JP2013110392A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. シリコンを含む絶縁膜と、
   前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜との界面から前記酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が１．１原子％以下の濃度で分布する第１の領域を有する半導体装置。
2. シリコンを含む絶縁膜と、
   前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜との界面から前記酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が１．１原子％以下の濃度で分布する第１の領域を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記第１の領域とは異なる第２の領域を有し、
   前記第２の領域に含まれるシリコンの濃度は、前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度よりも小さい半導体装置。
3. シリコンを含む絶縁膜と、
   前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記第２の領域よりも前記絶縁膜側に位置し、
   前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度は、１．１原子％以下であり、
   前記第２の領域に含まれるシリコンの濃度は、前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度よりも小さい半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度が０．１原子％以下である半導体装置。