WO2004055987A1 - 半導体装置およびこれを用いた表示装置 - Google Patents

半導体装置およびこれを用いた表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2004055987A1
WO2004055987A1 PCT/JP2003/015387 JP0315387W WO2004055987A1 WO 2004055987 A1 WO2004055987 A1 WO 2004055987A1 JP 0315387 W JP0315387 W JP 0315387W WO 2004055987 A1 WO2004055987 A1 WO 2004055987A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transistor
potential
input
signal
terminal
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/015387
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hajime Kimura
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Priority to JP2004531657A priority Critical patent/JP4440100B2/ja
Priority to AU2003284528A priority patent/AU2003284528A1/en
Publication of WO2004055987A1 publication Critical patent/WO2004055987A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018521Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00315Modifications for increasing the reliability for protection in field-effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/037Bistable circuits
    • H03K3/0375Bistable circuits provided with means for increasing reliability; for protection; for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied; for storing the actual state when the supply voltage fails

Definitions

  • the present invention relates to a digital circuit that operates based on a digital signal. More specifically, the present invention relates to a semiconductor device having one or more digital circuits when the amplitude of a signal voltage of an input signal is smaller than the amplitude of a power supply voltage of a digital circuit.
  • a logic circuit that processes digital signals (hereinafter, referred to as a digital circuit) is configured by a single logic element, which is a basic unit, or a combination of a plurality of logic elements.
  • a logic element is a circuit that can obtain one output for one or more inputs. For example, an inverter, AND, OR, NOT, NAND, N ⁇ R, clocked inverter, transmission gate (analog switch) ) Etc. correspond to this.
  • a logic element is configured by connecting one or more circuit elements such as a transistor, a resistor, and a capacitor. Then, by operating the plurality of circuit elements in accordance with the digital signal input to the logic element, the potential or current of a signal supplied to a subsequent circuit is controlled.
  • Invera The configuration and operation of Invera is one of the logic elements. This will be specifically described.
  • Fig. 16 shows the general circuit diagram of a general room.
  • IN means an input signal (input signal)
  • OUT means an output signal (output signal).
  • VDD and V SS mean the power supply potential
  • the room shown in FIG. 16 includes a p-channel TFT 1301 and an n-channel TFT 1302. Gate of p-channel TFT 1301
  • the first terminal of the p-channel TFT 1301 is supplied with VDD, and the first terminal of the n-channel TFT 1302 is supplied with VSS.
  • the second terminal of the p-channel TFT 1301 and the second terminal of the n-channel TFT 1302 are connected to each other, and an output signal OUT is output from the two second terminals to a circuit in a subsequent stage. .
  • One of the first terminal and the second terminal corresponds to a source, and the other corresponds to a drain.
  • the higher potential is the source and the lower potential is the drain.
  • the n-channel TFT the lower potential is the source and the higher potential is the drain. Therefore, in FIG. 16, in the two TFTs, the first terminal corresponds to the source (S), and the second terminal corresponds to the drain (D).
  • a digital signal having a binary potential is used as an input signal.
  • the two circuit elements included in the circuit operate to control the potential of the output signal OUT.
  • VDD or VSS is input to the input signal IN
  • the potential of the output signal OUT becomes VSS or VDD, respectively, and the logic of the signal is inverted.
  • each circuit element when VDD 'and VSS' whose amplitude is larger than the power supply voltage amplitude is input to the input signal IN, each circuit element operates in the same way as when VDD and VSS are input, and the output signal OUT
  • the potentials are VSS and VDD, respectively, and an output signal OUT having a desired potential is obtained.
  • each circuit element operates according to the potential of the input signal IN, and the potential of the output signal OUT is controlled. Disclosure of the invention
  • each circuit element does not operate normally, and a desired output signal may not be obtained.
  • FIG. 16A shows an operation state of each circuit element when the input signal IN has a higher potential VDD ′ (VDD ′ ⁇ VDD).
  • VDD ′ VDD ′
  • VDD ′ VDD ′
  • VDD ' When the high-potential-side potential VDD 'is input to the input signal IN, an n-channel type
  • the gate-source voltage V GS of TFT 1302 is (VDD, one VSS)> 0.
  • VDD '-VS S is larger than the threshold voltage V THn of the n-channel TFT 1302 , so that the n-channel TFT 1302 is turned on, while the high potential side potential is applied to the input signal IN.
  • VDD ' When VDD 'is input, the gate-source voltage V GS of the p-channel TFT 1301 becomes (VDD'-VDD) ⁇ 0.
  • the p-channel TFT 1301 When the gate-source voltage V GS of the p-channel TFT 1301 is equal to or greater than the threshold voltage V THp of the p-channel TFT 1301 , the p-channel TFT 1301 is off As a result, the potential VSS applied to the n-channel TFT 1302 is output, and the logic of the signal is inverted. However, when the gate-source voltage V GS of the p-channel TFT 1301 is smaller than the threshold voltage V THp of the p-channel TFT 1301 , the ⁇ -channel TFT 1301 is turned on. Since the gate -source voltage V GS is (VDD ' -VDD ) less than 0 and the threshold voltage is also V THp ⁇ 0, the absolute values of both are compared!
  • the p-channel TFT 1301 When V GS 1 ⁇ IV THp I, the p-channel TFT 1301 is turned off, but when IV GS I:> IV THp I, that is, when i VD D '-VDD I> IV THp I, the p-channel Type TFT 1301 turns on.
  • the potential of the output signal OUT is the current flowing through each transistor.
  • the input signal is at a high potential side potential VDD '(A), the V GS of the n-channel type TFT and V GSn, if the V GS of the p-channel type TFT and V GSp, 1 V GSn I> Because it is an IV GSp I, the potential of the output signal OUT is closer to VSS than VDD unless there is a difference in the characteristics of each transistor or the ratio of the channel width W to the channel length L.
  • the potential of the output signal OUT may be closer to VDD than VSS. In this case, the operation of the digital circuit is not normal, and there is a high possibility of malfunction. And this can cause a malfunction of a digital circuit provided in a subsequent stage in a chain.
  • FIG. 16B shows the operation of each circuit element when the input signal IN has the lower potential VSS S (VS S,> VS S).
  • VSS S VS S,> VS S.
  • the gate-source voltage VGS of the p-channel TFT 1301 becomes (VSS,-VDD) less than 0 Become.
  • (VSS'-VDD) is the threshold voltage V TH of the p-channel TFT1301.
  • the p-channel TFT 1301 is turned on while the low-potential-side potential VSS 'is input to the input signal IN, and the gate-source voltage V of the n-channel TFT 1302 is V GS becomes (VS S, —VS S)> 0.
  • n-channel type T FT 1 302 less than or equal to the threshold voltage V THn gate-source voltage V G ⁇ Sn-channel TFT 1302 of, n-channel type TFT 1 302 is turned off. As a result, the potential VDD applied to the p-channel TFT 1301 is output, and the logic of the signal is inverted. However, when the gate-source voltage V GS of the n-channel TFT 1302 is higher than the threshold voltage V THn of the n-channel TFT 1302, the n-channel TFT 1302 is turned on.
  • the gate-source voltage V cs is (VS S '— VSS)> 0 and the threshold voltage is V THn ⁇ 0, comparing the absolute values of both, IV GS I ⁇ IV THn
  • the n-channel TFT 1302 turns off, but when 1 V GS 1> IV THn I, that is, when 1 VSS '-VS SI> IV THn I, the n-channel TFT 1302 turns on .
  • the p-channel TFT 13 01 and n-channel TFT1 302 are both turned on. In that case, the potential of the output signal OUT does not become VDD even if the input signal has the low potential side VSS '.
  • the potential of the output signal OUT is determined by the current flowing through each transistor, that is, the on-resistance (or the source-drain voltage).
  • the input signal is at the low potential side VSS S ', l V GSn l ⁇
  • the potential of the output signal OUT is closer to VDD than VSS.
  • the threshold voltage, the ratio of channel width to channel length, and the like the potential of the output signal OUT may be closer to VSS than VDD. In this case, the operation of the digital circuit is not normal, and there is a high possibility of malfunction. This, in turn, can cause malfunctions of digital circuits provided at the subsequent stage.
  • n-channel TFT 1302 and the p-channel TFT 1301 are simultaneously turned on and a through current flows, there is a problem that current consumption increases.
  • an object of the present invention is to provide a digital circuit that can operate normally regardless of the binary potential of an input signal. More specifically, an object of the present invention is to provide a digital circuit that can operate normally even when the amplitude of an input signal is smaller than the amplitude of a power supply voltage. (Means for solving the problem)
  • the present invention uses the following means to solve the above problems.
  • the present invention relates to a semiconductor device having a correction unit and a transistor,
  • the correction means has an input terminal and an output terminal, and one of a first input potential and a second input potential is input to an input terminal of the correction means.
  • a semiconductor device is provided which is connected to a gate terminal of a transistor.
  • the correction means is provided before the digital circuit that wants to operate normally.
  • a signal that satisfies the condition that is, the first power supply potential
  • the transistor is turned off.
  • the first input potential is output from the correction means.
  • the target digital circuit is turned off when it must be turned off, and turned on when it must be turned on. Therefore, the target digital circuit can operate normally.
  • FIG. 2 shows the configuration of the digital circuit of the present invention.
  • the digital circuit 201 includes correction means 204 for correcting the potential of a signal input to the input terminal 202, and one or more circuit elements 205 whose operations are controlled by the input signal corrected by the correction means 204. ing.
  • Circuit element 205 is to be corrected It is a digital circuit. Then, a signal is output from the output terminal 203 in accordance with the operation of the circuit element 205.
  • some digital circuits 201 have a plurality of input terminals 202 and output terminals 203. Similarly, the digital circuit 201 may have a plurality of correction means 204 and circuit elements 205 in some cases.
  • the present invention is a semiconductor device having a first transistor, a second transistor, and a third transistor, wherein a gate terminal of the first transistor and a gate of the second transistor are provided.
  • a first power supply potential is supplied to a source terminal of the first transistor, and a source terminal of the second transistor is the same as a first signal potential.
  • a potential is supplied, a drain terminal of the first transistor is electrically connected to a drain terminal of the second transistor, and a drain terminal of the first transistor is a gate terminal of the third transistor.
  • a source terminal of the third transistor is supplied with a second power supply potential, and a gate terminal of the first transistor is supplied with a first signal potential or a second signal potential.
  • the semiconductor device characterized by any one of potentials supplied is provided.
  • the present invention provides the semiconductor device according to the above configuration, wherein the first transistor and the second transistor are different in conductivity type.
  • the present invention relates to a semiconductor device having a first transistor, a second transistor, and a third transistor, wherein a gate of the first transistor is provided.
  • the first terminal is electrically connected to the gate terminal of the second transistor
  • the drain terminal of the first transistor is electrically connected to the drain terminal of the second transistor
  • the first transistor is connected to the first transistor.
  • the drain terminal of the transistor is electrically connected to the gate terminal of the third transistor, and the gate terminal of the first transistor has one of a first signal potential and a second signal potential.
  • One is supplied, a first power supply potential is supplied to a source terminal of the first transistor, and a potential equal to the first signal potential is supplied to a source terminal of the second transistor, A second power supply potential is supplied to a source terminal of the third transistor, the first transistor and the third transistor are P-channel transistors, and the third transistor is a P-channel transistor.
  • the second transistor is an N-channel transistor, wherein the first power supply potential and the second power supply potential are high-potential-side power supply potentials, and the first signal potential is a low-potential-side potential.
  • a semiconductor device is provided, wherein the second signal potential is a high potential side potential.
  • the present invention is a semiconductor device having a first transistor, a second transistor, and a third transistor, wherein the gate terminal of the first transistor and the gate terminal of the second transistor are provided. And the drain terminal of the first transistor is electrically connected to the drain terminal of the second transistor, and the drain terminal of the first transistor is electrically connected to the third transistor.
  • the transistor is electrically connected to a gate terminal of the transistor, and a gate terminal of the first transistor is supplied with one of a first signal potential and a second signal potential, and a source of the first transistor is provided.
  • the terminal A first power supply potential is supplied, a source terminal of the second transistor is supplied with the same potential as the first signal potential, and a source terminal of the third transistor is supplied with a second power supply potential.
  • the first transistor and the third transistor are N-channel transistors; the second transistor is a P-channel transistor; the first power supply potential and the second
  • the semiconductor device is characterized in that a power supply potential is a low potential side power supply potential, the first signal potential is a high potential side potential, and the second signal potential is a low potential side potential. Is done.
  • the transistor in the present invention may be a transistor formed by any material, means, or manufacturing method, or may be any type of transistor.
  • a thin film transistor TFT
  • the semiconductor layer may be an amorphous one, a polycrystalline one, or a single crystalline one.
  • Other transistors may be transistors formed on a single crystal substrate, transistors formed on an SOI substrate, transistors formed on a plastic substrate, or formed on a glass substrate. It may be a transistor.
  • a transistor made of organic matter or carbon nanotubes may be used. Further, it may be an MS type transistor or a bipolar transistor.
  • being connected is synonymous with being electrically connected. Therefore, another element or the like may be arranged in between. (The invention's effect)
  • the digital circuit can operate normally even if the amplitude of the input signal is smaller than the amplitude of the power supply voltage.
  • FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration when the present invention is applied to a receiver.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a digital circuit of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a digital circuit of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a digital circuit of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of a bay where the present invention is applied to an invar.
  • FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration when the present invention is applied to a receiver.
  • FIG. 7 is a diagram showing a circuit configuration when the present invention is applied to a clocked inverter.
  • FIG. 8 is a diagram showing a circuit configuration when the present invention is applied to a clocked impeller.
  • FIG. 9 is a diagram showing a circuit configuration when the present invention is applied to a NAND circuit.
  • FIG. 10 is a diagram showing a circuit configuration when the present invention is applied to a NOR circuit.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a display device.
  • FIG. 12 is a diagram showing the configuration of the shift register of the present invention
  • FIG. 13 is a diagram showing a configuration of the first latch circuit of the present invention.
  • FIG. 14 is a diagram showing a circuit layout when the present invention is applied to a room.
  • FIG. 15 is a diagram of an electronic device to which the present invention is applied.
  • FIG. 16 is a diagram showing a general configuration of an inverter and a state in which the inverter malfunctions when the potential of an input signal is not at a desired level.
  • FIG. 3 briefly shows an example of the configuration of the correcting means 204 when the polarity of the transistor 301 forming the circuit element 205 to be corrected is a P-channel type.
  • the digital circuit 201 includes correction means 204 for correcting the potential of a signal input to the input terminal 202, and a circuit element 205 whose operation is controlled by the input signal corrected by the correction means 204. Then, according to the operation of the circuit element 205, a signal is output from the output terminal 203.
  • the correction means 204 is constituted by an impeller circuit.
  • Either the high-potential-side input potential VH or the low-potential-side input potential VL is input to the input terminal 202 as an input signal.
  • the high potential side input potential VH is a potential lower than the high potential side power supply (Vdd, VddK Vdd2, etc.)
  • the low potential side input potential VL is a potential higher than the low potential side power supply (Vss, Vss K Vss2, etc.).
  • the input value is 1 (H signal)
  • the high-potential input potential VH is input
  • the input value is 0 (L signal
  • the low-potential input potential VL is input.
  • the source terminal of the transistor 301 constituting the circuit element 205 to be corrected is connected to the high-potential-side power supply Vddl, and the drain terminal is connected to the output terminal 203.
  • the gate terminal of the transistor 301 is connected to the output terminal of the correction means 204.
  • the correction means 204 is constituted by an inverter circuit.
  • the source terminal of the N-channel transistor 303 constituting the inverter is connected to a potential equal to the low-potential-side input potential VL or a potential substantially equal to the low-potential-side input potential VL.
  • the gate terminal of the N-channel transistor 303 is connected to the input terminal 202, and the drain terminal is connected to the gate terminal of the transistor 301 as the output terminal of the correction means 204.
  • the source terminal of the P-channel transistor 302 constituting the inverter is connected to the high-potential-side power supply Vdd2.
  • the gate terminal of the P-channel transistor 302 is connected to the input terminal 202, and the drain terminal is connected to the gate terminal of the transistor 301 as the output terminal of the correction means 204.
  • the gate-source voltage of the N-channel transistor 303 is 0 V or substantially OV. Assuming that the threshold voltage of N-channel transistor 303 is 0 V or higher, N-channel transistor 303 is turned off in this case. On the other hand, (VL-Vdd2) is added to the gate-source voltage of the P-channel transistor 302. Wrong. Normally, the P-channel transistor 302 is turned on because the gate-source voltage (VL-Vdd2) of the P-channel transistor 302 is lower than the threshold voltage of the P-channel transistor 302. As a result, the high potential side power supply Vdd2 is applied to the gate of the transistor 301.
  • the transistor 301 when the gate-source voltage (Vdd2 ⁇ Vddl) of the transistor 301 is higher than the threshold voltage of the transistor 301, the transistor 301 is turned off. That is, when the low potential side input potential VL is input to the input terminal 202, the transistor 301 is turned off.
  • the gate-source voltage of the N-channel transistor 303 is (VH-VL). Therefore, normally, (VH-VL) is larger than the threshold voltage of N-channel transistor 303, so that N-channel transistor 303 is turned on.
  • the gate-source voltage of the P-channel transistor 302 is (VH_Vdd2).
  • VH ⁇ Vdd2 is higher than the threshold voltage of the P-channel transistor 302
  • the P-channel transistor 302 is turned off. Therefore, VL is added to the gate terminal of the transistor 301, and the transistor 301 is turned on. That is, when the high-potential-side input potential VH is input to the input terminal 202, the transistor 301 is turned on and outputs the high-potential-side power supply Vddl.
  • the P-channel transistor 302 is turned on.
  • the N-channel transistor 303 is also turned on, it is added to the gate terminal of the transistor 301.
  • the resulting potential is determined by the on-resistance (or source-drain voltage) of the P-channel transistor 302 and the N-channel transistor 303, and has a potential between Vdd2 and VL.
  • a potential close to VU is applied to the terminal, and the transistor 301 is turned on.
  • the transistor 301 when the low potential side input potential VL is input to the input terminal 202, the transistor 301 is turned off. Conversely, when the high-potential-side input potential VH is input, the transistor 301 turns on and outputs the high-potential-side power supply Vddl. In other words, the transistor 301 is turned off when it should be turned off, and turned on when it should be turned on. Therefore, it can be operated normally.
  • the correction means 204 is formed by an inverter circuit, a signal obtained by inverting the input signal is input to the transistor 301.
  • the current driving capability of the N-channel transistor 303 may be improved.
  • the current driving capability of a transistor is proportional to W / L, which is the ratio of the gate width W to the gate length L. Therefore, the W / L of the N-channel transistor 303 is It should be much larger than the WZ L of the Star 302. More specifically, the WZL of the N-channel type transistor 303 may be set to be at least five times larger than that of the P-channel type transistor 302.
  • the W / L of the N-channel transistor 303 is increased, no significant side effect occurs.
  • the P-channel transistor 302 is turned on so that the high-potential-side power supply Vdd2 is applied to the gate of the transistor 301.
  • the N-channel transistor 303 is not turned off, the on-resistance of the N-channel transistor 303 is small, so that a potential lower than the high-potential power supply Vdd2 is applied to the gate of the transistor 301. It can be assumed that the transistor 301 does not turn off.
  • the N-channel transistor 303 is off. Therefore, even if the WZL of the N-channel transistor 303 is increased, no significant side effect occurs.
  • the high-potential-side power supply Vddl and the high-potential-side power supply Vdd2 are based on the condition that the transistor 301 turns off when the low-potential-side input potential VL is input to the input terminal 202, that is, the threshold voltage of the transistor 301.
  • the potentials may be the same or different. That is, any state may be used as long as the digital circuit 201 outputs normal logic, or the digital circuit provided at the subsequent stage does not malfunction.
  • the number of potentials to be supplied can be reduced, so that the number of power supply circuits can be reduced. If the potential is the same, they can be connected to the same wiring. As a result, the layout area can be reduced.
  • the potential of the source terminal of the N-channel transistor 303 and the low-potential-side input potential VL may be the same or different. Any state may be used as long as the digital circuit 201 outputs normal logic, or as long as the digital circuit provided at the subsequent stage does not malfunction. Normally, it is desirable that the potential of the source terminal of the N-channel transistor 303 be the same as the low-potential-side input potential VL. With the same potential, the number of potentials to be supplied can be reduced, so that the number of power supply circuits can be reduced.
  • FIG. 3 the correction means 204 when the polarity of the transistor 301 constituting the circuit element 205 to be corrected is a P-channel type has been described.
  • FIG. 4 shows the circuit element 205 to be corrected.
  • the correcting means 204 when the polarity of the transistor 401 constituting the transistor is an N-channel type will be described.
  • the transistor 401 is turned off when it should be turned off.
  • a digital circuit 201 includes a correction unit 204 for correcting the potential of a signal input to an input terminal 202, and a circuit element 205 whose operation is controlled by the input signal corrected by the correction unit 204. ing. Then, according to the operation of the circuit element 205, a signal is output from the output terminal 203.
  • Correction means 204 It is composed of an inverter circuit.
  • the source terminal of the transistor 401 included in the circuit element 205 to be corrected is connected to the low-potential-side power supply Vssl, and the drain terminal is connected to the output terminal 203.
  • the gate terminal of the transistor 401 is connected to the output terminal of the correction means 204.
  • the correction means 204 is configured by an inverter circuit.
  • the source terminal of the P-channel transistor 403 constituting the inverter is connected to a potential equal to the high-potential-side input potential VH or a potential substantially equal to the high-potential-side input potential VH.
  • the gate terminal of the P-channel transistor 403 is connected to the input terminal 202, and the drain terminal is connected to the gate terminal of the transistor 401 as the output terminal of the correction means 204.
  • the source terminal of the N-channel transistor 402 constituting the inverter is connected to the low-potential-side power supply Vss2.
  • the gate terminal of the N-channel transistor 402 is connected to the input terminal 202, and the drain terminal is connected to the gate terminal of the transistor 401 as the output terminal of the correction means 204.
  • the gate-source voltage of the P-channel transistor 403 is 0 V or approximately 0 V. Assuming that the threshold voltage of P-channel transistor 403 is 0 V or less, in this case, P-channel transistor 403 is turned off. On the other hand, (VH-Vss2) is added to the gate-source voltage of the N-channel transistor 402. Normally, the gate-source voltage (VH-Vss2) of the N-channel transistor 402 is higher than the threshold voltage of the N-channel transistor 402. Therefore, the N-channel transistor 402 is turned on. As a result, the low-potential-side power supply Vss2 is applied to the gate of the transistor 401.
  • the transistor 401 when the gate-source voltage (Vss2 ⁇ Vssl) of the transistor 401 is smaller than the threshold voltage of the transistor 401, the transistor 401 is turned off. That is, when the high-potential-side input potential VH is input to the input terminal 202, the transistor 401 is turned off.
  • the gate-source voltage of the P-channel transistor 403 is (VL-VH). Therefore, normally, since (VL-VH) is smaller than the threshold voltage of P-channel transistor 403, P-channel transistor 403 is turned on.
  • the gate-source voltage of the N-channel transistor 402 is (VL-Vss2).
  • VL-Vss2 is smaller than the threshold voltage of the N-channel transistor 402
  • the N-channel transistor 402 is turned off. Therefore, VH is applied to the gate terminal of the transistor 401, and the transistor 401 is turned on. That is, when the low-potential-side input potential VL is input to the input terminal 202, the transistor 401 is turned on and outputs the low-potential-side power supply Vssl.
  • the N-channel transistor 402 when the gate-source voltage (VL-Vss2) of the N-channel transistor 402 is higher than the threshold voltage of the N-channel transistor 402, the N-channel transistor 402 is turned on.
  • the P-channel transistor 403 since the P-channel transistor 403 is also turned on, the potential applied to the gate terminal of the transistor 401 is determined by the on-resistance of the N-channel transistor 402 and the P-channel transistor 403, and from Vss2 to VH Potential with magnitude between become.
  • the transistor 401 when the high potential side input potential VH is input to the input terminal 202, the transistor 401 is turned off. Conversely, when the low-potential-side input potential VL is input, the transistor 401 turns on and outputs the low-potential-side power supply Vssl. In other words, the transistor 401 is turned off when it should be turned off, and turned on when it should be turned on. Therefore, it can be operated normally.
  • the correction means 204 is formed by an inverter circuit, a signal obtained by inverting the input signal is input to the transistor 401.
  • the W / L of the P-channel transistor 403 should be much larger than the WZL of the N-channel transistor 402.
  • the WZL of the P-channel transistor 403 may be set to be at least 10 times larger than that of the N-channel transistor 402.
  • a P-channel transistor has lower mobility than an N-channel transistor. That is, the current driving capability is small. Therefore, It is desirable to increase W "L of the P-channel transistor 403.
  • the W / L of the P-channel transistor 403 is increased, no significant side effect occurs.
  • the N-channel transistor 402 is turned on so that the low-potential-side power supply Vss2 is applied to the gate of the transistor 401. If the P-channel transistor 403 is not turned off, the ON resistance of the P-channel transistor 403 is small, so that the gate of the transistor 401 is applied with a potential higher than the low-potential-side power supply Vss2.
  • the transistor 401 does not turn off, however, when the high-potential-side input potential VH is input to the input terminal 202, the P-channel transistor 403 becomes Therefore, even if the W L of the P-channel transistor 403 is increased, no significant side effect occurs.
  • the low-potential-side power supply Vssl and the low-potential-side power supply Vss2 are the conditions under which the transistor 401 turns off when the high-potential-side input potential VH is input to the input terminal 202, that is, the threshold value of the transistor 401.
  • the potential may be the same or different. That is, any state may be used as long as the digital circuit 201 outputs normal logic, or the digital circuit provided at the subsequent stage does not malfunction.
  • the number of potentials to be supplied can be reduced. The number of roads can be reduced. If the potential is the same, it is possible to connect to the same wiring. As a result, the layout area can be reduced.
  • the high potential side input potential VH may be the same potential or may be different. Any state may be used as long as the digital circuit 201 outputs normal logic, or as long as a digital circuit provided at a subsequent stage does not malfunction.
  • the potential of the source terminal of the P-channel transistor 403 is desirably set to the same potential as the high potential side input potential VH. With the same potential, the number of potentials to be supplied can be reduced, so that the number of power supply circuits can be reduced.
  • the correction means 204 is configured using an invar, but is not limited to this.
  • the correction unit 204 may be configured using another circuit such as a NAD circuit or a NOR circuit.
  • normal operation can be performed even when the amplitude of the input signal is smaller than the amplitude of the power supply voltage, so that a separate booster circuit is not required, which contributes to cost reduction.
  • a signal from the IC is supplied as an input signal to a digital circuit formed on a glass substrate, the input signal can be directly supplied to the digital circuit without using a booster circuit.
  • the present invention is applied to one of digital circuits, such as an inverter.
  • digital circuits such as an inverter.
  • the present invention is applied overnight, the logic of the output signal is reversed.
  • the correction means of the digital circuit is composed of an inverter.
  • the signal output from Invertor becomes the output signal.
  • 1 (H signal) is input as an input signal, the logic is not inverted and 1 (H signal) is output.
  • FIG. 1 shows a configuration of a digital circuit 201 according to the present embodiment in which an inverter is to be corrected.
  • a digital circuit 201 includes a correction unit 204 that corrects the potential of a signal input to an input terminal 202, and a circuit element 205 whose operation is controlled by the input signal corrected by the correction unit 204. I have. Then, according to the operation of the circuit element 205, a signal is output from the output terminal 203.
  • the circuit element 205 to be corrected includes a P-channel transistor 301 and an N-channel transistor 401.
  • the correction means 204 is divided into a portion corresponding to the P-channel transistor 301 and a portion corresponding to the N-channel transistor 401.
  • the correction means 204 is constituted by an inverter.
  • the inversion includes an N-channel transistor 302 and a P-channel small transistor 302.
  • the source terminal of the P-channel transistor 302 is connected to the high potential side power supply Vdd2.
  • the high-potential power supplies are combined into one.
  • Yotsu The source terminal of the P-channel transistor 302 and the source terminal of the P-channel transistor 301 are connected to the high-potential power supply Vdd. Note that, similarly to FIG. 3, the high-potential-side power supply may be separated.
  • the correction means 204 is constituted by an inverter.
  • the inverter is composed of a P-channel transistor 403 and an N-channel transistor 402.
  • the source terminal of the N-channel transistor 402 is connected to the low-potential-side power supply Vss2.
  • the low-potential-side power supplies are combined into one. Therefore, the source terminal of the N-channel transistor 402 and the source terminal of the N-channel transistor 401 are connected to the lower potential power supply Vss. Note that, similarly to FIG. 4, the low-potential-side power supplies may be separated.
  • the portion corresponding to the N-channel transistor 401 uses the same configuration as the correction unit 204 shown in FIG. 4, and the portion corresponding to the P-channel transistor 301 is the same as the correction unit 204 shown in FIG. A configuration may be used.
  • the operation of the N-channel transistor 401 will be described.
  • the P-channel transistor 403 is turned on and the N-channel transistor 402 is turned off.
  • the gate-source voltage (VL-Vss) of the N-channel transistor 402 is higher than the threshold voltage of the N-channel transistor 402, the N-channel transistor 402 is turned on.
  • the potential of the gate terminal of the N-channel transistor 401 is determined by the on-resistance of the P-channel transistor 403 and the N-channel transistor 402, It is a potential between the potential VH and the low potential side power supply Vss.
  • the operation of the P-channel transistor 301 will be described.
  • the N-channel transistor 303 is turned on and the P-channel transistor 302 is turned off.
  • the gate-source voltage (VH-Vdd) of the P-channel transistor 302 is smaller than the threshold voltage of the P-channel transistor 302, the P-channel transistor 302 is turned on.
  • the potential of the gate terminal of the P-channel transistor 301 is determined by the on-resistance of the P-channel transistor 302 and the N-channel transistor 303. It is a potential between Vdd and the low potential side input potential VL.
  • the amplitude of the input signal is Even if it is smaller than the width, it can operate normally. Then, the amplitude of the signal output from the digital circuit 201 is substantially equal to the amplitude of the power supply voltage. Therefore, when another digital circuit is connected to the output terminal 203 of the digital circuit 201, a signal almost equal to the amplitude of the power supply voltage is input to the circuit, so that the circuit operates normally. .
  • the digital circuit 201 shown in FIG. 1 outputs a signal having the same logical value as the input signal. Therefore, the logic of the signal is not inverted. Therefore, when it is desired to invert the logic, it is sufficient to connect a normal receiver circuit to the output terminal 203 of the digital circuit 201.
  • FIG. 1 shows a CMOS inverter
  • either the P-channel transistor 301 or the N-channel transistor 401 is replaced with a resistor-diode-connected transistor to form an inverter.
  • FIG. 5 shows a circuit diagram in the case where a diode-connected transistor is used instead of the P-channel transistor 301.
  • FIG. 6 shows a circuit diagram in the case where a resistance element is used instead of the P-channel transistor 301.
  • 5 and 6 the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The description of the reference numerals is the same as that of FIG. 5 and 6 also operate in the same way as in FIG. Note that in FIGS. 5 and 6, another element is used instead of the P-channel transistor 301; however, another element may be used instead of the N-channel transistor 401.
  • FIG. 7 shows a configuration in a case where the present invention is applied to a transistor portion that controls whether or not to transmit a signal, among transistors included in a clocked inverter.
  • a digital circuit 201 includes a correction unit 204 for correcting the potential of a signal input to input terminals 202a and 202b, and a circuit element 205 whose operation is controlled by the input signal corrected by the correction unit 204. are doing. Then, according to the operation of the circuit element 205, a signal is output from the output terminal 203.
  • the clock driver 205 which is the circuit element 205 to be corrected
  • a synchronization signal is input to the transistors 301 and 401. That is, it controls whether the signal input from the input terminal 701 is output to the output terminal 203 or not. Therefore, the transistor 301 and the transistor 401 are turned on at the same time and turned off at the same time.
  • FIG. 7 shows a case where the signal amplitude of the synchronization signal is smaller than the amplitude of the power supply voltage.
  • a signal having a potential of VH or VL is input to the input terminals 202a and 202b for synchronization signals. Then, even if the signal amplitude of the synchronization signal is smaller than the amplitude of the power supply voltage, an appropriate signal is input to the transistors 301 and 401 by the correction means 204.
  • the detailed operation is described in the The description is omitted because it is the same as in cases 1 and 2.
  • signals having opposite logics are input to the input terminal 202a and the input terminal 202b.
  • the potential VH is input as 1 (H signal) to the input terminal 202a
  • the potential VL is input as 0 (L signal) to the input terminal 202b.
  • a data signal is input to the transistors 702 and 703 from the input terminal 701. It is assumed that the amplitude of this data signal is the same as the amplitude of the power supply voltage. Then, a signal is output to the output terminal 203 in synchronization with the on / off of the transistors 301 and 401.
  • the transistor 401 is provided between the transistor 703 and the low-potential-side power supply Vss; however, the present invention is not limited to this.
  • the transistor 703 may be arranged between the transistor 401 and the low-potential-side power supply Vss.
  • the transistor 301 is arranged between the transistor 702 and the high potential side power supply Vdd, but is not limited to this.
  • the transistor 702 may be arranged between the transistor 301 and the high-potential-side power supply Vdd.
  • the logic of the signals input from the synchronization signal input terminals 202a and 202b is inverted by the correction means 204. It should be noted that as a result, the on / off of the transistors 301 and 401 are reversed.
  • FIG. 8 shows a configuration in a case where the present invention is applied to a transistor in a portion for inputting a data signal among transistors constituting a clocked impulse signal.
  • a digital circuit 201 includes a correction means 204 for correcting the potential of a signal input to an input terminal 202, and an input corrected by the correction means 204. It has a circuit element 205 whose operation is controlled by a force signal. Then, according to the operation of the circuit element 205, a signal is output from the output terminal 203.
  • the clock driver which is the circuit element 205 to be corrected, is
  • the transistors 802 and 804 receive a synchronization signal from input terminals 801 and 803 for the synchronization signal. It is assumed that the signal amplitude of the synchronization signal is the same as the amplitude of the power supply voltage. Note that the transistor 802 and the transistor 804 are turned on at the same time and turned off at the same time. This controls whether the signal input from the input terminal 202 is output to the output terminal 203. Therefore, since the conductivity types of the transistor 802 and the transistor 804 are opposite, the logic of the synchronization signal is also reversed. On the other hand, a data signal is input to the transistors 301 and 401 from the input terminal 202. FIG.
  • FIG. 8 shows a case where the signal amplitude of the data signal is smaller than the amplitude of the power supply voltage.
  • a signal whose potential is VH or VL is input to the input terminal 202 for the data signal. Then, even when the signal amplitude of the data signal is smaller than the amplitude of the power supply voltage, an appropriate signal is input to the transistors 301 and 401 by the correction unit 204.
  • the detailed description of the operation is the same as that of the first and second embodiments, and therefore will be omitted.
  • the transistor 804 is provided between the transistor 401 and the low-potential-side power supply Vss, but is not limited thereto.
  • the transistor 401 may be arranged between the transistor 804 and the low-potential-side power supply Vss.
  • transistor 802 is connected between transistor 301 and high-side power supply Vdd. But are not limited to this.
  • the transistor 301 may be arranged between the transistor 802 and the high-potential-side power supply Vdd.
  • the logic of the signal input from the data signal input terminal 202 is inverted by the correction means 204. As a result, it is necessary to note that a signal having the same logic as the signal input from the input terminal 202 is output from the output terminal 203.
  • the correcting unit 204 is applied to a part that controls synchronization, and in FIG. 8, the correcting unit 204 is applied to a part that controls data.
  • the present invention is not limited to this.
  • the correction means 204 may be applied to both parts.
  • the portion corresponding to the N-channel transistor 401 uses the same configuration as the correction unit 204 shown in FIG. 4, and the portion corresponding to the P-channel transistor 301 is the same as the correction unit 204 shown in FIG. A configuration may be used.
  • FIG. 9 shows a circuit diagram when the present invention is applied to a NAND circuit.
  • the correction means 204 is configured using the transistors 302a, 303a, 302b, 303b, 402a, 403a, 402b, 403b.
  • the portion corresponding to the N-channel transistor uses the same configuration as the correction means 204 shown in FIG. 4, and the portion corresponding to the P-channel transistor uses the correction means 204 shown in FIG.
  • the same configuration may be used.
  • the signals input from the input terminals 202a and 202b are converted into signals having appropriate potentials by using the correction means 204, and are input to each transistor.
  • the detailed description of the operation is the same as that of the first and second embodiments, and thus will be omitted.
  • FIG. 10 shows a circuit diagram when the present invention is applied to a NOR circuit.
  • the correction means 204 is configured using the transistors 302a, 303a, 302b, 303b, 402a, 403a, 402b, 403b.
  • the portion corresponding to the N-channel transistor uses the same configuration as the correction means 204 shown in FIG. 4, and the portion corresponding to the P-channel transistor uses the correction means 204 shown in FIG.
  • the same configuration may be used.
  • the signals input from the input terminals 202a and 202b are converted into signals having appropriate potentials by using the correction means 204, and are input to each transistor. Note that the detailed description of the operation is the same as in Embodiments 1 and 2, and thus will be omitted.
  • Example 1 In this example, a structure and operation of a display device, a signal line driver circuit, and the like are described.
  • the circuit of the present invention can be applied to part of a signal line driver circuit or part of a gate line driver circuit.
  • FIG. 11 shows an example of the display device.
  • the display device includes a pixel portion 1101, a gate line driver circuit 1102, and a signal line driver circuit 1110.
  • the gate line driving circuit 1102 sequentially outputs a selection signal to the pixel portion 1101.
  • the signal line driving circuit 1110 sequentially outputs a video signal to the pixel portion 1101.
  • the pixel portion 1101 displays an image by controlling the state of light according to the video signal.
  • a video signal input to the pixel portion 1101 from the signal line driver circuit 1110 is often a voltage. That is, in many cases, the state of the display element or the element that controls the display element disposed in the pixel changes in accordance with the video signal (voltage) input from the signal line driver circuit 1110.
  • the video signal input to the pixel portion 1101 may be a current.
  • Examples of display elements arranged in pixels Examples of such devices include display devices used in liquid crystal displays (LCD), organic EL (elector luminescence) displays, and FEDs (field emission displays).
  • gate line driver circuits 1102 and signal line driver circuits 1110 may be provided.
  • the structure of the signal line driver circuit 1110 is divided into a plurality of parts. Roughly speaking, it can be divided into, for example, a shift register 1103, a first latch circuit (LAT1) 1104, a second latch circuit (LAT2) 1105, and a digital / analog conversion circuit 1106.
  • the shift register 1 ⁇ 03 is composed of a plurality of rows of flip-flop circuits (FF) and the like, and receives a clock signal (S-CLK) 1112, start pulse (SP) 1113, and inverted clock signal (S-CLKb) 1111. In accordance with the timing of these signals, sampling pulses are sequentially output.
  • the sampling pulse output from the shift register 1103 is input to the first latch circuit 1104.
  • the first latch circuit 1104 receives a video signal from the video signal line 1108, and holds the video signal in each column according to the timing at which the sampling pulse is input.
  • the video signal is a digital value.
  • Latch pulse Latch Pulse
  • latch control line 1109 Latch pulse from latch control line 1109
  • the video signals held in the first latch circuit 1104 are simultaneously transferred to the second latch circuit 1105.
  • the video signal held in the second latch circuit 1105 is simultaneously input to the digital-to-analog conversion circuit 1106 for one row.
  • a signal output from the digital / analog conversion circuit 1106 is input to the pixel portion 1101.
  • the shift register 1103 outputs a sampling pulse again. That is, two operations are performed simultaneously. This enables line-sequential driving. Thereafter, this operation is repeated. Note that when the first latch circuit 1104 and the second latch circuit 1105 are circuits that can store analog values, the digital-to-analog conversion circuit 1106 may be omitted. If the data output to the pixel unit 1101 is binary, that is, a digital value, the digital-analog conversion circuit 1106 may be omitted.
  • the signal line driver circuit 1110 includes a level shift circuit, a gamma correction circuit, a voltage-current conversion circuit, an amplification circuit, or the like. As described above, the configuration of the signal line driver circuit 1110 is not limited to FIG.
  • the gate line driving circuit 1102 since the gate line driving circuit 1102 often only outputs the selection signal to the pixel portion 1101 in sequence, a shift register, a level shift circuit, and an amplification circuit having the same configuration as the shift register 1103 of the signal line driving circuit 1110 are used.
  • the gate line driver circuit 1102 is not limited to this, and may be variously configured.
  • the present invention relates to a signal line driving circuit 1110 and a gate line driving circuit 1102 and the like. This can be applied to the shift register and the first latch circuit (LATl) 11 (H) of the signal line drive circuit 1110.
  • LATl first latch circuit
  • Figure 12 shows a part of the Shift Regis evening. It is composed of Inva overnight and clocked inuba—1201, 1202, 1203, 1204. Then, the shift register operates in synchronization with the clock signal (S-CLK) 1112 and the inverted clock signal (S-CLKb) llll.
  • the amplitude of the clock signal (S-CLK) 1112 and the amplitude of the clock inversion signal (S-CLKb) 1111 are smaller than the amplitude of the power supply voltage.
  • the present invention can be applied to a portion where a signal smaller than the amplitude of the power supply voltage is input.
  • the clocked inverters 1201, 1202, 1203, and 1204 can be clocked inverters as shown in FIG.
  • the clock signal (S-CLK) 1112 and the inverted clock signal (S-CLKb) 1111 may be input to the synchronization signal input terminals 202a and 202b in FIG.
  • a part of the first latch circuit (LAT1) 1104 is shown in FIG. It is composed of Inva Isakyu and Clocked Imperu 13001 and 13002.
  • a sampling pulse output from the shift register 1103 is input to the wiring 13003.
  • a video signal is input from a video signal line 1108.
  • the video signal is stored in the first latch circuit (LAT1) 1104 in synchronization with the sampling pulse.
  • the present invention can be applied to a portion where a signal smaller than the amplitude of the power supply voltage is input. That is, a clock inverter shown in FIG. 8 can be used as the clock inverter 13001. The clocked inverter 13002 has a smaller amplitude than the power supply voltage. Since there is no portion to which a signal is input, a normal circuit configuration is sufficient. Therefore, the sampling pulse may be input to the input terminals 801 and 803 for the synchronization signal in FIG. 8, and the video signal may be input from the video signal line 1108 to the input terminal 202 for the data signal in FIG.
  • the transistor in the present invention may be any type of transistor or may be formed on any substrate. Therefore, the circuits as shown in FIG. 11 may be all formed on a glass substrate, may be formed on a plastic substrate, may be formed on a single crystal substrate, or may be formed on a SOI substrate. It may be formed on a substrate or may be formed on any substrate. Alternatively, part of the circuit in FIG. 11 may be formed on one substrate, and another part of the circuit in FIG. 11 may be formed on another substrate. That is, not all of the circuits in FIG. 11 need be formed on the same substrate. For example, in FIG.
  • the pixel portion 1101 and the gate line driver circuit 1102 are formed over a glass substrate by using a TFT, and the signal line driver circuit 110 (or one of them) is formed.
  • the signal line driver circuit 110 (or one of them) is formed.
  • Figure U shows the layout of the digital circuit shown in Fig. 1 with the target of compensation for the evening.
  • the transistor insulating layer is a layer above the semiconductor layer 1401 made of polycrystalline silicon or the like
  • the gate wiring (first wiring) 1402 is a layer above the gate insulating film.
  • a layer above the gate wiring (first wiring) 1402 has an inter-layer insulating film, and a second wiring 1404 is provided thereon.
  • the second wiring 04 and the semiconductor layer 1401 and the second wiring 1404 and the gate wiring (first wiring) 1402 are connected by opening a contact 1403.
  • the circuit element to be corrected includes a P-channel transistor 301 and an N-channel transistor 401.
  • the correction means is divided into a portion corresponding to the P-channel transistor 301 and a portion corresponding to the N-channel transistor.
  • a portion corresponding to the P-channel transistor 301 includes an N-channel transistor 303 and a P-channel transistor 302.
  • a portion corresponding to the N-channel transistor 401 includes a P-channel transistor 403 and an N-channel transistor 402.
  • the semiconductor device of the present invention can be realized.
  • the gate width W of the transistor 403 and the transistor 303 is increased.
  • the current driving capability of the transistor 403 and the transistor 303 is increased, and the on-resistance is reduced.
  • Electronic devices using the present invention include a video camera, a digital camera, a gorgeous display (head-mounted display), a navigation system, a sound reproducing device (car audio, an audio component, etc.), a notebook personal computer, and a game.
  • FIG. 15 shows specific examples of these electronic devices.
  • FIG. 15A illustrates a light-emitting device, which includes a housing 1 3001, a support 1 3002, a display portion 13003, a part of a speaker 1 3004, a video input terminal 1 3005, and the like.
  • the present invention can be used for an electric circuit included in the display portion 13003.
  • the light emitting device shown in FIG. 15A is completed. Since the light-emitting device is a self-luminous type, it does not require a backlight and can have a display portion thinner than a liquid crystal display.
  • the light emitting device includes all display devices for displaying information, such as those for personal computers, TV broadcast reception, and advertisement display. Fig.
  • FIG. 15 (B) shows a digital still camera, with a main unit 13 011, display unit 13 102, image receiving unit 13 03, operation keys 13 104, external connection port 13 05, and a shirt. 13 1 06 etc. are included.
  • the present invention can be used for an electric circuit included in the display portion 13102. Further, according to the present invention, FIG. In 9 r, the resilience of the resilient Chilekamev ⁇ is formed.
  • FIG. 15C illustrates a notebook personal computer, which includes a main body 13201, a housing 13202, a display portion 13203, a keypad 13204, an external connection port 13205, a pointing mouse 13206, and the like.
  • the present invention can be used for an electric circuit included in the display portion 13203. According to the present invention, a notebook personal computer shown in FIG. 15C is completed.
  • FIG. 15D shows a mobile computer, which includes a main body 1 3301, a display section 1 3302, a switch 13303, an operation key 13304, an infrared port 13305, and the like.
  • the present invention can be used for an electric circuit included in the display portion 13302. According to the present invention, the mopile computer shown in FIG. 15D is completed.
  • Fig. 15 ( ⁇ ) shows a portable image playback device (specifically, a DVD playback device) equipped with a recording medium, with a main body 13401, a housing 133402, a display section A13403, and a display section B. 13404, a recording medium (such as a DVD), a reading unit 13405, an operation key 13406, a speaker unit 13407, and the like.
  • the display portion A 13 403 mainly displays image information
  • the display portion B 13 404 mainly displays character information. it can.
  • the image reproducing device provided with the recording medium includes a home game machine and the like. According to the present invention, the DVD reproducing device shown in FIG.
  • Figure 15 (F) shows the goggle type display (Head). It includes a main body 1 3501, a display section 13502, and an arm section 1 3503.
  • the present invention can be used for an electric circuit included in the display portion 13502. Further, according to the present invention, a godal type display shown in FIG. 15 (F) is completed.
  • Figure 15 (G) shows a video camera, main unit 1 3601, display unit 1 3602, housing 13603, external connection port 13604, remote control receiving unit 13605, image receiving unit 13606, notebook 13607, audio input Part 1 3608, operation key 13609, etc. are included.
  • the present invention can be used for an electric circuit included in the display portion 1 3602. Further, according to the present invention, a video camera shown in FIG. 15 (G) is completed.
  • Figure 15 (H) shows a mobile phone, main body 1 370 1, housing 13702, display unit 1 3703, audio input unit 13704, audio output unit 13705, operation key 1 3706, external connection port 13707, antenna 1 3708 etc.
  • the present invention can be used for an electric circuit included in the display portion 13703.
  • the display portion 13703 can reduce the current consumption of the mobile phone by displaying white characters on a black background. According to the present invention, the mobile phone shown in FIG. 15H is completed.
  • the light including the output image information can be enlarged and projected by a lens or the like and used for a front-type or rear-type project.
  • the above electronic devices often display information distributed through electronic communication lines such as the Internet and CATV (cable television). Opportunities to display video information are increasing. Since the response speed of a light-emitting material is extremely high, a light-emitting device is preferable for displaying moving images.
  • the light-emitting portion consumes power. Therefore, it is desirable to display information so that the light-emitting portion is minimized. Therefore, when a light-emitting device is used for a portable information terminal, particularly a display portion mainly for character information such as a mobile phone or a sound reproducing device, the light-emitting portion is driven to form character information with a non-light-emitting portion as a background. It is desirable to do.
  • the applicable range of the present invention is extremely wide, and the present invention can be used for electronic devices in all fields. Further, the electronic device of the present embodiment may use any of the semiconductor devices described in Embodiments 1 to 5 and Examples 1 and 2.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

信号電圧の振幅が、電源電圧の振幅よりも小さくても、正常に動作する手段を有する半導体装置を提供するため、正常に動作をさせたいとするデジタル回路の前に、補正手段を設ける。補正手段が出力する信号は、対象となるデジタル回路の中のトランジスタがオフ状態にならければならないときには、補正手段から、それを満足するような信号つまり、第1の電源電位が出力される。そのとき、前記トランジスタは、オフする。一方、前記トランジスタをオンさせたいときは、補正手段から、第1の入力電位が出力される。その結果、対象となるデジタル回路は、オフ状態にならなければならないときには、オフになり、オン状態にならなければならないときには、オンする。よって、対象となるデジタル回路は、正常に動作することが可能となる。

Description

明細 ^ 半導体装置およびこれを用いた表示装置 技術分野
本発明はデジタル信号に基づいて動作するデジタル回路に関する。 より 詳しくは、 入力信号の信号電圧の振幅が、 デジタル回路の電源電圧の振幅 よりも小さい場合におけるデジタル回路を 1つまたは複数有する半導体装 置に関する。 背景技術
デジタル信号を処理する論理回路 (以下、 デジタル回路と呼ぶ) は、 基 本単位となる論理素子が単独で、 または複数組み合わされて構成されてい る。 論理素子は単数または複数の入力に対して一の出力が得られる回路で あり、 例えばインバ一夕、 A N D、 O R , N O T , N A N D、 N〇R、 ク ロックドインバ一夕、 トランスミッションゲ一ト (アナログスィッチ) 等 がこれに相当する。
論理素子は、 トランジスタ、 抵抗、 容量素子等の単数または複数の回路 素子が接続されて構成されている。 そして、 論理素子に入力されたデジ夕 ル信号に従って該複数の各回路素子が動作することにより、 後段の回路へ 供給される信号の電位又は電流が制御される。
論理素子の 1つであるインバー夕を例に挙げ、 その構成と動作について 具体的に説明する。
図 16に一般的なィンバ一夕の回路図を示す。 図 16において I Nは入 力される信号 (入力信号) を意味し、 OUTは出力される信号 (出力信号 ) を意味している。 また VDD、 V S Sは電源電位を意味しており、 VD D>VSSとする。
図 16に示すィンバ一夕は、 pチャネル型 T FT 1301と nチャネル 型 TFT 1302とを有している。 pチャネル型 T FT 1301のゲ一ト
(G) と nチャネル型 TFT 1302のゲ一トは互いに接続されており、 該 2つのゲートに入力信号 I Nが入力されている。 そして、 pチャネル型 TFT 1301の第 1の端子には VDDが与えられており、 nチャネル型 TFT 1302の第 1の端子には VS Sが与えられている。 また pチヤネ ル型 TFT 1301の第 2の端子と nチャネル型 T FT 1302の第 2の 端子は互いに接続されており、 該 2つの第 2の端子から後段の回路へ出力 信号 OUTが出力される。
なお、 第 1の端子と第 2の端子は、 いずれか一方がソース、 他方がドレ インに相当する。 pチャネル型 TFTの場合、 電位の高い方がソース、 低 い方がドレインとなる。 また nチャネル型 T F Tは電位の低い方がソース 、 高い方がドレインとなる。 よって図 16では、 2つの TFTにおいて第 1の端子がソース (S) 、 第 2の端子がドレイン (D) に相当する。
一般的に入力信号には、 2値の電位を有するデジタル信号を用いる。 該 入力信号 I Nの電位に従ってィンバ一夕が有する 2つの回路素子が動作し 、 出力信号 OUTの電位が制御される。 入力信号 I Nに、 VDDや VS Sが入力されると、 出力信号 OUTの電 位はそれぞれ、 VS Sや VDDとなり、 信号の論理が反転する。
また、 入力信号 I Nに振幅が電源電圧の振幅よりも大きい VDD' 、 V S S' が入力された場合も、 VDD、 VS Sが入力された場合と同様に各 回路素子は動作し、 出力信号 OUTの電位はそれぞれ VS S、 VDDとな り、 所望の電位を有する出力信号 OUTが得られる。
このように、 通常は、 入力信号 I Nの電位に従って各回路素子が動作し 、 出力信号 OUTの電位が制御される。 発明の開示
(発明が解決しょうとする課題)
しかし、 入力信号 I Nに振幅が電源電圧の振幅よりも小さい VDD'、 V S S ' が入力されると、 各回路素子が正常に動作せず、 所望の出力信号が 得られない場合がある。
入力信号 I Nの有する 2値の電位 VDD'、 VS S' が、 それぞれ VDD , く VDD、 VS S ' >VS Sと仮定したときの、 インバー夕の動作につ いて検証する。 ただし VS S' <VDD' とする。
まず図 16 (A) に、 入力信号 I Nが高電位側の電位 VDD' (VDD ' <VDD) を有するときの、 各回路素子の動作の様子を示す。 ここでは 説明を簡単にするために nチャネル型 TFTの閾値電圧 VTHn≥0、 pチヤネ ル型 TFTの閾値電圧 VTHp≤0と仮定する。
入力信号 I Nに高電位側の電位 VDD' が入力されると、 nチャネル型 TFT 1 302のゲート ·ソース間電圧 VGSは (VDD, 一 VS S) 〉0と なる。 通常は、 (VDD' -VS S) は nチャネル型 TFT 1 302のし きい値電圧 VTHnよりも大きいため、 nチャネル型 T FT 1 302はオンする 一方、 入力信号 I Nに高電位側の電位 VDD' が入力されると、 pチヤ ネル型 T FT 1 301のゲート ·ソース間電圧 VGSは (VDD' - VDD) <0となる。 pチャネル型 T FT 1 301のゲ一ト ·ソース間電圧 VGSが p チャネル型 TFT 130 1のしきい値電圧 VTHpと等しい若しくはそれよりも 大きい場合は、 pチャネル型 TFT 1 30 1はオフし、 その結果、 nチヤ ネル型 TFT 1 302に与えられる電位 VS Sが出力され、 信号の論理が 反転する。 しかし、 pチャネル型 TFT 1 30 1のゲート ·ソース間電圧 VGSが pチャネル型 TFT 1 30 1のしきい値電圧 VTHpよりも小さい場合は 、 ρチャネル型 TFT 1 30 1はオンする。 ゲ一ト ·ソース間電圧 VGSが ( VDD ' - VDD) く 0であり、 また閾値電圧も VTHp≤ 0であるので、 両者 の絶対値をとつて比較すると、 ! VGS 1≤ I VTHp Iのときは、 pチャネル型 TFT 1301はオフするが、 I VGS I:> I VTHp Iのとき、 すなわち i VD D' -VDD I > I VTHp Iのときは、 pチャネル型 TFT 1 30 1はオンす る。
このように、 電位 VDD' が pチャネル型 TFT 1 30 1のゲートに与 えられると、 VDD' く VDDであるのでゲート ·ソース間電圧は VGS<0 となる。 よって I VGS I:> I VTHp Iのとき、 すなわち I VDD' -VDD I > I VTHp Iのときは、 pチャネル型 TFT 1 30 1はオンする。 よって、 VDD、 VDD' 、 VTHpの値によっては、 pチャネル型 TFT 1 30 1と nチャネル型 TFT 1 302が共にオンになる。 その場合は、 入 力信号が高電位側の電位 VDD' を有していても、 出力信号 OUTの電位 が V S Sとはならない。
pチャネル型 T FT 130 1と nチャネル型 TFT 1 302が共にオン したときの、 出力信号 OUTの電位は、 各々のトランジスタに流れる電流
、 つまりオン抵抗 (または、 ソ一ス · ドレイン間電圧) によって定まる。 入力信号が高電位側の電位 VDD' である図 1 6 (A) では、 nチャネル 型 TFTの VGSを VGSnとし、 pチャネル型 TFTの VGSを VGSpとすると、 1 VGSn I > I VGSp Iなので、 各々のトランジスタの特性や、 チャネル幅 Wとチ ャネル長 Lの比に差異がなければ、 出力信号 OUTの電位は VDDよりも VS Sに近くなる。 しかし、 各 T FTの移動度、 閾値電圧、 チャネル幅と チャネル長の比などによっては、 出力信号 OUTの電位が VS Sよりも V DDに近い電位となることがある。 この場合、 当該デジタル回路の動作は 正常とは言えず、 誤作動する可能性が高い。 そしてこれは連鎖的に、 後段 に設けられたデジタル回路の誤動作の原因ともなりうる。
また図 16 (B) に、 入力信号 I Nが低電位側の電位 VS S ' (VS S , >VS S) を有するときの、 各回路素子の動作の様子を示す。 説明を簡 単にするために nチャネル型 TFTの閾値電圧 VTHn≥ 0、 pチャネル型 TF Tの閾値電圧 VTHp≤ 0と仮定する。
入力信号 I Nに低電位側の電位 VS S' が入力されると、 pチャネル型 TFT 1 301のゲ一ト ·ソース間電圧 VGSは (VS S, — VDD) く 0と なる。 通常は、 (VS S ' -VDD) は pチャネル型 TFT 1 30 1のし きい値電圧 VTH。よりも小さいため、 pチャネル型 T FT 1 301はオンする 一方、 入力信号 I Nに低電位側の電位 VS S' が入力されると、 nチヤ ネル型 T FT 1 302のゲート ·ソース間電圧 VGSは (VS S, — VS S) >0となる。 nチャネル型 T FT 1 302のゲート ·ソース間電圧 VG^Sn チャネル型 TFT 1302のしきい値電圧 VTHnと等しい若しくはそれよりも 小さい場合は、 nチャネル型 TFT 1 302はオフする。 その結果、 pチ ャネル型 TFT 130 1に与えられる電位 VDDが出力され、 信号の論理 が反転する。 しかし、 nチャネル型 TFT 1 302のゲート ·ソース間電 圧 VGSが nチャネル型 TFT 1302のしきい値電圧 VTHnよりも大きい場合 は、 nチャネル型 TFT 1 302はオンする。 ゲート ·ソース間電圧 Vcsが (VS S' — VS S) >0であり、 また閾値電圧も VTHn≥0であるので、 両 者の絶対値をとつて比較すると、 I VGS I≤ I VTHn Iのときは、 nチャネル 型 TFT 1302はオフするが、 1 VGS 1 > I VTHn Iのとき、 すなわち 1 V S S ' -VS S I > I VTHn Iのときは、 nチャネル型 TFT 1 302はオン する。
このように、 VS S, が nチャネル型 T FT 1302のゲートに与えら れると、 VS S, >VS Sであるのでゲート ·ソース間電圧は V (; s>0とな る。 よって I vGS I〉 I vTHn Iのとき、 すなわち i vss' -vss I > I
VTHn Iのときは、 nチャネル型 TFT 1302はオンする。
よって VS S、 VS S' , VTHnの値によっては、 pチャネル型 TFT 1 3 01と nチャネル型 TFT 1 302が共にオンになる。 その場合は、 入力 信号が低電位側の電位 VS S' を有していても、 出力信号 OUTの電位が VDDとはならない。
Pチャネル型 T FT 1 301と nチャネル型 TFT 1302が共にオン したときの、 出力信号 OUTの電位は、 各々のトランジスタに流れる電流 、 つまりオン抵抗 (または、 ソース · ドレイン間電圧) によって定まる。 入力信号が低電位側の電位 VS S' である図 1 6 (B) では l VGSn l < | V GSp |なので、 各々のトランジスタの特性や、 チャネル幅 Wとチャネル長 の 比に差異がなければ、 出力信号 OUTの電位は VS Sよりも VDDに近く なる。 しかし、 各 T FTの移動度、 閾値電圧、 チャネル幅とチャネル長の 比などによっては、 出力信号 OUTの電位が VDDよりも V S Sに近い電 位となることがある。 この場合、 当該デジタル回路の動作は正常とは言え ず、 誤作動する可能性が高い。 そしてこれは連鎖的に、 後段に設けられた デジタル回路の誤動作の原因ともなりうる。
このように、 図 1 6に示したインバー夕では、 入力信号 I Nの有する 2 値の電位 VDD'、 V S S ' が、 それぞれ VDD' ≥VDD、 V S S ' ≤V S Sであるときに、 所望の電位を有する出力信号 OUTが得られ、 インバ 一夕が正常に動作するといえる。 しかし入力信号 I Nの有する 2値の電位 VDD,、 VS S ' が、 それぞれ VDD, く VDD、 VS S ' >VS Sだと 、 所望の電位を有する出力信号 OUTが得られず、 インバー夕は正常に動 作しない場合がある。
これはィンバ一夕に限らず、 他のデジタル回路についてもあてはまる。 つまり、 入力信号が有する 2値の電位が所定の範囲から外れていると、 デ ジ夕ル回路が有する回路素子が誤作動するため、 所望の電位を有する出力 信号 O U Tが得られなくなり、 該デジタル回路が正常に動作しない。 前段の回路または配線から供給される入力信号の電位は、 必ずしも当該 デジタル回路が正常に動作するような高さであるとは限らない。 この場合 、 レベルシフタで入力信号の電位を調整することで、 デジタル回路の正常 な動作を確保することが可能である。 しかし一般的にレベルシフタは、 レ ベルシフタ内において 1つの回路素子が動作することで初めて他の回路素 子が動作するというように、 回路素子どうしが連動して動作するため、 出 力信号の電位の立下りまたは立ち上がりが遅く、 半導体装置の高速動作を 妨げる原因になりがちである。
さらに、 nチャネル型 T F T 1 3 0 2と pチャネル型 T F T 1 3 0 1が 同時にオンして貫通電流が流れることから、 消費電流が増大するという問 題も生じる。
上述した問題に鑑み、 本発明では入力信号が有する 2値の電位に関わら ず、 正常に動作させることが可能なデジタル回路の提供を課題とする。 よ り詳しくは、 入力信号の振幅が、 電源電圧の振幅よりも小さくても、 正常 に動作させることが可能なデジタル回路の提供を課題とする。 (課題を解決するための手段)
本発明は、 上記の問題点を解決するために、 以下に示す手段を用いる。 本発明は、 補正手段とトランジスタとを有する半導体装置であって、 前 記補正手段は、 入力端子と出力端子とを有しており、 前記補正手段の入力 端子には、 第 1の入力電位または第 2の入力電位のいずれか 1つが入力さ れ、 前記補正手段は、 前記入力端子に入力される電位によって、 第 1の電 源電位または第 1の入力電位のいずれか 1つを前記出力端子に出力する手 段を有し、 前記補正手段の出力端子が、 前記トランジスタのゲ一ト端子に 接続されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
つまり、 正常に動作をさせたいとするデジタル回路の前に、 補正手段を 設ける。 補正手段が出力する信号は、 対象となるデジタル回路の中のトラ ンジス夕がオフ状態にならければならないときには、 補正手段から、 それ を満足するような信号つまり、 第 1の電源電位が出力される。 そのとき、 前記トランジスタは、 オフする。 一方、 前記トランジスタをオンさせたい ときは、 補正手段から、 第 1の入力電位が出力される。 その結果、 対象と なるデジタル回路は、 オフ状態にならなければならないときには、 オフに なり、 オン状態にならなければならないときには、 オンする。 よって、 対 象となるデジタル回路は、 正常に動作することが可能となる。
また、 オフすべきときに、 オフになるため、 電流が漏れて、 流れつづけ ることを防ぐことが出来る。 したがって、 消費電力を低減することができ る。
ここで、 図 2に本発明のデジタル回路の構成を示す。 デジタル回路 201は 、 入力端子 202に入力された信号の電位を補正する補正手段 204と、 該補正 手段 204によって補正された入力信号によって動作が制御される 1つまたは 複数の回路素子 205を有している。 回路素子 205が、 補正される対象となる デジタル回路である。 そして該回路素子 205の動作に従って、 出力端子 203 から、 信号が出力される。
なお、 デジタル回路 201は、 入力端子 202や出力端子 203を複数有するもの もある。 同様に、 デジタル回路 201は、 補正手段 204や回路素子 205を複数有 する場合もある。
また、 本発明は、 第 1のトランジスタと第 2のトランジスタと第 3のト ランジス夕とを有する半導体装置であって、 前記第 1のトランジスタのゲ 一ト端子と前記第 2のトランジス夕のゲ一ト端子とは、 電気的に接続され 、 前記第 1のトランジスタのソース端子には、 第 1の電源電位が供給され 、 前記第 2のトランジスタのソース端子には、 第 1の信号電位と同じ電位 が供給され、 前記第 1のトランジスタのドレイン端子は、 前記第 2のトラ ンジス夕のドレイン端子と電気的に接続され、 前記第 1のトランジスタの ドレイン端子は、 前記第 3のトランジスタのゲート端子と電気的に接続さ れ、 前記第 3のトランジスタのソース端子は、 第 2の電源電位が供給され 、 前記第 1のトランジスタのゲート端子に、 第 1の信号電位または第 2の 信号電位のいずれか 1つが供給されることを特徴とする半導体装置が提供 される。
また、 本発明は、 上記構成において、 前記第 1の卜ランジス夕と前記第 2のトランジスタとは、 導電型が異なることを特徴とする半導体装置が提 供される。
また、 本発明は、 第 1のトランジスタと第 2のトランジスタと第 3のト ランジス夕とを有する半導体装置であつて、 前記第 1のトランジスタのゲ 一ト端子と前記第 2のトランジス夕のゲート端子とは、 電気的に接続され 、 前記第 1のトランジスタのドレイン端子は、 前記第 2のトランジスタの ドレイン端子と電気的に接続され、 前記第 1のトランジス夕のドレイン端 子は、 前記第 3のトランジスタのゲート端子と電気的に接続され、 前記第 1のトランジスタのゲート端子には、 第 1の信号電位または第 2の信号電 位のいずれか 1つが供給され、 前記第 1のトランジス夕のソース端子には 、 第 1の電源電位が供給され、 前記第 2のトランジスタのソース端子には 、 前記第 1の信号電位と同じ電位が供給され、 前記第 3のトランジスタの ソース端子には、 第 2の電源電位が供給され、 前記第 1のトランジスタお よび前記第 3のトランジスタは Pチャネル型のトランジスタであり、 前記 第 2のトランジス夕は Nチャネル型のトランジスタであり、 前記第 1の電 源電位および前記第 2の電源電位は高電位側電源電位であり、 前記第 1の 信号電位は低電位側の電位であり、 前記第 2の信号電位は高電位側の電位 であることを特徴とする半導体装置が提供される。
また、 本発明は、 第 1のトランジスタと第 2のトランジスタと第 3のト ランジス夕とを有する半導体装置であって、 前記第 1のトランジスタのゲ 一ト端子と前記第 2のトランジスタのゲート端子とは、 電気的に接続され 、 前記第 1のトランジスタのドレイン端子は、 前記第 2のトランジスタの ドレイン端子と電気的に接続され、 前記第 1のトランジス夕のドレイン端 子は、 前記第 3のトランジスタのゲート端子と電気的に接続され、 前記第 1のトランジス夕のゲート端子には、 第 1の信号電位または第 2の信号電 位のいずれか 1つが供給され、 前記第 1のトランジスタのソース端子には 、 第 1の電源電位が供給され、 前記第 2のトランジスタのソース端子には 、 前記第 1の信号電位と同じ電位が供給され、 前記第 3のトランジスタの ソース端子は、 第 2の電源電位が供給され、 前記第 1のトランジスタおよ び前記第 3のトランジスタは Nチャネル型のトランジスタであり、 前記第 2のトランジスタは Pチャネル型のトランジスタであり、 前記第 1の電源 電位および前記第 2の電源電位は低電位側電源電位であり、 前記第 1の信 号電位は高電位側の電位であり、 前記第 2の信号電位は低電位側の電位で あることを特徴とする半導体装置が提供される。
なお、 本発明におけるトランジスタは、 どのような材料、 手段、 製造方 法によりできたトランジスタでもよいし、 どのようなタイプのトランジス 夕でもよい。 例えば、 薄膜トランジスタ (T F T ) でもよい。 T F Tのな かでも、 半導体層が非晶質 (アモルファス) のものでもよいし、 多結晶 ( ポリクリスタル) でも、 単結晶のものでもよい。 その他のトランジスタと して、 単結晶基板において作られたトランジスタでもよいし、 S O I基板 において作られたトランジスタでもよいし、 プラスチック基板の上に形成 されたトランジスタでもよいし、 ガラス基板上に形成されたトランジスタ でもよい。 その他にも、 有機物やカーボンナノチューブで形成されたトラ ンジス夕でもよい。 また、 M〇 S型トランジスタでもよいし、 バイポーラ 型トランジスタでもよい。
なお、 本発明において、 接続されているとは、 電気的に接続されている ことと同義である。 したがって、 間に、 別の素子などが配置されていても よい。 (発明の効果)
本発明は上記構成によって、 入力信号の振幅が電源電圧の振幅よりも小 さくても、 デジタル回路を正常に動作させることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明をィンバ一夕に適用した場合の回路構成を示す図である。 図 2は、 本発明のデジタル回路の構成を示す図である。
図 3は、 本発明のデジタル回路の構成を示す図である。
図 4は、 本発明のデジタル回路の構成を示す図である。
図 5は、 本発明をインバ一夕に適用した塲合の回路構成を示す図である。 図 6は、 本発明をィンバ一夕に適用した場合の回路構成を示す図である。 図 7は、 本発明をクロックドインバ一夕に適用した場合の回路構成を示す 図である。
図 8は、 本発明をクロックドインパー夕に適用した場合の回路構成を示す 図である。
図 9は、 本発明を N A N D回路に適用した場合の回路構成を示す図である 図 10は、 本発明を N O R回路に適用した場合の回路構成を示す図である 図 1 1は、 本発明の表示装置の構成を示す図である。
図 1 2は、 本発明のシフトレジスタの構成を示す図である, 図 13は、 本発明の第 1ラッチ回路の構成を示す図である。
図 14は、 本発明をィンバ一夕に適用した場合の回路のレイアウトを示す 図である。
図 15は、 本発明が適用される電子機器の図である。
図 16は、 一般的なインバ一夕の構成と入力信号の電位が所望の高さにな いときにィンバ一夕が誤作動する様子を示す図である。 発明を実施するための最良の形態 ·
(実施の形態 1 )
本実施の形態では、 デジタル回路 201を構成する補正手段 204と、 補正対 象となる回路素子 205の、 具体的な構成と動作について説明する。
図 3に、 補正対象となる回路素子 205を構成するトランジスタ 301の極性が 、 Pチャネル型である場合の補正手段 204の構成の例を簡単に示す。
デジタル回路 201は、 入力端子 202に入力された信号の電位を補正する補 正手段 204と、 該補正手段 204によって補正された入力信号によって動作が 制御される回路素子 205を有している。 そして該回路素子 205の動作に従つ て、 出力端子 203から信号が出力される。 補正手段 204は、 インパ一夕回路 により構成されている。
入力端子 202には、 入力信号として、 高電位側入力電位 VH、 または、 低電 位側入力電位 VLのどちらかが入力される。 高電位側入力電位 VHは、 高電位 側電源 (Vdd、 VddK Vdd2など) 以下の電位であり、 低電位側入力電位 VLは 、 低電位側電源 (Vss、 Vss K Vss2など) 以上の電位であるとする。 なお、 簡単のため、 入力値が 1 (H信号) の場合、 高電位側入力電位 VH が入力され、 入力値が 0 ( L信号) の場合、 低電位側入力電位 VLが入力さ れるもとのとする。 ただし、 これに限定されない。
補正対象となる回路素子 205を構成するトランジスタ 301のソース端子は 、 高電位側電源 Vddlと接続され、 ドレイン端子は、 出力端子 203と接続され ている。 トランジスタ 301のゲート端子は、 補正手段 204の出力端子と接続 されている。 補正手段 204は、 インバ一タ回路により、 構成されている。 該 ィンバータを構成している Nチャネル型トランジスタ 303のソ一ス端子は、 低電位側入力電位 VLと等しい電位あるいは低電位側入力電位 VLと概ね等し い電位と接続されている。 Nチャネル型トランジスタ 303のゲート端子は、 入力端子 202と接続されており、 ドレイン端子は、 補正手段 204の出力端子 としてトランジスタ 301のゲート端子に接続されている。 該ィンバ一タを構 成している Pチャネル型トランジスタ 302のソース端子は、 高電位側電源 Vdd2と接続されている。 Pチャネル型トランジスタ 302のゲート端子は、 入 力端子 202と接続されており、 ドレイン端子は、 補正手段 204の出力端子と してトランジスタ 301のゲ一ト端子に接続されている。
次に、 図 3におけるデジタル回路 201の動作について説明する。
まず、 入力端子 202に、 低電位側入力電位 VLが入力された場合は、 Nチヤ ネル型トランジスタ 303のゲート ·ソース間電圧は、 0 Vあるいは概ね O V である。 Nチャネル型トランジスタ 303のしきい値電圧が 0 V以上であると すると、 この場合、 Nチャネル型トランジスタ 303は、 オフする。 一方、 P チャネル型トランジスタ 302のゲート ·ソース間電圧には、 (VL- Vdd2)が加 わる。 通常は、 Pチャネル型トランジスタ 302のゲート ·ソース間電圧 (VL-Vdd2)が Pチャネル型トランジスタ 302のしきい値電圧よりも小さいた め、 Pチャネル型トランジスタ 302は、 オンする。 その結果、 トランジスタ 301のゲートには、 高電位側電源 Vdd2が加えられる。 この場合、 トランジス 夕 301のゲ一ト ·ソース間電圧(Vdd2- Vddl)が、 トランジスタ 301のしきい値 電圧よりも大きければ、 トランジスタ 301は、 オフする。 すなわち、 入力端 子 202に、 低電位側入力電位 VLが入力された場合は、 トランジスタ 301はォ フする。
次に、 入力端子 202に、 高電位側入力電位 VHが入力された場合は、 Nチヤ ネル型トランジスタ 303のゲ一ト ·ソース間電圧は、 (VH- VL)である。 した がって、 通常は、 (VH- VL)は、 Nチャネル型トランジスタ 303のしきぃ値電 圧よりも大きいため、 Nチャネル型トランジスタ 303は、 オンする。 一方、 Pチャネル型トランジスタ 302のゲート ·ソース間電圧は、 (VH_Vdd2)であ る。 (VH- Vdd2)が、 Pチャネル型トランジスタ 302のしきい値電圧よりも大 きい場合は、 Pチャネル型トランジスタ 302は、 オフする。 したがって、 ト ランジス夕 301のゲート端子には、 VLが加えられ、 トランジスタ 301は、 ォ ンする。 すなわち、 入力端子 202に、 高電位側入力電位 VHが入力された場合 は、 トランジスタ 301はオンし、 高電位側電源 Vddlを出力する。
ただし、 Pチャネル型トランジスタ 302のゲート ·ソ一ス間電圧(VH - Vdd2)が、 Pチャネル型トランジスタ 302のしきい値電圧よりも小さい場合 は、 Pチャネル型トランジスタ 302は、 オンする。 この場合、 Nチャネル型 トランジスタ 303もオンしているため、 トランジスタ 301のゲート端子に加 えられる電位は、 Pチャネル型トランジスタ 302と Nチャネル型トランジス 夕 303のオン抵抗 (または、 ソ一ス . ドレイン間電圧〉 によって決まり、 Vdd2から VLまでの間の大きさを持つ電位になる。 この場合は、 トランジス 夕 301のゲート端子には、 出来るだけ、 オンしやすい電位を加えたい。 した がって、 Nチャネル型トランジスタ 303のオン抵抗を小さくするようにする 。 その結果、 トランジスタ 301のゲート端子には、 VUこ近い電位が加えられ 、 トランジスタ 301は、 オンする。
このように、 入力端子 202に、 低電位側入力電位 VLが入力された場合は、 トランジスタ 301はオフする。 逆に、 高電位側入力電位 VHが入力された場合 は、 トランジスタ 301はオンし、 高電位側電源 Vdd lを出力する。 つまり、 ト ランジス夕 301は、 オフすべきときには、 オフになり、 オンすべきときには 、 オンする。 したがって、 正常に動作させることが出来る。
また、 オフすべきときに、 オフになるため、 電流が漏れて、 流れつづけ ることを防ぐことが出来る。 したがって、 消費電力を低減することができ る。 なお、 補正手段 204がインバー夕回路により構成されているため、 この トランジスタ 301には、 入力信号を反転させた信号が入力されることに注意 する必要がある。
なお、 Nチャネル型トランジスタ 303のオン抵抗を、 Pチャネル型トラン ジス夕 302のオン抵抗よりも小さくするためには、 Nチャネル型トランジス 夕 303の電流駆動能力を向上させればよい。 一般に、 トランジスタの電流駆 動能力は、 ゲート幅 Wとゲート長 Lの比率である W/ Lに比例する。 した がって、 Nチャネル型トランジスタ 303の W/ Lを、 Pチャネル型トランジ スタ 302の WZ Lよりも、 非常に大きくすればよい。 具体的には、 Nチヤネ ル型トランジス夕 303の WZ Lを、 Pチャネル型トランジス夕 302の場合よ りも 5倍以上大きくすればよい。
このように、 Nチャネル型トランジスタ 303の W/ Lを大きくしても、 大 きな副作用は生じない。 例えば、 入力端子 202に、 低電位側入力電位 VLが入 力された場合、 Pチャネル型トランジスタ 302を、 オンさせて、 トランジス 夕 301のゲートに、 高電位側電源 Vdd2が加えられるようにしている。 このと き、 Nチャネル型トランジスタ 303がオフしていなければ、 Nチャネル型ト ランジス夕 303のオン抵抗が小さいため、 トランジスタ 301のゲートには、 高電位側電源 Vdd2よりも低い電位が加わり、 結果として、 トランジスタ 301 がオフしなくなることが想定できる。 しかしながら、 入力端子 202に、 低電 位側入力電位 VLが入力された場合、 Nチャネル型トランジスタ 303は、 オフ している。 したがって、 Nチャネル型トランジスタ 303の WZ Lを大きくし ても、 大きな副作用は生じない。
なお、 高電位側電源 Vddlと高電位側電源 Vdd2とは、 入力端子 202に低電位 側入力電位 VLが入力された場合にトランジスタ 301がオフする条件、 すなわ ちトランジスタ 301のしきい値電圧よりもトランジスタ 301のゲート ·ソ一 ス間電圧(Vdd2- Vddl)が大きいという条件を満たせば、 同じ電位であっても よいし、 異なっていてもよい。 つまり、 デジタル回路 201が、 正常な論理を 出力するのであれば、 または、 後段に設けられたデジタル回路が誤動作し なければ、 どのような状態であってもよい。 通常は、 高電位側電源 Vddlと 高電位側電源 Vdd2とは、 同じ電位にすることが望ましい。 同じ電位にする ことにより、 供給すべき電位の数を少なくすることができるため、 電源回 路の数を減らすことができる。 また、 同じ電位であれば、 同じ配線に接続 することが可能である。 その結果、 レイアウト面積を小さくすることが出 来る。
なお、 Nチャネル型トランジスタ 303のソース端子の電位と、 低電位側入 力電位 VLとは、 同じ電位であってもよいし、 異なっていてもよい。 デジ夕 ル回路 201が、 正常な論理を出力するのであれば、 または、 後段に設けられ たデジタル回路が誤動作しなければ、 どのような状態であってもよい。 通 常は、 Nチャネル型トランジスタ 303のソース端子の電位は、 低電位側入力 電位 VLと同じ電位にすることが望ましい。 同じ電位にすることにより、 供 給すべき電位の数を少なくすることができるため、 電源回路の数を減らす ことができる。
図 3では、 補正対象となる回路素子 205を構成するトランジスタ 301の極性 が、 Pチャネル型である場合の補正手段 204について説明したが、 次に、 図 4に、 補正対象となる回路素子 205を構成するトランジスタ 401の極性が、 N チャネル型である場合の補正手段 204について説明する。
この場合も、 トランジスタ 401がオフすべきときに、 オフするように動作 させる。
図 4において、 デジタル回路 201は、 入力端子 202に入力された信号の電 位を補正する補正手段 204と、 該補正手段 204によって補正された入力信号 によって動作が制御される回路素子 205を有している。 そして該回路素子 205の動作に従って、 出力端子 203から信号が出力される。 補正手段 204は、 インバ一タ回路により構成されている。
補正対象となる回路素子 205を構成するトランジスタ 401のソ一ス端子は 、 低電位側電源 Vs s lと接続され、 ドレイン端子は、 出力端子 203と接続され ている。 トランジスタ 401のゲ一ト端子は、 補正手段 204の出力端子と接続 されている。 補正手段 204は、 インバ一夕回路により、 構成されている。 該 ィンバー夕を構成している Pチャネル型トランジス夕 403のソース端子は、 高電位側入力電位 VHと等しい電位あるいは高電位側入力電位 VHと概ね等し い電位と接続されている。 Pチャネル型トランジスタ 403のゲート端子は、 入力端子 202と接続されており、 ドレイン端子は、 補正手段 204の出力端子 としてトランジスタ 401のゲート端子に接続されている。 該インバータを構 成している Nチャネル型トランジスタ 402のソース端子は、 低電位側電源 Vs s 2と接続されている。 Nチャネル型トランジスタ 402のゲート端子は、 入 力端子 202と接続されており、 ドレイン端子は、 補正手段 204の出力端子と してトランジスタ 401のゲ一ト端子に接続されている。
次に、 図 4におけるデジタル回路 201の動作について説明する。
まず、 入力端子 202に、 高電位側入力電位 VHが入力された場合は、 Pチヤ ネル型トランジスタ 403のゲート ·ソース間電圧は、 0 Vあるいは概ね 0 V である。 Pチャネル型トランジスタ 403のしきい値電圧が 0 V以下であると すると、 この場合、 Pチャネル型トランジスタ 403は、 オフする。 一方、 N チャネル型トランジスタ 402のゲート ·ソース間電圧には、 (VH- Vs s 2)が加 わる。 通常は、 Nチャネル型トランジスタ 402のゲ一ト ·ソ一ス間電圧 (VH-Vs s 2)が Nチャネル型トランジスタ 402のしきい値電圧よりも大きいた め、 Nチャネル型トランジスタ 402は、 オンする。 その 果、 トランジスタ 401のゲートには、 低電位側電源 Vss2が加えられる。 この場合、 卜ランジス 夕 401のゲート ·ソース間電圧(Vss2- Vssl)が、 トランジスタ 401のしきい値 電圧よりも小さければ、 トランジスタ 401は、 オフする。 すなわち、 入力端 子 202に、 高電位側入力電位 VHが入力された場合は、 トランジスタ 401はォ フする。
次に、 入力端子 202に、 低電位側入力電位 VLが入力された場合は、 Pチヤ ネル型トランジスタ 403のゲート · ソース間電圧は、 (VL- VH)である。 した がって、 通常は、 (VL- VH)は、 Pチャネル型トランジスタ 403のしきぃ値電 圧よりも小さいため、 Pチャネル型トランジスタ 403は、 オンする。 一方、 Nチャネル型トランジスタ 402のゲート ·ソース間電圧は、 (VL-Vss2)であ る。 (VL-Vss2)が、 Nチャネル型トランジスタ 402のしきい値電圧よりも小 さい場合は、 Nチャネル型トランジスタ 402は、 オフする。 したがって、 ト ランジス夕 401のゲート端子には、 VHが加えられ、 トランジスタ 401は、 ォ ンする。 すなわち、 入力端子 202に、 低電位側入力電位 VLが入力された場合 は、 トランジスタ 401はオンし、 低電位側電源 Vss lを出力する。
ただし、 Nチャネル型トランジスタ 402のゲート ·ソース間電圧(VL - Vss2)が、 Nチャネル型トランジスタ 402のしきい値電圧よりも大きい場合 は、 Nチャネル型トランジスタ 402は、 オンする。 この場合、 Pチャネル型 トランジスタ 403もオンしているため、 トランジスタ 401のゲート端子に加 えられる電位は、 Nチャネル型トランジスタ 402と Pチャネル型トランジス 夕 403のオン抵扰によって決まり、 Vss2から VHまでの間の大きさを持つ電位 になる。 この場合は、 トランジスタ 401のゲート端子には、 出来るだけ、 ォ ンしゃすい電位を加えたい。 したがって、 Pチャネル型トランジスタ 403の オン抵抗を小さくするようにする。 その結果、 トランジスタ 401のゲート端 子には、 VHに近い電位が加えられ、 トランジスタ 401は、 オンする。
このように、 入力端子 202に、 高電位側入力電位 VHが入力された場合は、 トランジスタ 401はオフする。 逆に、 低電位側入力電位 VLが入力された場合 は、 トランジスタ 401はオンし、 低電位側電源 Vss lを出力する。 つまり、 ト ランジス夕 401は、 オフすべきときには、 オフになり、 オンすべきときには 、 オンする。 したがって、 正常に動作させることが出来る。
また、 オフすべきときに、 オフになるため、 電流が漏れて、 流れつづけ ることを防ぐことが出来る。 したがって、 消費電力を低減することができ る。 なお、 補正手段 204がインパ一タ回路により構成されているため、 この トランジスタ 401には、 入力信号を反転させた信号が入力されることに注意 する必要がある。
なお、 Pチャネル型トランジスタ 403のオン抵抗を、 Nチャネル型トラン ジス夕 402のオン抵抗よりも小さくするためには、 Pチャネル型トランジス 夕 403の電流駆動能力を向上させればよい。 したがって、 Pチャネル型卜ラ ンジス夕 403の W/ Lを、 Nチャネル型トランジスタ 402の WZ Lよりも、 非常に大きくすればよい。 具体的には、 Pチャネル型トランジスタ 403の W Z Lを、 Nチャネル型トランジスタ 402の場合よりも 1 0倍以上大きくすれ ばよい。 一般に、 Pチャネル型トランジスタは、 Nチャネル型トランジス 夕よりも移動度が小さい。 つまり、 電流駆動能力が小さい。 したがって、 Pチャネル型トランジスタ 403の W " Lは、 より大きくすることが望ましい このように、 Pチャネル型トランジスタ 403の W/ Lを大きくしても、 大 きな副作用は生じない。 例えば、 入力端子 202に、 高電位側入力電位 VHが入 力された場合、 Nチャネル型トランジスタ 402を、 オンさせて、 トランジス 夕 401のゲートに、 低電位側電源 Vs s2が加えられるようにしている。 このと き、 Pチャネル型トランジスタ 403がオフしていなければ、 Pチャネル型ト 'ランジス夕 403のォン抵抗が小さいため、 トランジスタ 401のゲ一卜には、 低電位側電源 Vs s2よりも高い電位が加わり、 結果として、 トランジスタ 401 がオフしなくなることが想定できる。 しかしながら、 入力端子 202に、 高電 位側入力電位 VHが入力された場合、 Pチャネル型トランジスタ 403は、 オフ している。 したがって、 Pチャネル型トランジスタ 403の Wノ Lを大きくし ても、 大きな副作用は生じない。
なお、 低電位側電源 Vss lと低電位側電源 Vs s2とは、 入力端子 202に高電位 側入力電位 VHが入力された場合にトランジスタ 401がオフする条件、 すなわ ちトランジスタ 401のしきい値電圧よりもトランジスタ 401のゲート ·ソー ス間電圧(Vss2- Vss l)が小さいという条件を満たせば、 同じ電位であっても よいし、 異なっていてもよい。 つまり、 デジタル回路 201が、 正常な論理を 出力するのであれば、 または、 後段に設けられたデジタル回路が誤動作し なければ、 どのような状態であってもよい。 通常は、 低電位側電源 Vss lと 低電位側電源 Vss2とは、 同じ電位にすることが望ましい。 同じ電位にする ことにより、 供給すべき電位の数を少なくすることができるため、 電源回 路の数を減らすことができる。 また、 同じ電位であれば、 同じ配線に接続 することが可能である。 その結果、 レイアウト面積を小さくすることが出 来る。
なお、 Pチャネル型トランジスタ 403のソース端子の電位は、 高電位側入 力電位 VHは、 同じ電位であってもよいし、 異なっていてもよい。 デジタル 回路 201が、 正常な論理を出力するのであれば、 または、 後段に設けられた デジタル回路が誤動作しなければ、 どのような状態であってもよい。 通常 は、 Pチャネル型トランジスタ 403のソース端子の電位は、 高電位側入力電 位 VHと同じ電位にすることが望ましい。 同じ電位にすることにより、 供給 すべき電位の数を少なくすることができるため、 電源回路の数を減らすこ とができる。
なお、 図 3、 図 4において、 補正手段 204は、 インバ一夕を用いて構成され ていたが、 これに限定されない。 N A N D回路や N O R回路などのように 、 別の回路を用いて、 補正手段 204を構成してもよい。
また本発明の構成によって、 入力信号の振幅が電源電圧の振幅よりも小 さくても正常に動作できるため、 別途昇圧回路を設けなくとも良く、 コス ト削減に貢献する。 また I Cからの信号を、 ガラス基板上に形成したデジ タル回路に入力信号として供給する場合、 昇圧回路を用いずに直接デジ夕 ル回路に入力信号を供給することができる。
(実施の形態 2 )
本実施の形態では、 デジタル回路の 1つであるインバー夕に、 本発明を 適用した場合について説明する。 ただし、 正確には、 インバ一夕に本発明 を適用すると、 出力信号の論理が逆になる。 デジタル回路の補正手段がィ ンバ一夕により構成されているからである。 つまり、 入力信号を反転させ た信号を、 インバ一夕に入力したときに、 インバー夕から出力される信号 が、 出力信号となる。 その結果、 入力信号として、 1 (H信号) を入力す ると、 論理が反転せず、 1 (H信号) が出力される、 という点に注意する 必要がある。
図 1に本実施の形態の、 インバ一タを補正対象としたデジタル回路 201の 構成を示す。 図 1において、 デジタル回路 201は、 入力端子 202に入力され た信号の電位を補正する補正手段 204と、 該補正手段 204によって補正され た入力信号によって動作が制御される回路素子 205を有している。 そして該 回路素子 205の動作に従って、 出力端子 203から信号が出力される。
補正対象となる回路素子 205は、 Pチャネル型トランジスタ 301と Nチヤ ネル型トランジスタ 401とで構成されている。 補正手段 204は、 Pチャネル 型トランジスタ 301に対応した部分と、 Nチャネル型トランジスタ 401に対 応する部分とに分かれる。
補正手段 204において、 Pチャネル型トランジスタ 301に対応した部分は 、 図 3に示した補正手段 204と同じ構成をしている。 つまり、 補正手段 204は 、 インバー夕により構成されている。 該インバー夕は、 Nチャネル型トラ ンジス夕 303と Pチャネル型小ランジス夕 302とで構成されている。 図 3では 、 Pチャネル型トランジスタ 302のソース端子は、 高電位側電源 Vdd2と接続 されている。 しかし、 図 1では、 高電位側電源を 1つにまとめている。 よつ て、 Pチャネル型トランジスタ 302のソース端子と、 Pチャネル型トランジ スタ 301のソース端子は、 高電位側電源 Vddに接続されている。 なお、 図 3と 同様に、 高電位側電源を別々にしてもよい。
補正手段 204において、 Nチャネル型トランジスタ 401に対応した部分は 、 図 4に示した補正手段 204と同じ構成をしている。 つまり、 補正手段 204は 、 インバー夕により構成されている。 該インバ一夕は、 Pチャネル型トラ ンジス夕 403と Nチャネル型トランジスタ 402とで構成されている。 図 4では 、 Nチャネル型トランジスタ 402のソース端子は、 低電位側電源 Vss2と接続 されている。 しかし、 図 1では、 低電位側電源を 1つにまとめている。 よつ て、 Nチャネル型トランジスタ 402のソース端子と、 Nチャネル型トランジ スタ 401のソース端子は、 低電位側電源 Vssに接続されている。 なお、 図 4と 同様に、 低電位側電源を別々にしてもよい。
このように、 Nチャネル型トランジスタ 401に対応した部分は、 図 4に示 した補正手段 204と同じ構成を用い、 Pチャネル型トランジスタ 301に対応 した部分は、 図 3に示した補正手段 204と同じ構成を用いればよい。
次に、 図 1に示したデジタル回路 201の動作について説明する。 なお、 基 本的な動作は、 図 3、 図 4と同様なので、 詳しい説明は省略する。
まず、 入力端子 202に、 0 ( L信号) が入力されたとする。 そのときの電 位は、 低電位側入力電位 VLである。 なお、 低電位側入力電位 VLは、 低電位 側電源 Vssよりも高いとする。 先ず、 このときの Pチャネル型トランジスタ 301の動作を説明する。 入力端子 202に低電位側入力電位 VLが入力されると 、 Pチャネル型トランジスタ 302がオンし、 Nチャネル型トランジスタ 303 がオフする。 そのため、 Pチャネル型トランジスタ 301のゲート端子には、 高電位側電源 Vddが入力される。 よって、 Pチャネル型トランジスタ 301は オフする。
次に、 Nチャネル型トランジスタ 401の動作を説明する。 入力端子 202に 低電位側入力電位 VLが入力されると、 Pチャネル型トランジスタ 403がオン し、 Nチャネル型トランジスタ 402がオフする。 ただし、 Nチャネル型トラ ンジス夕 402のゲート ·ソース間電圧(VL- Vss)が、 Nチャネル型トランジス 夕 402のしきい値電圧よりも大きい場合は、 Nチャネル型トランジスタ 402 はオンする。 この場合、 Pチャネル型トランジスタ 403もオンしているため 、 Nチャネル型トランジスタ 401のゲート端子の電位は、 Pチャネル型トラ ンジス夕 403と Nチャネル型トランジスタ 402のオン抵抗によって決まり、 高電位側入力電位 VHから低電位側電源 Vs sまでの間の電位になる。 このとき 、 Pチャネル型トランジスタ 403のオン抵抗を小さくしておくと、 Nチヤネ ル型トランジスタ 401のゲート端子には、 高電位側入力電位 VHに近い電位が 加えられる。 したがって、 Nチャネル型トランジスタ 401は、 オンする。
このように、 入力端子 202に、 0 ( L信号) が入力されると、 Pチャネル 型トランジスタ 301はオフし、 Nチャネル型トランジスタ 401はオンする。 したがって、 出力端子 203の電位は、 低電位側電源 Vssになる。 つまり、 0 ( L信号) が出力される。
次に、 入力端子 202に、 1 (H信号) が入力されたとする。 そのときの電 位は、 高電位側入力電位 VHである。 なお、 高電位側入力電位 VHは、 高電位 側電源 Vddよりも低いとする。 先ず、 このときの Nチャネル型トランジスタ 401の動作を説明する。 入力端子 202に高電位側入力電位 VHが入力されると 、 Nチャネル型トランジスタ 402がオンし、 Pチャネル型トランジスタ 403 がオフする。 そのため、 Nチャネル型トランジスタ 401のゲート端子には、 低電位側電源 Vs sが入力される。 よって、 Nチャネル型トランジスタ 401は オフする。
次に、 Pチャネル型トランジスタ 301の動作を説明する。 入力端子 202に 高電位側入力電位 VHが入力されると、 Nチャネル型トランジスタ 303がォン し、 Pチャネル型トランジスタ 302がオフする。 ただし、 Pチャネル型トラ ンジス夕 302のゲート ·ソース間電圧(VH- Vdd)が、 Pチャネル型トランジス 夕 302のしきい値電圧よりも小さい場合は、 Pチャネル型トランジスタ 302 はオンする。 この場合、 Nチャネル型トランジスタ 303もオンしているため 、 Pチャネル型トランジスタ 301のゲート端子の電位は、 Pチャネル型トラ ンジス夕 302と Nチャネル型トランジスタ 303のオン抵抗によって決まり、 高電位側電源 Vddから低電位側入力電位 VLまでの間の電位になる。 このとき 、 Nチャネル型トランジスタ 303のオン抵抗を小さくしておくと、 Pチヤネ ル型トランジスタ 301のゲート端子には、 低電位側入力電位 VLに近い電位が 加えられる。 したがって、 Pチャネル型トランジスタ 301は、 オンする。
このように、 入力端子 202に、 1 (H信号) が入力されると、 Pチャネル 型トランジスタ 301はオンし、 Nチャネル型トランジスタ 401はオフする。 したがって、 出力端子 203の電位は、 高電位側電源 Vddになる。 つまり、 1 ( H信号) が出力される。
以上のような構成にすることにより、 入力信号の振幅が、 電源電圧の振 幅よりも小さくても、 正常に動作させることができる。 そして、 デジタル 回路 201から出力される信号の振幅は、 電源電圧の振幅と、 ほぼ等しい。 し たがって、 デジタル回路 201の出力端子 203に、 別のデジタル回路を接続し た場合、 その回路には、 電源電圧の振幅とほぼ等しい信号が入力されるた め、 正常に動作することになる。
なお、 図 1のデジタル回路 201では、 入力信号と同じ論理値を持つ信号が 出力される。 したがって、 信号の論理が反転していないことになる。 よつ て、 論理を反転させたい場合は、 デジタル回路 201の出力端子 203に、 通常 のィンバ一夕回路を接続すればよい。
なお図 1では、 C M O S型のインバー夕について示したが、 Pチャネル型 トランジスタ 301か Nチャネル型トランジスタ 401のどちらかを、 抵抗ゃダ ィォード接続のトランジス夕などで置き換えて、 ィンパ一夕を構成させて もよい。 図 5には、 Pチャネル型トランジスタ 301の代わりに、 ダイオード 接続のトランジスタを用いた場合の回路図を示す。 図 6には、 Pチャネル型 トランジスタ 301の代わりに、 抵抗素子を用いた場合の回路図を示す。 図 5 および図 6において、 図 1と同じ部分には同じ符号を用いている。 符号の説 明は図 1と同じであるため省略する。 図 5および図 6の場合も図 1の塲合と同 様に動作する。 なお、 図 5、 6では、 Pチャネル型トランジスタ 301の代わり に、 別の素子を用いたが、 Nチャネル型トランジスタ 401の代わりに、 別の 素子を用いてもよい。
なお、 実施の形態 1で説明したことは、 本実施の形態にも適用すること が可能である。 (実施の形態 3 )
本実施の形態では、 デジタル回路の 1つであるクロックドインバ一夕に 、 本発明を適用した場合について説明する。
まず、 クロックドインバー夕.を構成するトランジスタのうち、 信号を伝 達するかどうかを制御するトランジスタの部分に、 本発明を適用した場合 の構成を、 図 7に示す。 図 7において、 デジタル回路 201は、 入力端子 202a 、 202bに入力された信号の電位を補正する補正手段 204と、 該補正手段 204 によって補正された入力信号によって動作が制御される回路素子 205を有し ている。 そして該回路素子 205の動作に従って、 出力端子 203から信号が出 力される。
補正対象となる回路素子 205であるクロックドィンバ一夕は、
夕 301、 401、 702、 703を用いて構成される。 補正手段 204は、
302、 303、 402、 403を用いて構成される。
トランジスタ 301、 401には、 同期信号が入力される。 つまり、 入力端子 701から入力される信号を、 出力端子 203に出力するかどうかを制御してい る。 したがって、 トランジスタ 301とトランジスタ 401とは、 同時にオンし 、 同時にオフする。 図 7では、 同期信号の信号振幅が、 電源電圧の振幅より も小さい場合について、 示している。 同期信号用の入力端子 202a、 202bに 、 電位が VHまたは VLの信号が入力される。 すると、 同期信号の信号振幅が 電源電圧の振幅よりも小さくても、 補正手段 204によって、 適切な信号がト ランジス夕 301、 401に入力される。 なお、 詳しい動作の説明は、 実施の形 態 1, 2の場合と同様であるため、 省略する。
なお、 入力端子 202aと入力端子 202bとには、 互いに、 反対の論理を持つ た信号が入力される。 たとえば、 入力端子 202aに 1 (H信号) として、 電 位 VHが入力されると、 入力端子 202bには、 0 ( L信号) として、 電位 VLが 入力される。
トランジスタ 702、 703には、 入力端子 701より、 データ信号が入力される 。 このデータ信号の振幅は、 電源電圧の振幅と同じであるとする。 すると 、 トランジスタ 301、 401のオンオフに同期して、 出力端子 203に、 信号が出 力される。
なお、 トランジスタ 401は、 トランジスタ 703と低電位側電源 Vssの間に配 置されているが、 これに限定されない。 卜ランジス夕 703が、 トランジスタ 401と低電位側電源 Vs sの間に配置されていてもよい。
同様に、 トランジスタ 301は、 トランジスタ 702と高電位側電源 Vddの間に 配置されているが、 これに限定されない。 トランジスタ 702が、 トランジス 夕 301と高電位側電源 Vddの間に配置されていてもよい。
なお、 同期信号用の入力端子 202a、 202bから入力される信号は、 補正手 段 204によって、 論理が反転する。 その結果、 トランジスタ 301、 401のオン オフも逆になることに注意する必要がある。
次に、 クロックドインパー夕を構成するトランジスタのうち、 デ一夕信 号を入力する部分のトランジスタに、 本発明を適用した場合の構成を、 図 8 に示す。 図 8において、 デジタル回路 201は、 入力端子 202に入力された信 号の電位を補正する補正手段 204と、 該補正手段 204によって補正された入 力信号によつて動作が制御される回路素子 205を有している。 そして該回路 素子 205の動作に従って、 出力端子 203から信号が出力される。
補正対象となる回路素子 205であるクロックドィンバ一タは,
夕 301、 401、 802、 804を用いて構成される。 補正手段 204は、
302、 303、 402、 403を用いて構成される。
トランジスタ 802、 804には、 同期信号用の入力端子 801、 803から、 同期 信号が入力される。 同期信号の信号振幅は、 電源電圧の振幅と同じである とする。 なお、 トランジスタ 802とトランジスタ 804とは、 同時にオンし、 同時にオフする。 これにより、 入力端子 202から入力される信号を、 出力端 子 203に出力するかどうかを制御している。 よって、 トランジ タ 802とト ランジス夕 804とは、 導電型が反対なので、 同期信号も、 論理が逆になる。 一方、 トランジスタ 301、 401には、 入力端子 202より、 データ信号が入力 される。 図 8では、 デ一タ信号の信号振幅が、 電源電圧の振幅よりも小さい 場合について、 示している。 データ信号用の入力端子 202に、 電位が VHまた は VLの信号が入力される。 すると、 データ信号の信号振幅が電源電圧の振 幅よりも小さくても、 補正手段 204によって、 適切な信号がトランジスタ 301、 401に入力される。 なお、 詳しい動作の説明は、 実施の形態 1 , 2の 場合と同様であるため、 省略する。
なお、 トランジスタ 804は、 トランジスタ 401と低電位側電源 Vssの間に配 置されているが、 これに限定されない。 トランジスタ 401が、 トランジスタ 804と低電位側電源 Vssの間に配置されていてもよい。
同様に、 トランジスタ 802は、 トランジスタ 301と高電位側電源 Vddの間に 配置されているが、 これに限定されない。 トランジスタ 301が、 トランジス 夕 802と高電位側電源 Vddの間に配置されていてもよい。
なお、 データ信号用の入力端子 202から入力される信号は、 補正手段 204 によって、 論理が反転する。 その結果、 出力端子 203からは、 入力端子 202 から入力される信号と同じ論理を持った信号が出力されることに注意する 必要がある。
なお、 図 7では、 同期を制御する部分に補正手段 204を適用し、 図 8では、 データを制御する部分に補正手段 204を適用したが、 これに限定されない。 両方の部分に補正手段 204を適用してもよい。
このように、 Nチャネル型トランジスタ 401に対応した部分は、 図 4に示 した補正手段 204と同じ構成を用い、 Pチャネル型トランジスタ 301に対応 した部分は、 図 3に示した補正手段 204と同じ構成を用いればよい。
以上のような構成にすることにより、 データ信号や同期信号の振幅が、 電源電圧の振幅よりも小さくても、 正常に動作させることができる。 そし て、 デジタル回路 201から出力される信号の振幅は、 電源電圧の振幅と、 ほ ぼ等しい。 したがって、 デジタル回路 201の出力端子 203に、 別のデジタル 回路を接続した場合、 その回路には、 電源電圧の振幅とほぼ等しい信号が 入力されるため、 正常に動作することになる。
なお、 実施の形態 1、 2で説明したことは、 本実施の形態にも適用する ことが可能である。
(実施の形態 4 ) 本実施の形態では、 デジタル回路の 1つである N AND回路に、 本発明 を適用した場合について説明する。 ただし、 正確には、 NAND回路に本 発明を適用すると、 出力信号の論理は、 通常の NAND回路の場合とは異 なる。 より正確には、 OR回路と同じになる。 つまり、 入力信号を反転さ せた信号を、 NAND回路に入力したときに、 NAND回路から出力され る信号が、 出力信号となる。
図 9に、 NAND回路に本発明を適用した場合の回路図を示す。 補正手段 204は、 トランジスタ 302a、 303a, 302b, 303b, 402a, 403a, 402b, 403bを 用いて、 構成される。
図 9に示すように、 Nチャネル型トランジスタに対応した部分は、 図 4に 示した補正手段 204と同じ構成を用い、 Pチャネル型トランジスタに対応し た部分は、 図 3に示した補正手段 204と同じ構成を用いればよい。
入力端子 202a、 202bから入力される信号は、 補正手段 204を用いることに より、 適切な電位の信号となって、 各トランジスタに入力される。 なお、 詳しい動作の説明は、 実施の形態 1 , 2の場合と同様であるため、 省略す る。
以上のような構成にすることにより、 入力信号の振幅が、 電源電圧の振 幅よりも小さくても、 正常に動作させることができる。 そして、 デジタル 回路 201から出力される信号の振幅は、 電源電圧の振幅と、 ほぼ等しい。 し たがって、 デジタル回路 201の出力端子 203に、 別のデジタル回路を接続し た場合、 その回路には、 電源電圧の振幅とほぼ等しい信号が入力されるた め、 正常に動作することになる。 なお、 実施の形態 1、 2で説明したことは、 本実施の形態にも適用する ことが可能である。
(実施の形態 5)
本実施の形態では、 デジタル回路の 1つである NOR回路に、 本発明を 適用した場合について説明する。 ただし、 正確には、 NOR回路に本発明 を適用すると、 出力信号の論理は、 通常の NOR回路の場合とは異なる。 より正確には、 AND回路と同じになる。 つまり、 入力信号を反転させた 信号を、 NOR回路に入力したときに、 NOR回路から出力される信号が 、 出力信号となる。
図 10に、 NOR回路に本発明を適用した場合の回路図を示す。 補正手段 204は、 トランジスタ 302a、 303a, 302b, 303b, 402a、 403a、 402b, 403bを 用いて、 構成される。
図 10に示すように、 Nチャネル型トランジスタに対応した部分は、 図 4に 示した補正手段 204と同じ構成を用い、 Pチャネル型トランジスタに対応し た部分は、 図 3に示した補正手段 204と同じ構成を用いればよい。
入力端子 202a、 202bから入力される信号は、 補正手段 204を用いることに より、 適切な電位の信号となって、 各トランジスタに入力される。 なお、 詳しい動作の説明は、 実施の形態 1, 2の場合と同様であるため、 省略す る。
以上のような構成にすることにより、 入力信号の振幅が、 電源電圧の振 幅よりも小さくても、 正常に動作させることができる。 そして、 デジタル 回路 201から出力される信号の振幅は、 電源電圧の振幅と、 ほぼ等しい。 し たがって、 デジタル回路 201の出力端子 203に、 別のデジタル回路を接続し た場合、 その回路には、 電源電圧の振幅とほぼ等しい信号が入力されるた め、 正常に動作することになる。
なお、 実施の形態 1、 2で説明したことは、 本実施の形態にも適用する ことが可能である。
(実施例)
[実施例 1 ]
本実施例では、 表示装置、 および、 信号線駆動回路などの構成とその動 作について、 説明する。 信号線駆動回路の一部や、 ゲート線駆動回路の一 部に、 本発明の回路を適用することができる。
表示装置の例を図 11に示す。 表示装置は、 図 11に示すように、 画素部 1101、 ゲート線駆動回路 1102、 信号線駆動回路 1110を有している。 ゲート 線駆動回路 1102は、 画素部 1101に選択信号を順次出力する。 信号線駆動回 路 1110は、 画素部 1101にビデオ信号を順次出力する。 画素部 1101では、 ビ デォ信号に従って、 光の状態を制御することにより、 画像を表示する。 信 号線駆動回路 1110から画素部 1101へ入力するビデオ信号は、 電圧であるこ とが多い。 つまり、 画素に配置された表示素子や表示素子を制御する素子 は、 信号線駆動回路 1110から入力されるビデオ信号 (電圧) によって、 状 態を変化させるものであることが多い。 まれに、 画素部 1101へ入力するビ デォ信号が、 電流である場合もある。 画素に配置する表示素子の例として は、 液晶ディスプレイ (LCD) や有機 EL (エレクト口ルミネッセンス ) ディスプレイや FED (フィールドェミッションディスプレイ) などに 用いる表示素子があげられる。
なお、 ゲート線駆動回路 1102や信号線駆動回路 1110は、 複数配置されて いてもよい。
信号線駆動回路 1110は、 構成を複数の部分に分けられる。 大まかには、 一例として、 シフトレジスタ 1103、 第 1ラッチ回路 (LAT1) 1104、 第 2ラ ツチ回路 (LAT2) 1105、 デジタル ·アナログ変換回路 1106などに分けられ る。
そこで、 信号線駆動回路 1110の動作を簡単に説明する。 シフトレジスタ 1Ϊ03は、 フリップフロップ回路 (FF) 等を複数列用いて構成され、 クロッ ク信号 (S- CLK) 1112、 スタートパルス(SP) 1113、 クロック反転信号(S- CLKb) 1111が入力される、 これらの信号のタイミングに従って、 順次サン プリングパルスが出力される。
シフトレジス夕 1103より出力されたサンプリングパルスは、 第 1ラッチ 回路 1104に入力される。 第 1ラッチ回路 1104には、 ビデオ信号線 1108より 、 ビデオ信号が入力されており、 サンプリングパルスが入力される夕イミ ングに従って、 各列でビデオ信号を保持していく。 なお、 デジタル 'アナ ログ変換回路 1106を配置している場合は、 ビデオ信号はデジタル値である 第 1ラッチ回路 1104において、 最終列までビデオ信号の保持が完了する と、 水平帰線期間中に、 ラッチ制御線 1109よりラッチパルス (Latch Pulse ) が入力され、 第 1ラッチ回路 1104に保持されていたビデオ信号は、 一斉 に第 2ラッチ回路 1105に転送される。 その後、 第 2ラッチ回路 1105に保持 されたビデオ信号は、 1行分が同時に、 デジタル ·アナログ変換回路 1106 へと入力される。 そして、 デジタル ·アナログ変換回路 1106から出力され る信号は、 画素部 1101へ信号が入力される。
第 2ラッチ回路 1105に保持されたビデオ信号が、 さまざまな回路を経由 して、 画素部 1101に入力されている間、 シフトレジスタ 1103においては再 びサンプリングパルスが出力される。 つまり、 同時に 2つの動作が行われ る。 これにより、 線順次駆動が可能となる。 以後、 この動作を繰り返す。 なお、 第 1ラッチ回路 1104や第 2ラッチ回路 1105が、 アナログ値を保存 できる回路である場合は、 デジタル 'アナログ変換回路 1106は省略しても 良い。 また、 画素部 1101に出力するデ一夕が 2値、 つまり、 デジタル値で ある場合は、 デジタル ·アナログ変換回路 1106は省略しても良い。 また、 信号線駆動回路 1110には、 レベルシフト回路やガンマ補正回路や電圧電流 変換回路、 増幅回路などが内蔵されている場合もある。 このように、 信号 線駆動回路 1110の構成は、 図 11に限定されず、 様々なものがある。
一方、 ゲート線駆動回路 1102は、 画素部 1101に選択信号を順次出力する だけである場合が多いので、 信号線駆動回路 1110のシフトレジス夕 1103と 同様な構成をもつシフトレジスタやレベルシフト回路、 増幅回路などによ り、 構成されることが多い. ただし、 ゲート線駆動回路 1102の構成は、 こ れに限定されず、 様々なものがある。
本発明は、 信号線駆動回路 1110ゃゲ一ト線駆動回路 1102などにおけるシ フトレジスタや、 信号線駆動回路 1110の第 1ラッチ回路 (LATl) 11(Hなど に適用できる。
図 12に、 シフトレジス夕の一部を示す。 インバ一夕やクロックドインバ —夕 1201、 1202、 1203、 1204、 により、 構成されている。 そして、 クロッ ク信号 (S- CLK) 1112、 クロック反転信号(S- CLKb)llllに同期して、 シフト レジスタが動作する。 ここで、 クロック信号 (S- CLK) 1112、 クロック反転 信号(S- CLKb) 1111の信号の振幅が、 電源電圧の振幅よりも小さいとする。 このような場合、 電源電圧の振幅よりも小さい信号が入力される部分に、 本発明を適用することが出来る。 つまり、 クロックドインバ一夕 1201、 1202、 1203、 1204に、 図 7に示したようなクロックドインバー夕を用いるこ とが出来る。 図 7における同期信号用の入力端子 202a、 202bに、 クロック信 号 (S- CLK) 1112やクロック反転信号(S- CLKb) 1111を入力すればよい。 次に、 第 1ラッチ回路 (LAT1) 1104の一部を、 図 13に示す。 インバ一夕 やクロックドインパー夕 13001、 13002により、 構成されている。 そして、 配線 13003には、 シフトレジスタ 1103から出力されるサンプリングパルスが 入力される。 また、 ビデオ信号線 1108より、 ビデオ信号が入力される。 よ つて、 サンプリングパルスに同期して、 ビデオ信号が第 1ラッチ回路 ( LAT1) 1104に保存される。 ここで、 ビデオ信号の振幅が、 電源電圧の振幅 よりも小さいとする。 このような場合、 電源電圧の振幅よりも小さい信号 が入力される部分に、 本発明を適用することが出来る。 つまり、 クロック ドィンバータ 13001に、 図 8に示したようなクロックドィンバータを用いる ことが出来る。 クロックドインバ一夕 13002には、 電源電圧の振幅よりも小 さい信号が入力される部分が存在しないため、 通常の回路構成でよい。 よ つて、 図 8における同期信号用の入力端子 801、 803に、 サンプリングパルス を入力し、 図 8におけるデータ信号用の入力端子 202に、 ビデオ信号線 1108 からビデオ信号を入力すればよい。
なお、 すでに述べたように、 本発明におけるトランジスタは、 どのよう なタイプのトランジスタでもよいし、 どのような基板上に形成されていて もよい。 したがって、 図 1 1で示したような回路が、 全てガラス基板上に 形成されていてもよいし、 プラスチック基板に形成されていてもよいし、 単結晶基板に形成されていてもよいし、 SOI基板上に形成されていてもよ いし、 どのような基板上に形成されていてもよい。 あるいは、 図 1 1にお ける回路の一部が、 ある基板に形成されており、 図 1 1における回路の別 の一部が、 別の基板に形成されていてもよい。 つまり、 図 1 1における回 路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。 例えば、 図 1 1にお いて、 画素部 1 1 0 1とゲート線駆動回路 1 1 0 2とは、 ガラス基板上に TFTを用いて形成し、 信号線駆動回路 1 1 1 0 (もしくはその一部) は、 単結晶基板上に形成し、 その ICチップを COG(Cliip On Glass)で接続して ガラス基板上に配置してもよい。 あるいは、 その ICチップを TAB(Tape Auto Bonding)やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。 [実施例 2 ]
本実施例では、 本発明を適用したインバー夕のレイアウト図について説 明する。 対応する回路図は、 図 1に示す。 図 Uには、 図 1に示したィンバー夕を補正対象としたデジタル回路のレイ アウト図を示す。 多結晶シリコンなどによる半導体層 1401の上の層にゲー ト絶縁膜の層があり、 その上の層にゲート配線 (第 1配線) 1402がある部 分がトランジスタである。 ゲート配線 (第 1配線) 1402の上の層には、 層 間絶縁膜があり、 その上には第 2配線 1404がある。 第 2配線 04と半導体 層 1401や、 第 2配線 1404とゲ一卜配線 (第 1配線) 1402は、 コンタクト 1403を開口することにより、 接続している。
図 14において、 図 1に対応する部分には同じ符号を用いている。 符号の説 明は図 1と同じであるため省略する。 補正対象となる回路素子は、 Pチヤ ネル型トランジスタ 301と Nチャネル型トランジスタ 401とで構成されてい る。 補正手段は、 Pチャネル型トランジスタ 301に対応した部分と、 Nチヤ ネル型卜ランジス夕に対応する部分とに分かれる。 Pチャネル型トランジ スタ 301に対応した部分は、 Nチャネル型トランジスタ 303と Pチャネル型 トランジスタ 302とで構成されている。 また、 Nチャネル型トランジスタ 401に対応した部分は、 Pチャネル型トランジスタ 403と Nチャネル型トラ ンジス夕 402とで構成されている。
図 14のようなレイアウト図を使って、 公知の技術を用いれば、 本発明の 半導体装置を実現することが出来る。
なお、 図 14では、 トランジスタ 403とトランジスタ 303のゲート幅 Wを大 きくしている。 これにより、 トランジスタ 403とトランジスタ 303の電流駆 動能力を高め、 オン抵抗を小さくしている。
なお、 本実例は、 実施の形態 1〜5、 実施例 1と任意に組み合わせるこ とが可能である。 [実施例 3 ]
本発明を用いた電子機器として、 ビデオカメラ、 デジタルカメラ、 ゴー ダル型ディスプレイ (ヘッドマウントディスプレイ) 、 ナビゲ一シヨンシ ステム、 音響再生装置 (カーオーディオ、 オーディオコンポ等) 、 ノ一ト 型パーソナルコンピュータ、 ゲーム機器、 携帯情報端末 (モバイルコンピ ユー夕、 携帯電話、 携帯型ゲーム機または電子書籍等) 、 記録媒体を備え た画像再生装置 (具体的には Digital Versatile Disc (DVD) 等の記録 媒体を再生し、 その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置) などが 挙げられる。 それらの電子機器の具体例を図 15に示す。
図 15 (A) は発光装置であり、 筐体 1 300 1、 支持台 1 3002、 表 示部 13003、 スピーカ一部 1 3004、 ビデオ入力端子 1 3005等 を含む。 本発明は表示部 1 3003を構成する電気回路に用いることがで きる。 また本発明により、 図 15 (A) に示す発光装置が完成される。 発光 装置は自発光型であるためバックライ卜が必要なく、 液晶ディスプレイよ りも薄い表示部とすることができる。 なお、 発光装置は、 パソコン用、 T V放送受信用、 広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。 図 15 (B) はデジ夕ルスチルカメラであり、 本体 1 3 1 01、 表示部 1 3 1 02、 受像部 1 31 03、 操作キー 1 3 104、 外部接続ポート 1 3 1 05、 シャツ夕一 13 1 06等を含む。 本発明は、 表示部 1 31 02を 構成する電気回路に用いることができる。 また本発明により、 図 15 (B) に 9 rン夕リレスチリレカメフ力 τυ成される。
図 15 (C) はノ一ト型パーソナルコンピュータであり、 本体 13201 、 筐体 13202、 表示部 13203、 キ一ポ一ド 1 3204、 外部接続 ポー卜 1 3205、 ボインティングマウス 1 3206等を含む。 本発明は 、 表示部 1 3203を構成する電気回路に用いることができる。 また本発 明により、 図 15 (C) に示すノート型パーソナルコンピュータが完成され る。
図 15 (D) はモバイルコンピュー夕であり、 本体 1 330 1、 表示部 1 3302、 スィッチ 13303、 操作キ一 1 3304、 赤外線ポート 13 305等を含む。 本発明は、 表示部 1 3302を構成する電気回路に用い ることができる。 また本発明により、 図 15 (D) に示すモパイルコンピュ —夕が完成される。
図 15 (Ε) は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置 (具体的には DV D再生装置) であり、 本体 1 340 1、 筐体 1 3402、 表示部 A 1 34 03、 表示部 B 13404、 記録媒体 (DVD等) 読み込み部 13405 、 操作キー 1 3406、 スピ一カー部 1 3407等を含む。 表示部 A 13 403は主として画像情報を表示し、 表示部 B 1 3404は主として文字 情報を表示するが、 本発明は、 表示部 A、 B 1 3403, 13404を構 成する電気回路に用いることができる。 なお、 記録媒体を備えた画像再生 装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。 また本発明により、 図 15 (E ) に示す DVD再生装置が完成される。
図 15 (F) はゴーグル型ディスプレイ (へッ であり、 本体 1 3501、 表示部 13502、 アーム部 1 3503を含む 。 本発明は、 表示部 13502を構成する電気回路に用いることができる 。 また本発明により、 図 15 (F) に示すゴ一ダル型ディスプレイが完成さ れる。
図 15 (G) はビデオカメラであり、 本体 1 360 1、 表示部 1 3602 、 筐体 13603、 外部接続ポート 1 3604、 リモコン受信部 1 360 5、 受像部 1 3606、 ノ ッテリー 1 3607、 音声入力部 1 3608、 操作キー 1 3609等を含む。 本発明は、 表示部 1 3602を構成する電 気回路に用いることができる。 また本発明により、 図 15 (G) に示すビデ ォカメラが完成される。
図 15 (H) は携帯電話であり、 本体 1 370 1、 筐体 13702、 表示 部 1 3703、 音声入力部 13704、 音声出力部 13705、 操作キ一 1 3706、 外部接続ポ一ト 13707、 アンテナ 1 3708等を含む。 本発明は、 表示部 1 3703を構成する電気回路に用いることができる。 なお、 表示部 1 3703は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯 電話の消費電流を抑えることができる。 また本発明により、 図 15 (H) に 示す携帯電話が完成される。
なお、 将来的に発光材料の発光輝度が高くなれば、 出力した画像情報を 含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェク 夕一に用いることも可能となる。
また、 上記電子機器はインターネットや CATV (ケーブルテレビ) な どの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、 特 に動画情報を表示する機会が増してきている。 発光材料の応答速度は非常 に高いため、 発光装置は動画表示に好ましい。
また、 発光装置は発光している部分が電力を消費するため、 発光部分が 極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。 従って、 携帯情報 端末、 特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に 発光装置を用いる場合には、 非発光部分を背景として文字情報を発光部分 で形成するように駆動することが望ましい。
以上の様に、 本発明の適用範囲は極めて広く、 あらゆる分野の電子機器 に用いることが可能である。 また本実施の形態の電子機器は、 実施の形態 1〜5、 実施例 1〜2に示したいずれの構成の半導体装置を用いても良い

Claims

請求の範囲
1 . 補正手段とトランジスタとを有する半導体装置であって、
前記補正手段は、 入力端子と出力端子とを有しており、
前記補正手段の入力端子には、 第 1の入力電位または第 2の入力電位のいず れか 1つが入力され、
前記補正手段は、前記入力端子に入力される電位によって、第 1の電源電位 または第 1の入力電位のいずれか 1つを前記出力端子に出力する手段を有 し、
前記補正手段の出力端子が、 前記トランジスタのゲート端子に接続されてい ることを特徴とする半導体装置。
2 . 第 1のトランジスタと第 2のトランジスタと第 3のトランジスタとを有 する半導体装置であって、
前記第 1のトランジスタのゲ一ト端子と前記第 2のトランジスタのゲ一ト 端子とは、 電気的に接続され、
前記第 1のトランジスタのドレイン端子は、前記第 2のトランジスタのドレ ィン端子と電気的に接続され、
前記第 1のトランジスタのドレイン端子は、 前記第 3のトランジスタのゲー ト端子と電気的に接続され、
前記第 1のトランジス夕のゲート端子には、 第 1の信号電位または第 2の信 号電位のいずれか 1つが供給され、
前記第 1のトランジスタのソース端子には、 第 1の電源電位が供給され、 前記第 2のトランジスタのソース端子には、 前記第 1の信号電位と同じ電位 が供給され、
前記第 3のトランジスタのソース端子には、第 2の電源電位が供給されるこ とを特徴とする半導体装置。
3 . 請求項 2において、 前記第 1のトランジスタと前記第 2のトランジスタ とは、 導電型が異なることを特徴とする半導体装置。
4 . 第 1のトランジスタと第 2のトランジスタと第 3のトランジスタとを有 する半導体装置であって、
前記第 1のトランジスタのゲート端子と前記第 2のトランジスタのゲート端子と は、 電気的に接続され、
前記第 1のトランジスタのドレイン端子は、 前記第 2のトランジスタのドレ ィン端子と電気的に接続され、
前記第 1のトランジスタのドレイン端子は、 前記第 3のトランジスタのゲ一 ト端子と電気的に接続され、
前記第 1のトランジス夕のゲ一ト端子には、 第 1の信号電位または第 2の信 号電位のいずれか 1つが供給され、
前記第 1のトランジスタのソース端子には、 第 1の電源電位が供給され、 前記第 2のトランジスタのソース端子には、 前記第 1の信号電位と同じ電位 が供給され、
前記第 3のトランジスタのソース端子には、 第 2の電源電位が供給され、 前記第 1のトランジスタおよび前記第 3の卜ランジス夕は Pチャネル型の トランジスタであり、 前記第 2のトランジス夕は Nチャネル型のトランジス 夕であり、
前記第 1の電源電位および前記第 2の電源電位は高電位側電源電位であり、 前記第 1の信号電位は低電位側の電位であり、 前記第 2の信号電位は高電位 側の電位であることを特徴とする半導体装置。
5 . 第 1のトランジスタと第 2のトランジスタと第 3のトランジスタとを有 する半導体装置であって、
前記第 1のトランジスタのゲ一ト端子と前記第 2の卜ランジス夕のゲート端子と は、 電気的に接続され、
前記第 1のトランジスタのドレイン端子は、 前記第 2のトランジスタのドレ ィン端子と電気的に接続され、
前記第 1のトランジスタのドレイン端子は、 前記第 3のトランジス夕のゲー ト端子と電気的に接続され、
前記第 1のトランジス夕のゲ一ト端子には、 第 1の信号電位または第 2の信号電 位のいずれか 1つが供給され、
前記第 1のトランジス夕のソース端子には、 第 1の電源電位が供給され、 前記第 2のトランジスタのソース端子には、 前記第 1の信号電位と同じ電位 が供給され、
前記第 3のトランジスタのソース端子は、 第 2の電源電位が供給され、 前記第 1のトランジスタおよび前記第 3のトランジスタは Nチャネル型の トランジスタであり、 前記第 2のトランジスタは Pチャネル型のトランジス 夕であり、
前記第 1の電源電位および前記第 2の電源電位は低電位側電源電位であり、 前記第 1の信号電位は高電位側の電位であり、 前記第 2の信号電位は低電位 側の電位であることを特徴とする半導体装置。
6 . 請求項 1乃至請求項 5のいずれか 1項に記載の半導体装置を具備するこ とを特徴とする表示装置。
7 . 請求項 6に記載の表示装置を具備することを特徴とする電子機器。
PCT/JP2003/015387 2002-12-13 2003-12-02 半導体装置およびこれを用いた表示装置 WO2004055987A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004531657A JP4440100B2 (ja) 2002-12-13 2003-12-02 半導体装置
AU2003284528A AU2003284528A1 (en) 2002-12-13 2003-12-02 Semiconductor device and display apparatus using the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-362148 2002-12-13
JP2002362148 2002-12-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004055987A1 true WO2004055987A1 (ja) 2004-07-01

Family

ID=32588149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/015387 WO2004055987A1 (ja) 2002-12-13 2003-12-02 半導体装置およびこれを用いた表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7355445B2 (ja)
JP (1) JP4440100B2 (ja)
CN (2) CN100380811C (ja)
AU (1) AU2003284528A1 (ja)
TW (1) TWI338949B (ja)
WO (1) WO2004055987A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7986287B2 (en) 2005-08-26 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109961B2 (en) * 2002-03-13 2006-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric circuit, latch circuit, display apparatus and electronic equipment
US7327169B2 (en) * 2002-09-25 2008-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Clocked inverter, NAND, NOR and shift register
US7327168B2 (en) 2002-11-20 2008-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101114892B1 (ko) 2002-12-25 2012-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 보정 회로를 구비한 디지털 회로 및 그것을 갖는 전자기기
US7528643B2 (en) 2003-02-12 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device having the same, and driving method of the same
EP2104110B1 (en) * 2004-06-14 2013-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Shift register and semiconductor display device
JP2006279883A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd ドライバ回路
US7688107B2 (en) * 2005-04-19 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, display device, and electronic device
EP1717783B1 (en) * 2005-04-28 2015-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data latch circuit, driving method of the data latch circuit, and display device
US7659756B2 (en) * 2005-09-29 2010-02-09 Supertex, Inc. MOSFET transistor amplifier with controlled output current
US8213886B2 (en) 2007-05-07 2012-07-03 Paratek Microwave, Inc. Hybrid techniques for antenna retuning utilizing transmit and receive power information
US7626440B1 (en) 2007-07-04 2009-12-01 Altera Corporation High speed level shift
JP5457628B2 (ja) * 2007-10-26 2014-04-02 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置及びそのタイミング制御方法
US8030964B1 (en) * 2008-05-15 2011-10-04 Altera Corporation Techniques for level shifting signals
KR100991383B1 (ko) * 2008-12-26 2010-11-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 출력 드라이버
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN113643640B (zh) * 2021-08-03 2023-06-02 武汉华星光电技术有限公司 栅极驱动电路及显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS635553A (ja) * 1986-06-25 1988-01-11 Fujitsu Ltd バツフア回路
JPH01261923A (ja) * 1988-04-13 1989-10-18 Seiko Epson Corp 出力回路
JPH05235741A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Hitachi Ltd ゲート回路及びそれを含む半導体装置
JPH05308273A (ja) * 1992-04-28 1993-11-19 Mitsubishi Electric Corp 入力バッファ回路
JPH06152381A (ja) * 1992-11-06 1994-05-31 Hitachi Ltd 入力回路
JPH09257839A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Nec Corp バッファリング回路
JPH11163713A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2002118458A (ja) * 2000-06-27 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レベルシフタ

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4797579A (en) * 1987-07-27 1989-01-10 Raytheon Company CMOS VLSI output driver with controlled rise and fall times
US4877980A (en) * 1988-03-10 1989-10-31 Advanced Micro Devices, Inc. Time variant drive circuit for high speed bus driver to limit oscillations or ringing on a bus
US5128560A (en) * 1991-03-22 1992-07-07 Micron Technology, Inc. Boosted supply output driver circuit for driving an all N-channel output stage
DE4324519C2 (de) * 1992-11-12 1994-12-08 Hewlett Packard Co NCMOS - eine Hochleistungslogikschaltung
US5378943A (en) * 1993-04-20 1995-01-03 International Business Machines Corporation Low power interface circuit
US5519344A (en) * 1994-06-30 1996-05-21 Proebsting; Robert J. Fast propagation technique in CMOS integrated circuits
US5523707A (en) * 1995-06-30 1996-06-04 International Business Machines Corporation Fast, low power exclusive or circuit
JPH09172367A (ja) 1995-12-20 1997-06-30 Seiko Epson Corp レベルシフタ回路
US5808480A (en) * 1996-02-29 1998-09-15 Lucent Technologies Inc. High voltage swing output buffer in low voltage technology
US6242951B1 (en) * 1997-09-05 2001-06-05 Shunji Nakata Adiabatic charging logic circuit
JP4292714B2 (ja) * 1998-09-18 2009-07-08 株式会社日立製作所 液晶ディスプレイ
US6166580A (en) * 1998-12-18 2000-12-26 Vlsi Technology, Inc. CMOS high-to-low voltage buffer
JP2000295094A (ja) * 1999-04-07 2000-10-20 Mitsubishi Electric Corp バッファ回路およびそれを用いた電位検出回路
DE19949144C1 (de) * 1999-10-12 2001-02-01 Texas Instruments Deutschland Digitale Treiberschaltung
US6335637B1 (en) * 2000-04-03 2002-01-01 International Business Machines Corporation Two-supply protection circuit
US6731273B2 (en) * 2000-06-27 2004-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Level shifter
JP3466151B2 (ja) * 2000-11-21 2003-11-10 沖電気工業株式会社 駆動回路
TWI285024B (en) * 2003-03-17 2007-08-01 Au Optronics Corp Level shifting circuit

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS635553A (ja) * 1986-06-25 1988-01-11 Fujitsu Ltd バツフア回路
JPH01261923A (ja) * 1988-04-13 1989-10-18 Seiko Epson Corp 出力回路
JPH05235741A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Hitachi Ltd ゲート回路及びそれを含む半導体装置
JPH05308273A (ja) * 1992-04-28 1993-11-19 Mitsubishi Electric Corp 入力バッファ回路
JPH06152381A (ja) * 1992-11-06 1994-05-31 Hitachi Ltd 入力回路
JPH09257839A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Nec Corp バッファリング回路
JPH11163713A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2002118458A (ja) * 2000-06-27 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レベルシフタ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7986287B2 (en) 2005-08-26 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same
US8525763B2 (en) 2005-08-26 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN100380811C (zh) 2008-04-09
JPWO2004055987A1 (ja) 2006-04-20
US7714616B2 (en) 2010-05-11
US20080246035A1 (en) 2008-10-09
CN101242177A (zh) 2008-08-13
JP4440100B2 (ja) 2010-03-24
TWI338949B (en) 2011-03-11
CN1748366A (zh) 2006-03-15
CN101242177B (zh) 2012-10-10
TW200414534A (en) 2004-08-01
US20040257117A1 (en) 2004-12-23
AU2003284528A1 (en) 2004-07-09
US7355445B2 (en) 2008-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11217200B2 (en) Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
US20220020784A1 (en) Digital circuit having correcting circuit and electronic apparatus thereof
US7714616B2 (en) Semiconductor device and display appliance using the semiconductor device
JP4515082B2 (ja) アナログ回路並びにアナログ回路を用いた表示装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004531657

Country of ref document: JP

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038A96891

Country of ref document: CN

122 Ep: pct application non-entry in european phase