JP2011258941A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ｎチャネル型トランジスタである第１のトランジスタを有し、
   ｐチャネル型トランジスタである第２のトランジスタを有し、
   チャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる第３のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタは第１のゲート、第１のソース及び第１のドレインを有し、
   前記第２のトランジスタは第２のゲート、第２のソース及び第２のドレインを有し、
   前記第２のソース及び前記第２のドレインの一方にはハイレベルの電位が印加され、
   前記第１のソース及び前記第１のドレインの一方にはローレベルの電位が印加され、
   前記第１のソース及び前記第１のドレインの他方は、前記第２のソース及び前記第２のドレインの他方に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタが、前記第１のゲートに加えて、チャネル形成領域を間に挟んで前記第１のゲートと向かい合っている第３のゲートを有するか、または、前記第２のトランジスタが、前記第２のゲートに加えて、チャネル形成領域を間に挟んで前記第２のゲートと向かい合っている第４のゲートを有し、
   前記第１のゲートにハイレベルの電位が印加されるときは前記第２のゲートにハイレベルの電位が印加され、
   前記第２のゲートにハイレベルの電位が印加されるときは前記第１のゲートにハイレベルの電位が印加され、
   前記第１のゲートにローレベルの電位が印加されるときは前記第２のゲートにローレベルの電位が印加され、
   前記第２のゲートにローレベルの電位が印加されるときは前記第１のゲートにローレベルの電位が印加され、
   前記第３のゲート又は前記第４のゲートへの電位の供給は前記第３のトランジスタにより制御される半導体装置。
2. ｎチャネル型トランジスタである第１のトランジスタを有し、
   ｐチャネル型トランジスタである第２のトランジスタを有し、
   チャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる第３のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタは第１のゲート、第１のソース及び第１のドレインを有し、
   前記第２のトランジスタは第２のゲート、第２のソース及び第２のドレインを有し、
   前記第２のソース及び前記第２のドレインの一方にはハイレベルの電位が印加され、
   前記第１のソース及び前記第１のドレインの一方にはローレベルの電位が印加され、
   前記第１のソース及び前記第１のドレインの他方は、前記第２のソース及び前記第２のドレインの他方に電気的に接続され、
   前記第１のゲートにハイレベルの電位が印加されるときは前記第２のゲートにハイレベルの電位が印加され、
   前記第２のゲートにハイレベルの電位が印加されるときは前記第１のゲートにハイレベルの電位が印加され、
   前記第１のゲートにローレベルの電位が印加されるときは前記第２のゲートにローレベルの電位が印加され、
   前記第２のゲートにローレベルの電位が印加されるときは前記第１のゲートにローレベルの電位が印加され、
   前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタの基板電位は、前記第３のトランジスタにより制御される半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１のトランジスタのチャネル形成領域はシリコンまたはゲルマニウムを含み、
   前記第２のトランジスタのチャネル形成領域はシリコンまたはゲルマニウムを含む半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの上に絶縁膜を有し、
   前記絶縁膜上に前記第３のトランジスタを有する半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体である半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第３のトランジスタの前記チャネル形成領域の水素濃度は、５×１０^１９／ｃｍ^３以下である半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記第３のトランジスタのオフ電流密度は、１００ｚＡ／μｍ以下である半導体装置。