JP2012064923A5 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012064923A5
JP2012064923A5 JP2011147065A JP2011147065A JP2012064923A5 JP 2012064923 A5 JP2012064923 A5 JP 2012064923A5 JP 2011147065 A JP2011147065 A JP 2011147065A JP 2011147065 A JP2011147065 A JP 2011147065A JP 2012064923 A5 JP2012064923 A5 JP 2012064923A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductive layer
oxide semiconductor
conductive
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011147065A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012064923A (ja
JP5864916B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2011147065A priority Critical patent/JP5864916B2/ja
Priority claimed from JP2011147065A external-priority patent/JP5864916B2/ja
Publication of JP2012064923A publication Critical patent/JP2012064923A/ja
Publication of JP2012064923A5 publication Critical patent/JP2012064923A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5864916B2 publication Critical patent/JP5864916B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (5)

  1. 画素部を有し、
    前記画素部は、酸化物半導体層と、第1及び第2の層と、第1乃至第3の導電層と、絶縁層と、画素電極と、を有し、
    前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
    前記第1の層は、前記酸化物半導体層と前記第1の導電層とに挟まれている領域を有し、
    前記第2の層は、前記酸化物半導体層と前記第2の導電層とに挟まれている領域を有し、
    前記絶縁層は、前記酸化物半導体層と前記第3の導電層とに挟まれている領域を有し、
    前記画素電極は、前記第1の導電層又は前記第2の導電層と電気的に接続され、
    前記第1の層は、チタンと酸素とを有し、
    前記第2の層は、チタンと酸素とを有し、
    前記第1の層は、前記第1の導電層の下端部よりも外側にある下端部を有し、
    前記第2の層は、前記第2の導電層の下端部よりも外側にある下端部を有することを特徴とする表示装置。
  2. 画素部を有し、
    前記画素部は、酸化物半導体層と、第1及び第2の層と、第1乃至第3の導電層と、絶縁層と、画素電極と、を有し、
    前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
    前記第1の層は、前記酸化物半導体層と前記第1の導電層とに挟まれている領域を有し、
    前記第2の層は、前記酸化物半導体層と前記第2の導電層とに挟まれている領域を有し、
    前記絶縁層は、前記酸化物半導体層と前記第3の導電層とに挟まれている領域を有し、
    前記画素電極は、前記第1の導電層又は前記第2の導電層と電気的に接続され、
    前記第1の層は、チタンと酸素とを有し、
    前記第2の層は、チタンと酸素とを有し、
    前記第1の層は、前記第1の導電層と重ならない下端部を有し、
    前記第2の層は、前記第2の導電層と重ならない下端部を有することを特徴とする表示装置。
  3. 画素部を有し、
    前記画素部は、酸化物半導体層と、第1及び第2の層と、第1乃至第3の導電層と、絶縁層と、画素電極と、を有し、
    前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
    前記第1の層は、前記酸化物半導体層と前記第1の導電層とに挟まれている領域を有し、
    前記第2の層は、前記酸化物半導体層と前記第2の導電層とに挟まれている領域を有し、
    前記絶縁層は、前記酸化物半導体層と前記第3の導電層とに挟まれている領域を有し、
    前記画素電極は、前記第1の導電層又は前記第2の導電層と電気的に接続され、
    前記第1の層は、チタンと酸素とを有し、
    前記第2の層は、チタンと酸素とを有し、
    前記第1の層及び前記第1の導電層からなる積層は、段差を有し、
    前記第2の層及び前記第2の導電層からなる積層は、段差を有することを特徴とする表示装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    端子部を有し、
    前記端子部は、第4の導電層と、前記第4の導電層上方の第5の導電層と、を有し、
    前記第4の導電層は、前記第1の導電層又は前記第2の導電層と同層であり、
    前記第5の導電層は、前記画素電極と同層であることを特徴とする表示装置。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
    前記画素部は、遮光性を有する層を有し、
    前記遮光性を有する層は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。
JP2011147065A 2010-07-02 2011-07-01 表示装置の作製方法 Active JP5864916B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011147065A JP5864916B2 (ja) 2010-07-02 2011-07-01 表示装置の作製方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010152050 2010-07-02
JP2010152050 2010-07-02
JP2010181523 2010-08-16
JP2010181523 2010-08-16
JP2011147065A JP5864916B2 (ja) 2010-07-02 2011-07-01 表示装置の作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015124458A Division JP6025922B2 (ja) 2010-07-02 2015-06-22 半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012064923A JP2012064923A (ja) 2012-03-29
JP2012064923A5 true JP2012064923A5 (ja) 2014-08-07
JP5864916B2 JP5864916B2 (ja) 2016-02-17

Family

ID=45399020

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011147065A Active JP5864916B2 (ja) 2010-07-02 2011-07-01 表示装置の作製方法
JP2015124458A Expired - Fee Related JP6025922B2 (ja) 2010-07-02 2015-06-22 半導体装置の作製方法
JP2016199785A Withdrawn JP2017028314A (ja) 2010-07-02 2016-10-11 半導体装置
JP2018096060A Withdrawn JP2018125569A (ja) 2010-07-02 2018-05-18 半導体装置
JP2020117126A Withdrawn JP2020178132A (ja) 2010-07-02 2020-07-07 半導体装置
JP2022056444A Active JP7285985B2 (ja) 2010-07-02 2022-03-30 半導体装置
JP2023084660A Pending JP2023101609A (ja) 2010-07-02 2023-05-23 半導体装置

Family Applications After (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015124458A Expired - Fee Related JP6025922B2 (ja) 2010-07-02 2015-06-22 半導体装置の作製方法
JP2016199785A Withdrawn JP2017028314A (ja) 2010-07-02 2016-10-11 半導体装置
JP2018096060A Withdrawn JP2018125569A (ja) 2010-07-02 2018-05-18 半導体装置
JP2020117126A Withdrawn JP2020178132A (ja) 2010-07-02 2020-07-07 半導体装置
JP2022056444A Active JP7285985B2 (ja) 2010-07-02 2022-03-30 半導体装置
JP2023084660A Pending JP2023101609A (ja) 2010-07-02 2023-05-23 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8766252B2 (ja)
JP (7) JP5864916B2 (ja)
KR (6) KR20180135118A (ja)
TW (2) TWI643343B (ja)
WO (1) WO2012002471A1 (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110287593A1 (en) * 2010-05-20 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR20180135118A (ko) * 2010-07-02 2018-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102543723A (zh) * 2012-01-05 2012-07-04 复旦大学 一种栅控二极管半导体器件的制造方法
TWI588718B (zh) * 2012-03-28 2017-06-21 友達光電股份有限公司 觸控面板及其製造方法
US9059219B2 (en) * 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR101389911B1 (ko) * 2012-06-29 2014-04-29 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 및 이를 위한 산화아연계 스퍼터링 타겟
JP6293229B2 (ja) * 2012-10-17 2018-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN116207143A (zh) * 2012-11-30 2023-06-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP2014143410A (ja) * 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US10347769B2 (en) * 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
KR102281568B1 (ko) * 2013-04-15 2021-07-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
TWI631711B (zh) * 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6023657B2 (ja) * 2013-05-21 2016-11-09 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ及びその製造方法
WO2014196107A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び表示装置
US9716134B2 (en) 2014-01-21 2017-07-25 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
US9337247B2 (en) * 2014-01-21 2016-05-10 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
US9882061B2 (en) * 2015-03-17 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN107109639B (zh) * 2015-03-24 2019-09-10 株式会社钟化 带透明电极的基板及带透明电极的基板的制造方法
US11189736B2 (en) * 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9412590B1 (en) 2015-08-31 2016-08-09 United Microelectronics Corp. Manufacturing method of oxide semiconductor device
US10185190B2 (en) * 2016-05-11 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, module, and electronic device
JP6345842B2 (ja) * 2017-05-02 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102482856B1 (ko) * 2017-12-15 2022-12-28 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치
KR102526507B1 (ko) * 2018-07-17 2023-04-26 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 배선 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6834062B2 (ja) * 2018-08-01 2021-02-24 出光興産株式会社 結晶構造化合物、酸化物焼結体、及びスパッタリングターゲット
US20220181460A1 (en) * 2020-12-07 2022-06-09 Intel Corporation Transistor source/drain contacts
EP4020588A1 (en) * 2020-12-28 2022-06-29 IMEC vzw Method for processing a fet device
CN114695394A (zh) * 2022-03-29 2022-07-01 广州华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板

Family Cites Families (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0719890B2 (ja) * 1985-04-26 1995-03-06 日本電気株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
KR100394896B1 (ko) 1995-08-03 2003-11-28 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 투명스위칭소자를포함하는반도체장치
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2003037268A (ja) 2001-07-24 2003-02-07 Minolta Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
TW594348B (en) * 2003-07-04 2004-06-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method of manufacturing TFT in LCD and structure thereof
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
JP4620046B2 (ja) * 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006005116A (ja) 2004-06-17 2006-01-05 Casio Comput Co Ltd 膜形成方法、半導体膜、及び積層絶縁膜
JP2006058680A (ja) 2004-08-20 2006-03-02 Sharp Corp 液晶用マトリクス基板およびその製造方法
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
JP5126729B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-23 キヤノン株式会社 画像表示装置
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7601984B2 (en) 2004-11-10 2009-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide active layer containing microcrystals and gate electrode opposed to active layer through gate insulator
JP5126730B2 (ja) * 2004-11-10 2013-01-23 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタの製造方法
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
KR100953596B1 (ko) 2004-11-10 2010-04-21 캐논 가부시끼가이샤 발광장치
KR100911698B1 (ko) 2004-11-10 2009-08-10 캐논 가부시끼가이샤 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI472037B (zh) 2005-01-28 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
TWI267195B (en) * 2005-06-20 2006-11-21 Au Optronics Corp Switching device for a pixel electrode and methods for fabricating the same
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5078246B2 (ja) * 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101112655B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
KR101206033B1 (ko) * 2006-04-18 2012-11-28 삼성전자주식회사 ZnO 반도체 박막의 제조방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 및 그 제조방법
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR101410926B1 (ko) 2007-02-16 2014-06-24 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100858088B1 (ko) * 2007-02-28 2008-09-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP4727684B2 (ja) 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5466940B2 (ja) 2007-04-05 2014-04-09 出光興産株式会社 電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
CN101681928B (zh) * 2007-05-31 2012-08-29 佳能株式会社 使用氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法
US7682882B2 (en) * 2007-06-20 2010-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing ZnO-based thin film transistor
TWI456663B (zh) * 2007-07-20 2014-10-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置之製造方法
JP2009123957A (ja) 2007-11-15 2009-06-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ
JP5377940B2 (ja) * 2007-12-03 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP5191247B2 (ja) * 2008-02-06 2013-05-08 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5540517B2 (ja) 2008-02-22 2014-07-02 凸版印刷株式会社 画像表示装置
KR100958006B1 (ko) * 2008-06-18 2010-05-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP5510767B2 (ja) * 2008-06-19 2014-06-04 出光興産株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2010021170A (ja) * 2008-07-08 2010-01-28 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
TWI500159B (zh) * 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US9666719B2 (en) 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010056541A (ja) 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI834207B (zh) * 2008-07-31 2024-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
TWI637444B (zh) 2008-08-08 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI500160B (zh) 2008-08-08 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5480554B2 (ja) * 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5525778B2 (ja) 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5537787B2 (ja) * 2008-09-01 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
WO2010047077A1 (ja) 2008-10-23 2010-04-29 出光興産株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US8741702B2 (en) * 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2010047288A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
TWI633605B (zh) * 2008-10-31 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5587592B2 (ja) * 2008-11-07 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5587591B2 (ja) * 2008-11-07 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101980167B1 (ko) * 2008-11-07 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101480840B1 (ko) * 2008-11-11 2015-01-12 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
TWI536577B (zh) 2008-11-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI506795B (zh) 2008-11-28 2015-11-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
KR101609727B1 (ko) * 2008-12-17 2016-04-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8330156B2 (en) 2008-12-26 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with a plurality of oxide clusters over the gate insulating layer
US8436350B2 (en) 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8841661B2 (en) 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8927981B2 (en) 2009-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI476917B (zh) 2009-04-16 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
CN102422426B (zh) * 2009-05-01 2016-06-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
EP2256814B1 (en) * 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101772639B1 (ko) 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011052385A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20180135118A (ko) * 2010-07-02 2018-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012064923A5 (ja) 表示装置
JP2011054951A5 (ja) 半導体装置
JP2010113346A5 (ja)
JP2011035388A5 (ja) 半導体装置
JP2010219511A5 (ja) 半導体装置
JP2010097203A5 (ja)
JP2010098305A5 (ja)
JP2014199406A5 (ja)
JP2010232651A5 (ja) 液晶表示装置
JP2011029635A5 (ja) 半導体装置
JP2010152348A5 (ja)
JP2011071503A5 (ja) 半導体装置
JP2012138590A5 (ja) 表示装置
JP2013048220A5 (ja)
JP2012256838A5 (ja)
JP2014241404A5 (ja)
JP2011086927A5 (ja) 半導体装置
JP2012134520A5 (ja) 表示装置
JP2010206190A5 (ja) 半導体装置
JP2012256063A5 (ja) 表示装置
JP2014199404A5 (ja)
JP2010098304A5 (ja)
JP2011181913A5 (ja) 半導体装置
JP2010156963A5 (ja)
JP2012033908A5 (ja)