JP2014042005A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 第１のチャネル形成領域を含むシリコン半導体膜を有する、第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタ上の第１の窒化絶縁膜と、
   前記第１の窒化絶縁膜上の第２の窒化絶縁膜と、
   前記第２の窒化絶縁膜上の、第２のチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有する、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第２の窒化絶縁膜の水素濃度は、前記第１の窒化絶縁膜の水素濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の窒化絶縁膜の密度が２．７５ｇ／ｃｍ^３以上であること特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の窒化絶縁膜の水素濃度が２０原子％以上２５原子％以下であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２の窒化絶縁膜の水素濃度が１０原子％以上１５原子％以下であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第２の窒化絶縁膜は、２０℃以上２５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対するエッチング速度が２．０ｎｍ／分以下であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第２の窒化絶縁膜は、前記第１の窒化絶縁膜に接することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第１の窒化絶縁膜と前記第２の窒化絶縁膜との間に設けられ、且つ前記第１の窒化絶縁膜及び前記第２の窒化絶縁膜に接して設けられた酸化絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、トップゲート構造であることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   前記第２のトランジスタ上に第３の窒化絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
10. 請求項９において、
    前記第３の窒化絶縁膜は、Ｘ線反射率法によって測定される密度が２．７５ｇ／ｃｍ^３以上であること特徴とする半導体装置。
11. 請求項９または請求項１０において、
    前記第３の窒化絶縁膜の水素濃度が１０原子％以上１５原子％以下であることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
    前記第３の窒化絶縁膜は、２０℃以上２５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対するエッチング速度が２．０ｎｍ／分以下であることを特徴とする半導体装置。