TWI685089B - 半導體元件及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體元件及其形成方法。其中，半導體元件包含第一絕緣層、源極與汲極、堆疊結構、介電層以及閘極。第一絕緣層是設置在基底上。源極與汲極則是設置在第一絕緣層上，而堆疊結構同樣是設置在第一絕緣層上並位於源極與汲極之間。堆疊結構包含電荷儲存層以位於及其上的氧化半導體層。介電層則覆蓋源極、汲極及氧化半導體層，而閘極則是設置在介電層上。

Description

半導體元件及其製作方法
本發明是關於一種半導體元件及其製作方法，特別來說，是關於一種可用於存儲資料的氧化半導體元件及其製作方法。
現今用來儲存資料的半導體元件可分成揮發性元件以及非揮發性元件。當供應電源中斷時，揮發性記憶體元件中之儲存資料會遺失，但非揮發性記憶體元件即使供應電源已經中斷，也會保存儲存的資料，因此能被廣泛使用。而目前應用較廣的非揮發性記憶體體元件，例如是磁性裝置(magnetic devices)、光碟(optical discs)、快閃記憶體(flash memory)及其他半導體類的記憶體等，其主要是應用氮化矽層當作電荷儲存介質(charge trapping medium)以構成浮置閘極，再利用穿隧效應或源極側邊注入(source side injection)效應之影響來讓電子陷於(trap)浮置閘極中，用以儲存位元。
然而，在該技術領域中，如何使儲存於浮置閘極中的電荷能被長時間的保留，以增加記憶體的數據保存特性，仍為現今的研究課題。
本發明之一目的在於提供一種半導體元件，其具有設置在通道層下方且不與源極與汲極重疊的一電荷儲存層，因而可用於存儲資料並具有良好的元件可靠度。
本發明之另一目的在於提供一種製作半導體元件的方法，其是在通道層下方形成不與源極與汲極重疊的一電荷儲存層，使該半導體元件可具有存儲資料的功能。
為達上述目的，本發明之一實施例提供一種半導體元件，其包含一第一絕緣層、一源極、一汲極、一堆疊結構、一介電層以及一閘極。該第一絕緣層設置在一基底上。該源極及該汲極設置在該第一絕緣層上。該堆疊結構設置在該第一絕緣層上且位在該源極與該汲極之間，該堆疊結構包含一電荷儲存層以及位在該電荷儲存層上的一氧化半導體層。該介電層覆蓋在該源極、該汲極與該氧化半導體層上。該閘極則是設置在該介電層上。
為達上述目的，本發明之一實施例提供一種製作半導體元件的方法，包含以下步驟。首先，提供一第一絕緣層。然後，於該第一絕緣層上形成一堆疊結構，該堆疊結構包含一電荷儲存層以及位在該電荷儲存層上的一氧化半導體層。接著，在該第一絕緣層上形成一源極及一汲極，該源極與該汲極位在該堆疊結構兩側。並且，形成一介電層，覆蓋在該源極、該汲極與該堆疊結構上。最後，在該介電層上 形成一閘極。
本發明的半導體元件與其製作方法，其特點之一在於直接形成位在通道層下方且不與源極與汲極重疊的一電荷儲存層，例如是一氧化物-氮化物-氧化物結構，或者是一浮置閘極。藉此，該半導體元件可將感應電荷儲存於該電荷儲存層內，使該半導體元件達到存儲資料的功能。同時，因應該電荷儲存層的設置位置，本發明的半導體元件可具備精簡的結構以及較低的起始電壓，而可具有較佳的元件可靠度。
300‧‧‧基底
310‧‧‧絕緣層
320‧‧‧電荷儲存材料層
320a、320b、320c‧‧‧電荷儲存層
321‧‧‧第一介電材料層
322‧‧‧第一介電層
323‧‧‧電荷捕捉材料層
324‧‧‧電荷捕捉層
325‧‧‧第二介電材料層
326‧‧‧第二介電層
327‧‧‧浮置閘極
328‧‧‧保護層
329‧‧‧絕緣層
330‧‧‧絕緣材料層
330a‧‧‧絕緣層
340‧‧‧氧化半導體材料層
340a‧‧‧氧化半導體層
350‧‧‧帽蓋材料層
350a‧‧‧蓋層
360、362‧‧‧導電材料層
361、363‧‧‧源極、汲極
370、370a‧‧‧閘極介電層
371、375‧‧‧閘極介電層
373、377‧‧‧閘極介電層
380、381‧‧‧閘極
390‧‧‧閘極
400‧‧‧絕緣層
第1圖至第5圖為本發明第一實施例中半導體元件之形成方法的步驟剖面示意圖，其中：第1圖繪示一半導體元件於該形成方法之初的示意圖；第2圖繪示一半導體元件於形成一堆疊結構後的示意圖；第3圖繪示一半導體元件於形成一導電層後的示意圖；第4圖繪示一半導體元件於形成源極與汲極後的示意圖；第5圖繪示一半導體元件於形成一閘極後的示意圖。
第6圖至第8圖為本發明第二實施例中形成半導體元件之方法的步驟剖面示意圖，其中：第6圖繪示一半導體元件於形成一導電層後的示意圖；第7圖繪示一半導體元件於形成源極與汲極後的示意圖；第8圖繪示一半導體元件於形成一閘極後的示意圖。
第9圖至第10圖為本發明第三實施例中形成半導體元件之方法的步驟剖面示意圖，其中：第9圖繪示一半導體元件於形成一堆疊結構後的示意圖；第10圖繪示一半導體元件於形成一閘極後的示意圖。
第11圖為本發明第四實施例中的半導體元件的剖面示意圖。
為使熟習本發明所屬技術領域的一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明的數個較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成的功效。
請參考第1圖至第5圖，所繪示為本發明第一實施例中半導體元件之形成方法的步驟剖面示意圖。首先，提供一基底300，基底300上形成有一絕緣層310。基底300可以是任何具有承載功能的元件，舉例來說，基底300可以是具有半導體材質的基底，如含矽基底(silicon substrate)、磊晶矽基底(epitaxial silicon substrate)或是矽覆絕緣基底(silicon on insulator,SOI)等，但並不以此為限。絕緣層310可選擇具有一單層結構，如第1圖所示，或者是具有一多層結構(未繪示)。在一實施例中，還可選擇於絕緣層310或是具有該多層結構的該絕緣層內進一步形成一金屬內連線系統(metal interconnection system，未繪示)或被動元件(未繪示)，例如電感、電容或電阻等，或是進一步在基底300上或基底300內形成其他電子元件(未繪示)，例如是金氧半導體(metal oxide semiconductor,MOS)或感光電晶體(photo-diode)，但不以此為限。
然後，例如是利用化學氣相沈積(chemical vapor deposition,CVD)等方式在基底300上依序形成一電荷儲存材料層320、一絕緣材料層330、一氧化半導體(oxide semiconductor,OS)材料層340以及一帽蓋材料層350，以在絕緣層310上形成一堆疊材料結構。在本實施例中，電荷儲存材料層320是直接形成在絕緣層310上的一複合層結構。舉例來說，電荷儲存材料層320包含一第一介電材料層321、一電荷捕捉材料層323以及一第二介電材料層325，其中，第一介電材料層321和第二介電材料層325例如是氧化矽(silicon oxide,SiO)，而電荷捕捉材料層323則可包含氮化矽(silicon nitride,SiN)，以構成一氧化物-氮化物-氧化物結構，如第1圖所示。然而，在另一實施例中，電荷捕捉材料層323亦可選擇包含氧化鉭(tantalum oxide,TaO)、鈦酸鍶(strontium titanate)或氧化鉿等
氧化半導體層340可包含氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,InGaZnO)、二氧化銦鎵(InGaO2)、二氧化銦鋅(InZnO2)、氧化鎵銦(ZnInO)或氧化鋅銦(GaZnO)等材質，特別是具有高載子遷移率與低滲漏電流的CAAC-氧化銦鎵鋅(CAAC-InGaZnO)，而可作為一通道(channel)層。然而，本領域者應可理解，在本發明的其他實施例中，該氧化半導體層亦可選擇包含一複合層結構，且各層中可具有相同或不同的材質，並不限於前述樣態。另一方面，絕緣材料層330是形成在該電荷儲存材料層320與氧化半導體材料層340之間。絕緣材料層330可包含一般低介電常數材質、高介電常數材質，或是包含不同於氧化半導體材料層340的一氧化半導體材質如氧化銦鎵鋅、二氧化銦 鎵、二氧化銦鋅、氧化鎵銦或氧化鋅銦等。
而後，再於氧化半導體材料層340上形成帽蓋材料層350，其可選擇包含氮化矽、碳化矽(silicon carbide,SiC)、氮氧化矽(silicon oxynitride,SiON)、碳氮化矽(silicon carbonitride,SiCN)等，以在後續製程中保護下方的氧化半導體材料層340。
接著，如第2圖所示，圖案化該堆疊材料結構，形成一堆疊結構，並且使位在下方的部分絕緣層310被暴露出。該堆疊結構包含由下而上依序堆疊的電荷儲存層320a、絕緣層330a、氧化半導體層340a以及一蓋層350a，其中，電荷儲存層320a進一步包含一第一介電層322、一電荷捕捉層324以及一第二介電層326，以構成氧化物-氮化物-氧化物結構，如第2圖所示。
繼續於基底300上形成一導電材料層360，例如是包含銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)等導電材質或前述各導電材質的氮化物或氧化物等。導電材料層360覆蓋住整個堆疊結構，如第3圖所示。
後續，圖案化導電材料層360，而形成位在該堆疊結構兩側的源極361與汲極361。舉例來說，本實施例是至少進行一蝕刻製程及/或平坦化製程，例如是依序進行化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)以及乾蝕刻製程，以形成頂表面與該堆疊結構齊平的源極361與汲極361，如第4圖所示。然而，在其他實施例中，亦可選擇 利用其他的移除製程等，例如是微影暨蝕刻製程(photo-etching-process,PEP)等，來形成如第4圖所示的源極361與汲極361。需注意的是，在進行該蝕刻製程及/或平坦化製程，或者是其他移除製程時，可利用位在該堆疊結構頂部的蓋層350a作為一蝕刻停止層，避免下方的氧化半導體層340a受到破壞。此外，在本實施例中，源極361、汲極361與該堆疊結構皆是位在絕緣層310上而具有彼此齊平的底表面，並且源極361、汲極361與該堆疊結構不相互重疊，如第4圖所示。
在源極361與汲極361形成後，移除蓋層350a，使得位在蓋層350a下方的氧化半導體層340a被暴露出來，並具有低於源極361與汲極361的一表面。然後，繼續形成位在源極361、汲極361與氧化半導體層340a上方的閘極介電層370以及閘極380。其中，閘極介電層370是形成在閘極380與氧化半導體層340a之間，並且進一步覆蓋至源極361、汲極361、氧化半導體層340a甚至是下方絕緣層310的表面上，如第5圖所示。在一實施例中，閘極介電層370可具有一單層結構或者是一多層結構，例如是包含直接接觸並覆蓋源極361、汲極361與氧化半導體層340a的閘極介電層371，以及覆蓋在閘極介電層371上的閘極介電層373，如第5圖所示。閘極介電層371及閘極介電層373可選擇包含相同或不同的介電材質，例如是低介電常數材質，如氧化矽，或是高介電常數介電材質，如氧化鉿或氧化鋁等。其中，閘極介電層373另可選擇包含如氧化銦鎵鋅、氧化鎵銦或氧化鋅銦等氧化半導體材質，但並不以此為限。
閘極380可包含各種導電材質，例如是銅、鋁、鉬、鈦、鉭 或前述導電材質的氮化物或氧化物等。具體來說，閘極380是對應下方的氧化半導體層340a而形成，較佳是至少部分重疊下方的氧化半導體層340a。舉例來說，本實施例是使閘極380在垂直基底300的投影方向上可位在氧化半導體層340a的中央處並完全覆蓋氧化半導體層340a，如第5圖所示。
由此，即可形成本發明第一實施例的半導體元件。在本實施例中，該半導體元件具有直接位在氧化半導體層(通道層)340a下方且不與源極361、汲極361重疊的電荷儲存層320a。本發明的半導體元件是利用施加不同電壓於源極361與汲極361而將感應電荷儲存於電荷儲存層340a內，藉此，使該半導體元件能達到存儲資料的功能。同時，因應電荷儲存層320a的設置位置，本發明的半導體元件不需再額外設置位在氧化半導體層(通道層)340a下方的底置閘極來控制電荷儲存，因此，其結構可更為精簡且其起始電壓可以相對減少。
本領域者應可輕易了解，本發明的半導體元件亦可能以其他方式形成，並不限於前述的結構或製作步驟。因此，下文將進一步針對本發明半導體元件及其形成方法的其他實施例或變化型進行說明。且為簡化說明，以下說明主要針對各實施例不同之處進行詳述，而不再對相同之處作重覆贅述。此外，本發明之各實施例中相同之元件係以相同之標號進行標示，以利於各實施例間互相對照。
請參照第6圖至第8圖所示，所繪示者為本發明第二實施例中形成半導體元件之方法的步驟剖面示意圖。在本實施例中的形成方法 中，其主要製程、材質選擇及特徵大體上與前述第一實施例中第1圖至第3圖所示相似，包含在基底300上形成一堆疊結構，容不再贅述。然而，本實施例的形成方法與前述第一實施例之形成方法的主要差異在於該堆疊結構僅包含由下而上依序堆疊的電荷儲存層320a、絕緣層330a及氧化半導體層340a。也就是說，本實施例中省略了位在氧化半導體層340a上的蓋層。
然後，繼續形成一導電材料層362，例如是包含銅、鋁、鉬、鈦、鉭等導電材質或前述各導電材質的氮化物或氧化物等。導電材料層362直接覆蓋在氧化半導體層340a上，並覆蓋住整個堆疊結構，如第6圖所示。
接著，圖案化導電材料層362，以形成位在該堆疊結構兩側的源極363與汲極363。同樣地，本實施例可選擇進行至少一次的蝕刻製程及/或平坦化製程，例如是依序進行化學機械研磨以及乾蝕刻製程形成頂表面與該堆疊結構齊平的源極363與汲極363，如第7圖所示。此外，在本實施例中因省略該蓋層，因此，氧化半導體層340a的上表面可與源極363與汲極363齊平，如第7圖所示。
後續，繼續形成位在源極363、汲極363與氧化半導體層340a上方的閘極介電層370a以及閘極381。其中，閘極介電層370a是形成在閘極381與氧化半導體層340a之間，並且進一步覆蓋至源極363、汲極363、氧化半導體層340a甚至是下方絕緣層310的表面上，如第8圖所示。在一實施例中，閘極介電層370a可具有一單層結構或者是一多層 結構，例如是包含直接接觸並覆蓋源極363、汲極363與氧化半導體層340a的閘極介電層375，以及覆蓋在閘極介電層375上的閘極介電層377，如第8圖所示。閘極介電層375及閘極介電層377可選擇包含相同或不同的介電材質，例如是低介電常數材質，如氧化矽，或是高介電常數介電材質，如氧化鉿或氧化鋁等。其中，閘極介電層377另可選擇包含如氧化銦鎵鋅、氧化鎵銦或氧化鋅銦等氧化半導體材質，但並不以此為限。
閘極381可包含各種導電材質，例如是銅、鋁、鉬、鈦、鉭或前述導電材質的氮化物或氧化物等。具體來說，閘極381是對應下方的氧化半導體層340a而形成，以至少部分重疊下方的氧化半導體層340a。舉例來說，本實施例是使閘極381在垂直基底300的投影方向上可位在氧化半導體層340a的中央處並完全覆蓋氧化半導體層340a，如第8圖所示。
由此，即可形成本發明第二實施例的半導體元件。在本實施例中，該半導體元件同樣具有直接位在氧化半導體層(通道層)340a下方且不與源極363、汲極363重疊的電荷儲存層320a。同時，本實施例因省略了該蓋層，而可使氧化半導體層340a的上表面直接與源極363與汲極363齊平，使該半導體元件可具備更為精簡的結構。本發明的半導體元件同樣是利用施加不同的電壓至源極363、汲極363來將感應電荷儲存於電荷儲存層340a內，使該半導體元件達到存儲資料的功能。
請參照第9圖至第10圖所示，所繪示者為本發明第三實施例 中形成半導體元件之方法的步驟剖面示意圖。在本實施例中的形成方法中，其主要製程、材質選擇及特徵大體上與前述第一實施例中相同，容不再贅述。本實施例的形成方法與前述第一實施例之形成方法的主要差異在於本實施例的電荷儲存層320b包含一浮置閘極(floating gate)327。
也就是說，本實施例的堆疊結構包含由下而上依序堆疊的電荷儲存層320b、絕緣層330a、氧化半導體層340a及蓋層350a。其中，浮置閘極327是直接形成在絕緣層310之上。具體來說，浮置閘極327是位在一絕緣層329內，且浮置閘極327上還覆蓋一保護層328，例如是包含氧化矽等介電材質，可將浮置閘極327完全包覆於其內，以避免電荷的溢失。浮置閘極327的形成方式例如是先在絕緣層310上全面地形成一材料層(未繪示)，例如是包含摻雜的多晶矽(doped polysilicon)，並圖案化該材料層形成浮置閘極327。然後，利用沉積製程與平坦化製程在浮置閘極327上依序形成一保護材料層(未繪示)以及一絕緣材料層(未繪示)，使該絕緣材料層的頂面可與該保護材料層齊平。後續，該絕緣材料層與該保護材料層可與之後形成的堆疊材料結構(例如是包含第1圖所示的絕緣材料層330、氧化半導體材料層340及帽蓋材料層350)一併透過相同的微影暨蝕刻製程同時圖案化，而形成保護層328及絕緣層329，如第9圖所示。
之後，可繼續進行如第一實施例中第3圖至第4圖所示步驟，包含在源極361與汲極361形成後，移除蓋層350a，使得位在蓋層350a下方的氧化半導體層340a被暴露出來，並具有低於源極361與汲極361 的一表面，進而形成如第10圖所示的半導體元件。在本實施例中，該半導體元件具有直接位在氧化半導體層(通道層)340a下方且不與源極361、汲極361重疊的浮置閘極327。本發明的半導體元件是利用施加不同的電壓至源極361與汲極361，而將感應電荷儲存於浮置閘極327內，使該半導體元件達到存儲資料的功能。同時，因應浮置閘極327的設置位置，本發明的半導體元件不需再於氧化半導體層(通道層)340a下方額外設置可控制電荷儲存的底置閘極，故可使結構更為精簡並有效降低起使電壓。
請參照第11圖所示，所繪示者為本發明第四實施例中的半導體元件的剖面示意圖。在本實施例中，其主要製程、材質選擇及特徵大體上與前述第一實施例中相同，容不再贅述。本實施例之半導體元件的形成方法與前述第一實施例之形成方法的主要差異在於本實施例在基底300與絕緣層310之間額外形成一閘極390，並且本實施例的電荷儲存層320c僅包含一氧化半導體層。
也就是說，本實施例是先在基底300上形成閘極390，以及覆蓋閘極390並與閘極390頂表面齊平的絕緣層400，如第11圖所示，再接著形成絕緣層310以及位於其上的一堆疊結構。並且，本實施例的堆疊結構包含由下而上依序堆疊的電荷儲存層320c、絕緣層330a、氧化半導體層340a以及如第一實施例中第4圖所示的一蓋層(在本實施例中並未繪示)，其中，電荷儲存層320c僅由一氧化半導體層所組成，該氧化半導體層可選擇具有如第11圖所示的單一膜層，或者也可具有一複合膜層，該些膜層可包含氧化銦鎵鋅、二氧化銦鎵、二氧化銦鋅、氧化 鎵銦或氧化鋅銦等材質，並可選擇相同或不同於氧化半導體層340a所具有的材質。
後續，可繼續進行如第一實施例中第3圖至第5圖所示的其他形成步驟，包含在源極361與汲極361形成後，移除該蓋層，使得位在該蓋層下方的氧化半導體層340a被暴露出來，並具有低於源極361與汲極361的一表面，進而形成如第11圖所示的半導體元件。在本實施例中，該半導體元件具有位在氧化半導體層(通道層)340a下方的閘極390，因此，可直接利用閘極390控制源極361、汲極361，而將感應電荷儲存於電荷儲存層320c，以達到儲存0或1等資料之目的。此外，本實施例的半導體元件不僅可直接利用閘極390做為一控制閘極來控制資料存取，本實施例的電荷儲存層320c更可僅由單一膜層或複合膜層的氧化半導體層組成，藉此，可簡化本實施例中半導體元件的形成，使該半導體元件的結構可更為精簡。此外，需注意的是，前述第二實施例至第三實施例中的半導體元件，也適用此種額外在基底300與絕緣層310之間形成閘極390的實施方式；或者前述該些實施例中的半導體元件也適用僅由單一膜層或複合膜層的氧化半導體層而構成其電荷儲存層。
本發明的半導體元件具有直接形成在通道層下方且不與源極與汲極重疊的一電荷儲存層，例如是一氧化物-氮化物-氧化物結構，或者是一浮置閘極。藉此，該半導體元件可利用施加不同的電壓至源極與汲極達到將感應電荷儲存於該電荷儲存層內的目的，使該半導體元件達到存儲資料的功能。同時，因應該電荷儲存層的設置位置， 本發明的半導體元件更可省略設置位在該通道層下方的底置閘極來控制電荷儲存，因此可具備精簡的結構以及較低的起始電壓，而可獲得較佳的元件可靠度。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
300‧‧‧基底
310‧‧‧絕緣層
320a‧‧‧電荷儲存層
330a‧‧‧絕緣層
340a‧‧‧氧化半導體層
361‧‧‧源極、汲極
370‧‧‧閘極介電層
371‧‧‧閘極介電層
373‧‧‧閘極介電層
380‧‧‧閘極

Claims (20)

  1. 一種半導體元件，包含：一第一絕緣層，設置在一基底上；一源極與一汲極，設置在該第一絕緣層上；一堆疊結構，設置在該第一絕緣層上且位在該源極與該汲極之間，該堆疊結構包含一電荷儲存層以及位在該電荷儲存層上的一氧化半導體層；一介電層，覆蓋在該源極、該汲極與該氧化半導體層上；以及一閘極，設置在該介電層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中，該電荷儲存層包含一氧化物-氮化物-氧化物結構。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中，該電荷儲存層包含一浮置閘極。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體元件，更包含：一第二絕緣層，覆蓋在該浮置閘極之上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中，該堆疊結構更包含一第三絕緣層，該第三絕緣層位在該氧化半導體層與該電荷儲存層之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中，該氧化半 導體層並未重疊該源極與該汲極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中，該氧化半導體層的一頂表面與該源極與該汲極齊平。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中，該氧化半導體層的一頂表面低於該源極與該汲極。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中，該堆疊結構的一底表面與該源極與該汲極齊平。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中，該電荷儲存層接觸該第一絕緣層。
  11. 一種製作半導體元件的方法，包含：提供一第一絕緣層；於該第一絕緣層上形成一堆疊結構，該堆疊結構包含一電荷儲存層以及位在該電荷儲存層上的一氧化半導體層；在該第一絕緣層上形成一源極及一汲極，該源極與該汲極位在該堆疊結構兩側；形成一介電層，覆蓋在該源極、該汲極與該堆疊結構上；以及在該介電層上形成一閘極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之一種製作半導體元件的方 法，其中，該堆疊結構還包含：一第三絕緣層，形成在該電荷儲存層與該氧化半導體層之間；以及一蓋層，形成在該氧化半導體層之上。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之一種製作半導體元件的方法，其中，該堆疊結構的形成包含：形成一電荷儲存材料層、一絕緣材料層、一氧化半導體材料層以及一帽蓋材料層依序堆疊在該第一絕緣層上；以及圖案化該電荷儲存材料層、該絕緣材料層、該氧化半導體層以及該帽蓋材料層，以形成該電荷儲存層、該第三絕緣層、該氧化半導體層以及該蓋層。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之一種製作半導體元件的方法，其中，該源極與該汲極的形成包含：在該第一絕緣層上形成一導電層，覆蓋該堆疊結構；以及圖案化該導電層，形成該源極與該汲極。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之一種製作半導體元件的方法，更包含：於形成該源極與該汲極後，移除該蓋層。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之一種製作半導體元件的方法，其中，該堆疊結構的一底表面與該源極與該汲極齊平。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之一種製作半導體元件的方法，其中，該堆疊結構的一頂表面與該源極與該汲極齊平。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之一種製作半導體元件的方法，其中，該電荷儲存層接觸該第一絕緣層。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之一種製作半導體元件的方法，其中，該電荷儲存層包含一氧化物-氮化物-氧化物結構。
  20. 如申請專利範圍第11項所述之一種製作半導體元件的方法，其中，該電荷儲存層包含一浮置閘極。
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