JP2011119667A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の電極と、
   前記第１の電極上方の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上方の第２の電極と、
   前記第１の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第２の電極を覆う領域を有する絶縁膜と、
   前記絶縁膜上方の、第３の電極及び第４の電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が５×１０ ^１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下の領域を有し、
   前記第３の電極は、前記第１の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第２の電極を介して、前記第４の電極と対向する位置に設けられ、
   前記第３の電極及び前記第４の電極は、前記第１の電極又は前記第２の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 第１の電極及び第２の電極と、
   前記第１の電極及び前記第２の電極上方の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上方の第３の電極と、
   前記第１の電極、前記第２の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第３の電極を覆う領域を有する絶縁膜と、
   前記絶縁膜上方の、第４の電極及び第５の電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が５×１０ ^１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下の領域を有し、
   前記第４の電極は、前記第１の電極、前記第２の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第３の電極を介して、前記第５の電極と対向する位置に設けられ、
   前記第４の電極及び前記第５の電極は、前記第１の電極又は前記第２の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
3. 第１の電極と、
   前記第１の電極上方の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上方の第２の電極と、
   前記第１の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第２の電極を覆う領域を有する絶縁膜と、
   前記絶縁膜上方の、環状の形状を有する第３の電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が５×１０ ^１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下の領域を有し、
   前記第３の電極は、前記第１の電極又は前記第２の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜は、表面近傍に結晶を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜中、又は前記酸化物半導体膜と前記絶縁膜との界面に、ハロゲン元素を有し、
   前記絶縁膜は、酸化物絶縁膜であり、
   前記絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜に覆われていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜は、キャリア濃度が５×１０ ^１４ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下の領域を有することを特徴とする半導体装置。