JP2012164978A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の絶縁層と、酸化物半導体層と、第２の絶縁層と、導電層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層の上方に設けられ、
   前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、結晶性を有し、前記第１の絶縁層の表面の法線ベクトルに沿うようにｃ軸が配向した領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体層のバンドギャップの値は、前記第２の酸化物半導体層のバンドギャップの値よりも小さく、
   前記第１の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層との界面近傍に、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記トランジスタのゲート絶縁層となる機能を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記第２の酸化物半導体層の上方に設けられ、
   前記導電層は、前記トランジスタのゲート電極となる機能を有し、
   前記導電層は、前記第２の絶縁層を介して、前記第２の酸化物半導体層と重なるように設けられることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の絶縁層は、ＴＤＳ（昇温脱離ガス分光法）分析において、酸素原子に換算した酸素の放出量が１．０×１０ ^１８ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上であることを特徴とする半導体装置。