CN100463018C - 有源矩阵衬底、显示装置以及像素缺陷修正方法 - Google Patents

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Abstract

一种有源矩阵衬底，TFT(4)对于一个源电极(6)具有多个漏电极(16a、16b)，该多个漏电极中的至少一个通过漏极引出布线与像素电极(1)电连接，漏极引出布线具有第一导电图形部，其包括漏极引出布线共同部(7d)和从该共同部与多个漏电极的每一个对应地分支出的漏极引出布线分支部(7a、7b)，有源矩阵衬底具有修正用连接电极(9)，其具有隔着绝缘层与第一导电图形部的分支部重叠的部分，并且通过将绝缘层贯通来进行导通而能够与多个分支部电连接，由此构成有源矩阵衬底。因此，即使产生像素缺陷，也能在本像素内进行像素缺陷修正。

Description

有源矩阵衬底、显示装置以及像素缺陷修正方法
技术领域
本发明涉及液晶显示装置、EL(电致发光)显示装置等的显示装置中所使用的有源矩阵衬底。更详细地说，涉及适用于大型液晶电视等具有大型的液晶显示器画面的液晶显示装置中所使用的有源矩阵衬底。
背景技术
有源矩阵衬底被广泛使用在液晶显示装置、EL(ElectroLuminescence：电致发光)显示装置等的有源矩阵型显示装置中。在现有的有源矩阵型液晶显示装置中所使用的有源矩阵衬底中，在衬底上以交叉的方式配置的多条扫描信号线和多条数据信号线的各个交点上设置TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)等开关元件，根据TFT等的开关功能，能够适当地向与TFT等连接的各像素(电极)部传送图像信号。此外，为防止使TFT等截止的期间中的液晶层的自放电或者TFT等的截止电流引起的图像信号的恶化、或者使用于液晶驱动中的各种调制信号的施加路径等，还存在在各像素部上设置有保持电容元件的有源矩阵衬底。
作为现有的有源矩阵型液晶显示装置中所使用的有源矩阵衬底的结构，例如，公知有如下的结构(例如，参照专利文献1)。图18是表示现有技术的有源矩阵型液晶显示装置具有的有源矩阵衬底的一个像素的平面示意图。
如图18所示，在现有的有源矩阵衬底200中，以矩阵状设置多个像素电极51，在该像素电极51的周围，用于供给扫描信号的扫描信号线52和用于供给数据信号的数据信号线53以彼此交叉的方式通过。此外，在这些扫描信号线52和数据信号线53的交叉部上设置TFT54，作为与像素电极51连接的开关元件。在TFT54的栅电极55上连接扫描信号线52，通过输入扫描信号对TFT54进行驱动控制。此外，在TFT54的源电极66a上连接数据信号线53，输入数据信号。并且，在TFT54的漏电极66b上连接漏极布线56，在漏极布线56上连接保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)57，在保持电容上电极57上通过接触孔58连接像素电极51。并且，保持电容(共同)布线59起到保持电容元件的另一电极(保持电容下电极)的作用。
近年来，在大型液晶TV等中使用的液晶显示装置中，以宽视角化为目的，具有多重区域(multi-domain)的垂直取向方式(VA；VerticalAlignment)、所谓的MVA(Multi-domain Vertical Alignment)方式广泛普及(例如，参照专利文献2)。
在这样的MVA方式中，在有源矩阵衬底的像素电极以及对置衬底的对置电极上设置切除图形或者液晶分子的取向控制用突起，利用由此形成的边缘场(Fringe Field)使液晶分子的取向分散为多个方向，由此实现宽视角。图18示出的现有技术的有源矩阵衬底中，通过在有源矩阵衬底的像素电极以及对置衬底的对置电极上设置切除图形或者液晶分子取向控制用突起，也能够实现宽视角化。此外，以防止漏光或者改善施加电压后的初始响应速度为目的，公知的技术为在与像素电极或者对置电极的切除图形(以下称为电极狭缝)对应的位置上埋设电极(例如，参照专利文献3)。
在有源矩阵衬底的制造工艺中，由于异物或者膜残留等，有时会在TFT的源电极和漏电极之间产生短路(leak：泄漏)。这样，对于产生缺陷的像素来说，不能对像素电极施加正常的电压(漏极电压)，在液晶显示装置的显示画面上出现亮点或者黑点等的点缺陷，所以，液晶显示装置的成品率降低。
关于这样的像素缺陷的修复，提出了在各个像素与邻接像素之间预先设置修正连接布线的技术(例如，参照专利文献4)。若这样，在产生像素缺陷的情况下，通过对修正用连接布线进行激光照射等，使产生像素缺陷的像素的像素电极与邻接的像素的像素电极电导通，施加与邻接像素相同电位的电压，由此，能够模拟地对产生像素缺陷的像素进行驱动。
但是，该方法在以下方面存在改善的余地。即，通常(正常工作时)，像素间绝缘，修正用连接布线需要以跨过像素间的方式设置，所以，随着修正用连接布线的面积的增加，开口率降低。此外，在TFT的源电极和漏电极之间有时产生短路(泄漏)，但是，尽可能在本像素内实施修正。因为，对泄漏处进行切断、分离，经由修正用连接布线以邻接像素的TFT驱动缺陷像素时，邻接像素的TFT中驱动的负载超额。与此相对，在所述的像素缺陷的修正方法中，只能进行通过连接邻接像素间的修正，不能在本像素内完成修正。因此，关于救济TFT不良的方法，提出了如下的液晶显示装置的结构(例如，参照专利文献5)：即具有对一个像素并联连接多个TFT的冗余结构。
专利文献1：特开平9-152625号公报(公开日：1997年6月10日)
专利文献2：特开2001-83523号公报(公开日：2001年3月30日)
专利文献3：特开2001-117083号公报(公开日：2001年4月27日)
专利文献4：特开平2-135320号公报(公开日：1990年5月24日)
专利文献5：特开平7-199221号公报(公开日：1995年8月4日)
但是，专利文献5记载的液晶显示装置的结构并联配置TFT(有源元件)，并且，能够对与信号线连接的电极进行切断，所以，存在因该电极的走线引起的开口率的降低和该电极的断线概率变高的问题。从信号线供给的信号是将图像显示在显示装置上必须的结构要素，与信号线连接的电极的断线对于显示装置来说是致命的。
发明内容
本发明的是为解决如上所述的问题而进行的，其目的在于提供一种在本像素内完成修正时也不降低开口率、与信号线连接的电极不容易断线的有源矩阵衬底。
为了解决所述问题，本发明的有源矩阵衬底的特征在于：有源元件至少具有一个以上的源电极和两个以上的漏电极并且具有两个以上的沟道，所述两个以上的漏电极的至少一个通过布线部与像素电极电连接，所述布线部(漏极引出布线)具有第一导电图形部，其包括与像素电极连接的共同部(漏极引出布线共同部)以及从该共同部与所述两个以上的漏电极的每一个对应地分支出的分支部(漏极引出布线分支部)，有源矩阵衬底还设有第二导电图形部(修正用连接电极)，其具有隔着绝缘层与所述第一导电图形部的分支部重叠的部分，并且通过将所述绝缘层贯通来进行导通而能够与所述多个分支部电连接。
按照此结构，不需要如专利文献5的图1那样并联配置有源元件。因此，不需要与信号线连接的电极(本说明书中相当于源电极)的走线，能够抑制因该源电极的开口率的降低，并且，能够形成源电极断线概率较低的、能够在本像素内进行修正的修正图形。这样的有源元件的布线结构能够与在有源元件上连接2条以上的所述分支部(漏极引出布线分支部)的方式很好地组合。
在这样的结构中，能够防止因设置多个有源元件引起的开口率的降低，并且，能够进一步充分发挥本发明的作用效果。即，有源元件具有2个以上的漏电极，这与有源元件具有与漏极相同数目以上的沟道的情况相同。因此，按照本实施方式，即使在某个沟道中产生短路等的缺陷，也能够通过利用相同的有源元件内的其它的正常沟道谋求对缺陷像素的修正。
具体地说，例如，在某个沟道中产生源电极与漏电极的泄漏(短路)时，将与该沟道连接的分支部(漏极引出布线分支部)从漏电极断开，并且，将断开的分支部(漏极引出布线分支部)通过修正用连接电极连接(漏极/漏极连接)到与正常的沟道连接的分支部(漏极引出布线分支部)上，由此，能够对所有的分支部(漏极引出布线分支部)施加大致相同的漏极电位。并且，如上所述，能够设置多个分支部(漏极引出布线分支部)，所以，能够使向像素电极供给电位的路径冗余。
此外，在本发明的有源矩阵衬底中，优选相对一个所述源电极具有多个所述漏电极。即，有源元件对于一个源电极具有多个漏电极，该多个漏电极中的至少一个通过布线部与像素电极电连接，所述布线部(漏极引出布线)具有第一导电图形部(第一导电层)，其包括共同部(漏极引出布线共同部)和分别对应于所述多个漏电极从该共同部分支出的分支部；设有第二导电图形部(第二导电层、修正用连接电极)，其具有隔着绝缘层与所述第一导电图形部的分支部重叠的部分，通过将所述绝缘层贯通来进行导通而能够与多个所述分支部电连接。
如专利文献5的液晶显示装置所示，通过并联配置多个TFT(有源元件)而具有冗余性的结构中，TFT的源电极与扫描信号线之间的寄生电容增加。因此，如近年来，若信号写入频率变高，与源电极连接的数据信号线的电容负荷增加，则导致显示质量(特别是动态显示)降低。并且，存在电力消耗增加的问题。
与此相对，通过对于一个所述源电极具有多个漏电极的结构，不需要与信号线连接的电极的走线，能够抑制因该源电极的开口率的降低，并且，能够形成源电极断线概率低并可在本像素内修正的修正图形，除了这样的效果外，还具有能够实现与高速显示的对应以及抑制电力消耗的效果。
此外，在本发明的有源矩阵衬底中，也可以是与如上所述相反的对于所述一个漏电极具有多个所述源电极的结构。
按照该结构，对于一个漏电极配置有多个源电极的结构与对于一个所述源电极配置多个漏电极的结构相比，能够减少沟道数目相同时的漏电极的数目。因此，能够抑制有源元件的源电极与漏电极之间的寄生电容(Cgd)的像素电位的引入，所以能够降低像素电极达到所希望的有效电压用的源极电压，进而能够抑制电力消耗。
并且，从防止开口率降低的观点看，优选对于一个驱动区域设置一个有源元件。并且，此处，驱动区域相当于像素或者副像素，以后对副像素进行说明。
优选有源矩阵衬底的特征在于，使所述有源元件的栅电极用导电层至少从一个导电层电分离，形成所述第二导电图形部(修正用连接电极)。
按照本结构，第二导电图形部(修正用连接电极)与薄膜晶体管的栅电极能够使用同一导电材料，所以，能够简化、缩短步骤并且能够降低制造成本。
所述第二导电图形部(修正用连接电极)优选为以将保持电容布线用导电层从至少一个导电层电隔离的方式形成。
按照本结构，上述第二导电图形部(修正用连接电极)与保持电容布线用导电层能够使用同一导电材料，所以，能够简化、缩短步骤并且能够降低制造成本。
在本发明的有源矩阵衬底中，也能够作成为对于一个有源元件设置多个所述第二导电图形的结构。
在只有一个第二导电图形部(修正用连接电极)的结构中，若分支部(漏极引出布线分支部)或者第二导电图形部本身断线，不能进行缺陷像素的修正。但是，这样通过对一个有源元件设置多个第二导电图形部，例如在分支部或者第二导电图形部本身断线时，也能够对缺陷像素进行修正。
此时，作为对一个有源元件设置3个以上的漏电极、并也设置3个以上漏极布线分支部的结构的优选方式，作为多个第二导电图形部，具有包括设置为能够与所有所述分支部电连接的第二导电图形A部和设置为能够与2个以上的所述分支部电连接的第二导电图形B部的结构。
这样，在设置3个以上分支部的结构中，包括设置成能够与2个以上的分支部电连接的第二导电图形B部，由此，保持一定的冗余效果，同时与将所设置的多个第二导电图形部的全部作成能够与所有分支部电连接的第二导电图形A部的结构的情况相比，能够提高开口率。
此外，优选为在设置第二导电图形B部的情况下，具有与第一导电图形部的线长最长的分支部重叠的部分，该线长最长的分支部能够与其它的分支部电连接。
因为布线的线长越长越容易断线，所以，第一导电图形部中的2个以上某个分支部中线长最长的分支部的断线概率较高。这样，以线长最长的分支部能够与其它分支部电连接的方式设置第二导电图形B部，由此，能够提高缺陷像素的修正概率。
所述有源矩阵衬底优选为，像素由多个副像素构成，对该多个副像素的各个有源元件具有所述修正用连接电极。
“像素由多个副像素构成”的意思是指具有像素被分割为2个以上的副像素并且副像素电极被分别驱动的所谓的多像素结构。
由这样的2个以上的副像素构成像素的方式是在对缺陷像素进行修正的结构中有利的方式。在大画面、低分辨率的显示装置中，有源元件的某个沟道泄漏成为像素缺陷的情况下，欲用其它正常的沟道对像素进行正常驱动，但是，因为像素较大，像素电容较大，若完全在本像素内对像素进行修正，需要使有源元件较大，由于开口率降低或者有源元件的寄生电容增加而对显示质量产生影响。
按照本结构，例如，在37英寸960×540位的显示装置的情况下，1个像素尺寸为284μm×854μm，但是，若由2个副像素构成，1个像素尺寸为其1/2，能够抑制像素电容，所以，能够在显示质量不会过于降低的情况下进行本像素内修正。
此外，在应用所述多像素结构的情况下，优选所述副像素中至少2个的亮度彼此不同。按照该方式，1个像素内存在较亮的副像素以及较暗的副像素这二者，所以，能够通过面积灰度(area gradation)表现中间色调(middle tone)，适于改善液晶显示器画面的倾斜视角中的白浮(brightness)。
并且，在应用所述多像素结构的情况下，本发明的有源矩阵衬底设置2个以上施加有彼此为相反相位的信号电压的保持电容下电极，所述2个以上保持电容下电极优选具有隔着绝缘层与分别对应于不同的副像素的保持电容上电极重叠的结构。这样的方式适用于形成较亮的副像素以及较暗的副像素的情况。
并且，施加给2个以上的保持电容下电极的彼此相反相位的信号电压的意思是指在像素分割结构的像素中为了操作面积灰度所使用的Cs波形电压，存在栅极信号截止后、进行电容耦合时对于从源极供给的漏极信号电压(Vs)的上升有贡献的Cs波形电压(Cs极性为+)和对于Vs的下降有贡献的Cs波形电压(Cs极性为-)这两种。
在这样的像素分割法(面积灰度技术)中，通过Cs波形电压、Cs电容以及液晶电容的电容耦合，按每个副像素来改变对像素的有效电压，形成明、暗的副像素，能够对这些实现多驱动。在特开2004-62146号公报等中详细地公开了这样的像素分割法(面积灰度技术)。
并且，作为像素分割结构，例如有较亮的副像素的面积与较暗的副像素的面积相等的1:1像素分割结构或者较亮的副像素的面积是较暗的副像素的面积的1/3的1:3像素分割结构等。其中，1:3像素分割结构应对(改善视角)液晶显示器画面的倾斜视角中的白浮特别有效。
通过这样设置较亮的副像素和较暗的副像素，在较暗的副像素的有源元件中因沟道泄漏产生缺陷(副)像素时，与较亮的副像素相比不容易作为缺陷，所以，只在较亮的像素中设置所述修正用连接电极进行缺陷像素修正，由此，能够减少像素缺陷修正工序，并且能抑制因所述修正用连接电极的开口率的降低。
优选所述第二导电图形部(修正用连接电极)具有隔着绝缘层与第一导电层的分支部(漏极引出布线分支部)重叠的部分的区域面积为25μm2以上。
由此，在用钇铝石榴石(YAG)激光器等对绝缘膜进行熔融加工时，能够确保充分的激光照射区域，能够提高所述第二导电图形部(修正用连接电极)与分支部(漏极引出布线分支部)的导通的可靠性。此外，在考虑到光刻工序中的对准偏差引起的重叠部分的区域面积的变动、照射激光时YAG激光器的照射光束直径的宽度、照射激光后的第二导电图形部(膜)或者分支部的熔融处成为锥形的膜形状的情况下，优选使所重叠的区域面积某种程度地增大，具体地说，所重叠部分区域的面积优选为400μm2以上。
所述第二导电图形部(修正用连接电极)优选由包含Al、Cr、Ta、Ti、W、Mo以及Cu中的至少一种的材料形成。由此，所述第二导电图形部以包括这些高熔点金属的材料形成，所以，在以YAG激光器等进行熔融加工时，与ITO等透明导电膜相比较，能够容易且可靠地对第二导电图形部和各种电极或者各种布线进行导通。
所述第二导电图形部(修正用连接电极)优选具有与液晶分子的取向控制用突起或者电极狭缝重叠的部分。形成在液晶显示装置的对置电极或者有源矩阵衬底上的液晶分子的取向控制用突起或者电极狭缝的形成区域通常是不作为透射区域(开口部)起作用的区域，所以，以与该区域重叠的方式配置所述第二导电图形部，由此，能够通过设置第二导电图形部来防止开口率的降低。
因此，如上所述的“与液晶分子的取向控制用突起或者电极狭缝重叠”，可以是从衬底(液晶面板)面垂直方向观察时与液晶分子的取向控制用突起或者电极狭缝重复的结构，除了液晶分子的取向控制用突起或者电极狭缝设置在本发明的有源矩阵衬底上的情况外，也可以是设置在与本发明的有源矩阵衬底相向的对置衬底上的情况。这样结构的有源矩阵衬底能够适用于MVA方式的液晶显示装置的液晶面板用衬底。
作为本发明的有源矩阵衬底的优选方式，有在形成有取向控制用突起或者电极狭缝的区域(非透射区域)内配置所述修正用连接电极的整体的方式。取向控制用突起例如由感光性树脂等形成。作为取向控制用突起以及电极狭缝的(从衬底面垂直方向观察时的)平面形状，有以固定周期弯曲成锯齿形的带状等形状。
并且，在电极狭缝的下方从保持电容布线延伸而形成所述修正用连接电极，由此，能够提高电极狭缝引起的边缘场效应。
此外，在本发明的有源矩阵衬底中，优选所述像素电极具有像素电极材料被除去后的去除部，该去除部具有与所述分支部重叠的部分。
对缺陷像素进行修正时，切断分支部使其从漏电极上断开，或者进一步将所断开的分支部通过第二导电图形部电连接到与正常沟道连接的分支部上。但是，切断分支部时或者使分支部与第二导电图形部导通时，位于分支部上层的像素电极和与源极/漏极之间产生泄漏(SD泄漏)的沟道连接的分支部有时会泄漏。
与此相对，如上所述，在像素电极上设置所述分支部与除去了电极材料后的去除部重叠的部分，在该部分，通过切断分支部或者使分支部与第二导电图形部导通，能够防止像素电极和与SD泄漏沟道连接的分支部的泄漏的产生。
更具体地说，通过与第二导电图形部的配置位置对应地设置像素电极的去除部，能够防止使分支部与第二导电图形部导通时所产生的像素电极和与SD泄漏沟道连接的分支部的泄漏的产生。
此外，通过对应于切断分支部时的切断位置设置像素电极的去除部，由此，能够防止在切断分支部时产生的像素电极和与所述源极/漏极间产生泄漏的沟道连接的分支部的泄漏。
并且，作为进一步优选的方式，对应于第二导电图形部的配置位置以及切断分支部时的切断位置设置去除部，由此，能够进一步有效防止像素电极和与SD泄漏沟道连接的分支部的泄漏的产生。
此外，也能够将像素电极的去除部作为形成在像素电极上的液晶分子的取向控制用电极狭缝的一部分。如上所述，在液晶显示装置中，形成有取向控制用电极狭缝的区域是通常不作为透射区域(开口部)起作用的区域。因此，通过将这样的取向控制用电极狭缝用作去除部，能够通过设置去除部防止开口率下降。
此外，在像素电极上设置这样的去除部的结构中，优选作成具有对去除部进行遮光的遮光膜的结构。由此，能够由去除部对液晶分子的取向混乱的部分进行遮光，能够进行良好的显示。
并且，不限于有源矩阵衬底自身具有遮光膜的结构，作为显示装置，只要是从衬底(液晶面板)面垂直方向观察时对去除部进行遮光即可，也可以是设置在与本发明的有源矩阵衬底对置的对置衬底上的情况。
接着，对构成本发明的有源矩阵衬底的各结构部件进行说明。作为上述衬底的材质，可举出玻璃、塑料等透明绝缘材料等。作为所述信号线(扫描信号线、数据信号线)、栅电极、修正用连接电极以及漏极引出布线的材质，可举出钛(Ti)、铬(Cr)、铝(Al)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)等金属膜、它们的合金膜、或者它们的层叠膜等。作为信号线、栅电极、修正用连接电极以及漏极引出布线的形成方法，可举出以溅射法等对所述材料进行成膜之后以光刻法等形成图形的方法等。
作为所述源电极以及漏电极的材质，可举出掺杂有磷等的n+非晶硅等。作为形成源电极以及漏电极的方法，可举出由等离子体CVD法等对所述材料进行成膜后通过干法刻蚀法等进行源极、漏极分离来形成的方法等。
并且，为了缩短制造工序以及降低制造成本，优选在同一工序分别以同一材料形成扫描信号线和栅电极以及修正用连接电极、数据信号线与漏极引出布线、以及源电极和漏电极。信号线、栅电极以及修正用连接电极的厚度并不特别限定，但是，优选下限大致为
Figure C200680001163D00161
上限大致为
Figure C200680001163D00162
源电极以及漏电极的厚度优选为
Figure C200680001163D00163
左右。
作为所述像素电极的材质，可举出ITO、IZO、氧化锡、氧化锌等透明的导电材料等。作为形成像素电极的方法，可举出以溅射法等对所述材料进行成膜后以光刻法等形成图形的方法等。作为像素电极的形状，可举出矩形等。像素电极的厚度并不特别限定，但是，优选下限大致为
Figure C200680001163D00164
上限大致为
Figure C200680001163D00165
优选像素电极和漏电极或者布线部(漏极引出布线)通过形成在层间绝缘膜上的接触孔等进行连接。
作为本发明的有源矩阵衬底的优选方式，例如可举出从下层开始以(1)衬底、(2)扫描信号线、栅电极、辅助电容布线以及第二导电图形部(修正用连接电极)、(3)(栅极)绝缘膜、(4)高电阻半导体层、(5)源电极以及漏电极、(6)数据信号线以及布线部(漏极引出布线)、(7)层间绝缘膜(包括接触孔)、(8)像素电极的顺序进行层叠的方式等。
此外，按照具有所述有源矩阵衬底而构成的本发明的显示装置，在产生像素缺陷时，能够容易且可靠地进行其修正，所以，能够充分降低像素缺陷而得到较高的显示质量，能够以较高的成品率进行制造。这样的本发明的显示装置能够很好地适用于特别地要求抑制点缺陷的产生的大型液晶TV等。
作为应用本发明的液晶显示装置的优选方式，可举出液晶分子的取向控制用突起或者电极狭缝设置在有源矩阵衬底以及/或者对置衬底上的方式等。在这样的方式中，能够实现宽视角化。
本发明是一种有源矩阵衬底的像素缺陷修正方法，在该有源矩阵衬底中，有源元件至少具有一个以上的源电极和两个以上的漏电极并且具有两个以上的沟道，所述两个以上的漏电极的至少一个通过布线部与像素电极电连接，所述布线部具有第一导电图形，其包括与像素电极连接的共同部(漏极引出布线共同部)以及从该共同部与所述两个以上的漏电极的每一个对应地分支出的分支部(漏极引出布线分支部)，上述有源矩阵衬底还设有第二导电图形部(修正用连接电极)，其具有隔着绝缘层与所述第一导电图形部的分支部重叠的部分，并且通过将所述绝缘层贯通来进行导通而能够与所述多个分支部电连接，其特征在于，对于存在像素缺陷的像素，在所述第二导电图形部重叠的部分和所述共同部之间切断所述多个分支部中的至少一个。
按照该有源矩阵衬底的像素缺陷修正方法，例如，通过对与有源元件的多个沟道中成为产生像素缺陷的原因的泄漏的沟道对应的分支部(漏极引出布线分支部)进行切断，能够对像素缺陷进行修正。并且，即使在分支部(漏极引出布线分支部)和数据信号线之间产生短路(泄漏)等缺陷的情况下，通过切断泄漏的分支部来电分离，由此能够对像素缺陷进行修正。
特别是，能够适用于通过图形外观检查等指定泄漏处的情况。
并且，本发明的像素缺陷修正方法的特征在于：若通过切断所述分支部(漏极引出布线分支部)未能对像素缺陷进行修正，贯通所述绝缘层使所述第二导电图形部(修正用连接电极)导通来电连接所述被切断的分支部和其它的分支部，以使从所述被切断的分支部的切断处电连接漏电极侧和所述共同部，并且切断所述被切断的分支部以外的其它分支部中的至少一个。
按照该有源矩阵衬底的像素缺陷修正方法，欲切断与有源元件的多个沟道中成为产生像素缺陷的原因的泄漏的沟道对应的所述分支部(漏极引出布线分支部)，但是，在不能够通过图形外观检查等指定泄漏的沟道的情况下能有效地对像素缺陷进行修正。例如，通过电检查等确认是否通过切断所述分支部(漏极引出布线分支部)来修正像素缺陷，若没有对像素缺陷进行修正，则可通过所述修正方法对像素缺陷进行修正。
此外，所述像素缺陷修正方法优选为，为了以贯通所述绝缘层来使所述第二导电图形部(修正用连接电极)导通，对所述第二导电图形部与所述分支部(漏极引出布线分支部)重叠的区域进行激光照射，使所述第二导电图形部或者所述分支部的至少一个熔融。通过以这样的方法熔融，能够容易且可靠地使所述第二导电图形部与所述分支部导通。
熔融中所使用的激光并不特别限定，但是，例如，可举出YAG(Yttrium Aluminum Garnet：钇铝石榴石)激光器的第二高次谐波(波长为532nm)等。
本发明是一种有源矩阵衬底的制造方法，在该有源矩阵衬底中，有源元件至少具有一个以上的源电极和两个以上的漏电极并且具有两个以上的沟道，所述两个以上的漏电极的至少一个通过布线部与像素电极电连接，所述布线部(漏极引出布线)具有第一导电图形，其包括与像素电极连接的共同部(漏极引出布线共同部)以及从该共同部与所述两个以上的漏电极的每一个对应地分支出的分支部(漏极引出布线分支部)，上述有源矩阵衬底还设有第二导电图形部(修正用连接电极)，其具有隔着绝缘层与所述第一导电图形部的分支部重叠的部分，并且通过将所述绝缘层贯通来进行导通而能够与所述多个分支部电连接，其特征在于，对于存在像素缺陷的像素，在所述第二导电图形部重叠的部分和所述共同部之间切断所述多个分支部中的至少一个，进行像素缺陷的修正。
按照本发明的有源矩阵衬底的制造方法，可制造能够充分抑制像素缺陷的有源矩阵衬底。
优选将保持电容布线用导电层从至少一个导电层上电分离，从而形成所述第二导电图形部(修正用连接电极)。
由此，所述第二导电图形部(修正用连接电极)和保持电容布线用导电层使用相同的导电材料，所以，能够简化、缩短工序并且能够降低制造成本。
此外，在未产生像素缺陷的正常像素中，跟原来一样，将保持电容布线的延伸部作为保持电容元件的一部分，或者，实际应用于边缘场效应的提高。作为破坏分离保持电容布线的延伸部的一部分或者全部的方法，优选激光照射等，作为所使用的激光器，可举出YAG激光器等第四高次谐波(波长为266nm)等。
此外，按照使用所述像素缺陷修正方法的本发明的有源矩阵衬底的制造方法，能够制造可充分抑制像素缺陷的有源矩阵衬底。
此外，按照使用所述像素缺陷修正方法或者有源矩阵衬底的制造方法的本发明的显示装置的制造方法，能够制造可充分抑制像素缺陷的、具有较高显示质量的显示装置，能够以较高的成品率进行制造。
本发明的其它目的、特征以及优点由以下所示的记载充分得知。此外，本发明的优势能够通过参照附图的如下说明可知。
附图说明
图1是表示实施方式1的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图2是表示实施方式1的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图3是表示实施方式1的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图4是图1所示的有源矩阵衬底的A1-A2横剖面视图。
图5是图1所示的有源矩阵衬底的B1-B2横剖面视图。
图6是实施方式1的显示装置的结构图。
图7是实施方式1的电视图像接收机的结构图。
图8是表示实施方式2的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图9是表示实施方式2的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图10是表示实施方式2的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图11是表示实施方式3的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图12是表示实施方式3的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图13是表示实施方式3的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图14是表示实施方式3的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图15是表示实施方式4的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图16是表示实施方式4的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图17是表示实施方式4的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图18是表示现有技术的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图19是表示实施方式5的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图20是表示实施方式5的另一有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图21是表示图19所示的有源矩阵衬底中的像素修正例的一个像素的平面示意图。
图22是表示图19所示的有源矩阵衬底的另一像素修正例的一个像素的平面示意图。
图23是表示实施方式5的又另一有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图24是表示实施方式5的又另一有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图25是表示实施方式6的有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图26是表示实施方式6的另一有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图27是表示实施方式6的又另一有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图28是表示实施方式6的又另一有源矩阵衬底的一个像素的结构的平面示意图。
图29是实施方式6的又另一有源矩阵衬底中，与所重叠的对置衬底侧的要部一起示出其一个像素的结构的平面示意图。
图30是表示实施方式7的有源矩阵衬底的一个像素结构的平面示意图。
具体实施方式
以下，揭示具体实施方式，并参照附图对本发明进行详细说明，但本发明并不只限于这些实施方式。
实施方式1
以下，基于图1至图7对本发明的实施方式1进行说明。从图1至图3是表示实施方式1的有源矩阵衬底100的一个像素的结构的平面示意图。并且，图1表示未实施像素缺陷修正的像素的结构、图2、3表示对像素缺陷进行修正后的像素的结构。此外，图4表示图1的A1-A2剖面结构、图5表示图1的B1-B2剖面结构。图6示出使用本实施方式的有源矩阵衬底的显示装置的结构、图7示出使用图6的显示装置的电视图像接收机的结构。
如图1至图3所示，在有源矩阵衬底100上以矩阵形设置多个像素电极1，通过这些像素电极1的周围，以相互交叉的方式设置供给扫描信号用的各扫描信号线2、供给数据信号用的各数据信号线3。在这些扫描信号线2与数据信号线3的交叉部分设置作为有源元件(开关元件)的TFT4。
作为有源元件的TFT4具有与扫描线2连接的栅电极5、与数据信号线3连接的源电极6、漏电极16a、16b。并且，漏电极16a、16b与由构成布线部的导电层构成的作为第一导电图形部的漏极引出布线7a、7b、7d连接。该漏极引出布线具有作为共同部的漏极引出布线共同部7d和分别对应于漏电极16a、16b分支出来的作为分支部的漏极引出布线分支部7a、7b。
漏极引出布线共同部7d通过接触孔8与像素电极1连接。并且，在本实施方式中，设置作为第二导电图形部的修正用连接电极9，其分别具有150μm2的隔着绝缘层与漏极引出布线分支部7a、7b重叠的部分，并由通过贯通绝缘层进行导通、可与这些分支部7a、7b的任意一个均电连接的导电层构成。
此处，图1示出的是漏电极16a侧以及漏电极16b侧的任意一侧均不存在缺陷的像素，未实施像素缺陷修正。因此，在图1所示的像素中，修正用连接电极9不作为漏电极16a、16b与像素电极1之间的布线部起作用。
另外，TFT4由输入到栅电极5中的扫描信号驱动控制，对源电极6输入数字信号，由此，对像素电极1施加所希望的电压。
接着，使用图1、4、5对本实施方式的剖面结构以及制造方法的基础部分进行说明。图4是图1所示的有源矩阵衬底的A1-A2剖面示意图。图5是图1的B1-B2剖面示意图。如图4、5所示，在本实施方式中，在玻璃、塑料等的透明绝缘衬底10上，设置与扫描信号线2连接的栅电极5。以溅射法等方法以
Figure C200680001163D00221
的膜厚对钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜进行成膜，以光刻法等将其构图形成为所需形状，由此形成扫描信号线2、栅电极5。此外，在与形成扫描信号线2、栅电极5相同的工序中，形成修正用连接电极9。这样，通过在相同工序中形成，能够缩短制造工序并降低制造成本。修正用连接电极9以与后续工序中形成在上层的漏极引出布线分支部7a、7b重叠的方式形成。
并且，在本实施方式中，覆盖扫描信号线2、栅电极5以及修正用连接电极9的上方设置栅极绝缘膜11。栅极绝缘膜11由氮化硅或者氧化硅等绝缘膜形成。在其上以与栅电极5重叠的方式设置由非晶硅或者多晶硅等构成的高电阻半导体层12，并且，设置作为源电极6以及漏电极16a、16b的、由掺杂有磷等杂质的n+非晶硅等构成的低电阻半导体层作为欧姆接触层。这些氮化硅或者氧化硅等栅极绝缘膜11、非晶硅等高电阻半导体层12、n+非晶硅等低电阻半导体层6、16a、16b分别通过等离子体CVD(化学气相沉积)法等成膜，通过光刻法等进行构图形成。膜厚例如，作为栅极绝缘膜11的氮化硅膜为
Figure C200680001163D00222
左右、作为高电阻半导体层12的非晶硅膜为
Figure C200680001163D00231
左右、作为低电阻半导体层6、16a、16b的n+非晶硅膜为左右。
数据信号线3、漏极引出线布线分支部7a、7b以及漏极引出布线共同部7d由同一工序形成。以溅射法等方法以
Figure C200680001163D00233
的膜厚对钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜进行成膜，以光刻法等将其构图形成为所需形状，由此形成数据信号线3、漏极引出布线分支部7a、7b以及漏极引出布线共同部7d。以数据信号线3以及漏极引出布线分支部7a、7b的图形为掩模，通过干法刻蚀对非晶硅膜等高电阻半导体层12、n+非晶硅膜等低电阻半导体层6、16a、16b进行沟道刻蚀，由此形成TFT。
在本实施方式中，设置感光性丙稀树脂等树脂膜或者氮化硅、氧化硅等无机绝缘膜或者它们的层叠膜等，作为层间绝缘膜13。作为层叠膜，例如，能够使用通过等离子体CVD法等成膜的
Figure C200680001163D00234
左右膜厚的氮化硅膜和通过涂敷(die coating)法形成在该氮化硅膜上的
Figure C200680001163D00235
膜厚的感光性丙稀树脂膜的层叠膜等。
在本实施方式中，贯通以覆盖TFT、扫描信号线2、数据信号线3、漏极引出布线分支部7a、7b、漏极引出布线共同部7d的上部的方式形成的层间绝缘膜13来形成接触孔。例如，通过光刻法(曝光以及显影)对感光性丙稀树脂进行构图来形成接触孔。
在本实施方式中，像素电极1形成在层间绝缘膜13的上层上，通过溅射法等以
Figure C200680001163D00236
左右的膜厚对例如ITO、IZO、氧化锌、氧化锡等具有透明性的导电膜进行成膜，以光刻法等将其构图形成为所需形状，从而形成像素电极1。
接着，对本实施方式中的像素缺陷修正进行说明。图2所示的是源电极6-漏电极16a之间的膜残留缺陷99引起的泄漏等的漏电极16a侧存在缺陷的像素中实施像素缺陷修正的情况。作为该像素缺陷修正，是在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a。
若在切断分支部之前通过外观检查等判断漏电极16a侧或者漏电极16b侧的任意一侧是否存在缺陷，就能够进行这样的像素缺陷修正。而且，通过电检查等判断为在漏电极16a侧或者漏电极16b侧的至少任意一侧存在缺陷的情况下，切断一个分支部后再次进行电检查等，若像素缺陷被消除，则成为如图2所示的像素缺陷修正后的像素。并且，详细情况使用图3进行后述，但是，此处，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a，所以在切断分支部前未指定缺陷处，而漏电极16a侧不存在缺陷的情况下，能够使用修正用连接电极9容易地使分支部7a与共同部7d恢复导通。
如图2所示，漏电极16a被电遮断，漏电极16b通过漏极引出布线分支部7b与漏极引出布线共同部7d电连接，并且，漏极引出布线共同部7d通过接触孔8与像素电极1连接。并且，在图2所示的像素中，修正用连接电极9不作为漏电极16b与像素电极1之间的布线部起作用。
图3示出的是由于源电极6-漏电极16b之间的膜残留缺陷99引起的泄漏等的漏电极16b侧存在缺陷的像素中实施像素缺陷修正的情况。在该像素缺陷修正中，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a，在修正用连接电极9重叠的部分和漏电极16b之间的97b处切断漏极引出布线分支部7b，对于漏极引出布线分支部7a、7b的任意一个，均在96a处贯通介于中间的绝缘层使其导通并与修正用连接电极9电连接。
在以外观检查不能指定缺陷处，通过电检查等判断为漏电极16a侧或者漏电极16b侧的至少任意一侧存在缺陷时，切断一个分支部后再次进行电检查等之后的结果是未消除像素缺陷的情况下，实施这样的像素缺陷修正。在此情况下，因为有可能在已切断一侧的漏电极侧不存在缺陷，所以对已切断一侧的分支部使用修正用连接电极恢复与共同部的导通，切断其它的分支部。
如图3所示，漏电极16b被电遮断，漏电极16a以经由迂回路径95的方式通过漏极引出布线分支部7a、修正用连接电极9以及漏极引出布线分支部7b与漏极引出布线共同部7d电连接。并且，漏极引出布线共同部7d通过接触孔8与像素电极1连接。
在本实施方式中，为了进行漏极引出布线分支部的分离，从衬底的表面或者背面对切断处97a、97b通过照射激光来进行破坏分离。作为所使用的激光波长，例如有YAG激光器的第四高次谐波(波长266nm)。另外，为了进行漏极引出布线分支部与修正用连接电极的导通，从衬底的表面或者背面对导通处96a照射激光。作为所使用的激光波长，例如有YAG激光器的第二高次谐波(波长532nm)。
并且，在本实施方式中，如图1～图3所示，修正用连接电极9的图形形状为四角形(四边形)，但是，作为修正用连接电极9的图形形状不限于此，也可以是三角形、半圆形、梯形等形状。即，优选为修正用连接电极9的一部分隔着栅极绝缘膜以与漏极引出布线分支部7a、7b的图形重叠的方式设置，并且，以至少确保激光照射用的区域的方式来构成，例如，可以构成如图3中以95表示的迂回路径。另外，修正用连接电极和漏极引出布线分支部的重叠部分的配置位置也并不特别限定。
本实施方式的像素缺陷修正，至少是在形成像素电极之后进行修正，例如，在应用于液晶显示装置中的情况下，为了可靠地电断开泄漏的沟道、并形成迂回路径，在形成能够确认面板点亮的液晶层之后进行修正为好。形成液晶层之后是指，贴合有源矩阵衬底和滤色片衬底，注入、密封液晶，成为面板状态。但是，并不限于此，在本实施方式中，也可以在形成漏极引出布线7a、7b、7d之后，在沟道刻蚀后进行修正。
另外，图6表示液晶显示装置的电路框图。在图6中，500是Y/C分离电路、501是视频色度电路、502是A/D转换器、503是液晶控制器、504是液晶面板、505是背光源驱动电路、506是背光源、507是微型计算机、508是灰度电路。液晶面板使用本实施方式的有源矩阵衬底来构成。
将电视信号的输入图像信号输入到Y/C分离电路500中，分离为亮度信号和色信号。亮度信号和色信号在视频色度电路501中变换为光的3原色R、G、B，并且，通过A/D转换器502将该模拟RGB信号转换为数字RGB信号，并将其输入到液晶控制器503中。
在液晶面板504中，以规定的定时输入来自液晶控制器503的RGB信号，并且，供给来自灰度电路508的RGB各自的灰度电压，从而显示图像。包括这些处理，微型计算机507进行整个系统的控制。
另外，能够根据基于电视广播的图像信号、由照相机所拍摄的图像信号、通过互联网线路供给的图像信号等各种图像信号进行显示。
并且，在图7所示的调谐器部600中接收电视广播并输出图像信号，在显示装置601中基于从调谐器部600输出的图像信号显示影像(图像)。并且，作为显示装置，可应用图6所示的液晶显示装置，但是，也可应用有机EL显示装置等其它显示装置。此外，在本实施方式中所示的显示装置以及电视图像接收机也可应用以下的实施方式2到4中记载的有源矩阵衬底。
实施方式2
以下，基于图8至图10对本发明的实施方式2进行说明。从图8至图10是表示实施方式2的有源矩阵衬底100的一个像素的结构的平面示意图。并且，图8表示未实施像素缺陷修正的像素的结构、图9、10表示对像素缺陷进行修正后的像素的结构。
如图8至图10所示，在有源矩阵衬底100上以矩阵形状设置多个像素电极1，通过这些像素电极1的周围，以相互交叉的方式设置供给扫描信号用的各扫描信号线2、供给数据信号用的各数据信号线3。在这些扫描信号线2与数据信号线3的交叉部分设置作为有源元件(开关元件)的TFT4。
作为有源元件的TFT4具有与扫描线2连接的栅电极5、与数据信号线3连接的源电极6、漏电极16a、16b。并且，漏电极16a、16b与由构成布线部的导电层构成的作为第一导电图形部的漏极引出布线7a、7b、7d连接。该漏极引出布线具有漏极引出布线共同部7d和分别对应于漏电极16a、16b分支出来的漏极引出布线分支部7a、7b。
像素电极1通过保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)21以及接触孔8与漏极引出布线共同部7d连接。保持电容布线22作为该保持电容元件的另一个电极(保持电容下电极)起作用。并且，在本实施方式中，设置修正用连接电极9，其分别具有150μm2的隔着绝缘层与漏极引出布线分支部7a、7b重叠的部分，并由通过贯通绝缘层进行导通、可与这些分支部7a、7b的任意一个均电连接的导电层构成。
此处，图8示出的是漏电极16a侧以及漏电极16b侧的任意一侧均不存在缺陷的像素，未实施像素缺陷修正。因此，在图8所示的像素中，修正用连接电极9不作为漏电极16a、16b与像素电极1之间的布线部起作用。
另外，对于构成本实施方式的有源矩阵衬底的剖面的部件，由于与上述实施方式1的说明重复，因此为了说明上的方便而将其省略。
图9所示的是由于源电极6-漏电极16a之间的膜残留缺陷99引起的泄漏等的漏电极16a侧存在缺陷的像素中实施像素缺陷修正的情况。在该像素缺陷修正中，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a。
若在切断分支部之前通过外观检查等判断漏电极16a侧或者漏电极16b侧的任意一侧是否存在缺陷，则可进行这样的像素缺陷修正。并且，通过电检查等判断为漏电极16a侧或者漏电极16b侧的至少任意一侧存在缺陷时，切断一个分支部后再次进行电检查等，若消除了像素缺陷，成为如图9所示的像素缺陷修正后的像素。并且，详细情况使用图10进行后述，但是，此处，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a，所以在切断分支部前未指定缺陷处，而漏电极16a侧不存在缺陷的情况下，能够使用修正用连接电极9容易地使分支部7a与共同部7d恢复导通。
如图9所示，漏电极16a被电遮断，漏电极16b通过漏极引出布线分支部7b与漏极引出布线共同部7d电连接，并且，漏极引出布线共同部7d通过接触孔8与像素电极1连接。并且，在图9所示的像素中，修正用连接电极9不作为漏电极16b与像素电极1之间的布线部起作用。
图10示出的是由于源电极6-漏电极16b之间的膜残留缺陷99引起的泄漏等的漏电极16b侧存在缺陷的像素中实施像素缺陷修正的情况。在该像素缺陷修正中，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a，在修正用连接电极9重叠的部分和漏电极16b之间的97b处切断漏极引出布线分支部7b，对于漏极引出布线分支部7a、7b的任意一个，均在96a处贯通介于中间的绝缘层使其导通并与修正用连接电极9电连接。
在以外观检查不能指定缺陷处、通过电检查等判断为漏电极16a侧或者漏电极16b侧的至少任意一侧存在缺陷时，切断一个分支部后再次进行电检查等之后的结果是未消除像素缺陷的情况下，实施这样的像素缺陷修正。在此情况下，因为有可能在已切断一侧的漏电极侧不存在缺陷，所以对已切断一侧的分支部使用修正用连接电极恢复与共同部的导通，切断其它的分支部。
如图10所示，漏电极16b被电遮断，漏电极16a以经由迂回路径95的方式通过漏极引出布线分支部7a、修正用连接电极9以及漏极引出布线分支部7b与漏极引出布线共同部7d电连接。并且，漏极引出布线共同部7d通过保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)21以及接触孔8与像素电极1连接。
在本实施方式中，为了进行漏极引出布线分支部的分离，从衬底的表面或者背面对切断处97a、97b通过照射激光来进行破坏分离。作为所使用的激光波长，例如有YAG激光器的第四高次谐波(波长266nm)。另外，为了进行漏极引出布线分支部与修正用连接电极的导通，从衬底的表面或者背面对导通处96a照射激光。作为所使用的激光波长，例如有YAG激光器的第二高次谐波(波长532nm)。并且，在本实施方式中，如图8至图10所示，修正用连接电极9的图形形状为四角形(四边形)，但是，作为修正用连接电极9的图形形状不限于此，也可以是三角形、半圆形、梯形等形状。即，优选为修正用连接电极9的一部分隔着栅极绝缘膜以与漏极引出布线分支部7a、7b的图形重叠的方式设置，并且，以至少确保激光照射用的区域的方式来构成，例如，可以构成如图10中以95表示的迂回路径。另外，修正用连接电极和漏极引出布线分支部的重叠部分的配置位置也并不特别限定。
本实施方式的像素缺陷修正，至少是在形成像素电极之后进行修正，例如，在应用于液晶显示装置中的情况下，为了可靠地电断开泄漏的沟道、并形成迂回路径，在形成能够确认面板点亮的液晶层之后进行修正为好。但是，并不限于此，在本实施方式中，也可以在形成漏极引出布线7a、7b、7d之后，在沟道刻蚀后进行修正。
实施方式3
以下，基于图11至图14对本发明的实施方式3进行说明。从图11至图14是表示实施方式3的有源矩阵衬底100的一个像素的结构的平面示意图。并且，图11表示未实施像素缺陷修正的像素的结构、图12、13以及14表示对像素缺陷进行修正后的像素的结构。在图11至图14所示的结构中，1个TFT具有两个源电极6a、6b以及三个漏电极16a、16b、16c，两个漏电极16a、16b与源电极6a对应、两个漏电极16b、16c与源电极6b对应。
如图11至图14所示，在有源矩阵衬底100上以矩阵形状设置多个像素电极1，通过这些像素电极1的周围，以相互交叉的方式设置供给扫描信号用的各扫描信号线2、供给数据信号用的各数据信号线3。在这些扫描信号线2与数据信号线3的交叉部分设置作为有源元件(开关元件)的TFT4。
作为有源元件的TFT4具有与扫描线2连接的栅电极5、与数据信号线3连接的源电极6a、6b以及漏电极16a、16b、16c。并且，漏电极16a、16b、16c与由构成布线部的导电层构成的作为第一导电图形部的漏极引出布线7a、7b、7c、7d连接。该漏极引出布线具有漏极引出布线共同部7d和分别对应于漏电极16a、16b、16c分支出来的漏极引出布线分支部7a、7b、7c。
像素电极1通过保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)21以及接触孔8与漏极引出布线共同部7d连接。保持电容布线22作为该保持电容元件的另一个电极(保持电容下电极)起作用。并且，在本实施方式中，设置修正用连接电极9，其分别具有150μm2的隔着绝缘层与漏极引出布线分支部7a、7b、7c重叠的部分，并由通过贯通绝缘层进行导通、可与这些分支部7a、7b、7c的任意一个均电连接的导电层构成。
图11示出的是漏电极16a、16b以及16c的任意一个均不存在缺陷的像素，未实施像素缺陷修正。因此，在图11所示的像素中，修正用连接电极9不作为漏电极16a、16b、16c与像素电极1之间的布线部起作用。
另外，对于构成本实施方式的有源矩阵衬底的剖面的部件，由于与上述实施方式1的说明重复，因此为了说明上的方便而将其省略。
图12所示的是由于源电极6a-漏电极16a之间的膜残留缺陷99引起的泄漏等的漏电极16a存在缺陷的像素中实施像素缺陷修正的情况。在该像素缺陷修正中，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a。
若在切断分支部之前通过外观检查等判断漏电极16a、漏电极16b、漏电极16c的任意一个是否存在缺陷，则可进行这样的像素缺陷修正。并且，通过电检查等判断为漏电极16a、16b、16c的至少任意一个上存在缺陷时，切断一个分支部后再次进行电检查等，若消除了像素缺陷，成为如图12所示的像素缺陷修正后的像素。并且，详细情况使用图13以及图14进行后述，但是，此处，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a，所以在切断分支部前未指定缺陷处，而在漏电极16a不存在缺陷的情况下，能够使用修正用连接电极9容易地使分支部7a与共同部7d恢复导通。
如图12所示，漏电极16a被电遮断，漏电极16b通过漏极引出布线分支部7b与漏极引出布线共同部7d电连接，漏电极16c通过漏极引出布线分支部7c与漏极引出布线共同部7d电连接，并且，像素电极1通过保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)21和接触孔8与漏极引出布线共同部7d连接。并且，在图12所示的像素中，修正用连接电极9不作为漏电极16b、16c与像素电极1之间的布线部起作用。
图13示出的是由于源电极6b-漏电极16b之间的膜残留缺陷99引起的泄漏等的对于漏电极16b存在缺陷的像素中实施像素缺陷修正的情况。在该像素缺陷修正中，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97b处切断漏极引出布线分支部7b，对于漏极引出布线分支部16a、16c，在96a处贯通介于中间的绝缘层使其导通并与修正用连接电极9电连接。
在以外观检查不能指定缺陷处，通过电检查等判断为对于漏电极16a、16b或者16c中的至少任意一个存在缺陷时，切断一个分支部后再次进行电检查等之后的结果是未消除像素缺陷的情况下，实施这样的像素缺陷修正。在此情况下，若对未切断的两个分支部中的一个进行切断而能够消除像素缺陷，则有可能对应于先前已切断的分支部的漏电极不存在缺陷，所以对于先前已切断的分支部使用修正用连接电极恢复与共同部之间的导通。在图13所示的例子中，即使首先在97a处切断分支部7a也未消除像素缺陷，所以进一步在97b处切断分支部7b时消除了像素缺陷，因此使用修正用连接电极9将分支部7a和分支部7b电连接。
如图13所示，漏电极16b被电遮断，漏电极16a以经由迂回路径95的方式通过漏极引出布线分支部7a、修正用连接电极9以及漏极引出布线分支部7c与漏极引出布线共同部7d电连接。并且，漏电极16c通过漏极引出布线分支部7c与漏极引出布线共同部7d电连接。并且，漏极引出布线共同部7d通过保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)21以及接触孔8与像素电极1连接。
图14示出的是由于源电极6b-漏电极16c之间的膜残留缺陷99引起的泄漏等的对于漏电极16c存在缺陷的像素中实施像素缺陷修正的情况。在该像素缺陷修正中，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a，在修正用连接电极9重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97b处切断漏极引出布线分支部7b，在修正用连接电极9重叠的部分和漏电极16c之间的97c处切断漏极引出布线分支部7c，对于漏极引出布线分支部16a、16b、16c的任意一个，均在96a处贯通介于中间的绝缘层使其导通并与修正用连接电极9电连接。
在以外观检查不能指定缺陷处，通过电检查等判断为漏电极16a、16b或者16c中的至少任意一个存在缺陷时，切断两个分支部后再次进行电检查等之后的结果是未消除像素缺陷的情况下，实施这样的像素缺陷修正。在此情况下，若对未切断的两个分支部中的一个进行切断而未能消除像素缺陷，则有可能对应于所切断的分支部的两个漏电极不存在缺陷，所以对于所切断的两个分支部使用修正用连接电极恢复与共同部的导通，并切断剩余的一个分支部。在图14所示的例子中，即使首先在97a处切断分支部7a也未消除像素缺陷，进而在97b处切断分支部7b也未消除像素缺陷，因此，使用修正用连接电极9使分支部7a、7b与分支部7c电连接，在97c处切断分支部7c。
如图14所示，漏电极16c被电遮断，漏电极16a以经由迂回路径95的方式通过漏极引出布线分支部7a、修正用连接电极9以及漏极引出布线分支部7c与漏极引出布线共同部7d电连接，漏电极16b通过漏极引出布线分支部7b、修正用连接电极9以及漏极引出布线分支部7c与漏极引出布线共同部7d电连接。并且，漏极引出布线共同部7d通过保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)21以及接触孔8与像素电极1连接。
在本实施方式中，为了进行漏极引出布线分支部的分离，从衬底的表面或者背面对切断处97a、97b、97c通过照射激光来进行破坏分离。作为所使用的激光波长，例如有YAG激光器的第四高次谐波(波长266nm)。另外，为了进行漏极引出布线分支部与修正用连接电极的导通，从衬底的表面或者背面对导通处96a照射激光。作为所使用的激光波长，例如有YAG激光器的第二高次谐波(波长532nm)。
并且，在本实施方式中，如图11至图14所示，修正用连接电极9的图形形状为四角形(四边形)，但是，作为修正用连接电极9的图形形状不限于此，也可以是三角形、半圆形、梯形等形状。即，优选为修正用连接电极9的一部分隔着栅极绝缘膜以与漏极引出布线分支部7a、7b、7c的图形重叠的方式设置，并且，以至少确保激光照射用的区域的方式来构成，例如，可以构成如图13、图14中以95表示的迂回路径。另外，修正用连接电极和漏极引出布线分支部的重叠部分的配置位置也并不特别限定。
本实施方式的像素缺陷修正，至少是在形成像素电极之后进行修正，例如，在应用于液晶显示装置中的情况下，为了可靠地电断开泄漏的沟道、并形成迂回路径，在形成能够确认面板点亮的液晶层之后进行修正为好。但是，并不限于此，在本实施方式中，也可以在形成漏极引出布线7a、7b、7c、7d之后，在沟道刻蚀后进行修正。在本实施方式中，应用于具有3个漏电极的TFT，但并不限于此，对于具有4个以上的TFT也能够以相同的方法进行像素缺陷修正。
实施方式4
以下，基于图15至图17对本发明的实施方式4进行说明。图15是表示实施方式4的有源矩阵衬底100的一个像素的结构的平面示意图。并且，图15表示未实施像素缺陷修正的像素的结构、图16以及图17表示对像素缺陷进行修正后的像素的结构。
如图15至图17所示，本实施方式的有源矩阵衬底中，像素被分割为多个副像素，副像素电极1a、1b分别与各个TFT4a、4b连接，成为所谓的多像素结构。在有源矩阵衬底100上以矩阵形状设置多个副像素电极1a、1b，通过这些副像素电极1a、1b的周围，以相互交叉的方式设置供给扫描信号用的各扫描信号线2和供给数据信号用的各数据信号线3。在这些扫描信号线2与数据信号线3的交叉部分设置分别与副像素电极1a、1b连接的作为开关元件的TFT4a、4b。该TFT4a、4b为TFT on GATE(TFT on gate)结构，扫描信号线2兼用做栅电极，所以具有提高开口率的效果。
作为有源元件的TFT4a、4b具有栅电极、与数据信号线3连接的源电极6、漏电极16a、16b。并且，漏电极16a、16b与由构成布线部的导电层构成的作为第一导电图形部的漏极引出布线7a、7b、7d连接。该漏极引出布线具有漏极引出布线共同部7d和分别对应于漏电极16a、16b分支出来的漏极引出布线分支部7a、7b。副像素电极1a、1b分别通过保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)21以及接触孔8与漏极引出布线共同部7d连接。保持电容布线22起到该保持电容元件的另一电极(保持电容下电极)的作用。并且，在本实施方式中，设置电极9a，其具有150μm2的与漏极引出布线分支部7a、7b重叠的部分，并由通过贯通绝缘层进行导通、可与这些分支部7a、7b的任意一个均电连接的导电层构成。
另外，在本实施方式中，与保持电容布线22连接的电极9a以与有源矩阵衬底的(副)像素电极狭缝30重叠的方式配置。
有源矩阵衬底的像素电极狭缝30是，在大型液晶TV等中所使用的MVA方式的垂直取向型液晶显示装置中，形成在衬底上的液晶分割取向控制用的电极图形。
在本实施方式中，通过在像素电极狭缝30的下方设置与像素电极不同电位的电极9a(是保持电容布线22的延伸部，也可成为修正用连接电极)，可更有效地体现像素电极狭缝30的边缘场效应，提高液晶取向控制力。并且，其详细情况后述，但是，电极9a的一部分至少从一个相同的导电层上与保持电容布线22电分离，能够起到修正用连接电极的作用。
另外，在对于开口率没有贡献的像素电极狭缝30的下方形成电极9a，由此不会重新降低开口率。
另外，对于构成本实施方式的有源矩阵衬底的剖面的部件，由于与上述实施方式1的说明重复，所以为说明上的方便而省略其说明。
此外，在本实施方式中，以与有源矩阵衬底的(副)像素电极狭缝30重叠的方式配置从保持电容布线22延伸的电极9a。
有源矩阵衬底的像素电极狭缝30是，在大型液晶TV等中所使用的MVA方式的垂直取向型液晶显示装置中，形成在衬底上的液晶分割取向控制用的电极图形。
另外，电极9a的图形形状并不特别限定于图15至图17所示的形状，可以根据像素电极狭缝30的形状或者保持电容布线22的图形适当进行调整。
而且，不需要将电极9a的全部图形收纳在像素电极狭缝30的区域内，例如，对分别配置在形成于像素内的多个像素电极狭缝30下的电极彼此进行连接的布线等可以设置在像素电极狭缝30下方以外处。
此外，在本实施方式中，在MAV方式的垂直取向型液晶显示装置中使形成在衬底上的液晶分割取向控制用的狭缝电极图形与电极(保持电容布线的延伸部)重叠，但是并不限于此，即使与形成在衬底上的分割取向控制用突起重叠，也能起到抑制开口率降低的效果。
另外，TFT4a、4b由输入到栅电极5的扫描信号进行驱动控制，通过对TFT4a、4b的源电极6输入数据信号，对各个副像素电极1a、1b施加所希望的电压。并且，对起到各个副像素的保持电容下电极作用的保持电容布线22施加相位相互不同的信号(像素分割法)。施加给该保持电容下电极的信号通过使形成一个像素的各个副像素的亮度不同，达到提高视角特性的效果(应对倾斜视角中的白浮)。
图15所示的是对于漏电极16a侧以及漏电极16b侧的任意一侧均不存在缺陷的像素中未实施像素缺陷修正的情况。因此，在图15所示的像素中，电极9a不作为漏电极16a、16b与像素电极1之间的布线部起作用。此外，因为不需要起到布线部的作用，所以电极9a的能够起到修正用连接电极作用的部分不从保持电容布线22上电分离。
图16所示的是在与副像素1b连接的TFT4b中、由于源电极6-漏电极16a之间的膜残留缺陷99引起的泄漏等的漏电极16a侧存在缺陷的像素中实施像素缺陷修正的情况。在该像素缺陷修正中，在电极9a重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a。
若在切断分支部之前通过外观检查等判断漏电极16a侧或者漏电极16b侧的任意一侧是否存在缺陷，则可进行这样的像素缺陷修正。并且，通过电检查等判断为漏电极16a侧或者漏电极16b侧的至少任意一侧存在缺陷时，切断一个分支部后再次进行电检查等，若消除了像素缺陷，成为如图16所示的像素缺陷修正后的像素。并且，详细情况使用图17进行后述，但是，此处，在电极9a重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a，所以在切断分支部前未指定缺陷处，而漏电极16a侧不存在缺陷的情况下，能够使用电极9a的一部分容易地使分支部7a与共同部7d恢复导通。
如图16所示，在副像素1b中，漏电极16a被电遮断，漏电极16b通过漏极引出布线分支部7b与漏极引出布线共同部7d电连接，并且，漏极引出布线共同部7d通过接触孔8与副像素电极1b连接。并且，在图16所示的副像素1b中，电极9a不作为漏电极16b与副像素电极1b之间的布线部起作用。此外，因为不需要起到布线部的作用，所以电极9a的能够起到修正用电极作用的部分不从保持电容布线22上电分离。
图17所示的是在与副像素1b连接的TFT4b中、由于源电极6-漏电极16b之间的膜残留缺陷99引起的泄漏等的漏电极16b侧存在缺陷的像素中实施像素缺陷修正的情况。在该像素缺陷修正中，在电极9a重叠的部分和漏极引出布线共同部7d之间的97a处切断漏极引出布线分支部7a，在电极9a重叠的部分和漏电极16b之间的97b处切断漏极引出布线分支部7b，为使电极9a的一部分从保持电容布线22上电分离而在120处进行切断，对于漏极引出布线分支部16a、16b的任意一个，均在96a处使介于中间的绝缘层贯通并进行导通来与电极9a的电分离部分电连接。
在以外观检查不能指定缺陷处，通过电检查等判断为漏电极16a侧或者漏电极16b侧的至少任意一侧存在缺陷时，切断一个分支部后再次进行电检查等之后的结果是未消除像素缺陷的情况下，实施这样的像素缺陷修正。在此情况下，因为有可能在已切断一侧的漏电极侧不存在缺陷，所以对已切断一侧的分支部使用修正用电极恢复与共同部的导通，切断其它的分支部。
如图17所示，在副像素1b中，漏电极16b被电遮断，漏电极16a以经由迂回路径95的方式通过漏极引出布线分支部7a、修正用电极9a以及漏极引出布线分支部7b与漏极引出布线共同部电连接。并且，漏极引出布线共同部7d通过保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)21以及接触孔8与副像素电极1b连接。
在本实施方式中，为了进行漏极引出布线分支部的分离，从衬底的表面或者背面对切断处97a、97b以及120通过照射激光来进行破坏分离。作为所使用的激光波长，例如有YAG激光器的第四高次谐波(波长266nm)。另外，为了进行漏极引出布线分支部与修正用连接电极的导通，从衬底的表面或者背面对导通处96a照射激光。作为所使用的激光波长，例如有YAG激光器的第二高次谐波(波长532nm)。
并且，能够在本像素内对缺陷进行修正的本发明，能够抑制作为不同亮度的副像素的功能下降，所以，能够抑制多像素驱动的视角特性提高效果的下降。
在本实施方式中，对于副像素1b为像素缺陷的场合进行了应用，但是，对于副像素1a为像素缺陷的场合也同样能够应用。
此外，在本实施方式中采用了一个像素由两个副像素构成的多像素结构，但是，也可以是由三个以上副像素构成的结构。
本实施方式是多像素结构且MVA结构，但并不限于此，也可应用于不具有多像素结构的MVA方式或者不是MVA方式的多像素驱动中。
并且，本发明并不限定于液晶显示装置，例如，也可以是以如下方式构成的有机EL显示装置：配置滤色片衬底并以与滤色片衬底对置的方式配置本发明的有源矩阵衬底，在这些衬底与衬底之间配置有机EL层来作成有机EL面板，在面板的外部引出端子上连接驱动器等。此外，即使是液晶显示装置或者有机EL显示装置以外的装置，只要是由有源矩阵衬底构成的显示装置，就可以应用本发明。
实施方式5
以下，基于图19至图24对本发明的其它实施方式即实施方式5进行说明。为说明上的方便，对具有与所述实施方式1～4中使用的部件相同功能的部件付以相同符号并省略其说明。
本实施方式的有源矩阵衬底与在实施方式2、3中所说明的图8、图11所示的有源矩阵衬底100不同点在于，对于一个作为有源元件的TFT4所设置的修正用连接电极9的条数；在实施方式5中，对于一个TFT4设置多条修正用连接电极9。并且，不同点仅在于此。
在图19所示的有源矩阵衬底100的结构中，具有实施方式2中的图8所示的两个漏电极16a、16b，这些漏电极16a、16b与漏极引出布线分支部7a、7b连接，漏极引出布线共同部7d通过接触孔8与像素电极1连接。并且，在图8所示的有源矩阵衬底100中，作为第二导电图形部的修正用连接电极9以在接近漏极引出布线共同部7d的部分只有一条并横穿漏极引出布线分支部7a、7b的方式来配置。与此相对，在图19所示的有源矩阵衬底100中，在接近漏极引出布线共同部7d的部分和接近TFT4的部分，两条修正用连接电极9a、9b以横穿漏极引出布线分支部7a、7b的方式来配置。
此外，在图20所示的有源矩阵衬底100的结构中，具有实施方式3中的图11所示的三个漏电极16a、16b、16c，这些漏电极16a、16b、16c与漏极引出布线分支部7a、7b、7c连接，漏极引出布线共同部7d通过接触孔8与像素电极1连接。并且，在图11所示的有源矩阵衬底100中，作为第二导电图形部的修正用连接电极9以在接近漏极引出布线共同部7d的部分只有一条并横穿漏极引出布线分支部7a、7b、7c的方式来配置。与此相对，在图20所示的有源矩阵衬底100中，在接近漏极引出布线共同部7d的部分和接近TFT4的部分，两条修正用连接电极9a、9b以横穿漏极引出布线分支部7a、7b、7c的方式来配置。
这样，通过将对于一个TFT4设置的修正用连接电极9的条数设为多条，能够提高缺陷像素的修正概率。
也就是说，若以图8所示的有源矩阵衬底100为例进行说明，在修正用连接电极9只有一条的结构中，如图21所示，如果漏极引出布线分支部7a(或者7b)成为断线80，或者，如图22所示，修正用连接电极9a本身成为断线81，则不能进行缺陷像素的修正。
但是，如图19或者图20所示的有源矩阵衬底100那样，作为修正用连接电极9a、9b，对一个TFT4设置多个修正用连接电极，由此，即使漏极引出布线分支部7a(或者7b)成为断线80、或者修正用连接电极9a成为断线81，也能够使用另外的修正用连接电极9b进行缺陷像素的修正。
此外，这样在对一个TFT4设置多个修正用连接电极9a、9b的结构中，修正用连接电极9a、9b的间隔较宽为好，优选为如图19、20所示那样，在接近漏极引出布线共同部7d的部分和接近TFT4的部分分开设置。这是因为，当发生如图21所示那样的漏极引出布线分支部7a(或者7b)的断线80时，在修正用连接电极9a、9b这两条都配置在接近TFT4附近的部分的结构中，就不能对缺陷像素进行修正。
另外，对于一个TFT4设置的修正用连接电极9的条数越多，在产生上述的断线80、81的情况下，可修正缺陷像素的可能性也越高，但是，修正用连接电极9的条数越多，开口率也下降。因此，可以考虑开口率和产生断线80、81的容易度来设定修正用连接电极9的条数。
接着，使用图23、图24就即使针对一个TFT4设置多条修正用连接电极9也能够抑制开口率下降的结构进行说明。
图23、图24中所示的有源矩阵衬底100，均与图20的有源矩阵衬底100相同，都是具有三个漏电极16a、16b、16c的类型，其中，设置了两条修正用连接电极9。不同点在于，在图20的有源矩阵衬底100中，两条修正用连接电极9a、9b都以横穿相当于所设置的全部漏极引出布线分支部的三条漏极引出布线分支部7a、7b、7c的方式设置。
与此相对，在图23、图24所示的有源矩阵衬底100中，两条中的一条修正用连接电极9a以横穿全部三条漏极引出布线分支部7a、7b、7c的方式设置(第二导电图形A部)，但是，另一条修正用连接电极9B以横穿所设置的所有漏极引出布线分支部中的两条以上的一部分漏极引出布线的方式来设置(第二导电图形B部)。
详细地说，在图23所示的有源矩阵衬底100中，修正用连接电极9B以横穿漏极引出布线分支部7a、7b的方式设置，在图24所示的有源矩阵衬底100中，修正用连接电极9B以横穿漏极引出布线分支部7b、7c的方式设置。
这样，在设置三条以上漏极引出布线分支部的结构中，通过包括以能够电连接多个漏极引出布线分支部中的一部分漏极引出布线分支部之间所设置的修正用连接电极9B，能够保持一定的冗余效果同时提高开口率。
此外，在设置以能够电连接多个漏极引出布线分支部中的一部分漏极引出布线分支部之间所设置的修正用连接电极9B的情况下，优选以具有与漏极引出布线分支部中的线长最长部分重叠的部分，以该线长最长的漏极引出布线分支部能够与其它的漏极引出布线分支部电连接的方式设置。
这是因为，布线其线长越长越容易断线，在图23、图24的有源矩阵衬底100的结构中，漏极引出布线分支部7c最容易断线。即，以横穿线长最长的漏极引出布线分支部7c与漏极引出布线分支部7b的方式设置修正用连接电极9B的图24所示的有源矩阵衬底100比图23所示的有源矩阵衬底100的缺陷像素的修正概率高。
实施方式6
以下，基于图25至图29对本发明的其它实施方式即实施方式6进行说明。为说明上的方便，对具有与所述实施方式1～5中使用的部件相同功能的部件付以相同符号并省略其说明。
本实施方式的有源矩阵衬底与在实施方式2中所说明的图8所示的有源矩阵衬底100不同点在于，像素电极1具有除去了作为像素电极材料的ITO后的去除部83，该去除部83具有与漏极引出布线分支部7a、7b重叠的部分。并且，不同点仅在于此。
对缺陷像素进行修正时，切断漏极引出布线分支部7a(或者7b)，从漏电极16a(或16b)上断开，并且，通过修正用连接电极9使所断开的漏极引出布线分支部7a(或者7b)进一步与连接到正常沟道上的漏极引出布线分支部7b(或者7a)电连接，但是，此时位于上层的像素电极1和与在源极/漏极间产生泄漏(SD泄漏)的沟道连接的漏极引出布线分支部7a(或7b)可能产生泄漏。
与此相对，在图25、图27、图28所示的有源矩阵衬底100中，像素电极1具有除去了作为像素电极材料的ITO后的去除部83，该去除部83具有与漏极引出布线分支部7a、7b重叠的部分。
详细地说，在图25的结构中，对应于修正用连接电极9的配置位置设置去除部83。由此，使漏极引出布线分支部7a、7b与修正用连接电极9导通时，能够防止像素电极1和与SD泄漏沟道连接的漏极引出布线分支部7a(或者7b)的泄漏的产生。
此外，在图26的结构中，对应于在切断漏极引出布线分支部7a、7b时的切断位置设置去除部83。由此，在切断漏极引出布线分支部7a、7b时，能够防止像素电极1和与SD泄漏沟道连接的漏极引出布线分支部7a(或者7b)的泄漏的产生。
并且，在图27的结构中，由于对应于修正用连接电极9的配置位置以及漏极引出布线分支部7a、7b的各切断位置设置去除部83，因此，即使在使漏极引出布线分支部7a、7b和修正用连接电极9导通时、在切断漏极引出布线分支部7a、7b时，都能防止像素电极1和与SD泄漏沟道连接的漏极引出布线分支部7a(或者7b)产生泄漏。
此外，所述去除部83也可以作成形成在像素电极1上的所述液晶分子的取向控制用电极狭缝30的一部分。如实施方式4中所说明的那样，在液晶显示装置中，形成有取向控制用电极狭缝30的区域通常是不作为透射区域(开口部)起作用的区域。因此，通过将这样的取向控制用电极狭缝30用作去除部83，能够防止因设置去除部83而开口率下降。
图28表示将取向控制用电极狭缝30用作去除部83的有源矩阵衬底的结构。如图28所示，由于将取向控制用电极狭缝30作为去除部83利用，所以激光照射处97a、97b沿狭缝形状倾斜。
但是，由于去除部83使液晶分子的取向混乱，因此如图29所示，优选设置对去除部83进行遮光的遮光膜84。在图29的结构中，在作为与有源矩阵衬底100对置配置的对置衬底的滤色片衬底上，由黑色矩阵(black matrix)进行遮光。遮光膜84可以设置在有源矩阵衬底100侧，要紧的是，作为显示装置，只要从衬底(液晶面板)面垂直方向看时对去除部83进行遮光即可。
实施方式7
以下，基于图30对本发明的其它实施方式即实施方式7进行说明。为说明上的方便，对具有与所述实施方式1～6中使用的部件相同功能的部件付以相同符号并省略其说明。
本实施方式的有源矩阵衬底与在实施方式2中所说明的图8所示的有源矩阵衬底100的不同点在于源电极6的数目。在图8的有源矩阵衬底100中，对于一个源电极6设置2个(多个)漏电极。图8中的有源矩阵衬底的沟道数为2。另一方面，如图30所示，在本实施方式的有源矩阵衬底100中，设置三个源电极6a、6b、6c，以源电极6a、6b对应漏电极16a、源电极6b、6c对应漏电极16b的方式设置多个。图30中的有源矩阵衬底100的沟道数是4。并且，不同点仅在于此。
如图8所示的有源矩阵衬底100那样，通过对一个源电极6具有多个漏电极16a、16b的结构，具有能够实现对应高速显示以及抑制电力消耗的效果。
另一方面，在图30的有源矩阵衬底100中，不能期待这种效果，但是，具有与图8的有源矩阵衬底100相同的漏极引出布线分支部7a、7b，并且沟道数与设有三条漏极引出布线分支部7a、7b、7c的图11所示的有源矩阵衬底100相同。
因此，在确保沟道数较多的情况下，能够抑制TFT4的源电极与漏电极之间的寄生电容(Cgd)引起的像素电位的下降，所以，能够降低像素电极1达到所希望的有效电压用的源极电压，进而能够抑制电力消耗。
并且，所述实施方式1～7能够适当组合，例如，对于一个TFT设置多个修正用连接电极的结构和去除部的组合，对于一个TFT设置多个修正用连接电极的结构和对于漏电极配置多个源电极并增加沟道数同时谋求抑制电力消耗的结构的组合等。
并且，用于实施本发明的优选方式中的具体实施方式或者实施例到底只是用于理解本发明的技术内容，不应该限定于这样的具体例来进行狭义的解释，在本发明的精神和所记载的权利要求书的范围内，可以进行各种变更来实施。
产业上的可利用性
按照本发明，能够提供一种即使在本像素内完成修正时开口率也不会过于下降、与信号线连接的电极很难被断线的有源矩阵衬底或显示装置。
这种本发明的有源矩阵衬底在使用于显示装置的面板用衬底时，能够有助于显示装置的成品率提高，特别是能够用作需要抑制产生点缺陷的大型TV用面板的构成部件。
并且，并不限于液晶显示装置，例如，也可以配置滤色片衬底和以与滤色片衬底对置的方式配置本发明的有源矩阵衬底，在这些衬底与衬底之间通过配置有机EL层来作成有机EL面板，通过在面板的外部引出端子上连接驱动器等，由此构成有机EL显示装置。另外，即使是液晶显示装置或有机EL显示装置以外的装置，只要是由有源矩阵衬底构成的显示装置，就可以应用本发明。

Claims (29)

1.一种有源矩阵衬底，其特征在于，
有源元件至少具有一个以上的源电极和两个以上的漏电极并且具有两个以上的沟道，
所述两个以上的漏电极的至少一个通过布线部与像素电极电连接，
所述布线部具有第一导电图形部，其包括与像素电极连接的共同部以及从该共同部与所述两个以上的漏电极的每一个对应地分支出的分支部，
所述有源矩阵衬底还设有第二导电图形部，其具有隔着绝缘层与所述第一导电图形部的分支部重叠的部分，并且通过将所述绝缘层贯通来进行导通而能够与所述多个分支部电连接。
2.如权利要求1记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
对于一个所述源电极，具有多个所述漏电极。
3.如权利要求1记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
对于一个所述漏电极，具有多个所述源电极。
4.如权利要求1记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述第二导电图形部是将所述有源元件的栅电极用导电层与至少一个导电层电隔离而形成。
5.如权利要求1记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述第二导电图形部是能够将保持电容布线用导电层与至少一个导电层电隔离而形成。
6.如权利要求1记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
对于一个有源元件设置多个所述第二导电图形部。
7.如权利要求6记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
对于一个有源元件设置三个以上的所述漏电极，并且与各漏电极对应设置三个以上的所述分支部，
所述多个第二导电图形部包括设置为能够与所有的所述分支部电连接的第二导电图形A部和设置为能够与两个以上所述分支部电连接的第二导电图形B部。
8.如权利要求7记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述第二导电图形B部具有与所述第一导电图形部中的线长最长的分支部重叠的部分，并以能够使该线长最长的分支部与其它的分支部电连接的方式设置。
9.如权利要求1记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
像素由多个副像素构成，对于该多个副像素的各个有源元件具有所述第二导电图形部。
10.如权利要求9记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述多个副像素中的至少两个副像素的亮度彼此不同。
11.如权利要求1记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述第二导电图形部由包含Al、Cr、Ta、Ti、W、Mo以及Cu中的至少一种的材料形成。
12.如权利要求1记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述第二导电图形部具有与液晶分子的取向控制用突起或者电极狭缝重叠的部分。
13.如权利要求1记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述像素电极具有除去了像素电极材料的去除部，
该去除部具有与所述分支部重叠的部分。
14.如权利要求13记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述去除部与所述第二导电图形部的配置位置对应地设置。
15.如权利要求13记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述去除部与切断所述分支部时的切断位置对应地设置。
16.如权利要求13记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述去除部与所述第二导电图形部的配置位置以及切断所述分支部时的切断位置对应地设置。
17.如权利要求13记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
所述去除部是形成在所述像素电极上的液晶分子的取向控制用电极狭缝的一部分。
18.如权利要求13记载的有源矩阵衬底，其特征在于：
具有对所述去除部进行遮光的遮光膜。
19.一种显示装置，其特征在于：
具有权利要求1记载的有源矩阵衬底。
20.一种显示装置，其特征在于：
具有权利要求13记载的有源矩阵衬底，并且，具有对该有源矩阵衬底的所述去除部进行遮光的遮光膜。
21.一种电视图像接收机，其特征在于；
具有权利要求19或者20记载的显示装置和对电视广播进行接收的调谐器部。
22.一种有源矩阵衬底的像素缺陷修正方法，在该有源矩阵衬底中，有源元件至少具有一个以上的源电极和两个以上的漏电极并且具有两个以上的沟道，所述两个以上的漏电极的至少一个通过布线部与像素电极电连接，所述布线部具有第一导电图形部，其包括与像素电极连接的共同部以及从该共同部与所述两个以上的漏电极的每一个对应地分支出的分支部，所述有源矩阵衬底还设有第二导电图形部，其具有隔着绝缘层与所述第一导电图形部的分支部重叠的部分，并且通过将所述绝缘层贯通来进行导通而能够与所述多个分支部电连接，所述像素缺陷修正方法的特征在于：
对于存在像素缺陷的像素，在所述第二导电图形部重叠的部分和所述共同部之间切断所述多个分支部中的至少一个。
23.如权利要求22记载的像素缺陷修正方法，其特征在于：
若通过所述分支部的切断未能对像素缺陷进行修正，贯通所述绝缘层使所述第二导电图形部导通来电连接所述被切断的分支部和其它分支部，以使从所述被切断的分支部的切断处电连接漏电极侧和所述共同部，并且切断所述被切断的分支部以外的其它分支部中的至少一个。
24.一种有源矩阵衬底的像素缺陷修正方法，在该有源矩阵衬底中，有源元件至少具有一个以上的源电极和两个以上的漏电极并且具有两个以上的沟道，所述两个以上的漏电极的至少一个通过布线部与像素电极电连接，所述布线部具有第一导电图形部，其包括与像素电极连接的共同部以及从该共同部与所述两个以上的漏电极的每一个对应地分支出的分支部，所述有源矩阵衬底还设有第二导电图形部，其具有隔着绝缘层与所述第一导电图形部的分支部重叠的部分，并且通过将所述绝缘层贯通来进行导通而能够与所述多个分支部电连接，所述像素缺陷修正方法的特征在于，
具有如下步骤：第一步骤，对于存在像素缺陷的像素，在所述第二导电图形部重叠的部分和所述共同部之间切断所述多个分支部中的一个；第二步骤，检查是否通过切断所述分支部修正了像素缺陷；第三步骤，如果通过所述分支部的切断未能对像素缺陷进行修正，贯通所述绝缘层使所述第二导电图形部与所述被切断的分支部和其它分支部导通，从所述被切断的分支部的切断处电连接漏电极侧和所述共同部，另一方面，切断一个所述被切断的分支部以外的其它分支部，
在第二步骤中，检测出像素缺陷被修正为止，重复所述第二～第三步骤。
25.如权利要求22、23或24记载的像素缺陷修正方法，其特征在于：
为了贯通所述绝缘层使所述第二导电图形部导通，对所述第二导电图形部和所述第一导电图形部的分支部重叠的区域进行激光照射，使所述第二导电图形部或者所述分支部的至少一个熔融。
26.一种有源矩阵衬底的制造方法，在该有源矩阵衬底中，有源元件至少具有一个以上的源电极和两个以上的漏电极并且具有两个以上的沟道，所述两个以上的漏电极的至少一个通过布线部与像素电极电连接，所述布线部具有第一导电图形部，其包括与像素电极连接的共同部以及从该共同部与所述两个以上的漏电极的每一个对应地分支出的分支部，所述有源矩阵衬底还设有第二导电图形部，其具有隔着绝缘层与所述第一导电图形部的分支部重叠的部分，并且通过将所述绝缘层贯通来进行导通而能够与所述多个分支部电连接，所述有源矩阵衬底制造方法的特征在于，
对于存在像素缺陷的像素，在所述第二导电图形部重叠的部分和所述共同部之间切断所述多个分支部中的至少一个，从而进行像素缺陷修正。
27.一种有源矩阵衬底的制造方法，在该有源矩阵衬底中，有源元件至少具有一个以上的源电极和两个以上的漏电极并且具有两个以上的沟道，所述两个以上的漏电极的至少一个通过布线部与像素电极电连接，所述布线部具有第一导电图形部，其包括与像素电极连接的共同部以及从该共同部与所述两个以上的漏电极的每一个对应地分支出的分支部，所述有源矩阵衬底还设有第二导电图形部，其具有隔着绝缘层与所述第一导电图形部的分支部重叠的部分，并且通过将所述绝缘层贯通来进行导通而能够与所述多个分支部电连接，所述有源矩阵衬底制造方法的特征在于，
具有对存在像素缺陷的像素进行修正的修正步骤，
在该修正步骤中具有如下步骤：第一步骤，对于存在像素缺陷的像素，在所述第二导电图形部重叠的部分和所述共同部之间切断所述多个分支部中的一个；第二步骤，检查是否通过所述分支部的切断对像素缺陷进行了修正；第三步骤，如果通过所述分支部的切断未能对像素缺陷进行修正，贯通所述绝缘层使所述第二导电图形部与所述被切断的分支部和其它分支部导通，从所述被切断的分支部的切断处电连接漏电极侧和所述共同部，另一方面，切断一个所述被切断的分支部以外的其它分支部，
在第二步骤中，检测出像素缺陷被修正为止，重复所述第二～第三步骤。
28.如权利要求26或27记载的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：
具有将保持电容布线用导电层与至少一个导电层电隔离来形成所述第二导电图形部的步骤。
29.一种显示装置的制造方法，其特征在于：
使用权利要求22～25中的任意一项记载的像素缺陷修正方法或者权利要求26～28中的任意一项记载的有源矩阵衬底的制造方法。
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