KR20070083495A - 액티브 매트릭스 기판, 표시 장치 및 화소 결함 수정 방법 - Google Patents

액티브 매트릭스 기판, 표시 장치 및 화소 결함 수정 방법 Download PDF

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KR20070083495A
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Abstract

TFT(4)가 소스 전극(6)의 1개에 대하여 복수의 드레인 전극(16a, 16b)을 구비하고, 그 복수의 드레인 전극 중 적어도 1개가 드레인 인출 배선을 통하여 화소 전극(1)과 전기적 접속되고, 드레인 인출 배선이 드레인 인출 배선 공통부(7d)와 그 공통부로부터 복수의 드레인 전극의 각각에 대응해서 분기한 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)를 포함하는 제1 도전 패턴부를 구비하고, 절연층을 개재하여 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 구비하고, 절연층을 관통시켜 도통함으로써 분기부의 복수와 전기적 접속 가능한 수정용 접속 전극(9)을 형성하여 액티브 매트릭스 기판을 구성한다. 이에 의해, 화소 결함이 발생하여도, 자화소 내에서 화소 결함 수정이 가능하게 된다.
화소 전극, 부화소 전극, 주사 신호선, 데이터 신호선, 액티브 소자(TFT), 컨택트홀, 수정용 접속 전극, 축적 용량 상전극, 전극 슬릿, 차광막, 액티브 매트릭스 기판

Description

액티브 매트릭스 기판, 표시 장치 및 화소 결함 수정 방법{ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, AND PIXEL DEFECT CORRECTING METHOD}
본 발명은, 액정 표시 장치, EL(일렉트로 루미네센스) 표시 장치 등의 표시 장치에 사용되는 액티브 매트릭스 기판에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 대형 액정 텔레비전 등의 대형의 액정 디스플레이 화면을 구비한 액정 표시 장치에 바람직하게 사용되는 액티브 매트릭스 기판에 관한 것이다.
액티브 매트릭스 기판은, 액정 표시 장치, EL(Electro Luminescence: 일렉트로 루미네센스) 표시 장치 등의 액티브 매트릭스형 표시 장치에서 폭 넓게 이용되고 있다. 종래의 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 이용되는 액티브 매트릭스 기판에서는, 기판 위에 교차하도록 배치된 복수 개의 주사 신호선과 복수 개의 데이터 신호선의 각 교점에, TFT(Thin Film Transistor: 박막 트랜지스터) 등의 스위칭 소자가 형성되어 있고, TFT 등의 스위칭 기능에 의해, TFT 등과 접속된 각 화소(전극)부에 화상 신호가 적절히 전달되고 있다. 또한, TFT 등을 오프로 하고 있는 기간 동안의 액정층의 자기 방전 또는 TFT 등의 오프 전류에 의한 화상 신호의 열화를 방지하거나, 액정 구동에서의 각종 변조 신호의 인가 경로 등에 사용하거나 하기 위하여, 각 화소부에 축적 용량 소자가 형성된 액티브 매트릭스 기판도 존재 한다.
종래의 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 이용되는 액티브 매트릭스 기판의 구성으로서는, 예를 들면, 이하와 같은 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 도 18은, 종래의 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 구비되는 액티브 매트릭스 기판의 일 화소를 도시하는 평면 모식도이다.
도 18에 도시하는 바와 같이, 종래의 액티브 매트릭스 기판(200)에는, 복수의 화소 전극(51)이 매트릭스 형상으로 형성되어 있고, 그 화소 전극(51)의 주위를, 주사 신호를 공급하기 위한 주사 신호선(52)과 데이터 신호를 공급하기 위한 데이터 신호선(53)이 서로 교차하도록 지나가고 있다. 또한, 이들 주사 신호선(52)과 데이터 신호선(53)의 교차부에는, 화소 전극(51)에 접속되는 스위칭 소자로서, TFT(54)가 형성되어 있다. TFT(54)의 게이트 전극(55)에는 주사 신호선(52)이 접속되어 있고, 주사 신호가 입력됨으로써 TFT(54)가 구동 제어된다. 또한, TFT(54)의 소스 전극(66a)에는 데이터 신호선(53)이 접속되어 있고, 데이터 신호가 입력된다. 또한, TFT(54)의 드레인 전극(66b)에는 드레인 배선(56)이 접속되어 있고, 드레인 배선(56)에는 축적 용량 소자의 한쪽의 전극(축적 용량 상전극)(57)이 접속되어 있고, 축적 용량 상전극(57)에는 컨택트홀(58)을 통하여 화소 전극(51)이 접속되어 있다. 그리고, 축적 용량(공통) 배선(59)이 축적 용량 소자의 다른 쪽의 전극(축적 용량 하전극)으로서 기능한다.
최근, 대형 액정 TV 등에 이용되는 액정 표시 장치에서는, 광시야각화를 목적으로서, 다중 영역(multi-domain)을 갖는 수직 배향 방식(VA; Vertical Alignment), 소위 MVA(Multi-domain Vertical Alignment) 방식이 널리 보급되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조).
이와 같은 MVA 방식에서는, 액티브 매트릭스 기판의 화소 전극 및 대향 기판의 대향 전극에 절제 패턴 또는 액정 분자의 배향 제어용 돌기를 형성하고, 이에 의해 형성되는 프린지 필드(Fringe Field)를 이용하여 액정 분자의 배향 방향을 복수의 방향으로 분산시킴으로써 광시야각을 실현하고 있다. 도 18에 도시하는 종래의 액티브 매트릭스 기판에서도, 액티브 매트릭스 기판의 화소 전극 및 대향 기판의 대향 전극에 절제 패턴 또는 액정 분자의 배향 제어용 돌기를 형성함으로써, 광시야각화가 가능하다. 또한, 광 누설의 방지나 전압 인가 후의 초기 응답 속도의 개선을 목적으로 하여, 화소 전극이나 대향 전극의 절제 패턴(이하, 전극 슬릿이라고도 함)에 대응하는 위치에 전극을 매설하는 기술이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 3 참조).
액티브 매트릭스 기판의 제조 프로세스에서는, 이물이나 막 잔류물 등에 의해 TFT의 소스 전극과 드레인 전극 사이에서 단락(리크)이 발생하는 경우가 있다. 이렇게 하여 결함을 발생한 화소는, 화소 전극에 정상적인 전압(드레인 전압)이 인가되지 않게 되어, 액정 표시 장치의 표시 화면 상에 휘점 또는 흑점 등의 점 결함으로서 나타나게 되기 때문에, 액정 표시 장치의 제조 수율을 저하시키게 된다.
이와 같은 화소 결함의 수복에 관하여, 각각의 화소와 인접 화소 사이에 수정 접속 배선이 미리 형성되는 기술이 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 4 참조). 이에 의하면, 화소 결함이 발생한 경우에, 수정용 접속 배선에 레이저 조사 등을 행하여, 화소 결함이 발생하는 화소의 화소 전극을, 인접하는 화소의 화소 전극과 전기적으로 도통시켜, 인접 화소와 동전위의 전압을 인가함으로써, 화소 결함이 발생하는 화소를 의사적으로 구동시킬 수 있다.
그러나, 이 방법에는 이하에 기재하는 점에서 개선의 여지가 있었다. 즉, 통상(정상 동작 시)에서는, 화소 사이는 절연되어 있고, 수정용 접속 배선은 화소 사이를 걸치도록 형성될 필요가 있었기 때문에, 수정용 접속 배선의 면적의 증가에 수반하여, 개구율이 저하하게 된다. 또한, TFT의 소스 전극과 드레인 전극의 사이에서 단락(리크)이 발생하는 경우가 있는데, 가능하다면 자화소 내에서 수정을 실시하려고 한다. 왜냐하면, 리크 개소를 절단·분리하여 수정용 접속 배선을 경유하여서 결함 화소를 인접 화소의 TFT에 의해 구동시키는 경우, 인접 화소의 TFT에는, 구동의 부하가 여분으로 걸리게 되기 때문이다. 이에 대하여, 전술한 화소 결함의 수정 방법에서는, 인접 화소 사이의 접속에 의한 수정만이 가능하여, 자화소 내에서는 수정을 완결할 수 없었다. 따라서, TFT 불량을 구제하는 방법에 관해서는, 1화소에 대하여 복수 개의 TFT를 병렬로 접속한 용장 구조를 갖는 액정 표시 장치의 구성이 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 5 참조).
특허 문헌 1: 특개평9-152625호 (공개일: 1997년 6월 10일)
특허 문헌 2: 특개 제2001-83523호 (공개일: 2001년 3월 30일)
특허 문헌 3: 특개 제2001-117083호 (공개일:2001년 4월 27일)
특허 문헌 4: 특개평2-135320호 (공개일:1990년 5월 24일)
특허 문헌 5: 특개평7-199221호 (공개일:1995년 8월 4일)
[발명의 개시]
그러나, 특허 문헌 5에 기재된 액정 표시 장치의 구성은 TFT(액티브 소자)를 병렬로 배치하고, 또한 신호선에 접속한 전극을 절단 가능하게 하기 때문에, 그 전극의 주회에 의한 개구율의 저하나 그 전극의 단선 확률이 높아진다고 하는 과제가 있었다. 신호선으로부터 공급되는 신호는, 표시 장치에 영상을 표시하는 데에 있어서 필수적인 구성 요소이며, 신호선에 접속한 전극의 단선은 표시 장치에 있어서 치명적이다.
본 발명은, 상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 이루어지는 것으로서, 자화소 내에서 수정을 완결하는 경우에도 개구율을 저하하지 않고, 신호선에 접속한 전극이 단선하기 어려운 액티브 매트릭스 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 액티브 매트릭스 기판은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 액티브 소자가, 적어도 1개 이상의 소스 전극과 2개 이상의 드레인 전극을 구비하여 2개 이상의 채널을 가지며, 상기 2개 이상의 드레인 전극 중 적어도 1개가 배선부를 통하여 화소 전극과 전기적으로 접속되고, 상기 배선부(드레인 인출 배선)가, 화소 전극에 연결되는 공통부(드레인 인출 배선 공통부) 및 그 공통부로부터 상기 2개 이상의 드레인 전극의 각각에 대응하여 분기된 분기부(드레인 인출 배선 분기부)를 포함하는 제1 도전 패턴부를 구비하고, 또한, 절연층을 개재하여 상기 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 가짐과 함께, 상기 절연층을 관통시켜 도통함으로써 상기 분기부의 복수와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 구성에 따르면, 특허 문헌 5의 도 1과 같이 액티브 소자를 병렬로 배치할 필요가 없다. 따라서 신호선에 접속하는 전극(본 명세서에서는 소스 전극에 상당)의 주회가 필요없어져 그 소스 전극에 의한 개구율 저하를 억제하고, 또한 소스 전극이 단선 확률이 낮은, 자화소 내 수정이 가능하게 되는 수정 패턴을 형성할 수 있다. 이와 같은 액티브 소자의 배선 구조는, 액티브 소자에 2개 이상의 상기 분기부(드레인 인출 배선 분기부)를 접속하는 형태와 바람직하게 조합할 수 있다.
이와 같은 구조에서는, 액티브 소자를 복수 형성함으로써의 개구율의 저하를 방지하도록 하면서, 본 발명의 작용 효과를 보다 충분히 발휘하는 것이 가능하게 된다. 즉, 액티브 소자가 2개 이상의 드레인 전극을 갖는 것은, 액티브 소자가 드레인 전극과 동수 이상의 채널을 갖는 것과 동등하다. 따라서, 이 형태에 따르면, 임의의 채널에서 단락 등의 결함을 발생하여도, 동일한 액티브 소자 내의 별도의 정상적인 채널을 이용함으로써, 결함 화소의 수정을 도모할 수 있다.
구체적으로는, 예를 들면, 어떤 채널에서 소스 전극과 드레인 전극의 리크(단락)가 발생된 경우, 그 채널에 접속된 분기부(드레인 인출 배선 분기부)를 드레인 전극으로부터 분리하거나, 또한 분리한 분기부(드레인 인출 배선 분기부)를 정상적인 채널에 접속된 분기부(드레인 인출 배선 분기부)에 수정용 접속 전극을 통하여 접속(드레인/드레인 접속)함으로써, 모든 분기부(드레인 인출 배선 분기부)에 대략 동등한 드레인 전위를 인가할 수 있다. 덧붙여, 전술한 바와 같이, 분기부(드레인 인출 배선 분기부)를 복수 형성할 수 있으므로, 화소 전극에 전위가 공급되는 경로를 용장시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 액티브 매트릭스 기판에서는, 또한, 상기 소스 전극의 1개에 대하여 상기 드레인 전극이 복수 구비되어 있는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 즉, 액티브 소자가 소스 전극의 1개에 대하여 드레인 전극을 복수 구비하고, 그 복수의 드레인 전극 중 적어도 1개가 배선부를 통하여 화소 전극과 전기적 접속되고, 상기 배선부(드레인 인출 배선)가 공통부(드레인 인출 배선 공통부)와 그 공통부로부터 상기 복수의 드레인 전극의 각각에 대응하여 분기된 분기부를 포함하는 제1 도전 패턴부(제1 도전층)를 구비하고, 절연층을 개재하여 상기 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 구비하고, 상기 절연층을 관통시켜 도통함으로써 상기 분기부의 복수와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴부(제2 도전층, 수정용 접속 전극)가 형성된 구성으로 하는 것이 바람직하다.
특허 문헌 5의 액정 표시 장치와 같이, 복수의 TFT(액티브 소자)을 병렬 배치함으로써 용장성을 갖게 하는 구조는, TFT의 소스 전극과 주사 신호선 간의 기생 용량이 증가한다. 따라서, 최근과 같이 신호 기입 주파수가 높아지면, 소스 전극과 접속된 데이터 신호선의 용량 부하가 증가하므로 표시 품위(특히 동화상 표시)의 저하를 초래한다고 하는 문제가 발생한다. 덧붙여, 소비 전력이 증가한다고 하는 문제가 있다.
이에 대하여, 상기한 소스 전극의 1개에 대하여 드레인 전극을 복수 구비하는 구성으로 함으로써, 신호선에 접속하는 전극의 주회가 필요없어져 그 소스 전극에 의한 개구율 저하를 억제하고, 또한 소스 전극이 단선 확률이 낮은, 자화소 내 수정이 가능하게 되는 수정 패턴을 형성할 수 있다고 하는 효과에 부가하여, 고속 표시에의 대응 및 소비 전력의 억제를 실현할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
또한, 본 발명의 액티브 매트릭스 기판에서는, 상기와는 반대로, 상기 드레인 전극의 1개에 대하여 상기 소스 전극이 복수 구비되어 있는 구성으로 할 수도 있다.
이 구성에 따르면, 드레인 전극 1개에 대하여 배치되는 소스 전극을 복수로 함으로써, 전술한 소스 전극 1개에 대하여 드레인 전극을 복수 배치한 구성에 비하여, 채널수를 동수로 한 경우의 드레인 전극의 수를 줄일 수 있다. 따라서, 액티브 소자에서의 소스 전극과 드레인 전극 간의 기생 용량(Cgd)에 의한 화소 전위의 인입을 억제할 수 있으므로, 화소 전극이 원하는 실효 전압에 도달하기 위한 소스 전압을 낮출 수 있고, 나아가서는, 소비 전력의 억제가 가능하게 된다.
또한, 개구율의 저하를 방지하는 관점에서, 액티브 소자는, 1개의 구동 영역에 대하여, 1개 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 여기서, 구동 영역이란 화소 또는 부화소에 상당하고, 부화소에 대해서는 후술한다.
상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)는, 적어도 1개의 도전층으로부터 상기 액티브 소자의 게이트 전극용 도전층을 전기적으로 분리하여 형성된 것을 특징하는 액티브 매트릭스 기판인 것이 바람직하다.
본 구성에 따르면 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)와, 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 동일한 도전성 재료를 사용할 수 있으므로, 공정을 간략화·단축하고, 또한 제조 코스트를 저감할 수 있다.
상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)는, 적어도 1개의 도전층으로부터 축적 용량 배선용 도전층을 전기적으로 분리 가능하도록 하여 형성되는 것이 바람직하다.
본 구성에 따르면 상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)와, 축적 용량 배선용 도전층에 동일한 도전성 재료를 사용할 수 있으므로, 공정을 간략화·단축하고, 또한 제조 코스트를 저감할 수 있다.
본 발명의 액티브 매트릭스 기판에서는, 또한, 상기 제2 도전 패턴부는, 액티브 소자 1개에 대하여 복수 형성되어 있는 구성으로 할 수도 있다.
제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)가 1개뿐인 구성에서는, 분기부(드레인 인출 배선 분기부) 혹은 제2 도전 패턴부 자신이 단선하고 있으면, 결함 화소의 수정을 할 수 없게 된다. 그러나, 이와 같이, 제2 도전 패턴부를 액티브 소자 1개에 대하여 복수 형성해 둠으로써, 가령 분기부 혹은 제2 도전 패턴부 자신이 단선하고 있는 경우이어도, 결함 화소의 수정이 가능하게 된다.
이 경우, 액티브 소자 1개에 대하여 드레인 전극이 3개 이상 형성되고, 드레인 배선 분기부도 3개 이상 형성되어 있는 구성의 바람직한 형태로서, 복수의 제2 도전 패턴부로 하고, 모든 상기 분기부와 전기적 접속이 가능하게 형성된 제2 도전 패턴 A부와, 2개 이상의 상기 분기부와 전기적 접속이 가능하게 형성된 제2 도전 패턴 B부를 포함하는 구성이 있다.
이와 같이, 분기부가 3개 이상 형성되는 구성에서는, 2개 이상의 분기부와 전기적 접속이 가능하게 형성된 제2 도전 패턴 B부를 포함시켜 둠으로써, 일정한 용장 효과를 유지하면서, 복수 형성되는 제2 도전 패턴부 모두를, 전체 분기부와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴 A부의 구성으로 한 경우보다도, 개구율을 높일 수 있다.
또한, 제2 도전 패턴 B부를 형성하는 경우, 제1 도전 패턴부에서의 선 길이가 가장 긴 분기부와 겹치는 부분을 갖게 하고, 이 선 길이가 가장 긴 분기부를 다른 분기부에 전기적 접속할 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다.
배선은 그 선 길이가 길어질수록 단선하기 쉬워지므로, 제1 도전 패턴부에서의 2개 이상 있는 분기부 중, 선 길이가 가장 긴 분기부의 단선 확률이 높다. 이와 같이, 선 길이가 가장 긴 분기부를 다른 분기부에 전기적 접속할 수 있도록 제2 도전 패턴 B부를 형성함으로써, 결함 화소의 수정 확률을 높일 수 있다.
상기 액티브 매트릭스 기판은, 화소가 복수의 부화소로 구성되고, 그 복수의 부화소 각각의 액티브 소자에 대하여 상기 수정용 접속 전극을 구비하는 것이 바람직하다.
「화소가 복수의 부화소로 구성되고」란, 화소가 2 이상의 부화소로 분할되고, 부화소 전극이 각각 개별로 구동되는, 소위 멀티 화소 구조를 갖는 것을 의미한다.
이와 같은 2 이상의 부화소에 의해 화소가 구성되는 형태는, 결함 화소의 수정을 행하는 구성에 유리한 형태이다. 대화면에서 저해상도의 표시 장치에서는 액티브 소자가 있는 채널이 리크하여 화소 결함으로 되는 경우, 다른 정상 채널에 의해 화소를 정상 구동시키고자 하지만, 화소가 크기 때문에 화소 용량이 커서, 완전하게 화소를 자화소 내에서 수정하려고 하면 액티브 소자를 크게 할 필요가 있어 개구율 저하나 액티브 소자의 기생 용량 증가에 의해 표시 품위에 영향을 준다.
본 구성에 따르면, 예를 들면 37인치 960×540 도트의 표시 장치인 경우, 1화소 사이즈는 284㎛×854㎛이지만, 2개의 부화소로 구성하면 1화소 사이즈는 그 2분의 1로 되어, 화소 용량을 억제할 수 있으므로 표시 품위를 그다지 저하시키지 않고 자화소 내 수정을 행할 수 있다.
또한, 상기 멀티 화소 구조가 적용되는 경우, 상기 부화소 중 적어도 2개는 휘도가 서로 다른 것이 바람직하다. 이 형태에 따르면, 1개의 화소 내에 밝은 부화소 및 어두운 부화소의 양쪽이 존재하므로, 면적 계조에 의해 중간조를 표현할 수 있어, 액정 디스플레이 화면의 비스듬한 시각에서의 백 부유를 개선하는 데에 바람직하다.
또한 상기 멀티 화소 구조가 적용되는 경우, 본 발명의 액티브 매트릭스 기판은, 서로 반대의 위상의 신호 전압이 인가되는 2 이상의 축적 용량 하전극이 형성된 것으로서, 상기 2 이상의 축적 용량 하전극은, 각각 서로 다른 부화소에 대응하는 축적 용량 상전극과 절연층을 개재하여 겹치는 구조를 갖는 것이 바람직하다. 이와 같은 형태는, 밝은 부화소 및 어두운 부화소를 형성하는 데에 바람직하다.
또한, 2 이상의 축적 용량 하전극에 인가되는 서로 반대의 위상의 신호 전압이란, 화소 분할 구조의 화소에서, 면적 계조를 조작하기 위하여 이용되는 Cs 파형 전압을 의미하고, 게이트 신호의 오프 후에, 용량 결합을 행하는 타이밍에서, 소스로부터 공급되는 드레인 신호 전압(Vs)의 상승에 기여하는 Cs 파형 전압(Cs 극성이 +)과 Vs의 상승에 기여하는 Cs 파형 전압(Cs 극성이 -)의 2종류가 있다.
이와 같은 화소 분할법(면적 계조 기술)에서는, Cs 파형 전압, Cs 용량 및 액정 용량의 용량 결합에 의해, 화소에의 실효 전압을 부화소마다 바꾸어 명·암의 부화소를 형성시켜, 이들 멀티 구동을 실현할 수 있다. 이와 같은 화소 분할법(면적 계조 기술)에 대해서는, 일본 특허 공개 공보 제2004-62146호 등에 상세 내용이 개시되어 있다.
또한, 화소 분할 구조로서는, 예를 들면, 밝은 부화소의 면적이 어두운 부화소의 면적과 동일한 1:1 화소 분할 구조나, 밝은 부화소의 면적이 어두운 부화소의 면적의 1/3인 1:3 화소 분할 구조 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 1:3 화소 분할 구조가 액정 디스플레이 화면의 비스듬한 시각에서의 백 부유 대책(시야각 개선)으로서 특히 유효하다.
이와 같이 밝은 부화소와 어두운 부화소를 형성함으로써, 어두운 부화소의 액티브 소자로서 채널 리크에 의한 결함 (부)화소가 발생한 경우, 밝은 부화소보다도 비교적 결함으로서 인식되기 어려우므로, 밝은 부화소에만 상기 수정용 접속 전극을 형성하여 결함 화소 수정을 실시하도록 함으로써 화소 결함 수정 공정을 삭감할 수 있고, 또한 상기 수정용 접속 전극에 의한 개구율의 저하를 억제하는 것도 가능하다.
상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)는, 절연층을 개재하여 제1 도전층의 분기부(드레인 인출 배선 분기부)와 겹치는 부분의 영역의 면적이 25㎛2 이상 갖는 것이 바람직하다.
이에 의해, 이트륨 알루미늄 가네트(YAG) 레이저 등으로 절연막의 용융 가공을 행하는 경우에, 충분한 레이저 조사 영역이 확보되어, 상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)와 분기부(드레인 인출 배선 분기부)의 도통의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 포토리소그래피 공정에서의 얼라인먼트 어긋남에 의한 겹치는 부분의 영역의 면적의 변동, 레이저 조사 시의 YAG 레이저의 조사빔 직경의 넒어짐, 레이저 조사 후의 제2 도전 패턴부(막)나 분기부의 용융 개소가 테이퍼 형상으로 되는 막 형상을 고려한 경우에는, 중첩하는 영역 면적을 어느 정도 크게 하는 것이 보다 바람직하고, 구체적으로는, 겹치는 부분의 영역의 면적은, 400㎛2 이상인 것이 보다 바람직하다.
상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)는, Al, Cr, Ta, Ti, W, Mo 및 Cu 로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 재료에 의해 형성된 것인 것이 바람직하다. 이에 의해, 상기 제2 도전 패턴부는, 이들 고융점 금속을 포함하는 재료로 형성되기 때문에, YAG 레이저 등으로 용융 가공을 행하는 경우에, ITO 등의 투명 도전막과 비교하여, 용이하고 또한 확실하게 제2 도전 패턴부와 각종 전극 또는 각종 배선을 도통시킬 수 있다.
상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)는, 액정 분자의 배향 제어용 돌기 또는 전극 슬릿과 겹치는 부분을 갖는 것이 바람직하다. 액정 표시 장치의 대향 기판 또는 액티브 매트릭스 기판에 형성된 액정 분자의 배향 제어용 돌기 또는 전극 슬릿이 형성된 영역은, 통상에서는, 투과 영역(개구부)으로서 기능하고 있지 않 은 영역이므로, 그 영역과 겹치도록 상기 제2 도전 패턴부를 배치함으로써, 제2 도전 패턴부를 형성함으로써 개구율이 저하하게 되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 상기 「액정 분자의 배향 제어용 돌기 또는 전극 슬릿과 겹치는」이란, 기판(액정 패널)면 수직 방향으로부터 보았을 때에 액정 분자의 배향 제어용 돌기 또는 전극 슬릿과 중복하는 구조이면 되고, 액정 분자의 배향 제어용 돌기 또는 전극 슬릿이 본 발명의 액티브 매트릭스 기판에 형성되는 경우에 부가하여, 본 발명의 액티브 매트릭스 기판과 대향하는 대향 기판에 형성되는 경우이어도 된다. 이와 같은 구성의 액티브 매트릭스 기판은, MVA 방식의 액정 표시 장치의 액정 패널용 기판으로서 바람직하게 이용할 수 있다.
본 발명의 액티브 매트릭스 기판의 보다 바람직한 형태로서는, 배향 제어용 돌기 또는 전극 슬릿이 형성된 영역(비투과 영역) 내에, 상기 수정용 접속 전극의 전체가 배치되는 형태를 들 수 있다. 배향 제어용 돌기는, 예를 들면, 감광성 수지 등에 의해 형성된다. 배향 제어용 돌기 및 전극 슬릿의 (기판면 수직 방향으로부터 보았을 때의) 평면 형상으로서는, 일정한 주기에서 지그재그로 굴곡한 띠 형상 등을 들 수 있다.
덧붙여, 전극 슬릿 아래에 축적 용량 배선으로부터 연신시켜 상기 수정용 접속 전극을 형성함으로써, 전극 슬릿에 의한 프린지 필드 효과를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 액티브 매트릭스 기판에서는, 상기 화소 전극이, 화소 전극재료가 제거된 제거부를 구비하고, 그 제거부가 상기 분기부와 겹치는 부분을 갖는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
결함 화소를 수정하는 데에 있어서, 분기부를 절단하여 드레인 전극으로부터 분리하거나, 또한 분리한 분기부를 정상적인 채널에 접속된 분기부에 제2 도전 패턴부를 통하여 전기적 접속하거나 한다. 그러나, 분기부의 절단 시나, 분기부와 제2 도전 패턴부를 도통시킬 때에, 분기부의 상층에 있는 화소 전극과, 소스/드레인 사이에서 리크(SD 리크)를 발생한 채널에 연결되는 분기부가 리크하는 경우가 있다.
이에 대하여, 상기한 바와 같이, 화소 전극에 전극 재료가 제거된 제거부에 상기 분기부가 겹치는 부분을 형성해 두고, 이 부분에서 분기부의 절단이나, 분기부와 제2 도전 패턴부를 도통시킴으로써, 화소 전극과 SD 리크 채널에 연결되는 분기부의 리크의 발생을 방지할 수 있다.
보다 구체적으로는, 화소 전극의 제거부를, 제2 도전 패턴부의 배치 위치에 대응하여 형성해 둠으로써, 분기부와 제2 도전 패턴부를 도통시킬 때에 발생하는, 화소 전극과 SD 리크 채널에 연결되는 분기부의 리크의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 화소 전극의 제거부를, 분기부를 절단할 때의 절단 위치에 대응하여 형성해 둠으로써, 분기부를 절단할 때에 발생하는, 화소 전극과 상기 소스/드레인 사이에서 리크를 발생한 채널에 연결되는 분기부의 리크를 방지할 수 있다.
그리고, 보다 바람직한 형태로서, 제거부를, 제2 도전 패턴부의 배치 위치 및 분기부를 절단할 때의 절단 위치에 대응하여 형성해 둠으로써, 이에 의해, 화소 전극과 SD 리크 채널에 연결되는 분기부의 리크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 화소 전극의 제거부를, 화소 전극에 형성된 액정 분자의 배향 제어용 전극 슬릿의 일부로 할 수도 있다. 전술한 바와 같이, 액정 표시 장치에서, 배향 제어용 전극 슬릿이 형성된 영역은, 통상에서는, 투과 영역(개구부)으로서 기능하고 있지 않은 영역이다. 따라서, 이와 같은 배향 제어용 전극 슬릿을 제거부로서 이용함으로써, 제거부를 형성함으로써 개구율이 저하하게 되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 화소 전극에 이와 같은 제거부를 형성하는 구성에서는, 제거부를 차광하는 차광막을 구비하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제거부에 의해 액정 분자의 배향이 흐트러진 부분을 차광할 수 있어, 표시를 양호하게 할 수 있다.
또한, 액티브 매트릭스 기판 자체에 차광막을 구비시키는 것에 한하지 않고, 표시 장치로서, 기판(액정 패널)면 수직 방향으로 보았을 때에, 제거부를 차광하는 것이면 되고, 본 발명의 액티브 매트릭스 기판과 대향하는 대향 기판에 형성되는 경우이어도 된다.
다음으로, 본 발명의 액티브 매트릭스 기판을 구성하는 각 구성 부재에 대해서 설명한다. 상기 기판의 재질로서는, 글래스, 플라스틱 등의 투명 절연성 재료 등을 들 수 있다. 상기 신호선(주사 신호선, 데이터 신호선), 게이트 전극, 수정용 접속 전극 및 드레인 인출 배선의 재질로서는, 티탄(Tn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등의 금속막, 그들의 합금막이나, 그들의 적층막 등을 들 수 있다. 신호선, 게이트 전극, 수정용 접속 전극 및 드레인 인출 배선의 형성 방법으로서는, 전술한 재료를 스퍼터링법 등으로 성막한 후, 포토에칭법 등으로 패턴 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 소스 전극 및 드레인 전극의 재질로서는, 인 등을 도프한 n+ 아몰퍼스 실리콘 등을 들 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극의 형성 방법으로서는, 전술한 재료를 플라즈마 CVD법 등에 의해 성막한 후, 드라이 에칭법 등에 의해 소스·드레인 분리하여 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 제조 공정의 단축 및 제조 코스트의 저감을 위하여, 주사 신호선과 게이트 전극과 수정용 접속 전극, 데이터 신호선과 드레인 인출 배선, 및, 소스 전극과 드레인 전극은, 각각 동일 재료로 동일 공정에서 형성되는 것이 바람직하다. 신호선, 게이트 전극 및 수정용 접속 전극의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 하한이 대략 1000Å, 상한이 대략 3000Å인 것이 바람직하고, 소스 전극 및 드레인 전극의 두께는, 500Å 정도인 것이 바람직하다.
상기 화소 전극의 재질로서는, ITO, IZO, 산화 주석, 산화 아연 등의 투명한 도전 재료 등을 들 수 있다. 화소 전극의 형성 방법으로서는, 전술한 재료를 스퍼터링법 등으로 성막한 후, 포토에칭법 등으로 패턴 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 화소 전극의 형상으로서는, 사각 형상 등을 들 수 있다. 화소 전극의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 하한이 대략 1000Å, 상한이 대략 2000Å인 것이 바람직하다. 화소 전극과 드레인 전극 또는 배선부(드레인 인출 배선)는, 층간 절연막에 형성된 컨택트홀 등에 의해 접속되는 것이 바람직하다.
본 발명의 액티브 매트릭스 기판의 바람직한 형태로서는, 예를 들면, 하층으로부터 (1)기판, (2)주사 신호선, 게이트 전극, 보조 용량 배선, 및 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극), (3)(게이트) 절연막, (4)고저항 반도체층, (5)소스 전극 및 드레인 전극, (6)데이터 신호선, 및 배선부(드레인 인출 배선), (7)층간 절연막(컨택트홀을 포함함), (8)화소 전극의 순서로 적층된 형태 등을 들 수 있다.
또한, 상기 액티브 매트릭스 기판을 구비하여 이루어지는 본 발명의 표시 장치에 따르면, 화소 결함이 발생했을 때에, 그 수정을 용이하고 또한 확실하게 행할 수 있으므로, 화소 결함을 충분히 저감하여 높은 표시 품위를 얻을 수 있고, 높은 수율로 제조하는 것이 가능하게 된다. 이와 같은 본 발명의 표시 장치는, 특히 점결함의 발생을 억제하는 것이 요구되는 대형 액정 TV 등에 바람직하게 이용할 수 있다.
본 발명을 적용한 액정 표시 장치의 바람직한 형태로서는, 액정 분자의 배향 제어용 돌기 또는 전극 슬릿이 액티브 매트릭스 기판 및/또는 대향 기판 위에 형성된 형태를 들 수 있다. 이와 같은 형태에서는, 광시야각화를 실현할 수 있다.
본 발명은, 액티브 소자가, 적어도 1개 이상의 소스 전극과 2개 이상의 드레인 전극을 구비하여 2개 이상의 채널을 가지며, 상기 2개 이상의 드레인 전극 중 적어도 1개가 배선부를 통하여 화소 전극과 전기적으로 접속되고, 상기 배선부(드레인 인출 배선)가, 화소 전극에 연결되는 공통부(드레인 인출 배선 공통부) 및 그 공통부로부터 상기 2개 이상의 드레인 전극의 각각에 대응하여 분기된 분기부(드레인 인출 배선 분기부)를 포함하는 제1 도전 패턴부를 구비하고, 또한, 절연층을 개 재하여 상기 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 가짐과 함께, 상기 절연층을 관통시켜 도통함으로써 상기 분기부의 복수와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)가 형성된 액티브 매트릭스 기판의 화소 결함 수정 방법으로서, 화소 결함이 있는 화소에 대해서, 상기 복수의 분기부 중 적어도 1개를, 상기 제2 도전 패턴부가 겹치는 부분과 상기 공통부 사이에서 절단하는 것을 특징으로 하는 화소 결함 수정 방법이다.
이 액티브 매트릭스 기판의 화소 결함 수정 방법에 따르면, 예를 들면 액티브 소자의 복수의 채널 중 화소 결함이 발생하는 원인으로 되는 리크한 채널에 대응하는 분기부(드레인 인출 배선 분기부)를 절단함으로써, 화소 결함을 수정할 수 있다. 또한, 분기부(드레인 인출 배선 분기부)와 데이터 신호선 사이에서 단락(리크) 등의 결함이 발생한 경우이어도, 리크한 분기부를 절단함으로써 전기적으로 분리함으로써 화소 결함을 수정할 수 있다.
특히, 패턴 외관 검사 등에 의해 리크 개소가 특정되는 경우에 바람직하게 이용할 수 있다.
또한 본 발명의 화소 결함 수정 방법은, 상기 분기부(드레인 인출 배선 분기부)의 절단에 의해 화소 결함이 수정되지 않으면, 상기 절단된 분기부의 절단 개소로부터 드레인 전극측과 상기 공통부를 전기적 접속하도록, 상기 절연층을 관통하여 상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)를 도통시켜 상기 절단된 분기부와 다른 분기부를 전기적 접속하고, 또한 상기 절단된 분기부 이외의 다른 분기부 중 적어도 1개를 절단하는 것을 특징으로 한다.
이 액티브 매트릭스 기판의 화소 결함 수정 방법에 따르면, 액티브 소자의 복수의 채널 중 화소 결함이 발생하는 원인으로 되는 리크한 채널에 대응하는 상기 분기부(드레인 인출 배선 분기부)를 절단하고자 하지만, 리크한 채널이 패턴 외관 검사 등에 의해 특정할 수 없는 경우에 유효하게 화소 결함을 수정할 수 있다. 예를 들어, 상기 분기부(드레인 인출 배선 분기부)의 절단에 의해 화소 결함이 수정된 것인지의 여부를 전기적 검사 등에 의해 확인하고, 화소 결함이 수정되지 않으면 상기 수정 방법에 의해 화소 결함을 수정할 수 있다.
또한, 상기 화소 결함 수정 방법은, 상기 절연층을 관통하여 상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)를 도통시키는 데에, 상기 제2 도전 패턴부와 상기 분기부(드레인 인출 배선 분기부)가 겹치는 영역에 레이저 조사하고, 상기 제2 도전 패턴부나 상기 분기부 중 적어도 어느 한쪽을 용융시켜 행하는 것이 바람직하다. 이와 같은 방법으로 용융시킴으로써, 상기 제2 도전 패턴부와 상기 분기부를, 용이하고 또한 확실하게 도통시킬 수 있다.
용융에 사용되는 레이저 광으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, YAG(Yttrium Aluminium Garnet; 이트륨 알루미늄 가네트) 레이저의 제2 고조파(파장 532㎚) 등을 들 수 있다.
본 발명의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법은, 액티브 소자가, 적어도 1개 이상의 소스 전극과 2개 이상의 드레인 전극을 구비하여 2개 이상의 채널을 가지며, 상기 2개 이상의 드레인 전극 중 적어도 1개가 배선부를 통하여 화소 전극과 전기적으로 접속되고, 상기 배선부(드레인 인출 배선)가, 화소 전극에 연결되는 공 통부(드레인 인출 배선 공통부) 및 그 공통부로부터 상기 2개 이상의 드레인 전극의 각각에 대응하여 분기된 분기부(드레인 인출 배선 분기부)를 포함하는 제1 도전 패턴부를 구비하고, 또한, 절연층을 개재하여 상기 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 가짐과 함께, 상기 절연층을 관통시켜 도통함으로써 상기 분기부의 복수와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)가 형성된 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법으로서, 화소 결함이 있는 화소에 대해서, 상기 복수의 분기부 중 적어도 1개를, 상기 제2 도전 패턴부가 겹치는 부분과 상기 공통부 사이에서 절단하여, 화소 결함 수정을 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법에 따르면, 화소 결함을 충분히 억제할 수 있는 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 것이 가능하게 된다.
상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)는, 적어도 1개의 도전층으로부터 축적 용량 배선용 도전층을 전기적으로 분리하여 형성하는 것이 바람직하다.
이에 의해, 상기 제2 도전 패턴부(수정용 접속 전극)와, 축적 용량 배선용 도전층에 동일한 도전성 재료를 사용하므로, 공정을 간략화·단축하고, 또한 제조 코스트를 저감할 수 있다.
또한, 화소 결함이 발생하지 않고 있는 정상 화소에서는, 본래대로, 축적 용량 배선의 연신부를 축적 용량 소자의 일부로서, 또는, 프린지 필드 효과의 향상에 활용할 수 있다. 축적 용량 배선의 연신부의 일부 또는 전부를 파괴 분리하는 방법으로서는, 레이저 조사 등이 바람직하고, 사용되는 레이저로서는, YAG 레이저의 제4 고조파(파장 266㎚) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 화소 결함 수정 방법을 이용한 본 발명의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법에 따르면, 화소 결함을 충분히 억제할 수 있는 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 화소 결함 수정 방법 또는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법을 이용한 본 발명의 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 화소 결함이 충분히 억제되어, 높은 표시 품위를 갖는 표시 장치를 제조할 수 있어, 높은 수율로 제조하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 또 다른 목적, 특징, 및 우수한 점은, 이하에 나타내는 기재에 의해 충분히 알 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 이익은, 첨부 도면을 참조한 다음의 설명에서 명백해질 것이다.
도 1은 실시 형태 1의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 2는 실시 형태 1의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 3은 실시 형태 1의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 4는 도 1에 도시하는 액티브 매트릭스 기판의 A1-A2 화살 표시 단면 모식도.
도 5는 도 1에 도시하는 액티브 매트릭스 기판의 B1-B2 화살 표시 단면 모식 도.
도 6은 실시 형태 1의 표시 장치의 구성도.
도 7은 실시 형태 1의 텔레비전 수상기의 구성도.
도 8은 실시 형태 2의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 9는 실시 형태 2의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 10은 실시 형태 2의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 11은 실시 형태 3의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 12는 실시 형태 3의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 13은 실시 형태 3의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 14는 실시 형태 3의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 15는 실시 형태 4의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 16은 실시 형태 4의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 17은 실시 형태 4의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 18은 종래의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 19는 실시 형태 5의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 20은 실시 형태 5에서의 다른 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 21은 도 19에 도시하는 액티브 매트릭스 기판에서의 화소 수정예를 도시하는 일 화소분의 평면 모식도.
도 22는 도 19에 도시하는 액티브 매트릭스 기판에서의 다른 화소 수정예를 도시하는 일 화소분의 평면 모식도.
도 23은 실시 형태 5에서의 또 다른 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 24는 실시 형태 5에서의 또 다른 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 25는 실시 형태 6의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 26은 실시 형태 6에서의 다른 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 27은 실시 형태 6에서의 또 다른 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 28은 실시 형태 6에서의 또 다른 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
도 29는 실시 형태 6에서의 또 다른 액티브 매트릭스 기판으로서, 그 1화소의 구성을, 서로 겹쳐진 대향 기판측의 주요부와 함께 도시하는 평면 모식도.
도 30은 실시 형태 7의 액티브 매트릭스 기판의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도.
[부호의 설명]
1, 51: 화소 전극
1a: 부화소 전극
1b: 부화소 전극
2: 주사 신호선
3: 데이터 신호선
4, 4a, 4b: 액티브 소자(TFT)
5: 게이트 전극
6: 소스 전극(저저항 반도체층)
6a, 6b, 16a, 16b: 드레인 전극(저저항 반도체층)
7a, 7b, 7c: 드레인 인출 배선 분기부(제1 도전층)
7d: 드레인 인출 배선 공통부(제1 도전층)
8: 컨택트홀
9: 수정용 접속 전극(제2 도전층)
9a: 전극(수정용 전극(제2 도전층) 포함함)
11: 게이트 절연막(절연층)
21: 축적 용량 상전극
22: 축적 용량 배선(축적 용량 배선용 도전층)
30: 전극 슬릿
83: 제거부
84: 차광막
95: 우회 경로
96a: 레이저 조사 개소(도통부)
97a, 97b: 레이저 조사 개소(절단 개소)
99: 결함
100: 액티브 매트릭스 기판
500: Y/C 분리 회로
501: 비디오 크로마 회로
502: A/D 컨버터
503: 액정 컨트롤러
504: 액정 패널
505: 형광관 구동 회로
506: 백 라이트
507: 마이크로컴퓨터
508: 계조 회로
600: 튜너부
501: 표시 장치
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
이하에 실시 형태를 예로 들어, 도면을 참조하여 본 발명에 대해서 더욱 상세히 설명하겠지만, 본 발명은 이들 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.
〔실시 형태 1〕
본 발명의 실시의 일 형태인 실시 형태 1에 대해서, 도 1 내지 도 7에 기초하여 이하에 설명한다. 도 1 내지 도 3은, 실시 형태 1의 액티브 매트릭스 기판(100)의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도이다. 그리고, 도 1은 화소 결함 수정이 실시되지 않는 화소의 구성, 도 2, 3은 화소 결함 수정이 실시된 화소의 구성을 도시하는 것이다. 또한, 도 4는 도 1의 A1-A2 단면 구성, 도 5는 도 1의 B1-B2 단면 구성을 도시한다. 도 6은 본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판을 이용한 표시 장치의 구성, 도 7에는 도 6의 표시 장치를 이용한 텔레비전 수상기의 구성을 도시한다.
도 1 내지 3에 도시하는 바와 같이, 액티브 매트릭스 기판(100)에는, 복수의 화소 전극(1)이 매트릭스 형상으로 형성되어 있고, 이들 화소 전극(1)의 주위를 지 나, 서로 교차하도록, 주사 신호를 공급하기 위한 각 주사 신호선(2)과, 데이터 신호를 공급하기 위한 각 데이터 신호선(3)이 형성되어 있다. 이들 주사 신호선(2)과 데이터 신호선(3)의 교차 부분에, 액티브 소자(스위칭 소자)로서의 TFT(4)가 형성되어 있다.
액티브 소자인 TFT(4)는 주사선(2)과 접속된 게이트 전극(5)과, 데이터 신호선(3)과 접속된 소스 전극(6)과, 드레인 전극(16a, 16b)을 구비하고 있다. 그리고, 드레인 전극(16a, 16b)은 배선부를 구성하는 도전층으로 이루어지는 제1 도전 패턴부인 드레인 인출 배선(7a, 7b, 7d)에 접속되어 있다. 이 드레인 인출 배선은, 공통부인 드레인 인출 배선 공통부(7d)와, 드레인 전극(16a, 16b)의 각각에 대응하여 분기된 분기부인 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)를 구비하고 있다.
드레인 인출 배선 공통부(7d)는, 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)과 접속되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 절연층을 개재하여 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)와 겹치는 부분을 각각 150㎛2 구비하고, 절연층을 관통시켜 도통함으로써 이들 분기부(7a, 7b) 모두와 전기적 접속 가능한 도전층으로 이루어지는 제2 도전 패턴부인 수정용 접속 전극(9)이 형성되어 있다.
여기서, 도 1에 도시하는 것은, 드레인 전극(16a)측 및 드레인 전극(16b)측의 어느 것에 대해서도 결함이 없는 화소로서, 화소 결함 수정이 실시되어 있지 않다. 따라서, 도 1에 도시한 화소에서는, 수정용 접속 전극(9)은, 드레인 전극(16a, 16b)과 화소 전극(1) 사이의 배선부로서는 기능하지 않는다.
또한, TFT(4)는, 게이트 전극(5)에 입력되는 주사 신호에 의해 구동 제어되어, 소스 전극(6)에 데이터 신호가 입력됨으로써, 화소 전극(1)에 원하는 전압이 인가된다.
다음으로, 본 실시 형태의 단면 구조 및 제조 방법의 기본 부분에 대해서, 도 1, 4, 5를 이용하여 설명한다. 도 4는, 도 1에 도시하는 액티브 매트릭스 기판의 A1-A2 단면 모식도이다. 도 5는 도 1의 B1-B2 단면 모식도이다. 도 4, 도 5에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 글래스, 플라스틱 등의 투명 절연성 기판(10) 위에, 주사 신호선(2)에 접속된 게이트 전극(5)이 형성되어 있다. 주사 신호선(2), 게이트 전극(5)은, 티탄, 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 구리 등의 금속막, 그들의 합금막, 또는, 그들의 적층막을 1000Å~3000Å의 막 두께로서 스퍼터링법 등의 방법에서 성막하고, 이를 포토에칭법 등에 의해 필요한 형상으로 패턴 형성함으로써 형성된다. 또한, 주사 신호선(2), 게이트 전극(5)의 형성과 동일 공정에서 수정용 접속 전극(9)이 형성된다. 이와 같이 동일 공정에서 형성함으로써, 제조 공정의 단축 및 제조 코스트의 저감이 가능하게 된다. 수정용 접속 전극(9)은, 이후 공정에서 상층에 형성되는 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)와 중첩되도록 형성해 둔다.
또한, 본 실시 형태에서는, 주사 신호선(2), 게이트 전극(5) 및 수정용 접속 전극(9) 위를 덮어 게이트 절연막(11)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(11)은, 질화 실리콘이나 산화 실리콘 등의 절연막에 의해 형성된다. 그 위에는 게이트 전극(5)과 겹쳐지도록, 아몰퍼스 실리콘이나 폴리실리콘 등으로 이루어지는 고저항 반도체층(12)이 형성되고, 또한 오믹컨택트층으로서 소스 전극(6) 및 드레인 전극(16a, 16b)으로 되는, 인 등의 불순물을 도프한 n+ 아몰퍼스 실리콘 등으로 이루어지는 저저항 반도체층이 형성된다. 이들 질화 실리콘이나 산화 실리콘 등의 게이트 절연막(11), 아몰퍼스 실리콘 등의 고저항 반도체층(12), n+ 아몰퍼스 실리콘 등의 저저항 반도체층(6, 16a, 16b)은, 각각 플라즈마 CVD(화학적 기상 성장)법등에 의해 성막되고, 포토에칭법 등에 의해 패턴 형성된다. 막 두께는, 예를 들면, 게이트 절연막(11)으로서 질화 실리콘막은 3000Å~5000Å 정도, 고저항 반도체층(12)으로서 아몰퍼스 실리콘막은 1000Å~3000Å 정도, 저저항 반도체층(6, 16a, 16b)으로서 n+ 아몰퍼스 실리콘막은 400Å~700Å 정도이다.
데이터 신호선(3), 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b) 및 드레인 인출 배선 공통부(7d)는, 동일 공정에 의해 형성된다. 데이터 신호선(3), 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b) 및 드레인 인출 배선 공통부(7d)는, 티탄, 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 구리 등의 금속막, 그들의 합금막, 또는, 그들의 적층막을 100OÅ~3000Å의 막 두께로 스퍼터링법 등의 방법으로 형성하고, 포토에칭법 등에 의해 필요한 형상으로 패턴 형성함으로써 형성된다. TFT는, 아몰퍼스 실리콘막 등의 고저항 반도체층(12), n+ 아몰퍼스 실리콘막 등의 저저항 반도체층(6, 16a, 16b)에 대하여, 데이터 신호선(3) 및 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)의 패턴을 마스크로 하여, 드라이 에칭에 의해 채널 에칭을 행함으로써 형성한다.
본 실시 형태에서는, 층간 절연막(13)으로서, 감광성 아크릴 수지 등의 수지막이나, 질화 실리콘, 산화 실리콘 등의 무기 절연막, 또는, 그들의 적층막 등이 형성된다. 적층막으로서는, 예를 들면, 플라즈마 CVD법 등에 의해 성막한 2000Å~5000Å 정도의 막 두께의 질화 실리콘막과, 이 질화 실리콘막 위에 다이코트(도포)법에 의해 형성한 20000Å~40000Å의 막 두께의 감광성 아크릴 수지막과의 적층막 등을 이용할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 컨택트홀은, TFT, 주사 신호선(2), 데이터 신호선(3), 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b), 드레인 인출 배선 공통부(7d)의 상부를 덮도록 형성된 층간 절연막(13)을 관통하여 형성되어 있다. 컨택트홀은, 예를 들면, 감광성 아크릴 수지를 포토리소그래피법(노광 및 현상)에 의해 패터닝함으로써 형성한다.
본 실시 형태에서는, 화소 전극(1)은, 층간 절연막(13)의 상층에 형성되어, 예를 들면, ITO, IZO, 산화 아연, 산화 주석 등의 투명성을 갖는 도전막을, 스퍼터링법 등에 의해 1000Å~2000Å 정도의 막 두께로 성막하고, 이를 포토에칭법 등에 의해 필요한 형상으로 패턴 형성함으로써 형성된다.
계속해서, 본 실시 형태에서의 화소 결함 수정에 대해서 설명한다. 도 2에 도시하는 것은, 소스 전극(6)―드레인 전극(16a) 사이의 막 잔류물 결함(99)에 의한 리크 등의 드레인 전극(16a)측에 결함이 있던 화소이고, 화소 결함 수정이 실시된 것이다. 그 화소 결함 수정으로서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를, 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단한 것이다.
이와 같은 화소 결함 수정은, 외관 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a)측이나 드레인 전극(16b)측의 어느 쪽에 존재하는 것인지, 분기부 절단 전에 판명되어 있으면 가능하다. 또한, 전기적 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a)측이나 드레인 전극(16b)측 중 적어도 어느 한쪽에 존재한다고 판명되어 있는 경우에, 1개의 분기부 절단 후에 다시 전기적 검사 등을 행하여, 화소 결함이 해소되어 있으면, 도 2에 도시한 바와 같은 화소 결함 수정된 화소로 된다. 또한, 상세한 것은 도 3을 이용하여 후술하겠지만, 여기서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단하고 있으므로, 분기부 절단 전에 결함 개소가 특정되지 않고, 드레인 전극(16a)측에 결함이 없던 경우에, 수정용 접속 전극(9)을 이용하여 분기부(7a)와 공통부(7d)의 도통을 용이하게 회복시킬 수 있다.
도 2에 도시한 것에서는, 드레인 전극(16a)이 전기적으로 차단되고, 드레인 전극(16b)이 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 통하여 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속되고, 또한 드레인 인출 배선 공통부(7d)가 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)과 접속된다. 또한, 도 2에 도시한 화소에서는, 수정용 접속 전극(9)은, 드레인 전극(16b)과 화소 전극(1) 사이의 배선부로서는 기능하지 않는다.
도 3에 도시하는 것은, 소스 전극(6)―드레인 전극(16b) 사이의 막 잔여물 결함(99)에 의한 리크 등의 드레인 전극(16b)측에 결함이 있던 화소이고, 화소 결함 수정이 실시된 것이다. 그 화소 결함 수정으로서는, 드레인 인출 배선 분기 부(7a)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 전극(16b) 사이의 개소(97b)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)의 어느 것에 대해서도, 개소(96a)에서 개재하는 절연층을 관통하여 도통시켜 수정용 접속 전극(9)과 전기적 접속한 것이다.
이와 같은 화소 결함 수정은, 외관 검사에서는 결함 개소를 특정할 수 없고, 전기적 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a)측이나 드레인 전극(16b)측 중 적어도 어느 한쪽에 존재한다고 판명되어 있을 때에, 1개의 분기부 절단 후에 다시 전기적 검사 등을 행한 결과, 화소 결함이 해소되지 않는 경우에 실시되는 것이다. 이와 같은 경우에는, 절단한 측의 드레인 전극측에 결함이 존재하지 않을 가능성이 있으므로, 절단한 측의 분기부에 대해서 수정용 접속 전극을 이용하여 공통부와의 도통을 회복시키고, 다른 쪽의 분기부를 절단한다.
도 3에 도시한 것에서는, 드레인 전극(16b)이 전기적으로 차단되고, 드레인 전극(16a)이, 우회 경로(95)를 경유하도록, 드레인 인출 배선 분기부(7a), 수정용 접속 전극(9) 및 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 통하여, 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속된다. 그리고, 드레인 인출 배선 공통부(7d)가, 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)과 접속된다.
본 실시 형태에서, 드레인 인출 배선 분기부의 분리에는, 절단 개소(97a, 97b)에 대하여 기판의 표면 또는 이면으로부터 레이저를 조사함으로써 파괴 분리한다. 사용하는 레이저 파장으로서는, 예를 들면, YAG 레이저의 제4 고조파(파장 266㎚)를 들 수 있다. 또한, 드레인 인출 배선 분기부와 수정용 접속 전극의 도통에는, 도통 개소(96a)에 대하여 기판의 표면 또는 이면으로부터 레이저를 조사한다. 사용하는 레이저 파장으로서는, 예를 들면, YAG 레이저의 제2 고조파(파장 532㎚)를 들 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 도 1 내지 도 3에 도시하는 바와 같이, 수정용 접속 전극(9)의 패턴 형상이 사각형(사변형)으로 되어 있지만, 수정용 접속 전극(9)의 패턴 형상으로서는, 이에 한정되지 않고, 삼각형, 반원형, 사다리꼴 등이어도 된다. 즉, 수정용 접속 전극(9)의 일부가, 게이트 절연막을 개재하여, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)의 패턴에 겹치도록 형성됨과 함께, 적어도 레이저 조사용의 영역이 확보되도록 구성되어 있는 것이 바람직하고, 예를 들면 도 3에 참조부호 95로 나타낸 바와 같은 우회 경로를 구성할 수 있으면 된다. 또한, 수정용 접속 전극과 드레인 인출 배선 분기부의 겹침부의 배치 장소도 특별히 한정되는 것은 아니다.
본 실시 형태의 화소 결함 수정은, 적어도 화소 전극을 형성한 후에 수정을 행하는데, 예를 들면 액정 표시 장치에 적용한 경우에는, 리크하고 있는 채널을 확실하게 전기적으로 분리하고, 우회 경로를 형성하는 데에는, 패널 점등 확인을 할 수 있는 액정층 형성 후 쪽이 보다 바람직하다. 액정층 형성 후란, 액티브 매트릭스 기판과 컬러 필터 기판을 접합하고, 액정을 주입·밀봉하여, 패널 상태로 하는 것이다. 단, 이에 한정되지 않고, 본 실시 형태에서는, 드레인 인출 배선(7a, 7b, 7d) 형성 후, 채널 에칭 후에 수정하여도 된다.
또한, 도 6에 액정 표시 장치의 회로 블록을 도시한다. 도 6에서, 참조부호 500은 Y/C 분리 회로, 참조부호 501은 비디오 크로마 회로, 참조부호 502는 A/D 컨버터, 참조부호 503은 액정 컨트롤러, 참조부호 504는 액정 패널, 참조부호 505는 백 라이트 구동 회로, 참조부호 506은 백 라이트, 참조부호 507은 마이크로컴퓨터, 참조부호 508은 계조 회로이다. 액정 패널은 본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판을 이용하여 구성했다.
텔레비전 신호의 입력 영상 신호는, Y/C 분리 회로(500)에 입력되어, 휘도 신호와 색 신호로 분리된다. 휘도 신호와 색 신호는 비디오 크로마 회로(501)에서 광의 3원색인, R, G, B로 변환되고, 또한, 이 아날로그 RGB 신호는 A/D 컨버터(502)에 의해, 디지털 RGB 신호로 변환되어, 액정 컨트롤러(503)에 입력된다.
액정 패널(504)에서는 액정 컨트롤러(503)로의 RGB 신호가 소정의 타이밍에서 입력됨과 함께, 계조 회로(508)로부터의 RGB 각각의 계조 전압이 공급되어, 화상이 표시되게 된다. 이들 처리를 포함시켜, 시스템 전체의 제어는 마이크로컴퓨터(507)가 행하게 된다.
또한, 영상 신호로서, 텔레비전 방송에 기초하는 영상 신호, 카메라에 의해 촬상된 영상 신호, 인터넷 회선을 통하여 공급되는 영상 신호 등, 다양한 영상 신호에 기초하여 표시 가능하다.
또한, 도 7에 도시하는 튜너부(600)에서는 텔레비전 방송을 수신하여 영상 신호를 출력하고, 표시 장치(601)에서는 튜너부(600)로부터 출력된 영상 신호에 기초하여 화상(영상) 표시를 행한다. 또한, 표시 장치로서는, 도 6에 도시한 액정 표시 장치를 적용할 수 있지만, 유기 EL 표시 장치 등의 다른 표시 장치에서도 적용 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서 나타낸 표시 장치 및 텔레비전 수상기는, 이하의 실시 형태 2 내지 4에 기재된 액티브 매트릭스 기판을 적용하는 것도 가능하다.
〔실시 형태 2〕
본 발명의 실시의 일 형태인 실시 형태 2에 대해서, 도 8 내지 도 10에 기초하여 이하에 설명한다. 도 8 내지 도 10은, 실시 형태 2의 액티브 매트릭스 기판(100)의 일 화소의 구성을 도시하는 평면 모식도이다. 그리고, 도 8은 화소 결함 수정이 실시되지 않는 화소의 구성, 도 9, 10은 화소 결함 수정이 실시된 화소의 구성을 도시하는 것이다.
도 8 내지 도 10에 도시하는 바와 같이, 액티브 매트릭스 기판(100)에는, 복수의 화소 전극(1)이 매트릭스 형상으로 형성되어 있고, 이들 화소 전극(1)의 주위를 지나, 서로 교차하도록, 주사 신호를 공급하기 위한 각 주사 신호선(2)과, 데이터 신호를 공급하기 위한 각 데이터 신호선(3)이 형성되어 있다. 이들 주사 신호선(2)과 데이터 신호선(3)의 교차 부분에, 액티브 소자(스위칭 소자)로서의 TFT(4)가 형성되어 있다.
액티브 소자인 TFT(4)는 주사선(2)과 접속된 게이트 전극(5)과, 데이터 신호선(3)과 접속된 소스 전극(6)과, 드레인 전극(16a, 16b)을 구비하고 있다. 그리고, 드레인 전극(16a, 16b)은 배선부를 구성하는 도전층으로 이루어지는 제1 도전 패턴부인 드레인 인출 배선(7a, 7b, 7d)과 접속되어 있다. 이 드레인 인출 배선 은, 드레인 인출 배선 공통부(7d)와, 드레인 전극(16a, 16b)의 각각에 대응하여 분기된 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)를 구비하고 있다.
드레인 인출 배선 공통부(7d)에는, 축적 용량 소자의 한쪽의 전극(축적 용량 상전극)(21) 및 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)이 접속되어 있다. 축적 용량 배선(22)은, 이 축적 용량 소자의 다른 쪽의 전극(축적 용량 하전극)으로서 기능한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 절연층을 개재하여 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)와 겹치는 부분을 각각 150㎛2 구비하고, 절연층을 관통시켜 도통함으로써 이들 분기부(7a, 7b) 모두와 전기적 접속 가능한 도전층으로 이루어지는 수정용 접속 전극(9)을 형성하고 있다.
도 8에 도시하는 것은, 드레인 전극(16a)측 및 드레인 전극(16b)측의 어느 것에 대해서도 결함이 없는 화소이고, 화소 결함 수정이 실시되어 있지 않다. 따라서, 도 8에 도시한 화소에서는, 수정용 접속 전극(9)은, 드레인 전극(16a, 16b)과 화소 전극(1) 사이의 배선부로서는 기능하지 않는다.
또한, 본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판의 단면을 구성하는 부재에 대해서는, 상기 실시 형태 1의 설명과 중복되기 때문에, 설명의 편의상, 생략하는 것으로 한다.
도 9에 도시하는 것은, 소스 전극(6)―드레인 전극(16a) 사이의 막 잔여물 결함(99)에 의한 리크 등의 드레인 전극(16a)측에 결함이 있던 화소이고, 화소 결함 수정이 실시된 것이다. 그 화소 결함 수정으로서는, 드레인 인출 배선 분기 부(7a)를, 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단한 것이다.
이와 같은 화소 결함 수정은, 외관 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a)측이나 드레인 전극(16b)측의 어느 것에 존재하는 것인지, 분기부 절단 전에 판명되어 있으면 가능하다. 또한, 전기적 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a)측이나 드레인 전극(16b)측 중 적어도 어느 한쪽에 존재하다고 판명되어 있는 경우에, 1개의 분기부 절단 후에 다시 전기적 검사 등을 행하여, 화소 결함이 해소되어 있으면, 도 9에 도시한 바와 같은 화소 결함 수정된 화소로 된다. 또한, 상세한 것은 도 10을 이용하여 후술하겠지만, 여기서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단하고 있으므로, 분기부 절단 전에 결함 개소가 특정되지 않고, 드레인 전극(16a)측에 결함이 없던 경우에, 수정용 접속 전극(9)을 이용하여 분기부(7a)와 공통부(7d)의 도통을 용이하게 회복시킬 수 있다.
도 9에 도시한 것에서는, 드레인 전극(16a)이 전기적으로 차단되고, 드레인 전극(16b)이 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 통하여 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속되고, 또한 드레인 인출 배선 공통부(7d)가 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)과 접속된다. 또한, 도 9에 도시한 화소에서는, 수정용 접속 전극(9)은, 드레인 전극(16b)과 화소 전극(1) 사이의 배선부로서는 기능하지 않는다.
도 10에 도시하는 것은, 소스 전극(6)-드레인 전극(16b) 사이의 막 잔여물 결함(99)에 의한 리크 등의 드레인 전극(16b)측에 결함이 있던 화소이고, 화소 결 함 수정이 실시된 것이다. 그 화소 결함 수정으로서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 전극(16b) 사이의 개소(97b)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)의 어느 것에 대해서도, 개소(96a)에서 개재하는 절연층을 관통하여 도통시켜 수정용 접속 전극(9)과 전기적 접속한 것이다.
이와 같은 화소 결함 수정은, 외관 검사에서는 결함 개소를 특정할 수 없고, 전기적 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a)측이나 드레인 전극(16b)측 중 적어도 어느 한쪽에 존재한다고 판명되어 있을 때에, 1개의 분기부 절단 후에 다시 전기적 검사 등을 행한 결과, 화소 결함이 해소되지 않은 경우에 실시되는 것이다. 이와 같은 경우에는, 절단한 측의 드레인 전극측에 결함이 존재하지 않을 가능성이 있으므로, 절단한 측의 분기부에 대해서 수정용 접속 전극을 이용하여 공통부와의 도통을 회복시키고, 다른 쪽의 분기부를 절단한다.
도 10에 도시한 것에서는, 드레인 전극(16b)이 전기적으로 차단되고, 드레인 전극(16a)이, 우회 경로(95)를 경유하도록, 드레인 인출 배선 분기부(7a), 수정용 접속 전극(9) 및 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 통하여, 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속된다. 그리고, 드레인 인출 배선 공통부(7d)가, 축적 용량 소자의 한쪽의 전극(축적 용량 상전극)(21) 및 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)과 접속된다.
본 실시 형태에서, 드레인 인출 배선 분기부의 분리에는, 절단 개소(97a, 97b)에 대하여 기판의 표면 또는 이면으로부터 레이저를 조사함으로써 파괴 분리한다. 사용하는 레이저 파장으로서는, 예를 들면, YAG 레이저의 제4 고조파(파장 266㎚)를 들 수 있다. 또한, 드레인 인출 배선 분기부와 수정용 접속 전극의 도통에는, 도통 개소(96a)에 대하여 기판의 표면 또는 이면으로부터 레이저를 조사한다. 사용하는 레이저 파장으로서는, 예를 들면, YAG 레이저의 제2 고조파(파장 532㎚)를 들 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 도 8 내지 도 10에 도시하는 바와 같이, 수정용 접속 전극(9)의 패턴 형상이 사각형(사변형)으로 되어 있지만, 수정용 접속 전극(9)의 패턴 형상으로서는, 이에 한정되지 않고, 삼각형, 반원형, 사다리꼴 등이어도 된다. 즉, 수정용 접속 전극(9)의 일부가, 게이트 절연막을 개재하여, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)의 패턴에 겹치도록 형성됨과 함께, 적어도 레이저 조사용의 영역이 확보되도록 구성되어 있는 것이 바람직하고, 예를 들면 도 10에 참조부호 95로 나타낸 바와 같은 우회 경로를 구성할 수 있으면 된다. 또한, 수정용 접속 전극과 드레인 인출 배선 분기부와의 겹침부의 배치 장소도 특별히 한정되는 것은 아니다.
본 실시 형태의 화소 결함 수정은, 적어도 화소 전극을 형성한 후에 수정을 행하는데, 예를 들면 액정 표시 장치에 적용한 경우에는, 리크하고 있는 채널을 확실하게 전기적으로 분리하고, 우회 경로를 형성하는 데에는, 패널 점등 확인을 할 수 있는 액정층 형성 후 쪽이 보다 바람직하다. 단, 이에 한정되지 않고, 본 실시 형태에서는, 드레인 인출 배선(7a, 7b, 7d) 형성 후, 채널 에칭 후에 수정하여도 된다.
〔실시 형태 3〕
본 발명의 실시의 일 형태인 실시 형태 3에 대해서, 도 11 내지 도 14에 기초하여 이하에 설명한다. 도 11 내지 도 14는, 실시 형태 3의 액티브 매트릭스 기판(100)의 일 화소를 도시하는 평면 모식도이다. 그리고, 도 11은 화소 결함 수정이 실시되지 않는 화소의 구성, 도 12, 13 및 14는 화소 결함 수정이 실시된 화소의 구성을 도시하는 것이다. 도 11 내지 도 14에 도시하는 구성에서는, 1개의 TFT에 2개의 소스 전극(6a, 6b) 및 3개의 드레인 전극(16a, 16b, 16c)을 구비하고 있고, 소스 전극(6a)에 대해서는 2개의 드레인 전극(16a, 16b)이, 소스 전극(6b)에 대해서는 2개의 드레인 전극(16b, 16c)이 대응하고 있다.
도 11 내지 도 14에 도시하는 바와 같이, 액티브 매트릭스 기판(100)에는, 복수의 화소 전극(1)이 매트릭스 형상으로 형성되어 있고, 이들 화소 전극(1)의 주위를 지나, 서로 교차하도록, 주사 신호를 공급하기 위한 각 주사 신호선(2)과, 데이터 신호를 공급하기 위한 각 데이터 신호선(3)이 형성되어 있다. 이들 주사 신호선(2)과 데이터 신호선(3)의 교차 부분에, 액티브 소자(스위칭 소자)로서의 TFT(4)가 형성되어 있다.
액티브 소자인 TFT(4)는 주사선(2)과 접속된 게이트 전극(5)과, 데이터 신호선(3)과 접속된 소스 전극(6a, 6b)과, 드레인 전극(16a, 16b, 16c)을 구비하고 있다. 그리고, 드레인 전극(16a, 16b, 16c)은 배선부를 구성하는 도전층으로 이루어지는 제1 도전 패턴부인 드레인 인출 배선(7a, 7b, 7c, 7d)에 접속되어 있다. 이 드레인 인출 배선은, 드레인 인출 배선 공통부(7d)와, 드레인 전극(16a, 16b, 16c) 의 각각에 대응하여 분기된 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b, 7c)를 구비하고 있다.
드레인 인출 배선 공통부(7d)에는, 축적 용량 소자의 한쪽의 전극(축적 용량 상전극)(21) 및 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)이 접속되어 있다. 축적 용량 배선(22)은, 이 축적 용량 소자의 다른 쪽의 전극(축적 용량 하전극)으로서 기능한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 절연층을 개재하여 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b, 7c)와 겹치는 부분을 각각 150㎛2 구비하고, 절연층을 관통시켜 도통함으로써 이들 분기부(7a, 7b, 7c) 모두와 전기적 접속 가능한 도전층으로 이루어지는 수정용 접속 전극(9)을 형성하고 있다.
도 11에 도시하는 것은, 드레인 전극(16a, 16b 및 16c)의 어느 것에 대해서도 결함이 없는 화소이고, 화소 결함 수정이 실시되어 있지 않다. 따라서, 도 11에 도시한 화소에서는, 수정용 접속 전극(9)은, 드레인 전극(16a, 16b, 16c)과 화소 전극(1) 사이의 배선부로서는 기능하지 않는다.
또한, 본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판의 단면을 구성하는 부재에 대해서는, 상기 실시 형태 1의 설명과 중복되기 때문에, 설명의 편의상, 생략하는 것으로 한다.
도 12에 도시하는 것은, 소스 전극(6a)―드레인 전극(16a) 사이의 막 잔여물 결함(99)에 의한 리크 등의 드레인 전극(16a)에 대해서 결함이 있던 화소이고, 화소 결함 수정이 실시된 것이다. 그 화소 결함 수정으로서는, 드레인 인출 배선 분 기부(7a)를, 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d)사이의 개소(97a)에서 절단한 것이다.
이와 같은 화소 결함 수정은, 외관 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a), 드레인 전극(16b), 드레인 전극(16c)의 어느 것에 대해서 존재하는 것인지, 분기부 절단 전에 판명되어 있으면 가능하다. 또한, 전기적 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a, 16b,16c) 중 적어도 어느 하나에 대해서 존재한다고 판명되어 있는 경우에, 1개의 분기부 절단 후에 다시 전기적 검사 등을 행하여, 화소 결함이 해소되어 있으면, 도 12에 도시한 바와 같은 화소 결함 수정된 화소로 된다. 또한, 상세한 것은 도 13 및 도 14를 이용하여 후술하지만, 여기서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단하고 있으므로, 분기부 절단 전에 결함 개소가 특정되지 않고, 드레인 전극(16a)에 대해서 결함이 없던 경우에, 수정용 접속 전극(9)을 이용하여 분기부(7a)와 공통부(7d)의 도통을 용이하게 회복시킬 수 있다.
도 12에 도시한 것에서는, 드레인 전극(16a)이 전기적으로 차단되고, 드레인 전극(16b)이 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 통하여 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속되고, 드레인 전극(16c)이 드레인 인출 배선 분기부(7d)를 통하여 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속되고, 또한 드레인 인출 배선 공통부(7d)에는, 축적 용량 소자의 한쪽의 전극(축적 용량 상전극)(21) 및 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)이 접속되어 있다. 또한, 도 12에 도시한 화소에서는, 수 정용 접속 전극(9)은, 드레인 전극(16b, 16c)과 화소 전극(1) 사이의 배선부로서는 기능하지 않는다.
도 13에 도시하는 것은, 소스 전극(6b)―드레인 전극(16b) 사이의 막 잔여물 결함(99)에 의한 리크 등의 드레인 전극(16b)에 대해서 결함이 있던 화소이고, 화소 결함 수정이 실시된 것이다. 그 화소 결함 수정으로서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d)사이의 개소(97a)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97b)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(16a, 16c)에 대해서, 개소(96a)에서 개재하는 절연층을 관통하여 도통시켜 수정용 접속 전극(9)과 전기적 접속한 것이다.
이와 같은 화소 결함 수정은, 외관 검사에서는 결함 개소를 특정할 수 없고, 전기적 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a, 16b 또는 16c) 중 적어도 어느 하나에 대해서 존재한다고 판명되어 있을 때에, 1개의 분기부 절단 후에 다시 전기적 검사 등을 행한 결과, 화소 결함이 해소되지 않은 경우에 실시되는 것이다. 이와 같은 경우에는, 절단하고 있지 않은 2개의 분기부 중 1개를 절단하여 화소 결함을 해소할 수 있으면, 먼저 절단한 분기부에 대응하는 드레인 전극에 대해서 결함이 존재하지 않을 가능성이 있으므로, 먼저 절단한 분기부에 대해서 수정용 접속 전극을 이용하여 공통부와의 도통을 회복시킨다. 도 13에 도시한 예에서는, 먼저 분기부(7a)를 개소(97a)에서 절단하여도 화소 결함이 해소되지 않았으므로, 또한 분기부(7b)를 개소(97b)에서 절단하면 화소 결함이 해소되었으므로, 수정용 접속 전극(9)을 이용하여 분기부(7a)와 분기부(7c)를 전기적 접속하고 있다.
도 13에 도시한 것에서는, 드레인 전극(16b)이 전기적으로 차단되고, 드레인 전극(16a)이, 우회 경로(95)를 경유하도록, 드레인 인출 배선 분기부(7a), 수정용 접속 전극(9) 및 드레인 인출 배선 분기부(7c)를 통하여, 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속된다. 또한, 드레인 전극(16c)이, 드레인 인출 배선 분기부(7c)를 통하여 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속된다. 그리고, 드레인 인출 배선 공통부(7d)가, 축적 용량 소자의 한쪽의 전극(축적 용량 상전극)(21) 및 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)과 접속된다.
도 14에 도시하는 것은, 소스 전극(6b)―드레인 전극(16c) 사이의 막 잔여물 결함(99)에 의한 리크 등의 드레인 전극(16c)에 대해서 결함이 있던 화소이고, 화소 결함 수정이 실시된 것이다. 그 화소 결함 수정으로서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d)사이의 개소(97a)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97b)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(7c)를 수정용 접속 전극(9)이 겹치는 부분과 드레인 전극(16c) 사이의 개소(97c)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(16a, 16b, 16c)의 어느 것에 대해서도, 개소(96a)에서 개재하는 절연층을 관통하여 도통시켜 수정용 접속 전극(9)과 전기적 접속한 것이다.
이와 같은 화소 결함 수정은, 외관 검사에서는 결함 개소를 특정할 수 없고, 전기적 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a, 16b 또는 16c) 중 적어도 어느 한쪽에 존재한다고 판명되어 있을 때에, 2개의 분기부 절단 후에 다시 전기적 검사 등을 행한 결과, 화소 결함이 해소되지 않은 경우에 실시되는 것이다. 이와 같은 경우에는, 절단하지 않고 있는 2개의 분기부 중 1개를 절단하여 화소 결함을 해소할 수 없다면, 절단한 분기부에 대응하는 2개의 드레인 전극에 대해서 결함이 존재하지 않을 가능성이 있으므로, 절단한 2개의 분기부에 대해서 수정용 접속 전극을 이용하여 공통부와의 도통을 회복시키고, 남는 1개의 분기부를 절단한다. 도 14에 도시한 예에서는, 먼저 분기부(7a)를 개소(97a)에서 절단하여도 화소 결함이 해소되지 않고, 또한 분기부(7b)를 개소(97b)에서 절단하여도 화소 결함이 해소되지 않았으므로, 수정용 접속 전극(9)을 이용하여 분기부(7a, 7b)를 분기부(7c)에 전기적 접속하고, 분기부(7c)를 개소(97c)에서 절단하고 있다.
도 14에 도시한 것에서는, 드레인 전극(16c)이 전기적으로 차단되고, 우회 경로(95)를 경유하도록, 드레인 전극(16a)이 드레인 인출 배선 분기부(7a), 수정용 접속 전극(9) 및 드레인 인출 배선 분기부(7c)를 통하여, 드레인 전극(16b)이 드레인 인출 배선 분기부(7b), 수정용 접속 전극(9) 및 드레인 인출 배선 분기부(7c)를 통하여, 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속된다. 그리고, 드레인 인출 배선 공통부(7d)가, 축적 용량 소자의 한쪽의 전극(축적 용량 상전극)(21) 및 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)과 접속된다.
본 실시 형태에서, 드레인 인출 배선 분기부의 분리에는, 절단 개소(97a, 97b, 97c)에 대하여 기판의 표면 또는 이면으로부터 레이저를 조사함으로써 파괴 분리한다. 사용하는 레이저 파장으로서는, 예를 들면, YAG 레이저의 제4 고조파 (파장 266㎚)를 들 수 있다. 또한, 드레인 인출 배선 분기부와 수정용 접속 전극의 도통에는, 도통 개소(96a)에 대하여 기판의 표면 또는 이면으로부터 레이저를 조사한다. 사용하는 레이저 파장으로서는, 예를 들면, YAG 레이저의 제2 고조파(파장 532㎚)을 들 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 도 11 내지 도 14에 도시하는 바와 같이, 수정용 접속 전극(9)의 패턴 형상이 사각형(사변형)으로 되어 있지만, 수정용 접속 전극(9)의 패턴 형상으로서는, 이에 한정되지 않고, 삼각형, 반원형, 사다리꼴 등이어도 된다. 즉, 수정용 접속 전극(9)의 일부가, 게이트 절연막을 개재하여, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b, 7c)의 패턴에 겹치도록 형성됨과 함께, 적어도 레이저 조사용의 영역이 확보되도록 구성되어 있는 것이 바람직하고, 예를 들면 도 13, 14에 참조부호 95로 나타낸 바와 같은 우회 경로를 구성할 수 있으면 된다. 또한, 수정용 접속 전극과 드레인 인출 배선 분기부와의 겹침부의 배치 장소도 특별히 한정되는 것은 아니다.
본 실시 형태의 화소 결함 수정은, 적어도 화소 전극을 형성한 후에 수정을 행하는데, 예를 들면 액정 표시 장치에 적용한 경우에는, 리크하고 있는 채널을 확실하게 전기적으로 분리하고, 우회 경로를 형성하는 데에는, 패널 점등 확인을 할 수 있는 액정층 형성 후 쪽이 보다 바람직하다. 단, 이에 한정되지 않고, 본 실시 형태에서는, 드레인 인출 배선(7a, 7b, 7c, 7d) 형성 후, 채널 에칭 후에 수정하여도 된다. 본 실시 형태에서는 드레인 전극을 3개 구비한 TFT에 적용했지만, 이에 한정되지 않고, 4개 이상 구비한 TFT에 대해서도 마찬가지의 방법으로 화소 결함 수정을 행하는 것이 가능하다.
〔실시 형태 4〕
본 발명의 실시의 일 형태인 실시 형태 4에 대해서, 도 15 내지 도 17에 기초하여 이하에 설명한다. 도 15는, 실시 형태 4의 액티브 매트릭스 기판(100)의 일 화소의 구성의 평면 모식도이다. 그리고 도 15는 화소 결함 수정이 실시되어 있지 않은 화소의 구성, 도 16 및 도 17은 화소 결함 수정이 실시된 화소의 구성을 도시하는 것이다.
도 15 내지 도 17에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판은, 화소가 복수의 부화소로 분할되고, 부화소 전극(1a, 1b)이 개별의 TFT(4a, 4b)에서 각각 개별로 접속되는 구성으로 되어 있고, 소위 멀티 화소 구조로 되어 있다. 액티브 매트릭스 기판(100)에는, 복수의 부화소 전극(1a, 1b)이 매트릭스 형상으로 형성되어 있고, 이들 부화소 전극(1a, 1b)의 주위를 지나, 서로 교차하도록, 주사 신호를 공급하기 위한 각 주사 신호선(2)과, 데이터 신호를 공급하기 위한 각 데이터 신호선(3)이 형성되어 있다. 이들 주사 신호선(2)과 데이터 신호선(3)과의 교차 부분에, 부화소 전극(1a, 1b)에 각각 접속되는 스위칭 소자로서의 TFT(4a, 4b)가 형성되어 있다. 이 TFT(4a, 4b)는, TFT on GATE(TFT 온 게이트) 구조로 되어 있고, 주사 신호선(2)은 게이트 전극을 겸하고 있으므로, 개구율을 향상시키는 효과를 갖는다.
액티브 소자인 TFT(4a, 4b)는 게이트 전극과, 데이터 신호선(3)과 접속된 소스 전극(6)과, 드레인 전극(16a, 16b)을 구비하고 있다. 그리고 드레인 전극(16a, 16b)은 배선부를 구성하는 도전층으로 이루어지는 제1 도전 패턴부인 드레인 인출 배선(7a, 7b, 7d)에 접속되어 있다. 이 드레인 인출 배선은, 드레인 인출 배선 공통부(7d)와, 드레인 전극(16a, 16b)의 각각에 대응하여 분기된 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)를 구비하고 있다. 드레인 인출 배선 공통부(7d)에는, 축적 용량 소자의 한쪽의 전극(축적 용량 상전극)(21) 및 컨택트홀(8)을 통하여, 각각의 부화소 전극(1a, 1b)이 접속되어 있다. 축적 용량 배선(22)은, 이 축적 용량 소자의 다른 쪽의 전극(축적 용량 하전극)으로서 기능한다. 또한 본 실시 형태에서는, 이들 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)와 겹치는 부분을 150㎛2 구비하고, 절연층을 개재하여 관통시켜 도통함으로써 이들 분기부(7a, 7b) 모두 전기적 접속 가능한 도전층으로 이루어지는 전극(9a)을 형성하고 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 축적 용량 배선(22)에 접속된 전극(9a)을 액티브 매트릭스 기판의 (부)화소 전극 슬릿(30)에 겹치도록 배치하고 있다.
액티브 매트릭스 기판의 화소 전극 슬릿(30)은, 대형 액정 TV 등에 사용되는 MVA 방식의 수직 배향형 액정 표시 장치에서, 기판 위에 형성되는, 액정의 분할 배향 제어용의 전극 패턴이다.
본 실시 형태에서는, 화소 전극 슬릿(30) 아래에 화소 전극과 서로 다른 전위의 전극(9a)(축적 용량 배선(22)의 연신부로서, 수정용 접속 전극으로도 될 수 있음)을 배치함으로써, 화소 전극 슬릿(30)에서의 프린지 필드 효과가 보다 효과적으로 발현되고, 액정의 배향 규제력이 향상되어 있다. 또한, 상세한 것은 후술하 겠지만, 전극(9a)의 일부는, 적어도 1개의 동일한 도전층으로부터 축적 용량 배선(22)과 전기적으로 분리되어, 수정용 접속 전극으로서 기능할 수 있는 것이다.
또한, 개구율에 기여하지 않는 화소 전극 슬릿(30) 아래에 전극(9a)을 형성함으로써, 새롭게 개구율을 저하시키지 않는다.
또한, 본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판의 단면을 구성하는 부재에 대해서는, 상기 실시 형태 1의 설명과 중복되기 때문에, 설명의 편의상, 생략하는 것으로 한다.
또한, 본 실시 형태에서는, 축적 용량 배선(22)으로부터 연신된 전극(9a)을 액티브 매트릭스 기판의 (부)화소 전극 슬릿(30)에 겹치도록 배설하고 있다.
액티브 매트릭스 기판의 화소 전극 슬릿(30)은, 대형 액정 TV 등에 사용되는 MVA 방식의 수직 배향형 액정 표시 장치에서, 기판 위에 형성되는, 액정의 분할 배향 제어용의 전극 패턴이다.
또한, 전극(9a)의 패턴 형상은, 도 15 내지 도 17에 도시하는 것에 특별히 한정되지 않고, 화소 전극 슬릿(30)의 형상이나, 축적 용량 배선(22)의 패턴에 따라, 적절히 조정된다.
또한, 전극(9a)의 패턴의 모두가 화소 전극 슬릿(30)의 영역 내에 들어 있을 필요는 없고, 예를 들면, 화소 내에 복수 형성된 화소 전극 슬릿(30) 아래에 각각 배치된 전극끼리를 연결하는 배선 등이, 화소 전극 슬릿(30) 아래 이외에 형성되어도 된다.
또한, 본 실시 형태에서는 MVA 방식의 수직 배향형 액정 표시 장치에서, 기 판 위에 형성되는, 액정의 분할 배향 제어용의 슬릿 전극 패턴과 전극(축적 용량 배선의 연신부)을 겹쳤지만, 이에 한정되지 않고, 기판 위에 형성되는 분할 배향 제어용 돌기와 겹쳐져도 개구율의 저하를 억제하는 효과를 발휘한다.
또한, TFT(4a, 4b)는, 게이트 전극(5)에 입력되는 주사 신호에 의해 구동 제어되고, TFT(4a, 4b)의 소스 전극(6)에 데이터 신호가 입력됨으로써, 각각의 부화소 전극(1a, 1b)에 원하는 전압이 인가된다. 또한, 각각의 부화소의 축적 용량 하전극으로서 기능하는 축적 용량 배선(22)에는, 서로 위상이 다른 신호가 인가된다(화소 분할법). 이 축적 용량 하전극에 인가되는 신호가, 1화소를 형성하는 각각의 부화소의 휘도를 서로 다르게 함으로써 시야각 특성의 향상 효과(비스듬한 시각에서의 백 부유 대책)를 발휘한다.
도 15에 도시하는 것은, 드레인 전극(16a)측 및 드레인 전극(16b)측의 어느 것에 대해서도 결함이 없는 화소이고, 화소 결함 수정이 실시되어 있지 않다. 따라서, 도 15에 도시한 화소에서는, 전극(9a)은, 드레인 전극(16a, 16b)과 화소 전극(1) 사이의 배선부로서는 기능하지 않는다. 또한, 배선부로서 기능시킬 필요가 없으므로, 전극(9a)의 수정용 접속 전극으로서 기능할 수 있는 부분을, 축적 용량 배선(22)으로부터 전기적으로 분리하고 있지 않다.
도 16에 도시하는 것은, 부화소(1b)에 접속된 TFT(4b)에서, 소스 전극(6)―드레인 전극(16a) 사이의 막 잔여물 결함(99)에 의한 리크 등의 드레인 전극(16a)측에 결함이 있던 화소이고, 화소 결함 수정이 실시된 것이다. 그 화소 결함 수정으로서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를, 전극(9a)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단한 것이다.
이와 같은 화소 결함 수정은, 외관 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a)측이나 드레인 전극(16b)측의 어느 것에 존재하는 것인지, 분기부 절단 전에 판명되어 있으면 가능하다. 또한, 전기적 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a)측이나 드레인 전극(16b)측 중 적어도 어느 한쪽에 존재한다고 판명되어 있는 경우에, 1개의 분기부 절단 후에 다시 전기적 검사 등을 행하여, 화소 결함이 해소되어 있으면, 도 16에 도시한 바와 같은 화소 결함 수정된 화소로 된다. 또한, 상세한 것은 도 17을 이용하여 후술하지만, 여기서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를 전극(9a)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단하고 있으므로, 분기부 절단 전에 결함 개소가 특정되지 않고, 드레인 전극(16a)측에 결함이 없던 경우에, 전극(9a)의 일부를 이용하여 분기부(7a)와 공통부(7d)의 도통을 용이하게 회복시킬 수 있다.
도 16에 도시한 것에서는, 부화소(1b)에서, 드레인 전극(16a)이 전기적으로 차단되고, 드레인 전극(16b)이 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 통하여 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 전기적 접속되고, 또한 드레인 인출 배선 공통부(7d)가 컨택트홀(8)을 통하여 부화소 전극(1b)과 접속된다. 또한, 도 16에 도시한 부화소(1b)에서는, 전극(9)은, 드레인 전극(16b)과 화소 전극(1b) 사이의 배선부로서는 기능하지 않는다. 또한, 배선부로서 기능시킬 필요가 없으므로, 전극(9a)의 수정용 전극으로서 기능할 수 있는 부분을, 축적 용량 배선(22)으로부터 전기적으로 분리하고있지 않다.
도 17에 도시하는 것은, 부화소(1b)에 접속된 TFT(4b)에서, 소스 전극(6)―드레인 전극(16b) 사이의 막 잔여물 결함(99)에 의한 리크 등의 드레인 전극(16b)측에 결함이 있던 화소이고, 화소 결함 수정이 실시된 것이다. 그 화소 결함 수정으로서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a)를 전극(9a)이 겹치는 부분과 드레인 인출 배선 공통부(7d) 사이의 개소(97a)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 전극(9a)이 겹치는 부분과 드레인 전극(16b) 사이의 개소(97b)에서 절단하고, 전극(9a)의 일부를 축적 용량 배선(22)으로부터 전기적으로 분리하기 위해 개소(120)에서 절단하고, 드레인 인출 배선 분기부(16a, 16b)의 어느 것에 대해서도, 개소(96a)에서 개재하는 절연층을 관통하여 도통시켜 전극(9a)의 전기적으로 분리한 부분과 전기적 접속한 것이다.
이와 같은 화소 결함 수정은, 외관 검사에서는 결함 개소를 특정할 수 없고, 전기적 검사 등에 의해, 결함이 드레인 전극(16a)측이나 드레인 전극(16b)측 중 적어도 어느 한쪽에 존재한다고 판명되어 있을 때에, 1개의 분기부 절단 후에 다시 전기적 검사 등을 행한 결과, 화소 결함이 해소되지 않은 경우에 실시되는 것이다. 이와 같은 경우에는, 절단한 측의 드레인 전극측에 결함이 존재하지 않을 가능성이 있으므로, 절단한 측의 분기부에 대해서 수정용 전극을 이용하여 공통부와의 도통을 회복시키고, 다른 쪽의 분기부를 절단한다.
도 17에 도시한 것에서는, 부화소(1b)에서, 드레인 전극(16b)이 전기적으로 차단되고, 드레인 전극(16a)이, 우회 경로(95)를 경유하도록, 드레인 인출 배선 분기부(7a), 수정용 전극(9a) 및 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 통하여, 드레인 인 출 배선 공통부에 전기적 접속된다. 그리고, 드레인 인출 배선 공통부(7d)가, 축적 용량 소자의 한쪽의 전극(축적 용량 상전극)(21) 및 컨택트홀(8)을 통하여 부화소 전극(1b)과 접속된다.
본 실시 형태에서, 드레인 인출 배선 분기부의 분리에는, 절단 개소(97a, 97b, 및 120)에 대하여 기판의 표면 또는 이면으로부터 레이저를 조사함으로써 파괴 분리한다. 사용하는 레이저 파장으로서는, 예를 들면, YAG 레이저의 제4 고조파(파장 266㎚)를 들 수 있다. 또한, 드레인 인출 배선 분기부와 수정용 접속 전극의 도통에는, 도통 개소(96a)에 대하여 기판의 표면 또는 이면으로부터 레이저를 조사한다. 사용하는 레이저 파장으로서는, 예를 들면, YAG 레이저의 제2 고조파(파장 532㎚)를 들 수 있다.
또한, 자화소 내에서 결함을 수정할 수 있는 본 발명은, 서로 다른 휘도의 부화소로서의 기능 저하를 억제할 수 있으므로, 멀티 화소 구동의 시야각 특성 향상 효과의 저하를 억제할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 부화소(1b)가 화소 결함인 경우에 대해 적용했지만, 부화소(1a)에 화소 결함이 있는 경우에도 마찬가지로 적용 가능하다.
또한, 본 실시 형태에서는 1화소가 2개의 부화소에 의해 구성되는 멀티 화소 구조를 이용했지만, 3 이상의 부화소로 구성되는 것이어도 된다.
본 실시 형태는, 멀티 화소 구조이고 또한 MVA의 구조이지만, 이에 한정되지 않고, 멀티 화소 구조를 갖지 않는 MVA 방식이나, MVA 방식이 아닌 멀티 화소 구동에도 적용 가능하다.
또한, 본 발명은 액정 표시 장치에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 컬러 필터 기판과, 컬러 필터 기판과 대향하도록 본 발명의 액티브 매트릭스 기판을 배치하고, 그들 기판과 기판 사이에 유기 EL층을 배치함으로써 유기 EL 패널로 하고, 패널의 외부 인출 단자에 드라이버 등을 접속함으로써 유기 EL 표시 장치를 구성하는 것도 가능하다. 또한, 액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치 이외이어도, 액티브 매트릭스 기판으로 구성되는 표시 장치이면, 본 발명은 적용 가능하다.
〔실시 형태 5〕
본 발명의 실시의 그 밖의 형태인 실시 형태 5에 대해서, 도 19 내지 도 24에 기초하여 이하에 설명한다. 또한, 설명의 편의상, 전술한 실시 형태 1~5에서 이용한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.
본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판과 실시 형태 2, 3에서 설명한 도 8, 도 11에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)과의 차이는, 액티브 소자인 TFT(4), 1개에 대하여 형성되어 있는 수정용 접속 전극(9)의 개수에 있고, 실시 형태 5의 구성에서는, 1개의 TFT(4)에 대하여, 수정용 접속 전극(9)이 복수개 형성되어 있다. 또한, 차이는 이 점뿐이다.
도 19에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)이, 실시 형태 2에서의 도 8에 도시한, 2개의 드레인 전극(16a, 16b)을 구비하고, 이들 드레인 전극(16a, 16b)과 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)가 접속되고, 드레인 인출 배선 공통부(7d)가 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)과 접속되어 있는 구성에 대응한다. 그리고, 도 8의 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 제2 도전 패턴부인 수정용 접속 전극(9)이, 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 가까운 부분에 1개만, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)를 가로지르도록 형성되어 있었다. 이에 대하여, 도 19에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 가까운 부분과 TFT(4)에 가까운 부분에 2개, 수정용 접속 전극(9a, 9b)이, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)을 가로지르도록 형성되어 있다.
또한, 도 20에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)이, 실시 형태 3에서의 도 11에 도시한, 3개의 드레인 전극(16a, 16b, 16c)을 구비하고, 이들 드레인 전극(16a, 16b, 16c)과 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b, 7c)가 접속되고, 드레인 인출 배선 공통부(7d)가 컨택트홀(8)을 통하여 화소 전극(1)과 접속되어 있는 구성에 대응한다. 그리고, 도 11의 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 제2 도전 패턴부인 수정용 접속 전극(9)이, 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 가까운 부분에 1개만, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b, 7c)를 가로지르도록 형성되어 있었다. 이에 대하여, 도 20에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 가까운 부분과 TFT(4)에 가까운 부분에 2개, 수정용 접속 전극(9a, 9b)이 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b, 7c)를 가로지르도록 형성되어 있다.
이와 같이, 1개의 TFT(4)에 대하여 형성되는 수정용 접속 전극(9)의 개수를 복수로 함으로써, 결함 화소의 수정 확률을 높일 수 있다.
즉, 도 8에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)을 예로 하여 설명하면, 수정용 접속 전극(9)이 1개뿐인 구성에서는, 도 21에 도시하는 바와 같이, 만일 드레인 인출 배선 분기부(7a)(혹은 7b)가 단선(80)하고 있거나, 도 22에 도시하는 바와 같이, 수정용 접속 전극(9a) 자신이 단선(81)하고 있거나 하면, 결함 화소의 수정을 할 수 없게 된다.
그러나, 도 19 혹은 도 20에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)과 같이, 수정용 접속 전극(9a, 9b)으로 하여, 1개의 TFT(4)에 대하여 수정용 접속 전극(9)을 복수 형성해 둠으로써, 드레인 인출 배선 분기부(7a)(혹은 7b)가 단선(80)하고 있거나, 수정용 접속 전극(9a)이 단선(81)하고 있거나 하여도, 별도의 수정용 접속 전극(9b)을 사용하여, 결함 화소의 수정이 가능하게 된다.
또한, 이와 같이, 1개의 TFT(4)에 대하여 복수의 수정용 접속 전극(9a, 9b)을 형성하는 구성에서는, 수정용 접속 전극(9a, 9b)의 간격은 넓은 쪽이 바람직하고, 도 19, 도 20에 도시한 바와 같이, 드레인 인출 배선 공통부(7d)에 가까운 부분과 TFT(4)에 가까운 부분으로 나누어 배치하는 것이 바람직하다. 여기서는, 도 21에 도시하는 바와 같은 드레인 인출 배선 분기부(7a)(혹은 7b)의 단선(80)이 발생한 경우에, 수정용 접속 전극(9a, 9b)이 2개 모두 TFT(4)에 가까운 부분에 배치된 구성에서는, 결함 화소를 수정할 수 없기 때문이다.
또한, 1개의 TFT(4)에 대하여 형성하는 수정용 접속 전극(9)의 개수가 많을수록, 상기한 단선(80·81)이 발생한 경우이어도, 결함 화소를 수정할 수 있는 가능성이 높아지지만, 수정용 접속 전극(9)의 개수가 많아질수록, 개구율도 저하한다. 따라서, 수정용 접속 전극(9)의 개수는, 개구율과 단선(80·81)의 발생의 쉬움을 고려하여 설정하면 된다.
다음으로, 도 23, 도 24를 이용하여, 1개의 TFT(4)에 대한 수정용 접속 전 극(9)을 복수 개로 하면서도, 개구율이 저하하는 것을 억제할 수 있는 구성에 대해서 설명한다.
도 23, 도 24에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)은 모두, 도 20의 액티브 매트릭스 기판(100)과 동일하고, 3개의 드레인 전극(16a, 16b, 16c)을 구비한 타입으로서, 이것에서, 수정용 접속 전극(9)이 2개 형성된 구성이다. 차이는, 도 20의 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 2개의 수정용 접속 전극(9a, 9b) 모두, 형성된 드레인 인출 배선 분기부 모두에 상당하는, 3개의 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b, 7c)를 가로지르도록 형성되어 있었다.
이에 대하여, 도 23, 도 24에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 2개 중 1개인 수정용 접속 전극(9a)은, 3개의 모든 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b, 7c)를 가로지르도록 형성되어 있지만(제2 도전 패턴 A부), 다른 쪽의 수정용 접속 전극(9B)은, 형성된 드레인 인출 배선 분기부 모두 중 2개 이상의 일부의 드레인 인출 배선을 가로지르도록 형성되어 있다(제2 도전 패턴 B부).
상세하게는, 도 23의 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 수정용 접속 전극(9B)이 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)를 가로지르도록 형성되고, 도 24의 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 수정용 접속 전극(9B)이 드레인 인출 배선 분기부(7b, 7c)를 가로지르도록 형성되어 있다.
이와 같이, 드레인 인출 배선 분기부가 3개 이상 형성되는 구성에서는, 복수 있는 드레인 인출 배선 분기부 중의 일부의 드레인 인출 배선 분기부끼리를 전기적 접속이 가능하게 형성된 수정용 접속 전극(9B)을 포함시켜 둠으로써, 일정한 용장 효과를 유지하면서, 개구율을 높일 수 있다.
또한, 복수 있는 드레인 인출 배선 분기부 중의 일부의 드레인 인출 배선 분기부끼리를 전기적 접속이 가능하게 형성된 수정용 접속 전극(9B)을 형성하는 경우, 드레인 인출 배선 분기부에서의 선 길이가 가장 긴 것과 겹치는 부분을 갖게 하고, 이 선 길이가 가장 긴 드레인 인출 배선 분기부를 다른 드레인 인출 배선 분기부에 전기적 접속할 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다.
이는, 배선은 그 선 길이가 길어질수록 단선하기 쉽고, 도 23, 도 24의 액티브 매트릭스 기판(100)의 구성에서는, 드레인 인출 배선 분기부(7c)가 가장 단선하기 쉽다. 즉, 선 길이가 가장 긴 드레인 인출 배선 분기부(7c)와 드레인 인출 배선 분기부(7b)를 가로지르도록, 수정용 접속 전극(9B)을 형성하고 있는 도 24에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100) 쪽이, 도 23에 도시한 액티브 매트릭스 기판(100)보다도 결함 화소의 수정 확률이 높다.
〔실시 형태 6〕
본 발명의 실시의 그 밖의 형태인 실시 형태 6에 대해서, 도 25 내지 도 29에 기초하여 이하에 설명한다. 또한, 설명의 편의상, 전술한 실시 형태 1~6에서 이용한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.
본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판과 실시 형태 2에서 도 8에 도시한 액티브 매트릭스 기판(100)과의 차이는, 화소 전극(1)이 화소 전극 재료인 ITO가 제거된 제거부(83)를 구비하고, 그 제거부(83)가 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)와 겹치는 부분을 갖는 점이다. 또한, 차이는 이 점뿐이다.
결함 화소를 수정할 때에, 드레인 인출 배선 분기부(7a)(혹은 7b)를 절단하여 드레인 전극(16a)(혹은 16b)으로부터 분리하거나, 또한 분리한 드레인 인출 배선 분기부(7a)(혹은 7b)를 정상적인 채널에 접속된 드레인 인출 배선 분기부(7b)(혹은 7a)에, 수정용 접속 전극(9)을 통하여 전기적 접속하거나 하는데, 이때, 상층에 있는 화소 전극(1)과, 소스/드레인 사이에서 리크(SD 리크)를 발생한 채널에 연결되는 드레인 인출 배선 분기부(7a)(혹은 7b)가 리크할 우려가 있다.
이에 대하여, 도 25, 도 27, 도 28에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 화소 전극(1)이 화소 전극 재료인 ITO가 제거된 제거부(83)를 구비하고, 그 제거부(83)가, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)와 겹치는 부분을 가지고 있다.
상세하게는, 도 25의 구성에서는, 제거부(83)가 수정용 접속 전극(9)의 배치 위치에 대응하여 형성되어 있다. 이에 의해, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)와 수정용 접속 전극(9)을 도통시킬 때에, 화소 전극(1)과 SD 리크 채널에 연결되는 드레인 인출 배선 분기부(7a)(혹은 7b)와의 리크의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 도 26의 구성에서는, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)를 절단할 때의 절단 위치에 대응하여 제거부(83)가 형성되어 있다. 이에 의해, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)를 절단할 때에, 화소 전극(1)과 SD 리크 채널에 연결되는 드레인 인출 배선 분기부(7a)(혹은 7b)와의 리크의 발생을 방지할 수 있다.
그리고, 도 27의 구성에서는, 제거부(83)가 수정용 접속 전극(9)의 배치 위치 및 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)의 각 절단 위치에 대응하여 형성되어 있으므로, 이에 의해, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)와 수정용 접속 전극(9)을 도통 시킬 때에도, 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)를 절단할 때에도, 화소 전극(1)과 SD 리크 채널에 연결되는 드레인 인출 배선 분기부(7a)(혹은 7b)와의 리크의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제거부(83)는, 화소 전극(1)에 형성된 전술한 액정 분자의 배향 제어용 전극 슬릿(30)의 일부로 할 수도 있다. 실시 형태 4에서 설명한 바와 같이, 액정 표시 장치에서, 배향 제어용 전극 슬릿(30)이 형성된 영역은, 통상에서는, 투과 영역(개구부)으로서 기능하고 있지 않은 영역이다. 따라서, 이와 같은 배향 제어용 전극 슬릿(30)을 제거부(83)로서 이용함으로써, 제거부(83)를 형성함으로써 개구율이 저하하게 되는 것을 방지할 수 있다.
도 28에, 배향 제어용 전극 슬릿(30)을 제거부(83)로서 이용한 액티브 매트릭스 기판의 구성을 도시한다. 도 28에 도시하는 바와 같이, 배향 제어용 전극 슬릿(30)을 제거부(83)로서 이용하고 있으므로, 레이저 조사 개소(97a, 97b)는 슬릿 형상에 따른 경사로 되어 있다.
그런데 제거부(83)은, 액정 분자의 배향을 흐트러뜨리므로, 도 29에 도시하는 바와 같이, 제거부(83)를 차광하는 차광막(84)을 형성하는 것이 바람직하다. 도 29의 구성에서는, 액티브 매트릭스 기판(100)에 대향하여 배치되는 대향 기판인 컬러 필터 기판에서, 블랙 매트릭스에 의해 차광되어 있다. 차광막(84)은, 액티브 매트릭스 기판(100)측에 형성하는 구성으로 하여도 되고, 요는, 표시 장치로서, 기판(액정 패널)면 수직 방향으로부터 보았을 때에, 제거부(83)를 차광하는 것이면 된다.
〔실시 형태 7〕
본 발명의 실시의 그 밖의 형태인 실시 형태 7에 대해서, 도 30에 기초하여 이하에 설명한다. 또한, 설명의 편의상, 전술한 실시 형태 1~6에서 이용한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다.
본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판과 실시 형태 2에서 설명한 도 8에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)과의 차이는, 소스 전극(6)의 수에 있다. 도 8의 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 소스 전극(6), 1개에 대하여 드레인 전극이 2개(복수) 구비되어 있었다. 도 8의 액티브 매트릭스 기판에서의 채널수는 2이다. 한편, 도 30에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 3개의 소스 전극(6a, 6b, 6c)이 형성되어 있고, 드레인 전극(16a)에 대하여 소스 전극(6a, 6b), 드레인 전극(16b)에 대하여 소스 전극(6b, 6c)이라고 하는 바와 같이 복수 배치되어 있다. 도 30의 액티브 매트릭스 기판(100)에서의 채널수는 4이다. 또한, 차이는 이 점뿐이다.
도 8에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)과 같이, 1개의 소스 전극(6)에 대하여 복수의 드레인 전극(16a, 16b)을 구비하는 구성으로 함으로써, 고속 표시에의 대응 및 소비 전력의 억제를 실현할 수 있다고 하는 효과가 있다.
한편, 도 30의 액티브 매트릭스 기판(100)에서는, 이와 같은 효과는 기대할 수 없지만, 도 8의 액티브 매트릭스 기판(100)과 동일한 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b)이면서, 채널수는, 3개의 드레인 인출 배선 분기부(7a, 7b, 7c)가 형성되어 있는 도 11에 도시하는 액티브 매트릭스 기판(100)과 동일하게 할 수 있다.
따라서, 채널수를 많이 확보하면서, TFT(4)에서의 소스 전극과 드레인 전극 간의 기생 용량(Cgd)에 의한 화소 전위의 인입를 억제할 수 있으므로, 화소 전극(1)이 원하는 실효 전압에 도달하기 위한 소스 전압을 낮출 수 있고, 나아가서는, 소비 전력의 억제가 가능하게 된다.
또한, 상기한 실시 형태 1~7은 적절히 조합할 수 있는 것으로서, 예를 들면 1개의 TFT에 대하여 수정용 접속 전극을 복수 형성하는 구성과 제거부와의 조합이거나, 1개의 TFT에 대하여 수정용 접속 전극을 복수 형성하는 구성과, 드레인 전극에 대하여 복수의 소스 전극을 배치하여 채널수를 늘리면서 소비 전력의 억제를 도모하는 구성과의 조합 등, 적절히 가능하다.
또한, 발명을 실시하기 위한 최량의 형태의 항에서 이루어진 구체적인 실시 양태 또는 실시예는, 어디까지나, 본 발명의 기술 내용을 밝히는 것으로서, 그와 같은 구체예에만 한정하여 협의로 해석할 것이 아니라, 본 발명의 정신과 다음에 기재하는 특허 청구의 범위 내에서, 다양하게 변경하여 실시할 수 있는 것이다.
본 발명에 따르면, 자화소 내에서 수정을 완결하는 경우이어도 개구율을 그다지 저하시키지 않고, 신호선에 접속한 전극이 단선하기 어려운 액티브 매트릭스 기판 또는 표시 장치를 제공하는 것이 가능하게 된다.
이와 같은 본 발명의 액티브 매트릭스 기판은, 표시 장치의 패널용 기판에 이용되는 경우에는, 표시 장치의 수율 향상에 공헌할 수 있고, 특히 점결함의 발생을 억제하는 것이 필요해지는 대형 TV용 패널의 구성 부재로서 바람직하게 이용할 수 있다.
그리고, 액정 표시 장치에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 컬러 필터 기판과, 컬러 필터 기판과 대향하도록 본 발명의 액티브 매트릭스 기판을 배치하고, 그들 기판과 기판 사이에 유기 EL층을 배치함으로써 유기 EL 패널로 하고, 패널의 외부 인출 단자에 드라이버 등을 접속함으로써 유기 EL 표시 장치를 구성하는 것도 가능하다. 또한, 액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치 이외이어도, 액티브 매트릭스 기판으로 구성되는 표시 장치이면, 본 발명은 적용 가능하다.

Claims (30)

  1. 액티브 소자가, 적어도 1개 이상의 소스 전극과 2개 이상의 드레인 전극을 구비하여 2개 이상의 채널을 가지며,
    상기 2개 이상의 드레인 전극 중 적어도 1개가 배선부를 통하여 화소 전극과 전기적으로 접속되고,
    상기 배선부가, 화소 전극에 연결되는 공통부 및 그 공통부로부터 상기 2개 이상의 드레인 전극의 각각에 대응하여 분기된 분기부를 포함하는 제1 도전 패턴부를 구비하고,
    또한, 절연층을 개재하여 상기 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 가짐과 함께, 상기 절연층을 관통시켜 도통함으로써 상기 분기부의 복수와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴부가 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소스 전극의 1개에 대하여 상기 드레인 전극이 복수 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 드레인 전극의 1개에 대하여 상기 소스 전극이 복수 구비되어 있는 것 을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전 패턴부는, 적어도 1개의 도전층으로부터 상기 액티브 소자의 게이트 전극용 도전층을 전기적으로 분리하여 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전 패턴부는, 적어도 1개의 도전층으로부터 축적 용량 배선용 도전층을 전기적으로 분리 가능하도록 하여 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전 패턴부는, 액티브 소자 1개에 대하여 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  7. 제6항에 있어서,
    액티브 소자 1개에 대하여 상기 드레인 전극이 3개 이상 형성됨과 함께, 각 드레인 전극에 대응하여 상기 분기부가 3개 이상 형성되어 있고,
    상기 복수의 제2 도전 패턴부가, 모든 상기 분기부와 전기적 접속이 가능하 게 형성된 제2 도전 패턴 A부와, 2개 이상의 상기 분기부와 전기적 접속이 가능하게 형성된 제2 도전 패턴 B부를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 도전 패턴 B부는, 상기 제1 도전 패턴부에서의 선 길이가 가장 긴 분기부와 겹치는 부분을 가지며, 그 선 길이가 가장 긴 분기부를 다른 분기부에 전기적 접속 가능하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  9. 제1항에 있어서,
    화소가 복수의 부화소로 구성되며, 그 복수의 부화소 각각의 액티브 소자에 대하여 상기 제2 도전 패턴부를 구비한 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 부화소 중 적어도 2개는 휘도가 서로 다른 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전 패턴부가 절연층을 개재하여 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹 치는 부분의 영역의 면적이 25㎛2 이상인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전 패턴부는, Al, Cr, Ta, Ti, W, Mo 및 Cu로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 재료에 의해 형성된 것인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전 패턴부는, 액정 분자의 배향 제어용 돌기 또는 전극 슬릿과 겹치는 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 화소 전극은, 화소 전극 재료가 제거된 제거부를 구비하며,
    상기 제거부는, 상기 분기부와 겹치는 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제거부는, 상기 제2 도전 패턴부의 배치 위치에 대응하여 형성되어 있 는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제거부는, 상기 분기부를 절단할 때의 절단 위치에 대응하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제거부는, 상기 제2 도전 패턴부의 배치 위치 및 상기 분기부를 절단할 때의 절단 위치에 대응하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제거부는, 상기 화소 전극에 형성된 액정 분자의 배향 제어용 전극 슬릿의 일부인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 제거부를 차광하는 차광막을 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  20. 제1항의 액티브 매트릭스 기판을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  21. 제14항의 액티브 매트릭스 기판을 구비함과 함께, 그 액티브 매트릭스 기판에서의 상기 제거부를 차광하는 차광막을 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  22. 제20항 또는 제21항의 표시 장치와, 텔레비전 방송을 수신하는 튜너부를 구비한 텔레비전 수상기.
  23. 액티브 소자가, 적어도 1개 이상의 소스 전극과 2개 이상의 드레인 전극을 구비하여 2개 이상의 채널을 가지며, 상기 2개 이상의 드레인 전극 중 적어도 1개가 배선부를 통하여 화소 전극과 전기적으로 접속되고, 상기 배선부가, 화소 전극에 연결되는 공통부 및 그 공통부로부터 상기 2개 이상의 드레인 전극의 각각에 대응하여 분기된 분기부를 포함하는 제1 도전 패턴부를 구비하고, 또한, 절연층을 개재하여 상기 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 가짐과 함께, 상기 절연층을 관통시켜 도통함으로써 상기 분기부의 복수와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴부가 형성된 액티브 매트릭스 기판의 화소 결함 수정 방법으로서,
    화소 결함이 있는 화소에 대해서, 상기 복수의 분기부 중 적어도 1개를, 상기 제2 도전 패턴부가 겹치는 부분과 상기 공통부 사이에서 절단하는 것을 특징으로 하는 화소 결함 수정 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 분기부의 절단에 의해 화소 결함이 수정되지 않으면, 상기 절단된 분기부의 절단 개소로부터 드레인 전극측과 상기 공통부를 전기적 접속하도록, 상기 절연층을 관통하여 상기 제2 도전 패턴부를 도통시켜 상기 절단된 분기부와 다른 분기부를 전기적 접속하고, 또한 상기 절단된 분기부 이외의 다른 분기부 중 적어도 1개를 절단하는 것을 특징으로 하는 화소 결함 수정 방법.
  25. 액티브 소자가, 적어도 1개 이상의 소스 전극과 2개 이상의 드레인 전극을 구비하여 2개 이상의 채널을 가지며, 상기 2개 이상의 드레인 전극 중 적어도 1개가 배선부를 통하여 화소 전극과 전기적으로 접속되고, 상기 배선부가, 화소 전극에 연결되는 공통부 및 그 공통부로부터 상기 2개 이상의 드레인 전극의 각각에 대응하여 분기된 분기부를 포함하는 제1 도전 패턴부를 구비하고, 또한, 절연층을 개재하여 상기 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 가짐과 함께, 상기 절연층을 관통시켜 도통함으로써 상기 분기부의 복수와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴부가 형성된 액티브 매트릭스 기판의 화소 결함 수정 방법으로서,
    화소 결함이 있는 화소에 대해서, 상기 복수의 분기부 중 1개를, 상기 제2 도전 패턴부가 겹치는 부분과 상기 공통부 사이에서 절단하는 제1 스텝과,
    상기 분기부의 절단에 의해 화소 결함이 수정되었는지의 여부를 검사하는 제2 스텝과,
    상기 분기부의 절단에 의해 화소 결함이 수정되어 있지 않으면, 상기 절연층 을 관통하여 상기 제2 도전 패턴부를 상기 절단된 분기부와 다른 분기부에 도통시켜, 상기 절단된 분기부의 절단 개소로부터 드레인 전극측과 상기 공통부를 전기적으로 접속시키는 한편, 상기 절단된 분기부 이외의 다른 분기부를 1개 절단하는 제3 스텝을 가지며,
    상기 제2 스텝에서 화소 결함이 수정된 것이 검출될 때까지, 상기 제2~제3 스텝을 반복하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 화소 결함 수정 방법.
  26. 제23항, 제24항 또는 제25항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연층을 관통하여 상기 제2 도전 패턴부를 도통시키는 데에, 상기 제2 도전 패턴부와 상기 제1 도전 패턴부의 분기부가 겹치는 영역에 레이저 조사하고, 상기 제2 도전 패턴부나 상기 분기부 중 적어도 어느 한쪽을 용융하는 것을 특징으로 하는 화소 결함 수정 방법.
  27. 액티브 소자가, 적어도 1개 이상의 소스 전극과 2개 이상의 드레인 전극을 구비하여 2개 이상의 채널을 가지며, 상기 2개 이상의 드레인 전극 중 적어도 1개가 배선부를 통하여 화소 전극과 전기적으로 접속되고, 상기 배선부가, 화소 전극에 연결되는 공통부 및 그 공통부로부터 상기 2개 이상의 드레인 전극의 각각에 대응하여 분기된 분기부를 포함하는 제1 도전 패턴부를 구비하고, 또한, 절연층을 개재하여 상기 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 가짐과 함께, 상기 절연층 을 관통시켜 도통함으로써 상기 분기부의 복수와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴부가 형성된 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법으로서,
    화소 결함이 있는 화소에 대해서, 상기 복수의 분기부 중 적어도 1개를, 상기 제2 도전 패턴부가 겹치는 부분과 상기 공통부 사이에서 절단하여, 화소 결함 수정을 행하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  28. 액티브 소자가, 적어도 1개 이상의 소스 전극과 2개 이상의 드레인 전극을 구비하여 2개 이상의 채널을 가지며, 상기 2개 이상의 드레인 전극 중 적어도 1개가 배선부를 통하여 화소 전극과 전기적으로 접속되고, 상기 배선부가, 화소 전극에 연결되는 공통부 및 그 공통부로부터 상기 2개 이상의 드레인 전극의 각각에 대응하여 분기된 분기부를 포함하는 제1 도전 패턴부를 구비하고, 또한, 절연층을 개재하여 상기 제1 도전 패턴부의 분기부와 겹치는 부분을 가짐과 함께, 상기 절연층을 관통시켜 도통함으로써 상기 분기부의 복수와 전기적 접속이 가능한 제2 도전 패턴부가 형성된 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법으로서,
    화소 결함이 있는 화소를 수정하는 수정 스텝을 가지고 있으며,
    상기 수정 스텝에서는,
    화소 결함이 있는 화소에 대해서, 상기 복수의 분기부 중 1개를, 상기 제2 도전 패턴부가 겹치는 부분과 상기 공통부 사이에서 절단하는 제1 스텝과,
    상기 분기부의 절단에 의해 화소 결함이 수정되었는지의 여부를 검사하는 제2 스텝과,
    상기 분기부의 절단에 의해 화소 결함이 수정되어 있지 않으면, 상기 절연층을 관통하여 상기 제2 도전 패턴부를 상기 절단된 분기부와 다른 분기부에 도통시켜, 상기 절단된 분기부의 절단 개소로부터 드레인 전극측과 상기 공통부를 전기적으로 접속시키는 한편, 상기 절단된 분기부 이외의 다른 분기부를 1개 절단하는 제3 스텝을 포함하며,
    상기 제2 스텝에서 화소 결함이 수정된 것이 검출될 때까지 제2~제3 스텝을 반복하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  29. 제27항 또는 제28항에 있어서,
    적어도 1개의 도전층으로부터 축적 용량 배선용 도전층을 전기적으로 분리하여, 상기 제2 도전 패턴부를 형성하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  30. 제23항 내지 제26항 중 어느 한 항의 화소 결함 수정 방법 또는 제27항 내지 제29항 중 어느 한 항의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법을 이용한 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102079455B1 (ko) * 2018-10-05 2020-02-19 주식회사 코윈디에스티 액정표시장치의 휘점불량 수리 방법 및 장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007114477A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
US7738050B2 (en) 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
US7897971B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2009019917A1 (ja) * 2007-08-09 2009-02-12 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機
CN101889302B (zh) * 2007-12-11 2012-08-22 夏普株式会社 薄膜晶体管阵列基板和具备它的显示面板以及薄膜晶体管阵列基板的制造方法
WO2009104302A1 (ja) * 2008-02-19 2009-08-27 シャープ株式会社 Ｔｆｔ、シフトレジスタ、走査信号線駆動回路、スイッチ回路、および、表示装置
US8017514B2 (en) 2008-05-05 2011-09-13 International Business Machines Corporation Optically transparent wires for secure circuits and methods of making same
TWI380106B (en) * 2008-08-01 2012-12-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure and method for repairing the same
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5534715B2 (ja) * 2009-05-27 2014-07-02 株式会社ジャパンディスプレイ 電子回路パターンの欠陥修正方法およびその装置
KR101730163B1 (ko) * 2010-03-03 2017-04-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법과 이에 의한 액정 표시 장치
US9354479B2 (en) * 2011-10-27 2016-05-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid-crystal panel and manufacturing method thereof
TWI486928B (zh) * 2012-11-16 2015-06-01 Au Optronics Corp 顯示面板及其檢測方法
CN103995406A (zh) * 2013-02-19 2014-08-20 群创光电股份有限公司 液晶面板
CN103915510B (zh) 2014-03-27 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
US9406872B1 (en) * 2015-11-16 2016-08-02 International Business Machines Corporation Fabricating two-dimensional array of four-terminal thin film devices with surface-sensitive conductor layer
US10103072B2 (en) * 2016-08-18 2018-10-16 Semiconductor Components Industries, Llc Damaging components with defective electrical couplings
CN107204375B (zh) * 2017-05-19 2019-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法
US10712624B2 (en) * 2018-07-24 2020-07-14 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing active matrix substrate and active matrix substrate
CN109557733B (zh) * 2018-12-28 2022-04-12 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
WO2024142183A1 (ja) * 2022-12-26 2024-07-04 住友大阪セメント株式会社 光導波路素子、光変調器、および光送信装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63263743A (ja) * 1987-04-22 1988-10-31 Alps Electric Co Ltd 薄膜トランジスタアレイおよびその製法
JPH02135320A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル
JP2714270B2 (ja) 1991-05-29 1998-02-16 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH05341316A (ja) 1992-06-10 1993-12-24 Hitachi Ltd 液晶表示装置とその欠陥修正方法
JP3098345B2 (ja) * 1992-12-28 2000-10-16 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
JPH07199221A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Toshiba Corp 液晶表示装置
KR100343376B1 (ko) * 1993-12-31 2002-11-23 고려화학 주식회사 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물
US5737041A (en) * 1995-07-31 1998-04-07 Image Quest Technologies, Inc. TFT, method of making and matrix displays incorporating the TFT
KR970011972A (ko) * 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
EP1930767B1 (en) * 1997-06-12 2009-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Vertically-aligned (VA) liquid crystal display device
JP2001117083A (ja) 1999-10-14 2001-04-27 Fujitsu Ltd 液晶表示装置
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
TWI256732B (en) * 2002-08-30 2006-06-11 Sharp Kk Thin film transistor, liquid crystal display apparatus, manufacturing method of thin film transistor, and manufacturing method of liquid crystal display apparatus
JP4088619B2 (ja) * 2004-01-28 2008-05-21 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示装置
JP4108078B2 (ja) * 2004-01-28 2008-06-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102079455B1 (ko) * 2018-10-05 2020-02-19 주식회사 코윈디에스티 액정표시장치의 휘점불량 수리 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN100463018C (zh) 2009-02-18
KR100808747B1 (ko) 2008-02-29
US20080024690A1 (en) 2008-01-31
CN101053005A (zh) 2007-10-10
JPWO2006126460A1 (ja) 2008-12-25
EP1884910A4 (en) 2009-12-09
EP1884910B1 (en) 2013-03-13
JP4105210B2 (ja) 2008-06-25
CN101447493A (zh) 2009-06-03
EP1884910A1 (en) 2008-02-06
WO2006126460A1 (ja) 2006-11-30
CN101447493B (zh) 2012-05-30
US7733435B2 (en) 2010-06-08

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