JP2012216792A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. ゲート電極と、
   ゲート絶縁膜と、
   酸化物半導体膜と、
   ソース電極と、
   ドレイン電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
   前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ゲート絶縁膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
   前記第１の絶縁膜は、水素を捕縛する機能を有し、
   前記第２の絶縁膜は、水素を透過する機能を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   ゲート絶縁膜と、
   酸化物半導体膜と、
   ソース電極と、
   ドレイン電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
   前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ゲート絶縁膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
   前記第１の絶縁膜は、窒素と、インジウムとを有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有することを特徴とする半導体装置。
3. ゲート電極と、
   ゲート絶縁膜と、
   酸化物半導体膜と、
   ソース電極と、
   ドレイン電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
   前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
   前記ゲート絶縁膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
   前記第１の絶縁膜は、窒素と、インジウムとを有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
   前記第１の絶縁膜は、７ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下の窒素濃度を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の絶縁膜は、水素と結合すると導電性を有することを特徴とする半導体装置。