JP2013191837A5 - - Google Patents

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  1. 第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜上方の第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、
    前記酸化物半導体膜上方の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜上方の第２の導電膜と、を有し、
    前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、チャネル領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と重なり、前記第１の導電膜と重なり、且つ前記第２の導電膜と重なる領域であり、
    前記第２の領域は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方と重なり、前記第１の導電膜と重なり、且つ前記第２の導電膜と重ならない領域であり、
    前記チャネル領域は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
    前記第３の領域は、前記第１の導電膜と重なり、且つ前記第２の導電膜と重なる領域であり、
    前記第４の領域は、前記第１の導電膜と重なり、且つ前記第２の導電膜と重ならない領域であることを特徴とする半導体装置。
  2. 第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜上方の第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、
    前記酸化物半導体膜上方の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜上方の第２の導電膜と、を有し、
    前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、チャネル領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と重なり、前記第１の導電膜と重なり、且つ前記第２の導電膜と重なる領域であり、
    前記第２の領域は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方と重なり、前記第１の導電膜と重ならず、且つ前記第２の導電膜と重なる領域であり、
    前記チャネル領域は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
    前記第３の領域は、前記第１の導電膜と重なり、且つ前記第２の導電膜と重なる領域であり、
    前記第４の領域は、前記第１の導電膜と重ならず、且つ前記第２の導電膜と重なる領域であることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｍ（Ｍは、はＡｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、ＴａまたはＷ）と、Ｚｎと、を有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
    前記酸化物半導体膜は、水素濃度が２×１０ ２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ 以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記酸化物半導体膜は、ｃ軸が前記酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルに沿うように配向する領域を有することを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
    前記第１の絶縁膜は、酸素を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
    前記第２の絶縁膜は、酸素を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
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