CN106648277B - 电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统 - Google Patents

电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统 Download PDF

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Abstract

一种电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统。该电子装置的每个像素单元包括霍尔效应工作电极、薄膜晶体管、栅线、第一公共线、第二公共线、数据线和感测线。霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，并且第一接触位置和第二接触位置的连线与第三接触位置和第四接触位置的连线相交；薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，漏极与第一接触位置电连接；栅线与栅极电连接；第一公共线通过第三接触位置与霍尔效应工作电极电连接；第二公共线通过第四接触位置与霍尔效应工作电极电连接；数据线与源极电连接；感测线与第二接触位置电连接。该电子装置实现了书写信息的图像化。

Description

电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统
技术领域
本公开的实施例涉及一种电子装置及其制造方法、电子复写系统和电子装置的操作方法。
背景技术
尽管手机和平板电脑等电子设备得到了广泛的应用，但是很多人仍保持着书写的习惯。这是由于在纸张上书写的体验是触摸屏和手写板无法替代的。此外，在纸张上书写方便修改和注释附图等。然而，纸质文件的存储需要占据大量空间，并且不易携带和运输。因此，将书写在纸张上的文字图像电子化是亟需解决的一个问题。
发明内容
本公开的一个实施例提供了一种电子装置，该电子装置包括按阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括霍尔效应工作电极、薄膜晶体管、栅线、第一公共线、第二公共线、数据线和感测线。霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，其中，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，所述漏极与所述第一接触位置电连接；栅线与所述栅极电连接；第一公共线通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；第二公共线通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；数据线与所述源极电连接；以及感测线与所述第二接触位置电连接。
本公开的另一个实施例提供了一种电子装置的操作方法，该操作方法包括向所述栅线施加扫描电压，并导通与之相连的所述像素单元中的所述薄膜晶体管；通过所述第一公共线和所述第二公共线向所述霍尔效应工作电极施加第一电流；通过所述数据线和所述感测线检测所述霍尔效应工作电极的霍尔电压信号，其中根据所述霍尔电压信号判断所述像素单元是否被操作。
本公开的再一个实施例提供了一种电子复写系统，该电子复写系统包括磁性笔和上述的电子装置。
本公开的再一个实施例提供了一种电子装置的制造方法，该制造方法包括形成霍尔效应工作电极，所述霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述漏极与所述第一接触位置电连接；形成栅线，所述栅线与所述栅极电连接；形成第一公共线，其中，所述第一公共线通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；形成第二公共线，所述第二公共线通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；形成数据线，所述数据线与所述源极电连接；以及形成感测线，所述感测线与所述第二接触位置电连接。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，并非对本公开的限制。
图1是本公开一个实施例提供的一种电子装置的平面示意图；
图2是图1所示的电子装置沿A-A’线的剖面示意图；
图3是本公开一个实施例提供的一种电子装置的另一种结构的平面示意图；
图4是本公开一个实施例提供的一种电子装置的再一种结构的平面示意图；
图5是本公开一个实施例提供的一种电子装置的再一种结构的平面示意图；
图6是本公开一个实施例提供的一种电子装置的再一种结构的平面示意图；
图7是图6所示的电子装置沿A-A’线的剖面示意图；
图8是本公开另一个实施例提供的一种电子装置操作方法的流程图；
图9是本公开再一个实施例提供的一种电子复写系统的示意图；以及
图10是本公开再一个实施例提供的一种制造电子装置的工艺的剖面示意图。
图11是本公开再一个实施例提供的一种电子装置的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述参考在附图中示出并在以下描述中详述的非限制性示例实施例，更加全面地说明本公开的示例实施例和它们的多种特征及有利细节。应注意的是，图中示出的特征不是必须按照比例绘制。本公开省略了已知材料、组件和工艺技术的描述，从而不使本公开的示例实施例模糊。所给出的示例仅旨在有利于理解本公开示例实施例的实施，以及进一步使本领域技术人员能够实施示例实施例。因而，这些示例不应被理解为对本公开的实施例的范围的限制。
除非另外特别定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。此外，在本公开各个实施例中，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
本公开的实施例提供了一种电子装置及其制造方法、电子复写系统和电子装置的操作方法，利用霍尔效应实现了书写信息的图像化。
本公开的至少一个实施例提供了一种电子装置，该电子装置包括按阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括霍尔效应工作电极、薄膜晶体管、栅线、第一公共线、第二公共线、数据线和感测线。霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，并且第一接触位置和第二接触位置的连线与第三接触位置和第四接触位置的连线相交；薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，漏极与第一接触位置电连接；栅线与栅极电连接；第一公共线通过第三接触位置与霍尔效应工作电极电连接；第二公共线通过第四接触位置与霍尔效应工作电极电连接；数据线与源极电连接；感测线与第二接触位置电连接。
例如，图1和图2分别示出了本公开一个实施例的电子装置的平面示意图和剖面示意图，图2示出的剖面示意图是沿图1所示的A-A’线剖切得到。
如图1和图2所示，该电子装置100包括在衬底基板上按阵列排布的多个像素单元300，每个像素单元300包括设置在衬底基板190上的薄膜晶体管110、霍尔效应工作电极120、栅线141、第一公共线142、第二公共线143、数据线151和感测线152。这些像素单元300可以看做由彼此交叉的栅线141和数据线151界定。
霍尔效应工作电极120包括第一接触位置121、第二接触位置122、第三接触位置123和第四接触位置124，并且第一接触位置121和第二接触位置122的连线与第三接触位置123和第四接触位置124的连线相交；薄膜晶体管110包括栅极111、栅绝缘层112、半导体图案113、源极114和漏极115；漏极115与第一接触位置121电连接；栅线141与栅极111电连接；第一公共线142通过第三接触位置123与霍尔效应工作电极120电连接；第二公共线143通过第四接触位置124与霍尔效应工作电极120电连接；数据线151与源极114电连接；感测线152与第二接触位置122电连接。
例如，在本公开的实施例中，通过第一公共线142和第二公共线143向霍尔效应工作电极120施加第一电流，当霍尔效应工作电极120所在区域存在垂直于第一电流I方向(即第三接触位置123和第四接触位置124的连线方向)的磁场分量B(即垂直于纸面的方向)，在垂直于第一电流I和磁场分量B方向的方向上会产生霍尔电压V。因此，第一接触位置121和第二接触位置122之间会存在电压差。当向栅线141施加扫描电压，并导通与之相连的像素单元300中的薄膜晶体管110后，可以通过数据线151和感测线152检测霍尔效应工作电极120上产生的霍尔电压信号，并可以根据霍尔电压信号判断像素单元300是否被操作(即霍尔工作区是否被施加磁场分量B)。当对按阵列排布的多个像素单元300进行扫描时，可以判断每个像素单元300是否被操作，由此可以得到与多个像素单元300构成的对应的图像，并实现书写信息的图像化。
例如，在本公开的实施例中，第一接触位置121和第二接触位置122的连线与第三接触位置123和第四接触位置124的连线可以设置成彼此垂直的形式。此时，通过第三接触位置123和第四接触位置124获取的霍尔电压V的分量最大，从而可以提升数据线151检测得到的霍尔电压信号的信噪比以及所获取图像的图像质量。
例如，在本公开的实施例中，为了进一步提升霍尔电压信号的信噪比以及所获取图像的图像质量，还可以设置磁性材料层210(例如，如图2中所示出)。磁性材料层210相对于霍尔效应工作电极120设置在与电子装置100的工作面相反的一侧，如图2所示，电子装置100的工作面例如为上侧表面，而磁性材料层210设置在衬底基板190的下表面上，当然也可以设置在衬底基板190的上表面上，例如通过绝缘层与霍尔效应工作电极120隔开。此时，可以增加垂直于第一电流I方向的磁场分量B，进而可以提升霍尔电压信号的信噪比以及所获取图像的图像质量。
例如，磁性材料层可以是由永磁材料和/或硬磁材料制成，或者可以采用电磁线圈得到。例如，磁性材料层可以由电工钢、镍基合金、稀土合金、或铁氧体材料一种或其组合制成。例如，磁性材料层可以设置在衬底基板上远离霍尔效应工作电极120的一侧，此时制造工艺简单，并且在磁性材料层磁力减弱时便于维修。例如，磁性材料层可以设置在衬底基板上靠近霍尔效应工作电极120的一侧或者栅绝缘层112上靠近霍尔效应工作电极120的一侧，此时可以减少电子装置100的厚度。
例如，可以设置整层磁性材料层，此时制造工艺简单。又例如，磁性材料层可以仅设置在霍尔效应工作电极120下方，此时可以避免磁场对于栅线141、第一公共线142、第二公共线143和数据线151产生影响。例如，磁性材料层可以通过贴附设置。又例如，磁性材料层还可以通过先在衬底或栅绝缘层112上沉积制造磁性材料的原材料，然后通过施加磁场使其获得磁性。
例如，图2所示的衬底基板190可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板)或者由其它适合的材料制成的基板。
例如，如图1和如图2所示，栅极111、栅线141、第一公共线142和第二公共线143可以使用同一构图工艺形成在衬底基板上；栅线141、第一公共线142和第二公共线143彼此平行，栅极111从栅线141分出。栅极111、栅线141、第一公共线142和第二公共线143例如可以采用金属材料(例如，铜、铝或者铝合金)形成。例如，形成栅极111金属层的厚度可以等于形成栅线141金属层的厚度。
例如，栅绝缘层112可以设置在形成了栅极111、栅线141、第一公共线142和第二公共线143的衬底基板上。例如，形成栅绝缘层112的材料可以是氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiNxOy)、氮化硅(SiNx)或者其它适合的材料。
例如，半导体图案113和霍尔效应工作电极120可以设置在栅绝缘层112上。例如，形成半导体图案113的材料可以是本征非晶硅(I-a-Si)、掺杂n+离子的非晶硅(n+-a-Si)、氢化非晶硅(a-Si：H)、IGZO或者其它适合的材料。例如，霍尔效应工作电极120可以由导体材料或半导体材料形成。例如，形成霍尔效应工作电极120的材料可以是非晶硅、多晶硅、砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)、IGZO或者其它适合的材料。
例如，霍尔效应工作电极120可以与半导体图案113同层形成，此时霍尔效应工作电极120都使用半导体材料制成，由于半导体材料的霍尔系数较大，并且霍尔电压V正比于霍尔系数，因此可以提升霍尔电压信号的信噪比以及所获取图像的图像质量。此外，由于此时的霍尔效应工作电极120制造工艺与薄膜晶体管110的制造工艺兼容，因此还可以降低工艺复杂度。
例如，霍尔效应工作电极120还可以在半导体图案113形成之后、在源极114和漏极115形成之前形成。由于采用了单独的制造步骤，霍尔效应工作电极120的制造材料选择范围大幅增加，因此可以提升霍尔效应工作电极120的霍尔系数，进而可以进一步提升霍尔电压信号的信噪比以及所获取图像的图像质量。
例如，霍尔效应工作电极120还可以与源极114和漏极115同层形成，此时霍尔效应工作电极120使用导体材料制成。由于此时的霍尔效应工作电极120制造工艺与薄膜晶体管110工艺兼容，因此可以降低工艺复杂度。
例如，在本公开的实施例中，霍尔效应工作电极120的形状不限于图1所示的矩形，还可以是图3所示的六边型，或者圆形等，在此对霍尔效应工作电极120的形状不做限定。
例如，在本公开的实施例中，该电子装置100可以包括第一连接线131和第二连接线132。第一连接线131的两端分别与第一接触位置121和漏极115电连接，第二连接线132的两端分别与第二接触位置122和感测线152电连接。
例如，在本公开的实施例中，该电子装置100还可以包括第三连接线133和第四连接线134。第三连接线133的两端分别与第三接触位置123和第一公共线142电连接，第四连接线134的两端分别与第四接触位置124和第二公共线143电连接。
例如，在本公开的实施例中，第一连接线131、第二连接线132、第三连接线133和第四连接线134在平行于纸面的平面上的设置方式不限于图1和图3所示的方式，还可以是图4和图5所示的方式，在此对其不做限定。
例如，数据线151、感测线152、第一连接线131、第二连接线132、源极114、漏极115可以使用同一工艺流程形成在包括半导体图案113的衬底基板上。数据线151、感测线152、第一连接线131、第二连接线132、源极114、漏极115例如可以采用金属材料(例如，铜、铝或者铝合金)形成。
例如，如图1和图2所示，第三连接线133和第四连接线134可以与源极114、漏极115同层形成，也可以在源极114、漏极115形成之后，使用不同的金属材料形成。第三连接线133通过第一接触孔135与第一公共线142电连接，第四连接线134通过第二接触孔136与第二公共线143电连接。此时，第三接触位置123和第四接触位置124可以直接形成(例如搭接)在霍尔效应工作电极120上，因此，直接形成了第三连接线133和第四连接线134与霍尔效应工作电极120的电连接，进而简化了制造工艺。
例如，图6和图7分别示出了本公开一个实施例的电子装置100的再一种结构的平面示意图和剖面示意图，图7示出的剖面示意图是沿图6所示的A-A’线剖切得到。
例如，如图7所示，该电子装置100还包括钝化层181，钝化层181设置在形成了源极114、漏极115的衬底基板190上。例如，钝化层181可以采用无机或有机材料形成。例如，钝化层181可以采用有机树脂、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiNxOy)或者氮化硅(SiNx)形成。例如，如图6和图7所示，第三连接线133和第四连接线134还可以形成在钝化层181上。此时，第三连接线133通过第一接触孔135与第一公共线142电连接，第四连接线134通过第二接触孔136与第二公共线143电连接，第三连接线133通过第三接触孔137与第三接触位置123电连接，第四连接线134通过第四接触孔138与第四接触位置124电连接。此种设置方式，可以通过钝化层保护数据线151、感测线152、第一连接线131、第二连接线132、源极114和漏极115不受灰尘和湿气的侵蚀。
例如，该电子装置100还可以包括防护层170，防护层170可以设置在第三连接线133、第四连接线134所在层组之上。例如，防护层170可以包括一层用于防止灰尘和湿气侵蚀的第一防护层。例如，第一防护层可以采用无机或有机材料形成。例如，第一防护层可以采用有机树脂、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiNxOy)或者氮化硅(SiNx)形成。例如，为了使得电子装置100的表面平坦，该防护层170还可以包括用于电子装置100表面平坦化的第二防护层。例如，第二防护层可以采用涂覆有机树脂形成。例如，当第一防护层和第二防护层均采用有机树脂形成时，第一防护层和第二防护层可以同时形成。
例如，该电子装置100还可以包括控制电路(图中未示出)，控制电路可以与数据线151和栅线141电连接，用于对栅线141施加扫描信号以及接收数据线151输出的电压信号。
例如，该电子装置100还可以包括模数转换器(图中未示出)和存储器(图中未示出)。模数转换器可以与数据线151和存储器电连接，数据线151输出霍尔电压信号，模数转换器被配置为将霍尔电压信号转换为数字信号，并将数字信号传递给存储器。
例如，图8是本公开另一个实施例提供的一种用于上述电子装置操作方法的流程图。如图8所示，该操作方法可以包括以下步骤：
步骤S10：向栅线施加扫描电压，并导通与之相连的像素单元中的薄膜晶体管；
步骤S20：通过第一公共线和第二公共线向霍尔效应工作电极施加第一电流；
步骤S30：通过数据线和感测线检测霍尔效应工作电极的霍尔电压信号，其中根据霍尔电压信号判断像素单元是否被操作。
例如，该操作方法还包括对按阵列排布的多个像素单元进行扫描，判断每个像素单元是否被操作，由此得到与多个像素单元对应的图像。
例如，首先，通过第一公共线和第二公共线向霍尔效应工作电极施加第一电流；在霍尔效应工作电极所在区域存在或不存在垂直于第一电流I方向的外加磁场分量B情况下，第一接触位置和第二接触位置之间的电压差分别为Vref和VH；然后，向栅线施加扫描电压，并依次导通与之相连的像素单元中的薄膜晶体管，由此可以通过数据线顺次检测被导通薄膜晶体管所在像素单元的第一接触位置和第二接触位置之间的电压差；最后，通过数据线和感测线检测得到霍尔效应工作电极的霍尔电压信号，判断被导通薄膜晶体管所在的像素单元是否被磁场操作，并由此得到与多个像素单元对应的图像，进而实现了书写信息的图像化。
例如，图9是本公开再一个实施例提供的一种电子复写系统的示意图。该电子复写系统10包括磁性笔200和本公开任一实施例所述的电子装置100。该磁性笔200包括由磁性材料制成的操作部(例如笔尖)。需要说明的是，对于该电子复写系统10的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该电子复写系统10可以利用霍尔效应实现书写信息的图像化。
例如，基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种电子装置100的制造方法。该电子装置100的制造方法包括：形成霍尔效应工作电极120，该霍尔效应工作电极120包括第一接触位置121、第二接触位置122、第三接触位置123和第四接触位置124，并且第一接触位置121和第二接触位置122的连线与第三接触位置123和第四接触位置124的连线相交；形成薄膜晶体管110，该薄膜晶体管110包括栅极111、源极114和漏极115，并且漏极115与第一接触位置121电连接；形成栅线141，该栅线141与栅极111电连接；形成第一公共线142，该第一公共线142通过第三接触位置123与霍尔效应工作电极120电连接；形成第二公共线143，该第二公共线143通过第四接触位置124与霍尔效应工作电极120电连接；形成数据线151，该数据线151与源极114电连接；以及形成感测线152，该感测线152与第二接触位置122电连接。
例如，图10是本公开再一个实施例提供的一种用于制造图1所示的电子装置100的工艺的剖面示意图，图10示出的剖面示意图是沿图1所示的A-A’线剖切得到。图11是本公开再一个实施例提供的一种电子装置的制造方法的流程图。以图1和图10所示出的情形为例，如图11所示，该制造方法可以包括以下步骤：
步骤S100：在衬底基板190上形成栅极111、栅线141、第一公共线142和第二公共线143；
步骤S200：形成栅绝缘层112；
步骤S300：在栅绝缘层112上形成半导体图案113和霍尔效应工作电极120；
步骤S400：在栅绝缘层112中形成第一接触孔135和第二接触孔136；
步骤S500：形成源极114、漏极115、数据线151、感测线152、第一连接线131、第二连接线132、第三连接线133、第四连接线134；
步骤S600：形成防护层170。
例如，如图10(a)所示，栅极111、栅线141、第一公共线142和第二公共线143可以使用同一构图工艺形成，栅线141与栅极111电连接。栅极111、栅线141、第一公共线142和第二公共线143例如可以采用金属材料(例如，铜、铝或者铝合金)形成。
例如，为了提供支撑和保护作用，栅极111、栅线141、第一公共线142和第二公共线143可以使用同一构图工艺形成在衬底基板190上。该衬底基板190可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板)或者由其它适合的材料制成的基板。
例如，如图10(b)所示，在形成了栅线141、第一公共线142、第二公共线143和栅极111衬底基板上可以形成栅绝缘层112。例如，形成栅绝缘层112的材料可以是氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiNxOy)、氮化硅(SiNx)或者其它适合的材料。
例如，如图10(c)所示，可以在栅绝缘层112上形成半导体图案113和霍尔效应工作电极120。例如，形成半导体图案113的材料可以是本征非晶硅(I-a-Si)、掺杂n+离子的非晶硅(n+-a-Si)、氢化非晶硅(a-Si：H)、IGZO或者其它适合的材料。例如，霍尔效应工作电极120可以由导体材料或半导体材料形成。例如，形成霍尔效应工作电极120的材料可以是非晶硅、多晶硅、砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)、IGZO或者其它适合的材料。
例如，如图10(d)所示，首先，可以在栅绝缘层112上对应于第一公共线142和第二公共线143的位置处可以分别形成第一接触孔135(如图1所示)和第二接触孔136。然后，可以在栅绝缘层112上形成源极114、漏极115、数据线151、感测线152、第一连接线131、第二连接线132、第三连接线133和第四连接线134。第一公共线142和第二公共线143分别通过第一接触孔135和第二接触孔136与第三连接线133和第四连接线134电连接。第一连接线131、第二连接线132、第三连接线133和第四连接线134与霍尔效应工作电极120接触的位置分别为第一接触位置121、第二接触位置122、第三接触位置123、第四接触位置124。第一接触位置121和第二接触位置122的连线与第三接触位置123和第四接触位置124的连线相交。漏极115、感测线152、第一公共线142和第二公共线143分别通过第一连接线131(接触位置)、第二连接线132(接触位置)、第三连接线133(接触位置)、第四连接线134(接触位置)与霍尔效应工作电极120电连接。由于数据线151与源极114电连接，因此数据线151通过薄膜晶体管110和第一连接线131(接触位置)与霍尔效应工作电极120电连接。
例如，如图10(e)所示，为了防止灰尘和湿气的侵蚀和/或使得电子装置100的表面平坦，该制造方法还包括在源极114、漏极115、数据线151、感测线152、第一连接线131、第二连接线132、第三连接线133和第四连接线134之上形成防护层170。例如，防护层170可以包括一层用于防止灰尘和湿气侵蚀的第一防护层。例如，第一防护层可以采用无机或有机材料形成。例如，第一防护层可以采用有机树脂、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiNxOy)或者氮化硅(SiNx)形成。例如，为了使得电子装置100的表面平坦，该防护层170还可以包括用于电子装置100表面平坦化的第二防护层。例如，第二防护层可以采用贴附玻璃基板、石英基板或塑料基板制成。又例如，第二防护层还可以采用涂覆有机树脂形成。例如，当第一防护层和第二防护层均采用有机树脂形成时，第一防护层和第二防护层可以同时形成。
例如，对于使用本公开的实施例提供的制造方法制造的电子装置100，可以通过第一公共线142和第二公共线143向霍尔效应工作电极120施加第一电流，当霍尔效应工作电极120所在区域存在垂直于第一电流I方向(即第三接触位置123和第四接触位置124的连线方向)的磁场分量B(即垂直于纸面的方向)，在同时垂直于第一电流I方向和磁场分量B方向的方向上会产生霍尔电压V。因此，第一接触位置121和第二接触位置122之间会存在电压差。当向栅线141施加扫描电压，并导通与之相连的像素单元300中的薄膜晶体管110后，可以通过数据线151和感测线152检测霍尔效应工作电极120的霍尔电压信号，并可以根据霍尔电压信号判断像素单元300是否被磁场操作。当对按阵列排布的多个像素单元300进行扫描时，可以判断每个像素单元300是否被磁场操作，由此可以得到与多个像素单元300对应的图像，进而实现了书写信息的图像化。
例如，为了进一步提升霍尔电压信号的信噪比以及所获取图像的图像质量，还可以形成磁性材料层(图10中未示出)。磁性材料层相对于霍尔效应工作电极120设置在与电子装置100的工作面相反的一侧。此时，可以增加垂直于第一电流I方向的磁场分量B，进而可以提升霍尔电压信号的信噪比以及所获取图像的图像质量。
例如，磁性材料层可以设置在衬底基板上远离霍尔效应工作电极120的一侧，此时制造工艺简单，并且在磁性材料层磁力减弱时便于维修。例如，磁性材料层可以设置在衬底基板上靠近霍尔效应工作电极120的一侧或者栅绝缘层112上靠近霍尔效应工作电极120的一侧，此时可以减少电子装置100的厚度。例如，可以设置整层磁性材料层，此时制造工艺简单。又例如，磁性材料层可以仅设置在霍尔效应工作电极120下方，此时可以避免磁场对于栅线141、第一公共线142、第二公共线143和数据线151产生影响。例如，磁性材料层可以通过贴附设置。又例如，磁性材料层还可以通过先在衬底或栅绝缘层112上沉积制造磁性材料的原材料，然后通过施加磁场使其获得磁性。
显然，本公开提供的电子装置100的制作方法不限于图1和和图10所示出的情形，还可以包括图6和图7所示的情形。其中，霍尔效应工作电极120可以不限于与半导体图案113同层形成，还可以与源极114和漏极115同层形成、或者在半导体图案113形成之后、在源极114和漏极115形成之前形成；第三连接线133和第四连接线134不限于与源极114和漏极115同层形成，还可以在源极114和漏极115形成之后形成。
本公开的实施例提供了一种电子装置及其制造方法、电子复写系统和电子装置的操作方法，利用霍尔效应实现了书写信息的图像化。
虽然上文中已经用一般性说明及具体实施方式，对本公开作了详尽的描述，但在本公开实施例基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本公开精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本公开要求保护的范围。

Claims (15)

1.一种电子装置，包括按阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括：
霍尔效应工作电极，包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，其中，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；
薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中，所述漏极与所述第一接触位置电连接；
栅线，与所述栅极电连接；
第一公共线，通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；
第二公共线，通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；
数据线，与所述源极电连接；以及
感测线，与所述第二接触位置电连接。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线垂直。
3.根据权利要求1项所述的电子装置，还包括磁性材料层，其中，所述电子装置包括工作面，所述磁性材料层相对于所述霍尔效应工作电极设置在与所述工作面相反的一侧。
4.根据权利要求1-3任一项所述的电子装置，还包括第一连接线和第二连接线，其中，所述第一连接线的两端分别与所述第一接触位置和所述漏极电连接，所述第二连接线的两端分别与所述第二接触位置和所述感测线电连接。
5.根据权利要求1-3任一项所述的电子装置，其中，所述霍尔效应工作电极由导体材料或半导体材料形成。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述薄膜晶体管还包括半导体图案，由所述半导体材料形成的所述霍尔效应工作电极与所述半导体图案同层形成。
7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，由所述导体材料形成的所述霍尔效应工作电极与所述源极、所述漏极同层形成。
8.根据权利要求1-3、6-7任一项所述的电子装置，还包括第三连接线和第四连接线，其中，所述第三连接线的两端分别与所述第三接触位置和所述第一公共线电连接，所述第四连接线的两端分别与所述第四接触位置和所述第二公共线电连接。
9.根据权利要求8所述的电子装置，还包括防护层，其中，所述防护层设置在所述第三连接线的远离所述栅极的一侧。
10.根据权利要求1-3、6-7任一项所述的电子装置，还包括控制电路，所述控制电路与所述数据线和所述栅线电连接，用于对所述栅线施加扫描信号以及接收所述数据线输出的电压信号。
11.一种用于如权利要求1-10任一项所述电子装置的操作方法，包括：
向所述栅线施加扫描电压，并导通与之相连的所述像素单元中的所述薄膜晶体管；
通过所述第一公共线和所述第二公共线向所述霍尔效应工作电极施加第一电流；
通过所述数据线和所述感测线检测所述霍尔效应工作电极的霍尔电压信号，其中根据所述霍尔电压信号判断所述像素单元是否被操作。
12.根据权利要求11所述的操作方法，其中，
对所述按阵列排布的多个像素单元进行扫描，判断每个像素单元是否被操作，由此得到与所述多个像素单元对应的图像。
13.一种电子复写系统，包括如权利要求1-10任一项所述的电子装置和磁性笔。
14.根据权利要求13所述的电子复写系统，其中，所述磁性笔包括由磁性材料制成的操作部。
15.一种电子装置的制造方法，包括：
形成霍尔效应工作电极，其中，所述霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；
形成薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述漏极与所述第一接触位置电连接；
形成栅线，其中，所述栅线与所述栅极电连接；
形成第一公共线，其中，所述第一公共线通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；
形成第二公共线，其中，所述第二公共线通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；
形成数据线，其中，所述数据线与所述源极电连接；以及
形成感测线，其中，所述感测线与所述第二接触位置电连接。
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