JP2011139047A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極の上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜の上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記酸化物半導体膜に電気的に接続され、
   前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記酸化物半導体膜の上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜の上に設けられた第２のゲート電極と、を有し、
   前記第２のゲート絶縁膜の上に設けられた平坦性を有する有機樹脂膜と、
   前記平坦性を有する有機樹脂膜の上に設けられた画素電極と、を有し、
   前記画素電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
   前記第２のゲート電極は、前記有機樹脂膜と重なっていないことを特徴とする表示装置。
2. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極の上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜の上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記酸化物半導体膜に電気的に接続され、
   前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記酸化物半導体膜の上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜の上に設けられた第２のゲート電極と、を有し、
   前記第２のゲート絶縁膜の上に設けられた平坦性を有する有機樹脂膜と、
   前記平坦性を有する有機樹脂膜の上に設けられた画素電極と、を有し、
   前記画素電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
   前記第２のゲート電極は、前記有機樹脂膜と重なっておらず、
   前記酸化物半導体膜は二次イオン質量分析法で検出される水素原子の濃度が１×１０ ^１６ ｃｍ ^−３ 未満であることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記酸化物半導体膜は、Ｃ軸が表面に対して垂直方向に沿うように配向された針状結晶を有することを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第２のゲート電極は、チャネル幅方向において、前記酸化物半導体膜からはみ出していることを特徴とする表示装置。