その膜厚は、例えば約５００〜２０
００ｎｍ程度とする。
【００８０】第１下地絶縁膜１２の表面にはＣＭＰ処理
が施されて平坦化されており、この平坦化された表面
に、半導体層１ａが形成された第２下地絶縁膜１３が貼
り合わされている。即ち、本実施形態では、第２下地絶
縁膜１３は埋め込み酸化膜となり、その上に単結晶シリ
コン膜からなる半導体層１ａが形成されたＳＯＩ構造が
構築されている。例えば、別途用意した半導体基板上に
先ず半導体層１ａを形成し、この表面を酸化することで
第２下地絶縁膜１３を形成し、この第２下地絶縁膜１３
の表面と第１下地絶縁膜１２の表面とを貼り合わせて熱
処理した後に、半導体層１ａを残すように半導体基板を
分離することにより、このようなＳＯＩ構造が得られ
る。係る半導体層１ａの厚さは、例えば約３０〜１５０
ｎｍであり、絶縁膜２の厚さは、例えば約２０〜１５０
ｎｍである。
が施されて平坦化されており、この平坦化された表面
に、半導体層１ａが形成された第２下地絶縁膜１３が貼
り合わされている。即ち、本実施形態では、第２下地絶
縁膜１３は埋め込み酸化膜となり、その上に単結晶シリ
コン膜からなる半導体層１ａが形成されたＳＯＩ構造が
構築されている。例えば、別途用意した半導体基板上に
先ず半導体層１ａを形成し、この表面を酸化することで
第２下地絶縁膜１３を形成し、この第２下地絶縁膜１３
の表面と第１下地絶縁膜１２の表面とを貼り合わせて熱
処理した後に、半導体層１ａを残すように半導体基板を
分離することにより、このようなＳＯＩ構造が得られ
る。係る半導体層１ａの厚さは、例えば約３０〜１５０
ｎｍであり、絶縁膜２の厚さは、例えば約２０〜１５０
ｎｍである。
【００８１】画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤ
Ｄ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線
３ａの一部からなるゲート電極、当該走査線３ａからの
電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネ
ル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁する
ゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソ
ース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１
ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１
ｅ、ソース電極３０３並びにドレイン電極３０２を備え
て構成されている。
Ｄ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線
３ａの一部からなるゲート電極、当該走査線３ａからの
電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネ
ル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁する
ゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソ
ース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１
ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１
ｅ、ソース電極３０３並びにドレイン電極３０２を備え
て構成されている。
【００８２】走査線３ａの上には、高濃度ソース領域１
ｄとソース電極３０３とを通じるコンタクトホール８２
及び高濃度ドレイン領域１ｅとドレイン電極３０２とを
通じるコンタクトホール８３が各々形成された第１層間
絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１は、
例えばシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜等から形成され、その膜厚は、例えば約５００〜
２０００ｎｍ程度とする。
ｄとソース電極３０３とを通じるコンタクトホール８２
及び高濃度ドレイン領域１ｅとドレイン電極３０２とを
通じるコンタクトホール８３が各々形成された第１層間
絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１は、
例えばシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜等から形成され、その膜厚は、例えば約５００〜
２０００ｎｍ程度とする。
【００８３】高濃度ドレイン領域１ｅには、画素電極９
ａが、コンタクトホール８３及び８５を介して中継接続
用の導電層としても機能するドレイン電極３０２により
中継接続されている。高濃度ソース領域１ｄには、デー
タ線６ａが、コンタクトホール８１及び８２を介して中
継接続用の導電層としても機能するソース電極３０３に
より中継接続されている。
ａが、コンタクトホール８３及び８５を介して中継接続
用の導電層としても機能するドレイン電極３０２により
中継接続されている。高濃度ソース領域１ｄには、デー
タ線６ａが、コンタクトホール８１及び８２を介して中
継接続用の導電層としても機能するソース電極３０３に
より中継接続されている。
【００８４】ドレイン電極３０２の一部からなる画素電
位側容量電極上には、誘電体膜３０１を介して固定電位
側容量電極を含む容量線３００が形成されている。容量
線３００は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の
高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、
合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層した
もの等からなる。本実施形態では、このようにドレイン
電極３０２の一部と、容量線３００の一部とが誘電体膜
３０１を介して対向配置されることにより、蓄積容量７
０が構築されている。
位側容量電極上には、誘電体膜３０１を介して固定電位
側容量電極を含む容量線３００が形成されている。容量
線３００は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の
高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、
合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層した
もの等からなる。本実施形態では、このようにドレイン
電極３０２の一部と、容量線３００の一部とが誘電体膜
３０１を介して対向配置されることにより、蓄積容量７
０が構築されている。
【００８５】容量線３００上には、ソース電極３０３と
データ線６ａとを通じるコンタクトホール８１及びドレ
イン電極３０２と画素電極９ａとを通じるコンタクトホ
ール８５が各々形成された第２層間絶縁膜４２が形成さ
れている。第２層間絶縁膜４２は、例えばシリケートガ
ラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等から形成さ
れ、その膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度と
する。
データ線６ａとを通じるコンタクトホール８１及びドレ
イン電極３０２と画素電極９ａとを通じるコンタクトホ
ール８５が各々形成された第２層間絶縁膜４２が形成さ
れている。第２層間絶縁膜４２は、例えばシリケートガ
ラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等から形成さ
れ、その膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度と
する。
【００８６】第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａ
が形成されており、これらの上には更に、ドレイン電極
３０２へのコンタクトホール８５が形成された第３層間
絶縁膜４３が形成されている。係るデータ線６ａは、例
えば、スパッタリング、フォトリソグラフィ、エッチン
グ等により、所定パターンを持つようにＡｌ（アルミニ
ウム）等の低抵抗金属膜から形成され、その膜厚は、配
線幅に応じて必要な導電性が得られるように、例えば数
百ｎｍ程度とされる。他方、第３層間絶縁膜４３は、例
えばシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコ
ン膜等から形成され、その膜厚は、例えば約５００〜２
０００ｎｍ程度とする。
が形成されており、これらの上には更に、ドレイン電極
３０２へのコンタクトホール８５が形成された第３層間
絶縁膜４３が形成されている。係るデータ線６ａは、例
えば、スパッタリング、フォトリソグラフィ、エッチン
グ等により、所定パターンを持つようにＡｌ（アルミニ
ウム）等の低抵抗金属膜から形成され、その膜厚は、配
線幅に応じて必要な導電性が得られるように、例えば数
百ｎｍ程度とされる。他方、第３層間絶縁膜４３は、例
えばシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコ
ン膜等から形成され、その膜厚は、例えば約５００〜２
０００ｎｍ程度とする。
【００８７】画素電極９ａは、このように構成された第
３層間絶縁膜７の上面に設けられている。画素電極９ａ
は、例えばスパッタリング、フォトリソグラフィ、エッ
チング等により、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透
明導電性膜から形成する。尚、後述の電気光学装置のよ
うに、ラビング処理を施された配向膜を形成してもよ
い。
３層間絶縁膜７の上面に設けられている。画素電極９ａ
は、例えばスパッタリング、フォトリソグラフィ、エッ
チング等により、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透
明導電性膜から形成する。尚、後述の電気光学装置のよ
うに、ラビング処理を施された配向膜を形成してもよ
い。
【００８８】上述の如き構成を有する本実施形態の電気
光学基板装置では特に、半導体層１ａは、Ｎ型単結晶シ
リコンからなり、その中にＰ型の高濃度ソース領域１ｄ
及びＰ形の低濃度ソース領域１ｂ並びにＰ型の高濃度ド
レイン領域１ｅ及びＰ型の低濃度ソース領域１ｃが形成
されている。即ち、ＴＦＴ３０は、エンハンスメント形
のＰチャネルＭＯＳトランジスタとして構成されてい
る。
光学基板装置では特に、半導体層１ａは、Ｎ型単結晶シ
リコンからなり、その中にＰ型の高濃度ソース領域１ｄ
及びＰ形の低濃度ソース領域１ｂ並びにＰ型の高濃度ド
レイン領域１ｅ及びＰ型の低濃度ソース領域１ｃが形成
されている。即ち、ＴＦＴ３０は、エンハンスメント形
のＰチャネルＭＯＳトランジスタとして構成されてい
る。
【００８９】ここで、図２に、比較例としてのＳＯＩ構
造を持つＮチャネルＭＯＳトランジスタにおけるゲート
電圧（｜Ｖｇ｜）に対するドレイン電流（｜Ｉｄ｜）の
特性を各種のドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）について示す。
また、図３に、本実施形態の如きＳＯＩ構造を持つＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタにおけるゲート電圧（｜Ｖｇ
｜）に対するドレイン電流（｜Ｉｄ｜）の特性を各種の
ドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）について示す。
造を持つＮチャネルＭＯＳトランジスタにおけるゲート
電圧（｜Ｖｇ｜）に対するドレイン電流（｜Ｉｄ｜）の
特性を各種のドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）について示す。
また、図３に、本実施形態の如きＳＯＩ構造を持つＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタにおけるゲート電圧（｜Ｖｇ
｜）に対するドレイン電流（｜Ｉｄ｜）の特性を各種の
ドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）について示す。
【００９０】図２に対応する比較例では、前述した背景
技術の如き動作中に半導体層中に蓄積される余剰キャリ
アを引き出すためのボディコンタクトは設けられていな
い。また、図３に対応する本実施形態の場合にも、この
ようなボディイコンタクトは設けられていない。尚、比
較例では、チャネル長を２．０μｍとし、ＬＤＤ長を
１．０μｍとし、チャネル幅を２０μｍとしてあり、本
実施形態では、チャネル長を３．０μｍとし、ＬＤＤ長
を１．０μｍとし、チャネル幅を２０μｍとしてある。
技術の如き動作中に半導体層中に蓄積される余剰キャリ
アを引き出すためのボディコンタクトは設けられていな
い。また、図３に対応する本実施形態の場合にも、この
ようなボディイコンタクトは設けられていない。尚、比
較例では、チャネル長を２．０μｍとし、ＬＤＤ長を
１．０μｍとし、チャネル幅を２０μｍとしてあり、本
実施形態では、チャネル長を３．０μｍとし、ＬＤＤ長
を１．０μｍとし、チャネル幅を２０μｍとしてある。
【００９１】これらの特性図から分かるように、比較例
の場合には、ドレイン電流（｜Ｖｄ｜）が小さいうち
は、本実施形態の場合よりも、良好なトランジスタ特性
が得られる。これは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタの
方が、相対的に移動度が高い電子を多数キャリアとして
おり、相対的に移動度が低い正孔を多数キャリアとする
ＰチャネルＭＯＳトランジスタよりも基本的に高性能で
あることに基づく。
の場合には、ドレイン電流（｜Ｖｄ｜）が小さいうち
は、本実施形態の場合よりも、良好なトランジスタ特性
が得られる。これは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタの
方が、相対的に移動度が高い電子を多数キャリアとして
おり、相対的に移動度が低い正孔を多数キャリアとする
ＰチャネルＭＯＳトランジスタよりも基本的に高性能で
あることに基づく。
【００９２】しかしながら、この種の電気光学基板装置
で実用上用いられる範囲内でドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）
がある程度大きくなると、比較例では、良好なトランジ
スタ特性は得られなくなる。これに対し、本実施形態の
場合には、この種の電気光学基板装置で実用上用いられ
る範囲内でドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）がある程度大きく
なっても、良好なトランジスタ特性が得られている。特
に本実施形態におけるＴＦＴ３０は、ＳＯＩ構造をもつ
ので、例えばポリシリコンやアモルファスシリコンを半
導体層として用いて構成したＭＯＳトランジスタと比べ
て、そのトランジスタとしての性能は劣らないようにで
きる。そして、本実施形態では、Ｐチャネル型であるが
故に、前述した正孔のインパクトイオン化率が小さくて
済み、Ｎチャネル型の場合のように、前述した基板浮遊
効果による寄生バイポーラ現象は実用上殆ど問題となら
ない。
で実用上用いられる範囲内でドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）
がある程度大きくなると、比較例では、良好なトランジ
スタ特性は得られなくなる。これに対し、本実施形態の
場合には、この種の電気光学基板装置で実用上用いられ
る範囲内でドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）がある程度大きく
なっても、良好なトランジスタ特性が得られている。特
に本実施形態におけるＴＦＴ３０は、ＳＯＩ構造をもつ
ので、例えばポリシリコンやアモルファスシリコンを半
導体層として用いて構成したＭＯＳトランジスタと比べ
て、そのトランジスタとしての性能は劣らないようにで
きる。そして、本実施形態では、Ｐチャネル型であるが
故に、前述した正孔のインパクトイオン化率が小さくて
済み、Ｎチャネル型の場合のように、前述した基板浮遊
効果による寄生バイポーラ現象は実用上殆ど問題となら
ない。
【００９３】このため、比較例の場合には、実践上は蓄
積される余剰キャリアを引き抜くためのボディイコンタ
クトが必要となるのに対し、本実施形態では、ボディイ
コンタクトは必要ない。
積される余剰キャリアを引き抜くためのボディイコンタ
クトが必要となるのに対し、本実施形態では、ボディイ
コンタクトは必要ない。
【００９４】加えて図１に示した本実施形態では特に、
Ｐ型の高濃度ソース領域１ｄに接続されるソース電極３
０３は、Ｐ型導電層からなる。従って、両者間にＰＮ接
合は存在せず、良好な電気的な接続が得られる。同様
に、Ｐ型の高濃度ドレイン領域１ｅに接続されるドレイ
ン電極は、Ｐ型導電層からなる。従って、両者間にＰＮ
接合は存在せず、良好な電気的な接続が得られる。この
ようなＰ型導電層は、例えば、ポリシリコン膜等の導電
層を堆積後に、イオンインプラによりＰ型にドープする
ことにより比較的容易に形成できる。また、このような
ドレイン電極３０２及びソース電極３０３の膜厚は、例
えば５０〜５００ｎｍ程度とされる。
Ｐ型の高濃度ソース領域１ｄに接続されるソース電極３
０３は、Ｐ型導電層からなる。従って、両者間にＰＮ接
合は存在せず、良好な電気的な接続が得られる。同様
に、Ｐ型の高濃度ドレイン領域１ｅに接続されるドレイ
ン電極は、Ｐ型導電層からなる。従って、両者間にＰＮ
接合は存在せず、良好な電気的な接続が得られる。この
ようなＰ型導電層は、例えば、ポリシリコン膜等の導電
層を堆積後に、イオンインプラによりＰ型にドープする
ことにより比較的容易に形成できる。また、このような
ドレイン電極３０２及びソース電極３０３の膜厚は、例
えば５０〜５００ｎｍ程度とされる。
【００９５】尚、本実施形態では、基板１０として、石
英ガラス、ガラス等の透明基板を用い、画素電極９ａと
してもＩＴＯ膜等の透明電極を用いることにより、透過
型の電気光学基板装置や、画素電極９ａ或いは画素電極
透９ａ及び基板１０を介して光が反射する反射型の電気
光学装置を構築できる。或いは、本実施形態では、画素
電極９ａとしてＡｌ膜等の反射電極を用いることによ
り、反射型の電気光学基板装置を構築できる。更には、
半透過反射電極或いは半透過反射板を用いることで、反
射型と透過型とを切り替え可能な半透過反射型の電気光
学装置を構築できる。
英ガラス、ガラス等の透明基板を用い、画素電極９ａと
してもＩＴＯ膜等の透明電極を用いることにより、透過
型の電気光学基板装置や、画素電極９ａ或いは画素電極
透９ａ及び基板１０を介して光が反射する反射型の電気
光学装置を構築できる。或いは、本実施形態では、画素
電極９ａとしてＡｌ膜等の反射電極を用いることによ
り、反射型の電気光学基板装置を構築できる。更には、
半透過反射電極或いは半透過反射板を用いることで、反
射型と透過型とを切り替え可能な半透過反射型の電気光
学装置を構築できる。
【００９６】次に以上の如く構成された電気光学基板装
置を備えてなる、本発明の電気光学装置に係る実施形態
を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明
の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
置を備えてなる、本発明の電気光学装置に係る実施形態
を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明
の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００９７】（電気光学装置の全体構成）先ず、本発明
の実施形態における電気光学装置の全体構成について、
図４及び図５を参照して説明する。ここでは、電気光学
装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
の実施形態における電気光学装置の全体構成について、
図４及び図５を参照して説明する。ここでは、電気光学
装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００９８】図４は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図５は、図４のＨ−Ｈ’断面図である。
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図５は、図４のＨ−Ｈ’断面図である。
【００９９】図４及び図５において、本実施形態に係る
電気光学装置では、図１に示した電気光学基板装置２０
０と対向基板２０とが対向配置されている。
電気光学装置では、図１に示した電気光学基板装置２０
０と対向基板２０とが対向配置されている。
【０１００】電気光学基板装置２００を構成する基板１
０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されてお
り、基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａ
の周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２
により相互に接着されている。シール材５２は、両基板
を貼り合わせるために、例えば熱硬化樹脂、熱及び光硬
化樹脂、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等からなり、製造
プロセスにおいて基板１０上に塗布された後、加熱、加
熱及び光照射、光照射、紫外線照射等により硬化させら
れたものである。
０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されてお
り、基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａ
の周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２
により相互に接着されている。シール材５２は、両基板
を貼り合わせるために、例えば熱硬化樹脂、熱及び光硬
化樹脂、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等からなり、製造
プロセスにおいて基板１０上に塗布された後、加熱、加
熱及び光照射、光照射、紫外線照射等により硬化させら
れたものである。
【０１０１】このようなシール材５２中には、両基板間
の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラス
ファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合され
ている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェ
クタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに
適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレ
イや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置
であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含
まれてもよい。
の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラス
ファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合され
ている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェ
クタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに
適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレ
イや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置
であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含
まれてもよい。
【０１０２】対向基板２０の４隅には、上下導通材１０
６が設けられており、基板１０に設けられた上下導通端
子と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間で電
気的な導通をとる。
６が設けられており、基板１０に設けられた上下導通端
子と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間で電
気的な導通をとる。
【０１０３】図４及び図５において、シール材５２が配
置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１
０ａを規定する遮光性の額縁５３が対向基板２０側に設
けられている。額縁５３は基板１０側に設けても良いこ
とは言うまでもない。画像表示領域の周辺に広がる周辺
領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外
側部分には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続
端子１０２が基板１０の一辺に沿って設けられており、
走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿
って設けられている。更に基板１０の残る一辺には、画
像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１
０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられてい
る。
置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１
０ａを規定する遮光性の額縁５３が対向基板２０側に設
けられている。額縁５３は基板１０側に設けても良いこ
とは言うまでもない。画像表示領域の周辺に広がる周辺
領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外
側部分には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続
端子１０２が基板１０の一辺に沿って設けられており、
走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿
って設けられている。更に基板１０の残る一辺には、画
像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１
０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられてい
る。
【０１０４】図５において、基板１０上には、画素スイ
ッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成
された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されてい
る。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、最
上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向
状態をとる。
ッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成
された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されてい
る。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、最
上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向
状態をとる。
【０１０５】本実施形態では、額縁５３下にある基板１
０上の領域に、サンプリング回路１１８が設けられてい
る。サンプリング回路１１８は、画像信号線上の画像信
号をデータ線駆動回路１０１から供給されるサンプリン
グ回路駆動信号に応じてサンプリングしてデータ線に供
給するように構成されている。
０上の領域に、サンプリング回路１１８が設けられてい
る。サンプリング回路１１８は、画像信号線上の画像信
号をデータ線駆動回路１０１から供給されるサンプリン
グ回路駆動信号に応じてサンプリングしてデータ線に供
給するように構成されている。
【０１０６】（電気光学装置の回路構成及び動作）次に
以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及
び動作について図６を参照して説明する。図６は、電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路
と周辺回路とを示すブロック図である。
以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及
び動作について図６を参照して説明する。図６は、電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路
と周辺回路とを示すブロック図である。
【０１０７】図６において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。
【０１０８】画像表示領域１０ａ外である周辺領域に
は、データ線６ａの一端（図６中で下端）が、サンプリ
ング回路１１８の例えばＴＦＴからなる各スイッチング
素子のドレインに接続されている。他方、画像信号線１
１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路
１１８のＴＦＴのソースに接続されている。データ線駆
動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線
１１４は、サンプリング回路１１８のＴＦＴのゲートに
接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１か
らサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリ
ング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリン
グ回路１１８によりサンプリングされて各データ線６ａ
に供給されるように構成されている。
は、データ線６ａの一端（図６中で下端）が、サンプリ
ング回路１１８の例えばＴＦＴからなる各スイッチング
素子のドレインに接続されている。他方、画像信号線１
１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路
１１８のＴＦＴのソースに接続されている。データ線駆
動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線
１１４は、サンプリング回路１１８のＴＦＴのゲートに
接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１か
らサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリ
ング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリン
グ回路１１８によりサンプリングされて各データ線６ａ
に供給されるように構成されている。
【０１０９】このようにデータ線６ａに書き込む画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対
して、グループ毎に供給するようにしても良い。
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対
して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【０１１０】また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の
ゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定の
タイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供
給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミ
ングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の
一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電
極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加され
る電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化するこ
とにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマ
リーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマ
リーブラックモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体
として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラス
トを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号が
リークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を
付加する。蓄積容量７０は、後述する画素スイッチング
用のＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと定電位の容
量線３００の間に誘電体膜３０１を介して形成される。
ゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定の
タイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供
給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミ
ングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の
一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電
極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加され
る電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化するこ
とにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマ
リーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマ
リーブラックモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体
として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラス
トを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号が
リークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を
付加する。蓄積容量７０は、後述する画素スイッチング
用のＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと定電位の容
量線３００の間に誘電体膜３０１を介して形成される。
【０１１１】尚、基板１０上には、これらのデータ線駆
動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回
路１１８等に加えて、複数のデータ線６ａに所定電圧レ
ベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給
するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光
学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形
成してもよい。
動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回
路１１８等に加えて、複数のデータ線６ａに所定電圧レ
ベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給
するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光
学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形
成してもよい。
【０１１２】（電気光学装置の画素部における構成）本
実施形態における電気光学装置の画素部における構成に
ついて、図７から図９を参照して説明する。図７は、デ
ータ線、走査線、画素電極等が形成された電気光学装置
の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図８は、図
７のＡ−Ａ’断面図である。また、図９は、比較例にお
けるボディイコンタクトを示す一画素に係る平面図であ
る。尚、図８においては、各層や各部材を図面上で認識
可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺
を異ならしめてある。
実施形態における電気光学装置の画素部における構成に
ついて、図７から図９を参照して説明する。図７は、デ
ータ線、走査線、画素電極等が形成された電気光学装置
の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図８は、図
７のＡ−Ａ’断面図である。また、図９は、比較例にお
けるボディイコンタクトを示す一画素に係る平面図であ
る。尚、図８においては、各層や各部材を図面上で認識
可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺
を異ならしめてある。
【０１１３】図７において、電気光学装置の基板１０上
には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線
部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられてお
り、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６
ａ、走査線３ａが設けられている。
には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線
部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられてお
り、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６
ａ、走査線３ａが設けられている。
【０１１４】また、半導体層１ａのうち図中右下がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６
ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走
査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０が設けられている。
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６
ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走
査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【０１１５】本実施形態では、容量線３００が、図中太
線で示したように走査線３ａの形成領域に重ねて形成さ
れている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａ
に沿って延びる本線部と、図７中、データ線６ａと交差
する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出し
た突出部と、コンタクトホール８４に対応する個所が僅
かに括れた括れ部とを備えている。
線で示したように走査線３ａの形成領域に重ねて形成さ
れている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａ
に沿って延びる本線部と、図７中、データ線６ａと交差
する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出し
た突出部と、コンタクトホール８４に対応する個所が僅
かに括れた括れ部とを備えている。
【０１１６】図７及び図８に示すように、データ線６ａ
は、ソース電極３０３を中継することにより、コンタク
トホール８１及びコンタクトホール８２を介して半導体
層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続され
ている。他方、画素電極９ａは、ソース電極３０３と同
一膜からなるドレイン電極３０２を中継層として利用し
て中継することにより、コンタクトホール８３及び８５
を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに
電気的に接続されている。
は、ソース電極３０３を中継することにより、コンタク
トホール８１及びコンタクトホール８２を介して半導体
層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続され
ている。他方、画素電極９ａは、ソース電極３０３と同
一膜からなるドレイン電極３０２を中継層として利用し
て中継することにより、コンタクトホール８３及び８５
を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに
電気的に接続されている。
【０１１７】このようにドレイン電極３０２を中継層と
して用いることにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０を構
成する半導体層１ａとの間の層間距離が例えば１０００
ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホール
で接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ
の直列なコンタクトホール８３及び８４で両者間を良好
に接続でき、画素開口率を高めること可能となる。特に
このような中継層を用いれば、コンタクトホール開孔時
におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。同様
に、ソース電極３０３を用いることにより、データ線６
ａとＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとの間の層間距
離が長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続
する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列
なコンタクトホール８１及び８２で両者間を良好に接続
できる。
して用いることにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０を構
成する半導体層１ａとの間の層間距離が例えば１０００
ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホール
で接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ
の直列なコンタクトホール８３及び８４で両者間を良好
に接続でき、画素開口率を高めること可能となる。特に
このような中継層を用いれば、コンタクトホール開孔時
におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。同様
に、ソース電極３０３を用いることにより、データ線６
ａとＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとの間の層間距
離が長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続
する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列
なコンタクトホール８１及び８２で両者間を良好に接続
できる。
【０１１８】図７及び図８に示すように、ドレイン電極
３０２と容量線３００とが誘電体膜３０１を介して対向
配置されることにより、平面的に見て走査線３ａに重な
る領域及びデータ線６ａに重なる領域に、蓄積容量７０
が構築されている。
３０２と容量線３００とが誘電体膜３０１を介して対向
配置されることにより、平面的に見て走査線３ａに重な
る領域及びデータ線６ａに重なる領域に、蓄積容量７０
が構築されている。
【０１１９】即ち、容量線３００は、走査線３ａを覆う
ように延びると共に、データ線６ａの領域下で、ドレイ
ン電極３０２を覆うように突き出す突出部を有し櫛歯状
に形成している。ドレイン電極３０２は、走査線３ａと
データ線６ａの交差部から、一方がデータ線６ａの領域
下にある容量線３００の突出部に沿って延び、他方が走
査線３ａの領域上にある容量線３００に沿って隣接する
データ線６ａ近傍まで延びるＬ字状の島状容量電極を形
成している。そして、誘電体膜３０１を介して容量線３
００にＬ字状のドレイン電極３０２が重なる領域で蓄積
容量７０が形成される。
ように延びると共に、データ線６ａの領域下で、ドレイ
ン電極３０２を覆うように突き出す突出部を有し櫛歯状
に形成している。ドレイン電極３０２は、走査線３ａと
データ線６ａの交差部から、一方がデータ線６ａの領域
下にある容量線３００の突出部に沿って延び、他方が走
査線３ａの領域上にある容量線３００に沿って隣接する
データ線６ａ近傍まで延びるＬ字状の島状容量電極を形
成している。そして、誘電体膜３０１を介して容量線３
００にＬ字状のドレイン電極３０２が重なる領域で蓄積
容量７０が形成される。
【０１２０】蓄積容量７０の一方の容量電極を含むドレ
イン電極３０２は、コンタクトホール８５で画素電極９
ａと接続されており且つコンタクトホール８３で高濃度
ドレイン領域１ｅと接続されており、画素電極電位とさ
れる。
イン電極３０２は、コンタクトホール８５で画素電極９
ａと接続されており且つコンタクトホール８３で高濃度
ドレイン領域１ｅと接続されており、画素電極電位とさ
れる。
【０１２１】蓄積容量７０の他方の容量電極を含む容量
線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域か
らその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続され
て、固定電位とされる。定電位源としては、ＴＦＴ３０
を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するため
の走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給する
サンプリング回路を制御するデータ線駆動回路に供給さ
れる正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板に
供給される定電位でも構わない。
線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域か
らその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続され
て、固定電位とされる。定電位源としては、ＴＦＴ３０
を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するため
の走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給する
サンプリング回路を制御するデータ線駆動回路に供給さ
れる正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板に
供給される定電位でも構わない。
【０１２２】蓄積容量７０の誘電体膜３０１は、例えば
膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ膜（高温酸
化膜）、ＬＴＯ膜（低温酸化膜）等の酸化シリコン膜、
あるいは窒化シリコン膜等から構成される。誘電体膜３
０１は、ドレイン電極３０２の表面を酸化することによ
って得た熱酸化膜でもよい。蓄積容量７０を増大させる
観点からは、膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおい
て、誘電体膜３０１は薄い程良い。
膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ膜（高温酸
化膜）、ＬＴＯ膜（低温酸化膜）等の酸化シリコン膜、
あるいは窒化シリコン膜等から構成される。誘電体膜３
０１は、ドレイン電極３０２の表面を酸化することによ
って得た熱酸化膜でもよい。蓄積容量７０を増大させる
観点からは、膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおい
て、誘電体膜３０１は薄い程良い。
【０１２３】図８に示すように、電気光学装置は、電気
光学基板装置２００と、これに対向配置される透明な対
向基板２０とを備えている。対向基板２０は、例えばガ
ラス基板や石英基板からなる。基板１０には、画素電極
９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等
の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられてい
る。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機
膜からなる。
光学基板装置２００と、これに対向配置される透明な対
向基板２０とを備えている。対向基板２０は、例えばガ
ラス基板や石英基板からなる。基板１０には、画素電極
９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等
の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられてい
る。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機
膜からなる。
【０１２４】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。
【０１２５】基板１０には、各画素電極９ａに隣接する
位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素ス
イッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素ス
イッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【０１２６】対向基板２０には、更に遮光膜を設けるよ
うにしてもよい。このような構成を採ることで、対向基
板２０側から入射光がＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャ
ネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレ
イン領域１ｃに侵入するのを抑制できる。更に、対向基
板上の遮光膜は、入射光が照射される面を高反射な膜で
形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働
きをする。
うにしてもよい。このような構成を採ることで、対向基
板２０側から入射光がＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャ
ネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレ
イン領域１ｃに侵入するのを抑制できる。更に、対向基
板上の遮光膜は、入射光が照射される面を高反射な膜で
形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働
きをする。
【０１２７】尚、本実施形態では、Ａｌ膜等からなる遮
光性のデータ線６ａで、各画素の遮光領域のうちデータ
線６ａに沿った部分を遮光してもよいし、容量線３００
を遮光性の膜で形成することによりチャネル領域１ａ’
等を遮光することができる。
光性のデータ線６ａで、各画素の遮光領域のうちデータ
線６ａに沿った部分を遮光してもよいし、容量線３００
を遮光性の膜で形成することによりチャネル領域１ａ’
等を遮光することができる。
【０１２８】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置された基板１０と対向
基板２０との間には、シール材により囲まれた空間に電
気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が
形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が
印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定
の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種
類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。
電極２１とが対面するように配置された基板１０と対向
基板２０との間には、シール材により囲まれた空間に電
気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が
形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が
印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定
の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種
類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。
【０１２９】ここで、本実施形態では特に、各画素に設
けられたＴＦＴ３０は、ＳＯＩ構造を持つＰチャネル型
であるが故に、前述した正孔のインパクトイオン化率が
小さくて済み、基板浮遊効果による寄生バイポーラ現象
は実用上殆ど問題とならない。このため、図７に示した
ように、各画素の開口領域を相対的に大きくとることが
可能となる。
けられたＴＦＴ３０は、ＳＯＩ構造を持つＰチャネル型
であるが故に、前述した正孔のインパクトイオン化率が
小さくて済み、基板浮遊効果による寄生バイポーラ現象
は実用上殆ど問題とならない。このため、図７に示した
ように、各画素の開口領域を相対的に大きくとることが
可能となる。
【０１３０】これに対して、図２を用いて説明したＳＯ
Ｉ構造を持つＮチャネル型のＴＦＴの場合には、正孔の
インパクトイオン化率が大きいため、基板浮遊効果によ
る寄生バイポーラ現象が顕著となり、図９に示すよう
に、チャネル領域１ａ’に蓄積される余剰キャリアを引
き抜くための導電層５００を追加形成する必要がある。
このため、図９から明らかなように、当該ボディイコン
タクトをとるための導電層５００の存在により、図９中
ハッチングで示した各画素の開口領域５０１は狭くなら
ざるを得ない。
Ｉ構造を持つＮチャネル型のＴＦＴの場合には、正孔の
インパクトイオン化率が大きいため、基板浮遊効果によ
る寄生バイポーラ現象が顕著となり、図９に示すよう
に、チャネル領域１ａ’に蓄積される余剰キャリアを引
き抜くための導電層５００を追加形成する必要がある。
このため、図９から明らかなように、当該ボディイコン
タクトをとるための導電層５００の存在により、図９中
ハッチングで示した各画素の開口領域５０１は狭くなら
ざるを得ない。
【０１３１】このように、本実施形態によれば、ボディ
イコンタクトが必要ない分だけ各画素における開口率を
高めることが可能となり、同時に各画素に係る積層構造
や製造プロセスの複雑化を招かないで済む。従って、比
較的高性能のＴＦＴ３０によりアクティブマトリクス駆
動可能であり、明るく高品位の画像表示を行える。
イコンタクトが必要ない分だけ各画素における開口率を
高めることが可能となり、同時に各画素に係る積層構造
や製造プロセスの複雑化を招かないで済む。従って、比
較的高性能のＴＦＴ３０によりアクティブマトリクス駆
動可能であり、明るく高品位の画像表示を行える。
【０１３２】尚、図４から図６に示したように、本実施
形態の電気光学装置は、周辺回路内蔵型であるが、周辺
回路は、ＳＯＩ構造のＮチャネル型のトランジスタを含
んで構成されてもよい。そして、係るＮチャネル型のト
ランジスタには、図９に示したような余剰キャリアを吸
い出す導電層を設けると共に、画像表示領域に設けられ
たＰチャネル型のトランジスタには、このような余剰キ
ャリアを吸い出す導電層を設けないように構成すること
が望ましい。このように構成すれば、比較的回路を作り
込む面積に余裕がある周辺領域には、より高性能の余剰
キャリアを吸い出す導電層付のＮチャネル型のＴＦＴを
含んでなる周辺回路を用いて、より高度な駆動や制御が
可能となるので有利である。更に、このような周辺回路
を構成するＴＦＴと各画素におけるＴＦＴ３０とを少な
くとも部分的に同一工程による同一層から構成すること
により、装置全体として必要となる半導体層数、絶縁膜
数及び導電層数を抑えることもできる。
形態の電気光学装置は、周辺回路内蔵型であるが、周辺
回路は、ＳＯＩ構造のＮチャネル型のトランジスタを含
んで構成されてもよい。そして、係るＮチャネル型のト
ランジスタには、図９に示したような余剰キャリアを吸
い出す導電層を設けると共に、画像表示領域に設けられ
たＰチャネル型のトランジスタには、このような余剰キ
ャリアを吸い出す導電層を設けないように構成すること
が望ましい。このように構成すれば、比較的回路を作り
込む面積に余裕がある周辺領域には、より高性能の余剰
キャリアを吸い出す導電層付のＮチャネル型のＴＦＴを
含んでなる周辺回路を用いて、より高度な駆動や制御が
可能となるので有利である。更に、このような周辺回路
を構成するＴＦＴと各画素におけるＴＦＴ３０とを少な
くとも部分的に同一工程による同一層から構成すること
により、装置全体として必要となる半導体層数、絶縁膜
数及び導電層数を抑えることもできる。
【０１３３】以上説明した実施形態では、多数の導電層
を積層することにより、データ線６ａや走査線３ａに沿
った領域に段差が生じるが、基板１０、第１下地絶縁膜
１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２に溝を
掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込
むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第３層間絶
縁膜４３や第２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処
理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧを用いて
平らに形成することにより、当該平坦化処理を行っても
よい。
を積層することにより、データ線６ａや走査線３ａに沿
った領域に段差が生じるが、基板１０、第１下地絶縁膜
１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２に溝を
掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込
むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第３層間絶
縁膜４３や第２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処
理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧを用いて
平らに形成することにより、当該平坦化処理を行っても
よい。
【０１３４】更に以上説明した実施形態では、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図８に示したよう
にＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃
度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフ
セット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなる
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、
自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成する
セルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施
形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極
を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間
に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これ
らの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
ようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦ
Ｔを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域と
の接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減
することができる。そして、周辺回路を構成するＴＦＴ
についても同様に各種のＴＦＴとして構築可能である。
ッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図８に示したよう
にＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃
度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフ
セット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなる
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、
自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成する
セルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施
形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極
を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間
に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これ
らの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
ようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦ
Ｔを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域と
の接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減
することができる。そして、周辺回路を構成するＴＦＴ
についても同様に各種のＴＦＴとして構築可能である。
【０１３５】以上図１から図９を参照して説明した各実
施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、基板１０の周辺部に設けら
れた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接
続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光
が入射する側及び基板１０の出射光が出射する側には各
々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（V
ertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Disper
sed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマ
リーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に
応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが
所定の方向で配置される。
施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、基板１０の周辺部に設けら
れた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接
続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光
が入射する側及び基板１０の出射光が出射する側には各
々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（V
ertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Disper
sed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマ
リーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に
応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが
所定の方向で配置される。
【０１３６】以上説明した各実施形態における電気光学
装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光
学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、
各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイッ
クミラーを介して分解された各色の光が投射光として各
々入射されることになる。従って、各実施形態では、対
向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。し
かしながら、対向基板に遮光膜の形成されていない画素
電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタ
をその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよ
い。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反
射型のカラー電気光学装置について、各実施形態におけ
る電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に
１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成しても
よい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対
向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィ
ルタ層を形成することも可能である。このようにすれ
ば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光
学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何
層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の
干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフ
ィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ
付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置
が実現できる。
装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光
学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、
各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイッ
クミラーを介して分解された各色の光が投射光として各
々入射されることになる。従って、各実施形態では、対
向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。し
かしながら、対向基板に遮光膜の形成されていない画素
電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタ
をその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよ
い。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反
射型のカラー電気光学装置について、各実施形態におけ
る電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に
１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成しても
よい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対
向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィ
ルタ層を形成することも可能である。このようにすれ
ば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光
学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何
層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の
干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフ
ィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ
付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置
が実現できる。
【０１３７】（電子機器の実施形態）次に、以上詳細に
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て図１０及び図１１を参照して説明する。
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て図１０及び図１１を参照して説明する。
【０１３８】先ず、本実施形態の投射型カラー表示装置
の回路構成について図１０のブロック図を参照して説明
する。尚、図１０は、投射型カラー表示装置における３
枚のライトバルブのうちの１枚に係る回路構成を示した
ものである。これら３枚のライトバルブは、基本的にど
れも同じ構成を持つので、ここでは１枚の回路構成に係
る部分について説明を加えるものである。但し厳密に
は、３枚のライトバルブでは、入力信号が夫々異なり
（即ち、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用の信号で夫々駆動され）、更
にＧ用のライトバルブに係る回路構成では、Ｒ用及びＢ
用の場合と比べて、画像を反転して表示するように画像
信号の順番を各フィールド又はフレーム内で逆転させる
か又は水平或いは垂直走査方向を逆転させる点も異な
る。
の回路構成について図１０のブロック図を参照して説明
する。尚、図１０は、投射型カラー表示装置における３
枚のライトバルブのうちの１枚に係る回路構成を示した
ものである。これら３枚のライトバルブは、基本的にど
れも同じ構成を持つので、ここでは１枚の回路構成に係
る部分について説明を加えるものである。但し厳密に
は、３枚のライトバルブでは、入力信号が夫々異なり
（即ち、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用の信号で夫々駆動され）、更
にＧ用のライトバルブに係る回路構成では、Ｒ用及びＢ
用の場合と比べて、画像を反転して表示するように画像
信号の順番を各フィールド又はフレーム内で逆転させる
か又は水平或いは垂直走査方向を逆転させる点も異な
る。
【０１３９】図１０において、投射型カラー表示装置
は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００
２、駆動回路１００４、液晶装置１００、クロック発生
回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成され
ている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Onl
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディ
スク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同
調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロ
ック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号など
の表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表
示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、相展
開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クラン
プ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されてお
り、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデ
ジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動
回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶装
置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回
路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成す
るＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載し
てもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭
載してもよい。
は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００
２、駆動回路１００４、液晶装置１００、クロック発生
回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成され
ている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Onl
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディ
スク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同
調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロ
ック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号など
の表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表
示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、相展
開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クラン
プ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されてお
り、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデ
ジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動
回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶装
置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回
路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成す
るＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載し
てもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭
載してもよい。
【０１４０】次に図１１を参照して、本実施形態の投射
型カラー表示装置の全体構成、特に光学的な構成につい
て説明する。ここに図１１は、投射型カラー表示装置の
図式的断面図である。
型カラー表示装置の全体構成、特に光学的な構成につい
て説明する。ここに図１１は、投射型カラー表示装置の
図式的断面図である。
【０１４１】図１１において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に
搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個
用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００
Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成さ
れている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハラ
イドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から
投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚
のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３
原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対
応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに
夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損
失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１
１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系
１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１０
０Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原
色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１
２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介し
てスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に
搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個
用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００
Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成さ
れている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハラ
イドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から
投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚
のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３
原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対
応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに
夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損
失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１
１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系
１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１０
０Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原
色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１
２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介し
てスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１４２】（基板装置の製造方法）次に、上述した実
施形態の電気光学装置に好適に用いられる基板装置の製
造方法に係る実施形態について図１２から図１５を参照
して説明する。ここに、図１２は、基板装置のコンタク
トホール付近の様子を示す断面図であり、図１３は、基
板装置の製造方法を図１２に対応する断面で示す工程図
である。また、図１４及び図１５は夫々、コンタクトホ
ールの形状の他の具体例を示す断面図である。
施形態の電気光学装置に好適に用いられる基板装置の製
造方法に係る実施形態について図１２から図１５を参照
して説明する。ここに、図１２は、基板装置のコンタク
トホール付近の様子を示す断面図であり、図１３は、基
板装置の製造方法を図１２に対応する断面で示す工程図
である。また、図１４及び図１５は夫々、コンタクトホ
ールの形状の他の具体例を示す断面図である。
【０１４３】図１２に示すように本実施形態は、基板装
置の基板６００上で、所定平面パターンを有する第１導
電層６０１上に層間絶縁膜６１０を介して所定平面パタ
ーンを有する第２導電層６０２を形成し、層間絶縁膜６
１０に開けられたコンタクトホール６１１を介して両導
電膜を電気的に接続する工程に関するものである。
置の基板６００上で、所定平面パターンを有する第１導
電層６０１上に層間絶縁膜６１０を介して所定平面パタ
ーンを有する第２導電層６０２を形成し、層間絶縁膜６
１０に開けられたコンタクトホール６１１を介して両導
電膜を電気的に接続する工程に関するものである。
【０１４４】図１２において、本発明における「穴」の
一例たるコンタクトホール６１１は、層間絶縁膜６１０
を貫通して開孔されている。また、コンタクトホール６
１１の形状は、その平面形状が正方形や長方形或いは多
角形である角柱状、円柱状等の柱状である。
一例たるコンタクトホール６１１は、層間絶縁膜６１０
を貫通して開孔されている。また、コンタクトホール６
１１の形状は、その平面形状が正方形や長方形或いは多
角形である角柱状、円柱状等の柱状である。
【０１４５】図中、矢印で示すイオン経路６２０は、第
２導電層６０２をイオンインプラ工程によって低抵抗化
する際に打ち込まれるイオンの経路を示している。本実
施形態では特に、イオン経路６２０は、コンタクトホー
ル６１１の中心線に対して、所定角度Ｘだけ傾けられて
いる。
２導電層６０２をイオンインプラ工程によって低抵抗化
する際に打ち込まれるイオンの経路を示している。本実
施形態では特に、イオン経路６２０は、コンタクトホー
ル６１１の中心線に対して、所定角度Ｘだけ傾けられて
いる。
【０１４６】本実施形態では特に、所定角度Ｘは、コン
タクトホール６１１の径をａとし、コンタクトホール６
１１の深さをｅとし、第２導電層６０２の膜厚をｃとす
るとき、０＜Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２ｅ｝を
満たすように設定されている。ここで、所定角度Ｘが、
０＜Ｘに設定されるので、コンタクトホール６１１の側
面に形成される第２導電層部分６０２ｓにイオンを打ち
込める。しかも、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２
ｅ｝を満たすように設定されるので、コンタクトホール
６１１の底面に形成された第２導電層部分６０２ｂの中
央にもイオンを打ち込むことができる。
タクトホール６１１の径をａとし、コンタクトホール６
１１の深さをｅとし、第２導電層６０２の膜厚をｃとす
るとき、０＜Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２ｅ｝を
満たすように設定されている。ここで、所定角度Ｘが、
０＜Ｘに設定されるので、コンタクトホール６１１の側
面に形成される第２導電層部分６０２ｓにイオンを打ち
込める。しかも、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２
ｅ｝を満たすように設定されるので、コンタクトホール
６１１の底面に形成された第２導電層部分６０２ｂの中
央にもイオンを打ち込むことができる。
【０１４７】即ち図１２に示された状態では、コンタク
トホール６１１の右側の側面に形成された第２導電層部
分６０２ｓにイオンを打ち込み可能であると同時にコン
タクトホール６１１の底面の右半分に形成された第２導
電層部分６０２ｂにもイオンを打ち込み可能である。そ
して、この状態を基準としてイオン経路６２０の傾きを
左右反転させれば、コンタクトホール６１１の左側の側
面に形成された第２導電層部分６０２ｓにイオンを打ち
込み可能となると同時にコンタクトホール６１１の底面
の左半分に形成された第２導電層部分６０２ｂにイオン
を打ち込み可能となる。更に、図１２中で紙面に垂直な
方位も含めてイオン経路６２０を四方に傾斜させれば、
コンタクトホール６１１の全側面に形成された第２導電
層部分６０２ｓにイオンを打ち込み可能となり、同時
に、コンタクトホール６１１の全底面に形成された第２
導電層部分６０２ｂにイオンを打ち込み可能となる。こ
のようにイオンインプラ工程におけるイオン経路６２０
が傾く方位を、例えばコンタクトホール６１１の中央を
囲んで三方、四方、八方、全方位など適宜変えること
で、コンタクトホール６１１内でイオンが打ち込まれる
領域を、底面及び側面の全域とすることが可能となる。
トホール６１１の右側の側面に形成された第２導電層部
分６０２ｓにイオンを打ち込み可能であると同時にコン
タクトホール６１１の底面の右半分に形成された第２導
電層部分６０２ｂにもイオンを打ち込み可能である。そ
して、この状態を基準としてイオン経路６２０の傾きを
左右反転させれば、コンタクトホール６１１の左側の側
面に形成された第２導電層部分６０２ｓにイオンを打ち
込み可能となると同時にコンタクトホール６１１の底面
の左半分に形成された第２導電層部分６０２ｂにイオン
を打ち込み可能となる。更に、図１２中で紙面に垂直な
方位も含めてイオン経路６２０を四方に傾斜させれば、
コンタクトホール６１１の全側面に形成された第２導電
層部分６０２ｓにイオンを打ち込み可能となり、同時
に、コンタクトホール６１１の全底面に形成された第２
導電層部分６０２ｂにイオンを打ち込み可能となる。こ
のようにイオンインプラ工程におけるイオン経路６２０
が傾く方位を、例えばコンタクトホール６１１の中央を
囲んで三方、四方、八方、全方位など適宜変えること
で、コンタクトホール６１１内でイオンが打ち込まれる
領域を、底面及び側面の全域とすることが可能となる。
【０１４８】次に、図１３の工程図に沿って、図１２に
示した如き構造を含む基板装置の製造方法について説明
する。
示した如き構造を含む基板装置の製造方法について説明
する。
【０１４９】図１３（ａ）に示すように、先ず基板６０
０上に、ドープトシリコン等からなる第１導電層６０１
を形成する。ここでは、例えばＣＶＤ法、スパッタリン
グ法、貼り合わせ法等によって、基板６００の全面に導
電膜を形成後に、フォトリソグラフィ及びエッチング等
によってこれをパターニングして、所定パターンの第１
導電層６０１を形成する。或いは、単結晶シリコン膜、
ポリシリコン膜等の半導体層の一部をイオンインプラ等
により低抵抗化することによって、第１導電層６０１を
形成してもよい。
０上に、ドープトシリコン等からなる第１導電層６０１
を形成する。ここでは、例えばＣＶＤ法、スパッタリン
グ法、貼り合わせ法等によって、基板６００の全面に導
電膜を形成後に、フォトリソグラフィ及びエッチング等
によってこれをパターニングして、所定パターンの第１
導電層６０１を形成する。或いは、単結晶シリコン膜、
ポリシリコン膜等の半導体層の一部をイオンインプラ等
により低抵抗化することによって、第１導電層６０１を
形成してもよい。
【０１５０】次に図１３（ｂ）に示すように、第１導電
層６０１が形成された基板６００の全面に層間絶縁膜６
１０を形成する。ここでは例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ
法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳ
Ｇ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン
膜や酸化シリコン膜等からなる層間絶縁膜６１０を形成
する。
層６０１が形成された基板６００の全面に層間絶縁膜６
１０を形成する。ここでは例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ
法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳ
Ｇ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン
膜や酸化シリコン膜等からなる層間絶縁膜６１０を形成
する。
【０１５１】次に図１３（ｃ）に示すように、コンタク
トホール６１１を層間絶縁膜６１０に開孔する。ここで
は例えば、指向性の高いドライエッチングを用いること
で、基板面に垂直な側面を有する柱状のコンタクトホー
ル６１１を開孔する。この際、基板６００上における他
の領域においても、同時に他のコンタクトホールも開孔
可能である。
トホール６１１を層間絶縁膜６１０に開孔する。ここで
は例えば、指向性の高いドライエッチングを用いること
で、基板面に垂直な側面を有する柱状のコンタクトホー
ル６１１を開孔する。この際、基板６００上における他
の領域においても、同時に他のコンタクトホールも開孔
可能である。
【０１５２】次に図１３（ｄ）に示すように、コンタク
トホール６１１が開孔された層間絶縁膜６１０上に、Ｃ
ＶＤ法、スパッタリング法等により、例えばポリシリコ
ン膜等の第２導電層６０２となる材料膜を形成する。続
いて、この材料膜のパターニングと層前後して、イオン
経路６２０ａでその打ち込み経路を示すようにイオンイ
ンプラ工程によってこの材料膜にイオンを打ち込んで低
抵抗化する。例えば、図１２に示したコンタクトホール
６１１の径ａが１０００ｎｍ（ナノメータ）であり、コ
ンタクトホール６１１の深さｅが４００ｎｍであり、第
２導電層６０２の膜厚ｃが１５０ｎｍであるとき、ジボ
ランガスを用いてＢ（ボロン）を２５Ｋｅｖ程度の加速
度にて且つ１０１５／ｃｍ２程度の比較的高濃度のドー
ズ量にて打ち込めば、第２導電層６０２においてムラ無
く良好な導電性が得られる。
トホール６１１が開孔された層間絶縁膜６１０上に、Ｃ
ＶＤ法、スパッタリング法等により、例えばポリシリコ
ン膜等の第２導電層６０２となる材料膜を形成する。続
いて、この材料膜のパターニングと層前後して、イオン
経路６２０ａでその打ち込み経路を示すようにイオンイ
ンプラ工程によってこの材料膜にイオンを打ち込んで低
抵抗化する。例えば、図１２に示したコンタクトホール
６１１の径ａが１０００ｎｍ（ナノメータ）であり、コ
ンタクトホール６１１の深さｅが４００ｎｍであり、第
２導電層６０２の膜厚ｃが１５０ｎｍであるとき、ジボ
ランガスを用いてＢ（ボロン）を２５Ｋｅｖ程度の加速
度にて且つ１０１５／ｃｍ２程度の比較的高濃度のドー
ズ量にて打ち込めば、第２導電層６０２においてムラ無
く良好な導電性が得られる。
【０１５３】尚、第２導電層６０２の材料膜としては、
ノンドープトシリコン膜を用いてもよいし、成膜と同時
にイオンを導入したドープトシリコン膜を用いてもよ
い。後者の場合には、イオンインプラ工程によって一層
の低抵抗化或いは所望の抵抗値を有するように第２導電
層６０２を形成できる。また、打ち込むイオンとして
は、材料膜の種類及び第１導電層６０１がＰ＋型からな
るのかＮ＋型からなるのか等に応じて適宜選択されるも
のであり、Ｂに限らず、Ｐ（リン）等であってもよい。
ノンドープトシリコン膜を用いてもよいし、成膜と同時
にイオンを導入したドープトシリコン膜を用いてもよ
い。後者の場合には、イオンインプラ工程によって一層
の低抵抗化或いは所望の抵抗値を有するように第２導電
層６０２を形成できる。また、打ち込むイオンとして
は、材料膜の種類及び第１導電層６０１がＰ＋型からな
るのかＮ＋型からなるのか等に応じて適宜選択されるも
のであり、Ｂに限らず、Ｐ（リン）等であってもよい。
【０１５４】前述のように本実施形態では特に、このイ
オンインプラ工程では、イオンの打ち込みを所定角度Ｘ
だけ傾けて行う。この結果、図１３（ｄ）中で、コンタ
クトホール６１１の右側側面に形成された第２導電層部
分６０２ｓ及び底面の右側半分に形成された第２導電層
部分６０２ｂにイオンを打ち込める。但し、この際、コ
ンタクトホール６１１の口側の縁に形成された第２導電
層部分６０２ａがイオン経路６２０ａを部分的に妨げる
ため、図１３（ｄ）中で、コンタクトホール６１１の左
側側面に形成された第２導電層部分６０２ｓ及び底面の
左側半分に形成された第２導電層部分６０２ｂにイオン
を打ち込めない。
オンインプラ工程では、イオンの打ち込みを所定角度Ｘ
だけ傾けて行う。この結果、図１３（ｄ）中で、コンタ
クトホール６１１の右側側面に形成された第２導電層部
分６０２ｓ及び底面の右側半分に形成された第２導電層
部分６０２ｂにイオンを打ち込める。但し、この際、コ
ンタクトホール６１１の口側の縁に形成された第２導電
層部分６０２ａがイオン経路６２０ａを部分的に妨げる
ため、図１３（ｄ）中で、コンタクトホール６１１の左
側側面に形成された第２導電層部分６０２ｓ及び底面の
左側半分に形成された第２導電層部分６０２ｂにイオン
を打ち込めない。
【０１５５】そこで図１３（ｅ）に示すように、イオン
の打ち込みを傾ける方位を変更して、イオンインプラ工
程を続行する。これによって、コンタクトホール６１１
の左側側面に形成された第２導電層部分６０２ｓ及び底
面の左側半分に形成された第２導電層部分６０２ｂにイ
オンを打ち込める。同様に、イオンの打ち込みを傾ける
方位を適宜変更して、イオンインプラ工程を続行するこ
とによって、コンタクトホール６１１の全側面に形成さ
れた第２導電層部分６０２ｓ及び全底面に形成された第
２導電層部分６０２ｂを形成できる。
の打ち込みを傾ける方位を変更して、イオンインプラ工
程を続行する。これによって、コンタクトホール６１１
の左側側面に形成された第２導電層部分６０２ｓ及び底
面の左側半分に形成された第２導電層部分６０２ｂにイ
オンを打ち込める。同様に、イオンの打ち込みを傾ける
方位を適宜変更して、イオンインプラ工程を続行するこ
とによって、コンタクトホール６１１の全側面に形成さ
れた第２導電層部分６０２ｓ及び全底面に形成された第
２導電層部分６０２ｂを形成できる。
【０１５６】以上のように本実施形態の製造方法によれ
ば、コンタクトホール６１１内の材料膜を比較的容易に
低抵抗化して、第２導電層６０２を形成できる。この結
果、第１導電層６０１と第２導電層６０２とをコンタク
トホール６１１を介して良好に電気的に接続でき、基板
６００上に、これらの第１導電層６０１及び第２導電層
６０２を含んでなる電子素子或いは電子回路を構築でき
る。
ば、コンタクトホール６１１内の材料膜を比較的容易に
低抵抗化して、第２導電層６０２を形成できる。この結
果、第１導電層６０１と第２導電層６０２とをコンタク
トホール６１１を介して良好に電気的に接続でき、基板
６００上に、これらの第１導電層６０１及び第２導電層
６０２を含んでなる電子素子或いは電子回路を構築でき
る。
【０１５７】本製造方法では、図１３（ｃ）の工程で、
ドライエッチングを用いて、柱状のコンタクトホール６
１１を開孔しているが、図１４に示すように、ウエット
エッチングを用いることで、基板上に、逆さま円錐台状
或いは角錐台状のコンタクトホール６１１’を開孔して
もよい。或いは、図１５に示すように、ウエットエッチ
ングとドライエッチングとをこの順で組み合わせて用い
ることで、基板上に、逆さ円錐台状或いは角錐台状の第
１コンタクトホール部分６１１ａと柱状の第２コンタク
トホール部分６１１ｂとからなるコンタクトホール６１
１”を開孔してもよい。
ドライエッチングを用いて、柱状のコンタクトホール６
１１を開孔しているが、図１４に示すように、ウエット
エッチングを用いることで、基板上に、逆さま円錐台状
或いは角錐台状のコンタクトホール６１１’を開孔して
もよい。或いは、図１５に示すように、ウエットエッチ
ングとドライエッチングとをこの順で組み合わせて用い
ることで、基板上に、逆さ円錐台状或いは角錐台状の第
１コンタクトホール部分６１１ａと柱状の第２コンタク
トホール部分６１１ｂとからなるコンタクトホール６１
１”を開孔してもよい。
【０１５８】図１４の場合には特に、図１３（ｄ）及び
（ｅ）に示した如きイオンインプラ工程でイオン経路６
２０’を傾斜させる所定角度Ｘは、コンタクトホール６
１１’の底面における径をａとし、コンタクトホール６
１１’の口側の縁における径をｄとし、コンタクトホー
ル６１１’の深さをｅとし、第２導電層６０２’の膜厚
をｃとするとき、０≦Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２
ｅ｝を満たすように設定される。このように所定角度Ｘ
は、０≦Ｘに設定されるので、コンタクトホール６１
１’の側面に形成される材料膜部分にイオンを打ち込め
る。特に、コンタクトホール６１１’の側面に傾斜があ
るので、その度合いに応じて、Ｘ＝０であっても、コン
タクトホール６１１’の側面に形成される材料膜部分に
イオンを打ち込める。しかも、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−
ａ）／２ｅ｝を満たすので、コンタクトホール６１１’
の底面の中央にもイオンを打ち込むことができる。従っ
て、図１３（ｄ）及び（ｅ）を参照して説明した場合と
同様にイオン打ち込みの傾きの方位を複数方位とするこ
とで、コンタクトホール６１１’の底面及び側面の殆ど
或いは全域にイオンを打ち込める。
（ｅ）に示した如きイオンインプラ工程でイオン経路６
２０’を傾斜させる所定角度Ｘは、コンタクトホール６
１１’の底面における径をａとし、コンタクトホール６
１１’の口側の縁における径をｄとし、コンタクトホー
ル６１１’の深さをｅとし、第２導電層６０２’の膜厚
をｃとするとき、０≦Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２
ｅ｝を満たすように設定される。このように所定角度Ｘ
は、０≦Ｘに設定されるので、コンタクトホール６１
１’の側面に形成される材料膜部分にイオンを打ち込め
る。特に、コンタクトホール６１１’の側面に傾斜があ
るので、その度合いに応じて、Ｘ＝０であっても、コン
タクトホール６１１’の側面に形成される材料膜部分に
イオンを打ち込める。しかも、Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−
ａ）／２ｅ｝を満たすので、コンタクトホール６１１’
の底面の中央にもイオンを打ち込むことができる。従っ
て、図１３（ｄ）及び（ｅ）を参照して説明した場合と
同様にイオン打ち込みの傾きの方位を複数方位とするこ
とで、コンタクトホール６１１’の底面及び側面の殆ど
或いは全域にイオンを打ち込める。
【０１５９】この具体例の場合に、例えば、コンタクト
ホール６１１’の底面における径ａが１０００ｎｍであ
り、コンタクトホール６１１’の口側の縁における径ｄ
が３０００ｎｍであり、コンタクトホール６１１’の深
さｅが４００ｎｍであり、第２導電層６０２’の膜厚ｃ
が１５０ｎｍであるとき、ジボランガスを用いてＢを２
５Ｋｅｖ程度の加速度にて且つ１０１５／ｃｍ２程度の
比較的高濃度のドーズ量にて打ち込めば、第２導電層６
０２’においてムラ無く良好な導電性が得られる。
ホール６１１’の底面における径ａが１０００ｎｍであ
り、コンタクトホール６１１’の口側の縁における径ｄ
が３０００ｎｍであり、コンタクトホール６１１’の深
さｅが４００ｎｍであり、第２導電層６０２’の膜厚ｃ
が１５０ｎｍであるとき、ジボランガスを用いてＢを２
５Ｋｅｖ程度の加速度にて且つ１０１５／ｃｍ２程度の
比較的高濃度のドーズ量にて打ち込めば、第２導電層６
０２’においてムラ無く良好な導電性が得られる。
【０１６０】図１５の場合には特に、図１３（ｄ）及び
（ｅ）に示した如きイオンインプラ工程でイオン経路６
２０”を傾斜させる所定角度Ｘは、第２コンタクトホー
ル部分６１１ｂの径をａとし、第１コンタクトホール部
分６１１ａの口側の縁における径をｄとし、第１コンタ
クトホール部分６１１ａの深さをｅとし、第２コンタク
トホール部分６１１ｂの深さをｂとし、第２導電層６０
２”の膜厚をｃとするとき、０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２
（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ）を満たすように設定される（但
し、Ｙ＝ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝）。このよう
に所定角度Ｘは、０＜Ｘに設定されるので、第１コンタ
クトホール部分６１１ａ及び第２コンタクトホール部分
６１１ｂの側面に形成される材料膜部分にイオンを打ち
込める。しかも、Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓｉｎＹ＋
ｂ−ｃ）を満たすので、第２コンタクトホール部分６１
１ｂの底面の中央にもイオンを打ち込むことができる。
従って、図１３（ｄ）及び（ｅ）を参照して説明した場
合と同様にイオン打ち込みの傾きの方位を複数方位とす
ることで、コンタクトホール６１１”の底面及び側面の
殆ど或いは全域にイオンを打ち込める。
（ｅ）に示した如きイオンインプラ工程でイオン経路６
２０”を傾斜させる所定角度Ｘは、第２コンタクトホー
ル部分６１１ｂの径をａとし、第１コンタクトホール部
分６１１ａの口側の縁における径をｄとし、第１コンタ
クトホール部分６１１ａの深さをｅとし、第２コンタク
トホール部分６１１ｂの深さをｂとし、第２導電層６０
２”の膜厚をｃとするとき、０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２
（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ）を満たすように設定される（但
し、Ｙ＝ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝）。このよう
に所定角度Ｘは、０＜Ｘに設定されるので、第１コンタ
クトホール部分６１１ａ及び第２コンタクトホール部分
６１１ｂの側面に形成される材料膜部分にイオンを打ち
込める。しかも、Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓｉｎＹ＋
ｂ−ｃ）を満たすので、第２コンタクトホール部分６１
１ｂの底面の中央にもイオンを打ち込むことができる。
従って、図１３（ｄ）及び（ｅ）を参照して説明した場
合と同様にイオン打ち込みの傾きの方位を複数方位とす
ることで、コンタクトホール６１１”の底面及び側面の
殆ど或いは全域にイオンを打ち込める。
【０１６１】この具体例の場合に、例えば第２コンタク
トホール部分６１１ｂの径ａが１０００ｎｍであり、第
１コンタクトホール部分６１１ａの口側の縁における径
ｄが３０００ｎｍであり、第１コンタクトホール部分６
１１ａの深さｅが４００ｎｍであり、第２コンタクトホ
ール部分６１１ｂの深さｂが４００ｎｍであり、第２導
電層６０２”の膜厚ｃが１５０ｎｍであるとき、ジボラ
ンガスを用いてＢを２５Ｋｅｖ程度の加速度にて且つ１
０１５／ｃｍ２程度の比較的高濃度のドーズ量にて打ち
込めば、第２導電層６０２”においてムラ無く良好な導
電性が得られる。
トホール部分６１１ｂの径ａが１０００ｎｍであり、第
１コンタクトホール部分６１１ａの口側の縁における径
ｄが３０００ｎｍであり、第１コンタクトホール部分６
１１ａの深さｅが４００ｎｍであり、第２コンタクトホ
ール部分６１１ｂの深さｂが４００ｎｍであり、第２導
電層６０２”の膜厚ｃが１５０ｎｍであるとき、ジボラ
ンガスを用いてＢを２５Ｋｅｖ程度の加速度にて且つ１
０１５／ｃｍ２程度の比較的高濃度のドーズ量にて打ち
込めば、第２導電層６０２”においてムラ無く良好な導
電性が得られる。
【０１６２】以上図１２から図１５を参照して説明した
基板装置の製造方法は、図１及び図８に示した如き、ド
レイン電極３０２を半導体層１ａの高濃度ドレイン領域
１ｅに接続する工程、或いはソース電極３０３を半導体
層１ａの高濃度ソース領域１ｄに接続する工程を含む電
気光学装置の製造方法にも適用できる。この場合には、
図１から図９を参照して説明したドレイン電極３０２や
ソース電極３０３を第２導電層６０２に対応させて、図
１から図９を参照して説明した半導体層１ａを第１導電
層６０１に対応させて製造すればよい。
基板装置の製造方法は、図１及び図８に示した如き、ド
レイン電極３０２を半導体層１ａの高濃度ドレイン領域
１ｅに接続する工程、或いはソース電極３０３を半導体
層１ａの高濃度ソース領域１ｄに接続する工程を含む電
気光学装置の製造方法にも適用できる。この場合には、
図１から図９を参照して説明したドレイン電極３０２や
ソース電極３０３を第２導電層６０２に対応させて、図
１から図９を参照して説明した半導体層１ａを第１導電
層６０１に対応させて製造すればよい。
【０１６３】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学基板装置及び
その製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装
置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるもの
である。
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学基板装置及び
その製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装
置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるもの
である。
【図１】 本発明の実施形態である電気光学基板装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】 比較例としてのＳＯＩ構造を持つＮチャネル
ＭＯＳトランジスタにおけるゲート電圧（｜Ｖｇ｜）に
対するドレイン電流（｜Ｉｄ｜）の特性を各種のドレイ
ン電圧（｜Ｖｄ｜）について示す特性図である。
ＭＯＳトランジスタにおけるゲート電圧（｜Ｖｇ｜）に
対するドレイン電流（｜Ｉｄ｜）の特性を各種のドレイ
ン電圧（｜Ｖｄ｜）について示す特性図である。
【図３】 本実施形態におけるＳＯＩ構造を持つＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタにおけるゲート電圧（｜Ｖｇ
｜）に対するドレイン電流（｜Ｉｄ｜）の特性を各種の
ドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）について示す特性図である。
ネルＭＯＳトランジスタにおけるゲート電圧（｜Ｖｇ
｜）に対するドレイン電流（｜Ｉｄ｜）の特性を各種の
ドレイン電圧（｜Ｖｄ｜）について示す特性図である。
【図４】 本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴ
ＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に
対向基板の側から見た平面図である。
ＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に
対向基板の側から見た平面図である。
【図５】 図４のＨ−Ｈ’断面図である。
【図６】 本発明の実施形態の電気光学装置における画
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路である。
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路である。
【図７】 実施形態の電気光学装置におけるデータ線、
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である。
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である。
【図８】 図７のＡ−Ａ’断面図である。
【図９】 比較例における画素スイッチング用のＴＦＴ
における余剰キャリアを引き抜くための導電層の平面図
である。
における余剰キャリアを引き抜くための導電層の平面図
である。
【図１０】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置におけるライトバルブに係る回路構成を
示したブロック図である。
カラー表示装置におけるライトバルブに係る回路構成を
示したブロック図である。
【図１１】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。
【図１２】 基板装置のコンタクトホール付近の様子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１３】 基板装置の製造方法を図１２に対応する断
面で示す工程図である。
面で示す工程図である。
【図１４】 コンタクトホールの形状の他の具体例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１５】 コンタクトホールの形状の更に他の具体例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…基板 １１ａ…下側遮光膜 １２…第１下地絶縁膜 １３…第２下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ７０-１〜７０-２…蓄積容量 ８１、８２、８３、８５…コンタクトホール ２０…電気光学基板装置 ３００…容量線 ３０１…絶縁膜 ３０２…ドレイン電極 ３０３…ソース電極 ６０１…第１導電層 ６０２…第２導電層 ６１０…層間絶縁膜 ６１１…コンタクトホール ６２０…イオン経路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ａ ６１３Ａ ６１２Ｂ Ｆターム(参考） 2H092 JA25 JA33 JA35 JA46 JB13 JB27 JB36 JB38 JB58 JB63 JB69 KA03 MA05 MA07 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 NA19 NA22 NA29 PA01 PA06 4M104 AA01 AA09 BB01 BB02 BB13 BB14 BB16 BB17 BB18 BB24 BB25 BB26 BB27 BB28 BB36 CC01 DD08 DD09 DD11 DD16 DD17 DD19 DD37 DD43 DD55 DD64 DD65 FF08 FF14 GG09 GG10 GG14 GG20 HH12 HH16 HH20 5F110 AA14 AA15 AA26 BB02 BB04 CC02 DD02 DD03 DD05 DD12 DD13 DD14 DD24 DD25 EE28 GG02 GG12 GG25 GG28 GG29 GG60 HL08 HL14 HL21 HL22 HL23 HL24 HL27 HM14 HM15 NN03 NN04 NN22 NN23 NN24 NN27 NN35 NN40 NN42 NN44 NN45 NN46 NN73 QQ11 QQ17 QQ19
Claims (30)
- 【請求項１】 基板上に、 絶縁体層と、 該絶縁体層上に形成されておりＰ型のソース領域及びＰ
型のドレイン領域並びにチャネル領域を含むＮ型の単結
晶半導体層と、 前記チャネル領域における前記単結晶半導体層上にゲー
ト絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 該ゲート電極に接続された走査線と、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方に接続され
たデータ線と、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方に接続され
た画素電極と を備えており、 前記単結晶半導体層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート
電極から、前記画素電極をスイッチング制御するＰチャ
ネル型のトランジスタが構築されていることを特徴とす
る電気光学基板装置。 - 【請求項２】 前記トランジスタは、ＰチャネルＭＯＳ
（Metal Oxide Silicon）型トランジスタからなること
を特徴とする請求項1に記載の電気光学基板装置。 - 【請求項３】 前記ゲート電極上に形成された層間絶縁
膜と、 該層間絶縁膜上に形成され且つ前記ソース領域に接続さ
れたＰ型導電層からなるソース電極と、 前記層間絶縁膜上に形成され且つ前記ドレイン領域に接
続されたＰ型導電層からなるドレイン電極とを更に備え
ており、 前記データ線は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極
の一方を中継して前記ソース領域及び前記ドレイン領域
の一方に接続されており、 前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極
の他方を中継して前記ソース領域及び前記ドレイン領域
の他方に接続されていることを特徴とする請求項1又は
２に記載の電気光学基板装置。 - 【請求項４】 前記Ｐ型導電層は、導電層を堆積後に、
イオンインプラによりＰ型にドープされていることを特
徴とする請求項３に記載の電気光学基板装置。 - 【請求項５】 前記ソース電極は、前記層間絶縁膜に開
孔されたコンタクトホールを介して前記ソース領域に接
続されており、 前記ドレイン電極は、前記層間絶縁膜に開孔されたコン
タクトホールを介して前記ドレイン領域に接続されてい
ることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学基
板装置。 - 【請求項６】 前記基板上に、前記チャネル領域を下側
から覆う下側遮光膜を更に備えており、 前記絶縁体層は、前記下側遮光膜上に形成されているこ
とを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の
電気光学基板装置。 - 【請求項７】 前記絶縁体層における前記単結晶半導体
層に面する側の表面には、ＣＭＰ（Chemical Mechanica
l Polishing）処理が施されていることを特徴とする請
求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学基板装
置。 - 【請求項８】 前記基板は、石英ガラスからなることを
特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気
光学基板装置。 - 【請求項９】 前記基板は、ガラスからなることを特徴
とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学
基板装置。 - 【請求項１０】 前記画素電極は、透明電極からなるこ
とを特徴とする請求項1から９のいずれか一項に記載の
電気光学基板装置。 - 【請求項１１】 前記画素電極は、反射電極からなるこ
とを特徴とする請求項1から９のいずれか一項に記載の
電気光学基板装置。 - 【請求項１２】 前記基板上における前記画素電極が形
成された画像表示領域の周辺に周辺回路を更に備えてお
り、 該周辺回路は、Ｎチャネル型のトランジスタを含んでな
り、該Ｎチャネル型のトランジスタには、その半導体層
に蓄積されるキャリアを吸い出す導電層が設けられてお
り、 前記画像表示領域に設けられた前記Ｐチャネル型のトラ
ンジスタには、その半導体層に蓄積されるキャリアを吸
い出す導電層が設けられていないことを特徴とする請求
項1から１１のいずれか一項に記載の電気光学基板装
置。 - 【請求項１３】 前記基板上に、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方と前記画素
電極とを中継接続すると共に画素電位側容量電極を含む
中間導電層と、 該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置され
た固定電位側容量電極を含む容量線とを更に備えてお
り、 前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極か
ら前記画素電極に接続された蓄積容量が構築されてお
り、 前記容量線及び前記中間導電層のうち少なくとも一方
は、導電性の遮光膜からなり、前記基板上において前記
チャネル領域を上側から覆う部分を含むことを特徴とす
る請求項1から１２のいずれか一項に記載の電気光学基
板装置。 - 【請求項１４】 前記蓄積容量は、平面的に見て前記走
査線に重なる領域にも少なくとも部分的に設けられてい
ることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学基板装
置。 - 【請求項１５】 前記蓄積容量は、平面的に見て前記デ
ータ線に重なる領域にも少なくとも部分的に設けられて
いることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の電気
光学基板装置。 - 【請求項１６】 請求項１から１５のいずれか一項に記
載の電気光学基板装置と、 該電気光学基板装置に対向配置された対向基板と、 該対向基板と前記電気光学基板装置との間に挟持された
電気光学物質とを備えたことを特徴とする電気光学装
置。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の電気光学装置を具
備することを特徴とする電子機器。 - 【請求項１８】 請求項５に記載の電気光学基板装置を
製造する電気光学基板装置の製造方法であって、 前記単結晶半導体層上に前記層間絶縁膜を形成する第１
成膜工程と、 前記層間絶縁膜に対して前記コンタクトホールを開孔す
る開孔工程と、 前記コンタクトホールが開孔された層間絶縁膜上に、前
記Ｐ型導電層となる所定種類の材料膜を形成する第２成
膜工程と、 該形成された材料膜に対してイオンインプラによりイオ
ンを打ち込むことによって前記Ｐ型導電層を形成するイ
オンインプラ工程とを含んでおり、 前記イオンインプラ工程では、前記イオンの打ち込み
は、前記コンタクトホールの側面に形成された前記材料
膜部分に前記イオンが打ち込まれるように前記コンタク
トホールの中心線に対して所定角度Ｘだけ傾けて行わ
れ、且つ該所定角度Ｘは、前記コンタクトホールの底面
に形成された前記材料膜部分に前記イオンが打ち込まれ
る範囲内に設定されていることを特徴とする電気光学基
板装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記イオンインプラ工程では、前記イ
オンの打ち込みは、前記コンタクトホールの中心線に対
して相前後して又は同時に複数方位に前記所定角度Ｘだ
け傾けて行われ、前記所定角度Ｘは、前記複数方位の各
々について前記コンタクトホールの底面の中央に位置す
る前記材料膜部分に前記イオンが打ち込まれる範囲内に
設定されていることを特徴とする請求項１８に記載の基
板装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記開孔工程では、前記コンタクトホ
ールは柱状に開孔され、 前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記
コンタクトホールの径をａとし、前記コンタクトホール
の深さをｅとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、 ０＜Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２ｅ｝ を満たすように設定されることを特徴とする請求項１８
又は１９に記載の電気光学基板装置の製造方法。 - 【請求項２１】 前記開孔工程では、前記コンタクトホ
ールは、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって
広がる円錐台状或いは角錐台状に開けられ、 前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記
コンタクトホールの底面における径をａとし、前記コン
タクトホールの口側の縁における径をｄとし、前記コン
タクトホールの深さをｅとし、前記材料膜の膜厚をｃと
するとき、 ０≦Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝ を満たすように設定されることを特徴とする請求項１８
又は１９に記載の基板装置の製造方法。 - 【請求項２２】 前記開孔工程では、前記コンタクトホ
ールは、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって
広がる円錐台状或いは角錐台状に開けられた第１コンタ
クトホール部分と該第１部分の底から連続して柱状に開
けられた第２コンタクトホール部分とからなるように開
けられ、 前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記
第２コンタクトホール部分の径をａとし、前記第１コン
タクトホール部分の口側の縁における径をｄとし、前記
第１コンタクトホール部分の深さをｅとし、前記第２コ
ンタクトホール部分の深さをｂとし、前記材料膜の膜厚
をｃとするとき、 ０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ） 但し、Ｙ＝ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝ を満たすように設定されることを特徴とする請求項１８
又は１９に記載の基板装置の製造方法。 - 【請求項２３】 基板上に穴が開けられた層間絶縁膜と
該層間絶縁膜上に形成されると共に前記穴内に設けられ
た導電層とを備え、該導電層から電子素子或いは電子回
路の少なくとも一部が前記基板上に構成される基板装置
を製造する基板装置の製造方法であって、 前記層間絶縁膜に対して前記穴を開ける工程と、 前記穴が開けられた層間絶縁膜上に前記導電層となる所
定種類の材料膜を形成する工程と、 該形成された材料膜に対してイオンインプラによりイオ
ンを打ち込むことによって前記導電層を形成するイオン
インプラ工程とを含んでおり、 前記イオンインプラ工程では、前記イオンの打ち込み
は、前記穴の側面に形成された前記材料膜部分に前記イ
オンが打ち込まれるように前記穴の中心線に対して所定
角度Ｘだけ傾けて行われ、且つ該所定角度Ｘは、前記穴
の底面に形成された前記材料膜部分に前記イオンが打ち
込まれる範囲内に設定されていることを特徴とする基板
装置の製造方法。 - 【請求項２４】 前記基板装置は、前記基板上に、前記
穴を介して前記導電層と接続された他の導電層を更に備
えてなり、 前記他の導電層上に前記層間絶縁膜を形成する工程を更
に含むことを特徴とする請求項２３に記載の基板装置の
製造方法。 - 【請求項２５】 前記穴を開ける工程では、前記穴は、
前記層間絶縁膜を貫通することなく窪み状或いは凹状に
形成されることを特徴とする請求項２３に記載の基板装
置の製造方法。 - 【請求項２６】 前記イオンインプラ工程では、前記イ
オンの打ち込みは、前記穴の中心線に対して相前後して
又は同時に複数方位に前記所定角度Ｘだけ傾けて行わ
れ、前記所定角度Ｘは、前記複数方位の各々について前
記穴の底面の中央に位置する前記材料膜部分に前記イオ
ンが打ち込まれる範囲内に設定されていることを特徴と
する請求項２３から２５のいずれか一項に記載の基板装
置の製造方法。 - 【請求項２７】 前記穴を開ける工程では、前記穴は柱
状に開けられ、 前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記
穴の径をａとし、前記穴の深さをｅとし、前記材料膜の
膜厚をｃとするとき、 ０＜Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ａ−２ｃ）／２ｅ｝ を満たすように設定されることを特徴とする請求項２３
から２６のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。 - 【請求項２８】 前記穴を開ける工程では、前記穴は、
前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円
錐台状或いは角錐台状に開けられ、 前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記
穴の底面における径をａとし、前記穴の口側の縁におけ
る径をｄとし、前記穴の深さをｅとし、前記材料膜の膜
厚をｃとするとき、 ０≦Ｘ≦ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝ を満たすように設定されることを特徴とする請求項２３
から２６のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。 - 【請求項２９】 前記穴を開ける工程では、前記穴は、
前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円
錐台状或いは角錐台状に開けられた第１穴部分と該第１
部分の底から連続して柱状に開けられた第２穴部分とか
らなるように開けられ、 前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記
第２穴部分の径をａとし、前記第１穴部分の口側の縁に
おける径をｄとし、前記第１穴部分の深さをｅとし、前
記第２穴部分の深さをｂとし、前記材料膜の膜厚をｃと
するとき、 ０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ） 但し、Ｙ＝ｔａｎ−１｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝ を満たすように設定されることを特徴とする請求項２３
から２６のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。 - 【請求項３０】 前記イオンインプラ工程では、前記イ
オンの打ち込みは、ポリシリコンを含んでなる前記材料
膜をＰ型のドープトポリシリコンからなる前記導電層と
するように行われることを特徴とする請求項２３から２
９のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002014607A JP2002353245A (ja) | 2001-03-23 | 2002-01-23 | 電気光学基板装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装置の製造方法 |
| US10/101,012 US6605827B2 (en) | 2001-03-23 | 2002-03-20 | Electrooptical substrate device and manufacturing method for same, electrooptical apparatus, electronic apparatus and manufacturing method for a substrate device |
| TW091105446A TW536831B (en) | 2001-03-23 | 2002-03-21 | Electrooptical substrate device and manufacturing method for same, electrooptical apparatus, electronic apparatus and manufacturing method for a substrate device |
| CNB021077975A CN1255879C (zh) | 2001-03-23 | 2002-03-22 | 电光基板装置及其制造方法、电光装置、电子装置 |
| KR1020020015561A KR100550693B1 (ko) | 2001-03-23 | 2002-03-22 | 전기 광학 기판 장치의 제조 방법 및 기판 장치의 제조 방법 |
| US10/394,027 US6927088B2 (en) | 2001-03-23 | 2003-03-24 | Electrooptical substrate device and manufacturing method for same, electrooptical apparatus, electronic apparatus and manufacturing method for a substrate device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-85750 | 2001-03-23 | ||
| JP2001085750 | 2001-03-23 | ||
| JP2002014607A JP2002353245A (ja) | 2001-03-23 | 2002-01-23 | 電気光学基板装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353245A true JP2002353245A (ja) | 2002-12-06 |
| JP2002353245A5 JP2002353245A5 (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=26611952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002014607A Withdrawn JP2002353245A (ja) | 2001-03-23 | 2002-01-23 | 電気光学基板装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6605827B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002353245A (ja) |
| KR (1) | KR100550693B1 (ja) |
| CN (1) | CN1255879C (ja) |
| TW (1) | TW536831B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7449411B2 (en) | 2004-05-12 | 2008-11-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof, electro-optical device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
| US7464812B2 (en) | 2001-10-23 | 2008-12-16 | Gail Kyle, legal representative | Cover for the head of a golf club |
| CN112864233A (zh) * | 2019-11-12 | 2021-05-28 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
Families Citing this family (179)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004096079A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-03-25 | Sharp Corp | 光電変換装置、画像読取装置および光電変換装置の製造方法 |
| JP4019868B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| US7902062B2 (en) * | 2002-11-23 | 2011-03-08 | Infineon Technologies Ag | Electrodepositing a metal in integrated circuit applications |
| JP3767590B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2006-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| KR100542986B1 (ko) * | 2003-04-29 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 제조 방법 및 이를 이용한 표시장치 |
| US20040218133A1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-04 | Park Jong-Wan | Flexible electro-optical apparatus and method for manufacturing the same |
| US7592239B2 (en) * | 2003-04-30 | 2009-09-22 | Industry University Cooperation Foundation-Hanyang University | Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same |
| TWI225705B (en) * | 2003-05-02 | 2004-12-21 | Toppoly Optoelectronics Corp | Electrostatic discharge protection device and manufacturing method thereof |
| KR100543004B1 (ko) * | 2003-09-18 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| JP4297775B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2009-07-15 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100741966B1 (ko) * | 2004-01-27 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2006032542A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006330130A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR100741976B1 (ko) * | 2005-08-25 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| EP1837900A3 (en) * | 2006-03-21 | 2008-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| TWI416738B (zh) * | 2006-03-21 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab | 非揮發性半導體記憶體裝置 |
| EP1837917A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| US8022460B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| US7554854B2 (en) * | 2006-03-31 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for deleting data from NAND type nonvolatile memory |
| KR100878284B1 (ko) * | 2007-03-09 | 2009-01-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터와 그 제조 방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 |
| JP4324685B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2009-09-02 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 紫外線受光素子およびその製造方法、並びに紫外線量測定装置 |
| JP2009003436A (ja) * | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8076664B2 (en) | 2007-12-20 | 2011-12-13 | Intel Corporation | Phase change memory with layered insulator |
| TWI384532B (zh) * | 2008-11-24 | 2013-02-01 | Ind Tech Res Inst | 具導通孔的電子元件及薄膜電晶體元件的製造方法 |
| KR101232736B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2013-02-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 |
| KR20170085148A (ko) | 2009-10-09 | 2017-07-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US10354995B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-07-16 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
| US10157909B2 (en) | 2009-10-12 | 2018-12-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10366970B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-07-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11018133B2 (en) | 2009-10-12 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D integrated circuit |
| US10043781B2 (en) | 2009-10-12 | 2018-08-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10388863B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-08-20 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory device and structure |
| US10910364B2 (en) | 2009-10-12 | 2021-02-02 | Monolitaic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
| US11374118B2 (en) | 2009-10-12 | 2022-06-28 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D integrated circuit |
| US9227243B2 (en) | 2009-12-08 | 2016-01-05 | Baker Hughes Incorporated | Method of making a powder metal compact |
| US10217667B2 (en) | 2011-06-28 | 2019-02-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device, fabrication method and system |
| US11482440B2 (en) | 2010-12-16 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits |
| US10497713B2 (en) | 2010-11-18 | 2019-12-03 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
| US11227897B2 (en) | 2010-10-11 | 2022-01-18 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
| US10896931B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-01-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11024673B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-06-01 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11257867B1 (en) | 2010-10-11 | 2022-02-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with oxide bonds |
| US11600667B1 (en) | 2010-10-11 | 2023-03-07 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory |
| US10290682B2 (en) | 2010-10-11 | 2019-05-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory |
| US11158674B2 (en) | 2010-10-11 | 2021-10-26 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce a 3D semiconductor device and structure |
| US11315980B1 (en) | 2010-10-11 | 2022-04-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with transistors |
| US11018191B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11469271B2 (en) | 2010-10-11 | 2022-10-11 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory |
| US11929372B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-03-12 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
| US11164898B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
| US11327227B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-05-10 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators |
| US10679977B2 (en) | 2010-10-13 | 2020-06-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D microdisplay device and structure |
| US11869915B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
| US11133344B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-09-28 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
| US10833108B2 (en) | 2010-10-13 | 2020-11-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D microdisplay device and structure |
| US11694922B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-07-04 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
| US10998374B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-05-04 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
| US10943934B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-03-09 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
| US11855114B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
| US11063071B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-07-13 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with waveguides |
| US11605663B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-03-14 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
| US10978501B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-04-13 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with waveguides |
| US11043523B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-06-22 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
| US11437368B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-09-06 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
| US11855100B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
| US11404466B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-08-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
| US11163112B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators |
| KR20120050780A (ko) * | 2010-11-11 | 2012-05-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 액정 표시 패널 및 그 제조 방법 |
| US11901210B2 (en) | 2010-11-18 | 2024-02-13 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
| US11094576B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-08-17 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
| US11610802B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-03-21 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes |
| US11735462B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-08-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers |
| US11804396B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-10-31 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
| US11121021B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-09-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11854857B1 (en) | 2010-11-18 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
| US11211279B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-12-28 | Monolithic 3D Inc. | Method for processing a 3D integrated circuit and structure |
| US11355380B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-06-07 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks |
| US11784082B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-10-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
| US11923230B1 (en) | 2010-11-18 | 2024-03-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
| US11107721B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-08-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with NAND logic |
| US11862503B2 (en) | 2010-11-18 | 2024-01-02 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
| US11495484B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-11-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers |
| US11615977B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-03-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
| US11482438B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
| US11031275B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
| US11004719B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-05-11 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
| US11508605B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-11-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
| US11355381B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-06-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
| US11521888B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-12-06 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors |
| US11164770B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
| US11569117B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-01-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers |
| US11018042B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
| US11443971B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-09-13 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
| US11482439B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors |
| US10388568B2 (en) | 2011-06-28 | 2019-08-20 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and system |
| US11881443B2 (en) | 2012-04-09 | 2024-01-23 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
| US11735501B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-08-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
| US11694944B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-07-04 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
| US11594473B2 (en) | 2012-04-09 | 2023-02-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
| US11616004B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-03-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
| US11410912B2 (en) | 2012-04-09 | 2022-08-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with vias and isolation layers |
| US11476181B1 (en) | 2012-04-09 | 2022-10-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
| US11088050B2 (en) | 2012-04-09 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with isolation layers |
| US11164811B2 (en) | 2012-04-09 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding |
| US10600888B2 (en) | 2012-04-09 | 2020-03-24 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
| US11018116B2 (en) | 2012-12-22 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
| US11916045B2 (en) | 2012-12-22 | 2024-02-27 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
| US11063024B1 (en) | 2012-12-22 | 2021-07-13 | Monlithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
| US10297580B2 (en) * | 2012-12-22 | 2019-05-21 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11217565B2 (en) | 2012-12-22 | 2022-01-04 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
| US8674470B1 (en) * | 2012-12-22 | 2014-03-18 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
| US11309292B2 (en) | 2012-12-22 | 2022-04-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
| US11784169B2 (en) | 2012-12-22 | 2023-10-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
| US11430667B2 (en) | 2012-12-29 | 2022-08-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
| US11430668B2 (en) | 2012-12-29 | 2022-08-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
| US10892169B2 (en) | 2012-12-29 | 2021-01-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11004694B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-05-11 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10115663B2 (en) | 2012-12-29 | 2018-10-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10651054B2 (en) | 2012-12-29 | 2020-05-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11087995B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10600657B2 (en) | 2012-12-29 | 2020-03-24 | Monolithic 3D Inc | 3D semiconductor device and structure |
| US10903089B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-01-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11177140B2 (en) | 2012-12-29 | 2021-11-16 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11869965B2 (en) | 2013-03-11 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells |
| US11935949B1 (en) | 2013-03-11 | 2024-03-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells |
| US8902663B1 (en) | 2013-03-11 | 2014-12-02 | Monolithic 3D Inc. | Method of maintaining a memory state |
| US10325651B2 (en) | 2013-03-11 | 2019-06-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with stacked memory |
| US10840239B2 (en) | 2014-08-26 | 2020-11-17 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11923374B2 (en) | 2013-03-12 | 2024-03-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
| US11398569B2 (en) | 2013-03-12 | 2022-07-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11088130B2 (en) | 2014-01-28 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10224279B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-03-05 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
| US11030371B2 (en) | 2013-04-15 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
| US11720736B2 (en) | 2013-04-15 | 2023-08-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation methods for 3D integrated circuits and devices |
| US11341309B1 (en) | 2013-04-15 | 2022-05-24 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
| US11487928B2 (en) | 2013-04-15 | 2022-11-01 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
| US11574109B1 (en) | 2013-04-15 | 2023-02-07 | Monolithic 3D Inc | Automation methods for 3D integrated circuits and devices |
| US9021414B1 (en) | 2013-04-15 | 2015-04-28 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
| US11270055B1 (en) | 2013-04-15 | 2022-03-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
| KR102103960B1 (ko) * | 2013-08-16 | 2020-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 표시 장치, 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
| JP6226683B2 (ja) * | 2013-10-09 | 2017-11-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| US10297586B2 (en) | 2015-03-09 | 2019-05-21 | Monolithic 3D Inc. | Methods for processing a 3D semiconductor device |
| US11107808B1 (en) | 2014-01-28 | 2021-08-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11031394B1 (en) | 2014-01-28 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10381328B2 (en) | 2015-04-19 | 2019-08-13 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
| US11056468B1 (en) | 2015-04-19 | 2021-07-06 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US11011507B1 (en) | 2015-04-19 | 2021-05-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10825779B2 (en) | 2015-04-19 | 2020-11-03 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| CN105093738B (zh) * | 2015-07-29 | 2018-09-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管的控制电路 |
| US9935127B2 (en) | 2015-07-29 | 2018-04-03 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Control circuit of thin film transistor |
| CN115942752A (zh) | 2015-09-21 | 2023-04-07 | 莫诺利特斯3D有限公司 | 3d半导体器件和结构 |
| US10522225B1 (en) | 2015-10-02 | 2019-12-31 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device with non-volatile memory |
| US11114464B2 (en) | 2015-10-24 | 2021-09-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10847540B2 (en) | 2015-10-24 | 2020-11-24 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
| US11296115B1 (en) | 2015-10-24 | 2022-04-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
| US10418369B2 (en) | 2015-10-24 | 2019-09-17 | Monolithic 3D Inc. | Multi-level semiconductor memory device and structure |
| US11937422B2 (en) | 2015-11-07 | 2024-03-19 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
| US11114427B2 (en) | 2015-11-07 | 2021-09-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor processor and memory device and structure |
| CN105374882A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN105655293B (zh) * | 2016-01-12 | 2019-06-21 | 重庆京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| US10839752B2 (en) * | 2016-09-21 | 2020-11-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device and electronic apparatus |
| US11329059B1 (en) | 2016-10-10 | 2022-05-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates |
| US11869591B2 (en) | 2016-10-10 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with control circuits |
| US11812620B2 (en) | 2016-10-10 | 2023-11-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D DRAM memory devices and structures with control circuits |
| US11930648B1 (en) | 2016-10-10 | 2024-03-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with metal layers |
| US11251149B2 (en) | 2016-10-10 | 2022-02-15 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory device and structure |
| US11711928B2 (en) | 2016-10-10 | 2023-07-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with control circuits |
| CN106920804B (zh) * | 2017-04-28 | 2020-03-24 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置 |
| CN107611163B (zh) * | 2017-09-21 | 2020-07-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板及其制作方法和显示装置 |
| CN107797344B (zh) * | 2017-11-14 | 2021-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及其制造方法 |
| KR20200110573A (ko) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US11158652B1 (en) | 2019-04-08 | 2021-10-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
| US11296106B2 (en) | 2019-04-08 | 2022-04-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
| US11763864B2 (en) | 2019-04-08 | 2023-09-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars |
| US10892016B1 (en) | 2019-04-08 | 2021-01-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
| US11018156B2 (en) | 2019-04-08 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
| US10991682B2 (en) * | 2019-05-29 | 2021-04-27 | Innolux Corporation | Electronic device |
| KR20210111983A (ko) * | 2020-03-04 | 2021-09-14 | 주식회사 디비하이텍 | Esd 보호소자 및 제조방법 |
| KR20210149960A (ko) * | 2020-06-02 | 2021-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367828A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JPH05313195A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Seiko Instr Inc | 半導体装置 |
| JPH0675244A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-18 | Seiko Instr Inc | 半導体装置 |
| JPH07106436A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-21 | Gold Star Electron Co Ltd | 半導体メモリ装置及びその製造方法 |
| JPH07146491A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Sony Corp | 表示素子基板用半導体装置 |
| JPH07263704A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2000036598A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2775990B2 (ja) * | 1990-05-08 | 1998-07-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5854494A (en) * | 1991-02-16 | 1998-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric device, matrix device, electro-optical display device, and semiconductor memory having thin-film transistors |
| US5177030A (en) * | 1991-07-03 | 1993-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method of making self-aligned vertical intrinsic resistance |
| JP3155040B2 (ja) | 1991-10-23 | 2001-04-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体装置 |
| US5858845A (en) * | 1994-09-27 | 1999-01-12 | Micron Technology, Inc. | Electrically conductive substrate interconnect continuity region and method of forming same with an angled implant |
| US5334862A (en) * | 1993-08-10 | 1994-08-02 | Micron Semiconductor, Inc. | Thin film transistor (TFT) loads formed in recessed plugs |
| JPH07146489A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-06 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
| JP3402400B2 (ja) | 1994-04-22 | 2003-05-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体集積回路の作製方法 |
| JP3219674B2 (ja) * | 1995-03-09 | 2001-10-15 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH09115866A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100195246B1 (ko) * | 1996-09-13 | 1999-06-15 | 윤종용 | Sog를 이용한 반도체장치에서의 콘택홀 제조방법 |
| US6066860A (en) * | 1997-12-25 | 2000-05-23 | Seiko Epson Corporation | Substrate for electro-optical apparatus, electro-optical apparatus, method for driving electro-optical apparatus, electronic device and projection display device |
| JP3980167B2 (ja) * | 1998-04-07 | 2007-09-26 | 株式会社日立製作所 | Ｔｆｔ電極基板 |
| JP2000111952A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-21 | Sony Corp | 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法 |
| JP3826618B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2006-09-27 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
-
2002
- 2002-01-23 JP JP2002014607A patent/JP2002353245A/ja not_active Withdrawn
- 2002-03-20 US US10/101,012 patent/US6605827B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-21 TW TW091105446A patent/TW536831B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-22 CN CNB021077975A patent/CN1255879C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-22 KR KR1020020015561A patent/KR100550693B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-03-24 US US10/394,027 patent/US6927088B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367828A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JPH05313195A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Seiko Instr Inc | 半導体装置 |
| JPH0675244A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-18 | Seiko Instr Inc | 半導体装置 |
| JPH07106436A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-21 | Gold Star Electron Co Ltd | 半導体メモリ装置及びその製造方法 |
| JPH07146491A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Sony Corp | 表示素子基板用半導体装置 |
| JPH07263704A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2000036598A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7464812B2 (en) | 2001-10-23 | 2008-12-16 | Gail Kyle, legal representative | Cover for the head of a golf club |
| US7449411B2 (en) | 2004-05-12 | 2008-11-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof, electro-optical device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
| CN112864233A (zh) * | 2019-11-12 | 2021-05-28 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
| CN112864233B (zh) * | 2019-11-12 | 2023-04-07 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6605827B2 (en) | 2003-08-12 |
| KR20020075286A (ko) | 2002-10-04 |
| CN1378290A (zh) | 2002-11-06 |
| CN1255879C (zh) | 2006-05-10 |
| KR100550693B1 (ko) | 2006-02-08 |
| US20030180979A1 (en) | 2003-09-25 |
| US20020153569A1 (en) | 2002-10-24 |
| US6927088B2 (en) | 2005-08-09 |
| TW536831B (en) | 2003-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002353245A (ja) | 電気光学基板装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装置の製造方法 | |
| JP3458382B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
| JP3381718B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
| KR100481590B1 (ko) | 전기 광학 장치, 투사형 표시 장치 및 전기 광학 장치의제조 방법 | |
| JPH10301100A (ja) | 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置 | |
| JP2002353424A (ja) | 基板装置の製造方法及び基板装置、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
| JP4144183B2 (ja) | 電気光学装置、その製造方法及び投射型表示装置 | |
| JP2005260145A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP2000275680A (ja) | 反射型液晶表示装置及びそれを用いた表示パネル | |
| JP2002236460A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに投射型表示装置 | |
| JP2001033820A (ja) | 電気光学装置とその製造方法および投射型表示装置 | |
| JP3904371B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP4139530B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JPH11183934A (ja) | 液晶パネル及びその製造方法並びに電子機器 | |
| JP3642326B2 (ja) | 液晶パネル、電子機器、及びｔｆｔアレイ基板 | |
| JP4400239B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3867027B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2001249625A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
| JP4522666B2 (ja) | Ｔｆｔアレイ基板、液晶パネル及び液晶プロジェクタ | |
| JP3867026B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2002221738A (ja) | 表示領域を備えた基板、液晶装置及び投写型表示装置 | |
| JP2004102256A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3733970B6 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3733970B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP4758868B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050112 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060821 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070402 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080327 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20081117 |