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  1. 第1の回路と、第2の回路と、を有し、
    第3の電流を出力することができる機能を有する半導体装置であって、
    前記第1の回路は、
    第1の電流を第1のトランジスタのドレイン電流とすることができる機能と、
    前記第1の電流が前記第1のトランジスタのドレイン電流であるときの、前記第1のトランジスタのゲート電圧を第1の電圧として保持することができる機能と、
    前記第1のトランジスタのゲート電圧が前記第1の電圧であるときの、前記第1のトランジスタのドレイン電流を第2の電流として出力することができる機能と、を有し、
    前記第2の回路は、
    前記第2の電流を第2のトランジスタのドレイン電流とすることができる機能と、
    前記第2の電流が前記第2のトランジスタのドレイン電流であるときの、前記第2のトランジスタのゲート電圧を第2の電圧として保持することができる機能と、
    第3のトランジスタのゲート電圧が前記第2の電圧であるときの、前記第3のトランジスタのドレイン電流を前記第3の電流として出力することができる機能と、を有し、
    前記第2のトランジスタのゲート幅(W2)とゲート長(L2)の比(W2/L2)は、前記第3のトランジスタのゲート幅(W3)とゲート長(L3)の比(W3/L3)よりも大きく、
    前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、結晶構造を有する半導体に設けられ、
    前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、結晶構造を有する半導体に設けられ、
    前記第3のトランジスタのチャネル形成領域は、結晶構造を有する半導体に設けられることを特徴とする半導体装置。
  2. 第1の回路と、第2の回路と、を有し、
    第3の電流を出力することができる機能を有する半導体装置であって、
    前記第1の回路は、
    第1の電流を第1のトランジスタのドレイン電流とすることができる機能と、
    前記第1の電流が前記第1のトランジスタのドレイン電流であるときの、前記第1のトランジスタのゲート電圧を第1の電圧として保持することができる機能と、
    第2のトランジスタのゲート電圧が前記第1の電圧であるときの前記第2のトランジスタのドレイン電流を第2の電流として出力することができる機能と、を有し、
    前記第2の回路は、
    前記第2の電流を第3のトランジスタのドレイン電流とすることができる機能と、
    前記第2の電流が前記第3のトランジスタのドレイン電流であるときの、前記第3のトランジスタのゲート電圧を第2の電圧として保持することができる機能と、
    第4のトランジスタのゲート電圧が前記第2の電圧であるときの前記第4のトランジスタのドレイン電流を前記第3の電流として出力することができる機能と、を有し、
    前記第1のトランジスタのゲート幅(W1)とゲート長(L1)の比(W1/L1)は、前記第2のトランジスタのゲート幅(W2)とゲート長(L2)の比(W2/L2)よりも大きく、
    前記第3のトランジスタのゲート幅(W3)とゲート長(L3)の比(W3/L3)は、前記第4のトランジスタのゲート幅(W4)とゲート長(L4)の比(W4/L4)よりも大きく、
    前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、結晶構造を有する半導体に設けられ、
    前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、結晶構造を有する半導体に設けられ、
    前記第3のトランジスタのチャネル形成領域は、結晶構造を有する半導体に設けられ、
    前記第4のトランジスタのチャネル形成領域は、結晶構造を有する半導体に設けられることを特徴とする半導体装置。
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