JP2012216793A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 基板と、
   前記基板上の、下地膜と、
   前記下地膜上の、酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
   前記酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜を介して、重なるゲート電極と、を有し、
   前記下地膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
   前記第１の絶縁膜は、水素を捕縛する機能を有し、
   前記第２の絶縁膜は、水素を透過する機能を有することを特徴とする半導体装置。
2. 基板と、
   前記基板上の、下地膜と、
   前記下地膜上の、酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
   前記酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜を介して、重なるゲート電極と、を有し、
   前記下地膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
   前記第１の絶縁膜は、窒素と、インジウムとを有する酸窒化物を有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸素と、珪素とを有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の絶縁膜は、１×１０ ^１９ ｃｍ ^−３ 以上５×１０ ^２０ ｃｍ ^−３ 以下の水素濃度を有し、
   前記酸化物半導体膜は、１×１０ ^１９ ｃｍ ^−３ 未満の水素濃度を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２の絶縁膜は、加熱により酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置。