JP2014057056A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. 酸化物半導体積層と、
   前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、
   前記酸化物半導体積層と前記ゲート電極層との間のゲート絶縁層と、
   前記酸化物半導体積層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
   前記酸化物半導体積層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上の第３の酸化物半導体層と、を有し、
   前記第３の酸化物半導体層は、シリコンを有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、結晶部を有するインジウム亜鉛酸化物層であることを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体積層と、
   前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、
   前記酸化物半導体積層と前記ゲート電極層との間のゲート絶縁層と、
   前記酸化物半導体積層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
   前記酸化物半導体積層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上の第３の酸化物半導体層と、を有し、
   前記第３の酸化物半導体層は、炭素を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、結晶部を有するインジウム亜鉛酸化物層であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記第３の酸化物半導体層に含まれるシリコンの濃度は、３×１０^１８／ｃｍ^３以下であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項２において、
   前記第３の酸化物半導体層に含まれる炭素の濃度は、３×１０^１８／ｃｍ^３以下であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第３の酸化物半導体層は、結晶部を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体層及び前記第３の酸化物半導体層として、ＩｎＭ_ＸＺｎ_ＹＯ_Ｚ（Ｘ≧１、Ｙ＞１、Ｚ＞０、Ｍは、Ｇａ、Ｍｇ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択された一又は複数の金属元素）で表記される層を有することを特徴とする半導体装置。