JP2013089613A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の絶縁層と、
   第１の導電層と、
   第２の導電層と、
   前記第１の絶縁層上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、ゲート電極と、
   前記ゲート電極の側面の、第２の絶縁層と、を有し、
   前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
   前記第１の絶縁層の上面は、前記第２の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
   前記第１の絶縁層は、第１の溝と、前記第１の溝と連続した第２の溝とを有し、
   前記第１の絶縁層は、第３の溝と、前記第３の溝と連続した第４の溝とを有し、
   前記第１の溝は、第１の深さを有し、
   前記第２の溝は、第２の深さを有し、
   前記第３の溝は、第３の深さを有し、
   前記第４の溝は、第４の深さを有し、
   前記第２の深さは、前記第１の深さより深く、
   前記第４の深さは、前記第３の深さより深く、
   前記第１の導電層は、前記第１の溝と、前記第２の溝とに設けられ、
   前記第２の導電層は、前記第３の溝と、前記第４の溝とに設けられ、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の溝の前記第１の導電層と重なる領域を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記第３の溝の前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の絶縁層と、
   第１の導電層と、
   第２の導電層と、
   前記第１の絶縁層上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、ゲート電極と、
   前記ゲート電極の側面の、第２の絶縁層と、を有し、
   前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
   前記第１の絶縁層の上面は、前記第２の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
   前記第１の導電層は、第１の厚さと、第２の厚さとを有し、
   前記第２の導電層は、第３の厚さと、第４の厚さとを有し、
   前記第２の厚さは、前記第１の厚さより大きく、
   前記第４の厚さは、前記第３の厚さより大きく、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の厚さの前記第１の導電層と重なる領域を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記第３の厚さの前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 第１の絶縁層と、
   第１の導電層と、
   第２の導電層と、
   前記第１の絶縁層上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、ゲート電極と、
   前記ゲート電極の側面の、第２の絶縁層と、
   前記第１の導電層と電気的に接続された、第３の導電層と、
   前記第２の導電層と電気的に接続された、第４の導電層と、を有し、
   前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
   前記第１の絶縁層の上面は、前記第２の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
   前記第１の絶縁層は、第１の溝と、前記第１の溝と連続した第２の溝とを有し、
   前記第１の絶縁層は、第３の溝と、前記第３の溝と連続した第４の溝とを有し、
   前記第１の溝は、第１の深さを有し、
   前記第２の溝は、第２の深さを有し、
   前記第３の溝は、第３の深さを有し、
   前記第４の溝は、第４の深さを有し、
   前記第２の深さは、前記第１の深さより深く、
   前記第４の深さは、前記第３の深さより深く、
   前記第１の導電層は、前記第１の溝と、前記第２の溝とに設けられ、
   前記第２の導電層は、前記第３の溝と、前記第４の溝とに設けられ、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の溝の前記第１の導電層と重なる領域を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記第３の溝の前記第２の導電層と重なる領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記第２の溝の前記第１の導電層と重なる領域を有し、
   前記第４の導電層は、前記第４の溝の前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 第１の絶縁層と、
   第１の導電層と、
   第２の導電層と、
   前記第１の絶縁層上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、ゲート電極と、
   前記ゲート電極の側面の、第２の絶縁層と、
   前記第１の導電層と電気的に接続された、第３の導電層と、
   前記第２の導電層と電気的に接続された、第４の導電層と、を有し、
   前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
   前記第１の絶縁層の上面は、前記第２の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
   前記第１の導電層は、第１の厚さと、第２の厚さとを有し、
   前記第２の導電層は、第３の厚さと、第４の厚さとを有し、
   前記第２の厚さは、前記第１の厚さより大きく、
   前記第４の厚さは、前記第３の厚さより大きく、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の厚さの前記第１の導電層と重なる領域を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記第３の厚さの前記第２の導電層と重なる領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記第２の厚さの前記第１の導電層と重なる領域を有し、
   前記第４の導電層は、前記第４の厚さの前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶を含むことを特徴とする半導体装置。