JP2011172214A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 論理回路を有する第１の基本ブロックと、
   論理回路を有する第２の基本ブロックと、
   前記第１の基本ブロックへの電源電位の供給を制御する機能を有する第１のプログラム素子と、
   前記第２の基本ブロックへの電源電位の供給を制御する機能を有する第２のプログラム素子と、
   前記第１の基本ブロック及び前記第２の基本ブロック間の接続を制御する機能を有する第３のプログラム素子と、
   を有し、
   前記第１のプログラム素子及び前記第２のプログラム素子は、
   スイッチング素子としての機能を有する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタのゲートへの電位の供給を制御する機能を有する第２のトランジスタと、を有し、
   前記第２のトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有することを特徴とする半導体装置。
2. 論理回路を有する第１の基本ブロックと、
   論理回路を有する第２の基本ブロックと、
   前記第１の基本ブロックへの電源電位の供給を制御する機能を有する第１のプログラム素子と、
   前記第２の基本ブロックへの電源電位の供給を制御する機能を有する第２のプログラム素子と、
   前記第１の基本ブロック及び前記第２の基本ブロック間の接続を制御する機能を有する第３のプログラム素子と、
   を有し、
   前記第１のプログラム素子及び前記第２のプログラム素子は、
   スイッチング素子としての機能を有する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタのゲートへの電位の供給を制御する機能を有する第２のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方への電位の供給を制御する機能を有する第３のトランジスタと、を有し、
   前記第２のトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記酸化物半導体は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記酸化物半導体は、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＺｎを有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２のトランジスタのオフ電流は、１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有することを特徴とする半導体装置。