JP2013042143A5 - - Google Patents
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- インジウムとガリウムと亜鉛とを含む酸化物層と、
インジウムとガリウムと亜鉛とを含み、トランジスタのチャネルが形成される酸化物半導体層と、を有し、
前記トランジスタのソース又はドレインは、前記酸化物層と電気的に接続され、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも抵抗値が低い領域を有することを特徴とする半導体装置。 - インジウムとガリウムと亜鉛とを含む酸化物層と、
インジウムとガリウムと亜鉛とを含み、トランジスタのチャネルが形成される酸化物半導体層と、を有し、
前記トランジスタのソース又はドレインは、前記酸化物層と電気的に接続され、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも水素濃度が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。 - インジウムとガリウムと亜鉛とを含む酸化物層と、
インジウムとガリウムと亜鉛とを含み、トランジスタのチャネルが形成される酸化物半導体層と、を有し、
前記トランジスタのソース又はドレインは、前記酸化物層と電気的に接続され、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも抵抗値が低く、且つ水素濃度が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、非単結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、ナノクリスタルを含む領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項５において、
前記ナノクリスタルは、１ｎｍ〜１０ｎｍのサイズを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層に含まれるナトリウムの濃度は、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
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