JP2011129891A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 電池と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記第２のトランジスタは、シリコンを有し、
   前記酸化物半導体は、結晶を有し、
   前記電池は、前記第１のトランジスタを介して前記第２のトランジスタと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
2. 電池と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、絶縁層と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記第２のトランジスタは、シリコンを有し、
   前記絶縁層は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
   前記酸化物半導体は、結晶を有し、
   前記電池は、前記第１のトランジスタを介して前記第２のトランジスタと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
3. 電池と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記第２のトランジスタは、シリコンを有し、
   前記電池は、前記第１のトランジスタを介して前記第２のトランジスタと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
4. 電池と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、絶縁層と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記第２のトランジスタは、シリコンを有し、
   前記絶縁層は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
   前記電池は、前記第１のトランジスタを介して前記第２のトランジスタと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項２又は請求項４において、
   前記絶縁層は、窒素及び／又は酸素と、珪素と、を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体は、水素濃度が１×１０ ^１９ （ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ ）以下の領域を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体は、キャリア密度が１×１０ ^１４ （ｃｍ ^−３ ）未満の領域を有することを特徴とする半導体装置。