JP2011124556A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 酸化物半導体層と、
   ゲート電極層と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極層の間にゲート絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
   前記チャネル形成領域は、キャリア濃度が、１×１０ ^１２ ／ｃｍ ^３ 未満であり、
   前記チャネル形成領域を含む前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の表面に垂直な方向にＣ軸が配向している結晶構造を含むことを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体層と、
   ゲート電極層と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極層の間にゲート絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
   前記チャネル形成領域は、キャリア濃度が、１×１０ ^１２ ／ｃｍ ^３ 未満であり、
   前記チャネル形成領域を含む前記酸化物半導体層は、８０％以上の結晶質を含み、
   前記結晶質は、前記酸化物半導体層の表面に垂直な方向にＣ軸が配向している結晶構造を含むことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記酸化物半導体層の水素濃度は、５×１０ ^１９ ／ｃｍ ^３ 以下であり、
   前記水素濃度は、二次イオン質量分析法によって測定された値であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層は、ＩｎＭＯ _３ （ＺｎＯ） _ｍ （ｍ＞０）で表記される材料を含むことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層上に、ソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする半導体装置。