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  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の、半導体膜と、
    前記半導体膜上の、ソース電極と、
    前記半導体膜上の、ドレイン電極と、を有し、
    前記半導体膜は、ソース領域を有し、
    前記半導体膜は、ドレイン領域を有し、
    前記ソース電極の上方からみたとき、前記ソース領域の端部は、前記ソース電極の端部の外側にあり、
    前記ドレイン電極の上方からみたとき、前記ドレイン領域の端部は、前記ドレイン電極の端部の外側にあり、
    前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方を部分的に囲む形状を有することを特徴とする表示装置。
  2. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の、半導体膜と、
    前記半導体膜上の、ソース電極と、
    前記半導体膜上の、ドレイン電極と、を有し、
    前記半導体膜は、ソース領域を有し、
    前記半導体膜は、ドレイン領域を有し、
    前記ソース電極の上方からみたとき、前記ソース領域の端部は、前記ソース電極の端部の外側にあり、
    前記ドレイン電極の上方からみたとき、前記ドレイン領域の端部は、前記ドレイン電極の端部の外側にあり、
    前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方を部分的に囲む、U字型の形状を有することを特徴とする表示装置。
  3. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の、半導体膜と、
    前記半導体膜上の、ソース電極と、
    前記半導体膜上の、ドレイン電極と、を有し、
    前記半導体膜は、ソース領域を有し、
    前記半導体膜は、ドレイン領域を有し、
    前記ソース電極の上方からみたとき、前記ソース領域の端部は、前記ソース電極の端部の外側にあり、
    前記ドレイン電極の上方からみたとき、前記ドレイン領域の端部は、前記ドレイン電極の端部の外側にあり、
    前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方を部分的に囲む、C字型の形状を有することを特徴とする表示装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
    前記ソース電極の上方からみたとき、前記ゲート電極の内側に、前記ソース電極があり、
    前記ドレイン電極の上方からみたとき、前記ゲート電極の内側に、前記ドレイン電極があることを特徴とする表示装置。
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