JP2012151455A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 酸化物半導体層と、第１乃至第３の絶縁層と、第１乃至第３の導電層と、を有し、
   前記第１の絶縁層は、前記酸化物半導体層の第１の領域上に設けられ、
   前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の領域と重なる領域を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層の側面に接する領域を有し、
   前記第３の絶縁層は、前記第１の導電層上、前記酸化物半導体層上、及び前記第２の絶縁層上に設けられ、
   前記第２の導電層は、前記第３の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して前記酸化物半導体層の第２の領域と電気的に接続され、
   前記第３の導電層は、前記第３の絶縁層に設けられた第２の開口部を介して前記酸化物半導体層の第３の領域と電気的に接続され、
   前記第２の領域及び前記第３の領域は、元素を有し、
   前記第１の領域と前記第２の領域との間の領域の元素の濃度は、前記第２の領域の元素の濃度よりも低く、
   前記第１の領域と前記第３の領域との間の領域の元素の濃度は、前記第３の領域の元素の濃度よりも低く、
   前記元素は、希ガス元素又は水素のうち一以上の元素であり、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体層の表面に対して垂直方向に沿うようにｃ軸配向した結晶を有し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域は、前記第１の領域よりも結晶性が低いことを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体層と、第１乃至第３の絶縁層と、第１乃至第３の導電層と、を有し、
   前記第１の絶縁層は、前記酸化物半導体層の第１の領域上に設けられ、
   前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の領域と重なる領域を有し、
   前記第１の導電層の端部と、前記第１の絶縁層の端部は一致し、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層の側面に接する領域を有し、
   前記第３の絶縁層は、前記第１の導電層上、前記酸化物半導体層上、及び前記第２の絶縁層上に設けられ、
   前記第２の導電層は、前記第３の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して前記酸化物半導体層の第２の領域と電気的に接続され、
   前記第３の導電層は、前記第３の絶縁層に設けられた第２の開口部を介して前記酸化物半導体層の第３の領域と電気的に接続され、
   前記第２の領域及び前記第３の領域は、元素を有し、
   前記第１の領域と前記第２の領域との間の領域の元素の濃度は、前記第２の領域の元素の濃度よりも低く、
   前記第１の領域と前記第３の領域との間の領域の元素の濃度は、前記第３の領域の元素の濃度よりも低く、
   前記元素は、希ガス元素又は水素のうち一以上の元素であり、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体層の表面に対して垂直方向に沿うようにｃ軸配向した結晶を有し、
   前記第２の領域及び前記第３の領域は、前記第１の領域よりも結晶性が低いことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第２の領域及び前記第３の領域の元素の濃度は、５×１０ ^１８ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上１×１０ ^２２ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、第４の絶縁層上に設けられ、
   前記第４の絶縁層は、加熱により前記酸化物半導体層へ酸素を供給することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２の絶縁層は、窒素を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。