CN107221537A - 一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107221537A
CN107221537A CN201710524267.4A CN201710524267A CN107221537A CN 107221537 A CN107221537 A CN 107221537A CN 201710524267 A CN201710524267 A CN 201710524267A CN 107221537 A CN107221537 A CN 107221537A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pressure sensor
underlay substrate
base palte
array base
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710524267.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107221537B (zh
Inventor
周志伟
姚绮君
卢峰
刘亮
慎言
卞华锋
蔡中兰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201710524267.4A priority Critical patent/CN107221537B/zh
Publication of CN107221537A publication Critical patent/CN107221537A/zh
Priority to US15/862,594 priority patent/US10528173B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN107221537B publication Critical patent/CN107221537B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0414—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0414—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position
    • G06F3/04142—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position the force sensing means being located peripherally, e.g. disposed at the corners or at the side of a touch sensing plate
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/048—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI]
    • G06F3/0487—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser
    • G06F3/0489—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser using dedicated keyboard keys or combinations thereof
    • G06F3/04897—Special input arrangements or commands for improving display capability
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04105—Pressure sensors for measuring the pressure or force exerted on the touch surface without providing the touch position
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04106—Multi-sensing digitiser, i.e. digitiser using at least two different sensing technologies simultaneously or alternatively, e.g. for detecting pen and finger, for saving power or for improving position detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法。所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述衬底基板的显示区设置有多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管；至少一个压力传感器，所述压力传感器位于所述衬底基板的非显示区，所述压力传感器与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且采用同种材料制作，所述有源层包括沟道区与重掺杂区，所述压力传感器的方阻大于所述有源层的重掺杂区的方阻。本发明实施例的方案减小了压力传感器的面积。

Description

一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法
技术领域
本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法。
背景技术
目前，带有触控功能的显示面板作为一种信息输入工具被广泛应用于手机、平板电脑、公共场所大厅的信息查询机等各种显示产品中。这样，用户只需用手指触摸触控显示面板上的标识就能够实现对该电子设备的操作，消除了用户对其他输入设备(如键盘和鼠标等)的依赖，使人机交互更为简易。
为了更好地满足用户需求，通常在触控显示面板中设置有用于检测用户触摸触控显示面板时触控压力大小的压力传感器，使其不仅能够采集触控位置信息，而且能够采集触控压力大小，以丰富触控显示技术的应用范围。
现有技术中，压力传感器一般设置于触控显示面板的非显示区，但压力传感器的面积较大，不利于显示面板的窄边框化。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法，以减小压力传感器的面积。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底基板，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述衬底基板的显示区设置有多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管；
至少一个压力传感器，所述压力传感器位于所述衬底基板的非显示区，所述压力传感器与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且采用同种材料制作，所述有源层包括沟道区与重掺杂区，所述压力传感器的方阻大于所述有源层的重掺杂区的方阻。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括本发明任意实施例所述的阵列基板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本发明任意实施例所述的显示面板。
第四方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
在所述衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在所述衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器；
其中，所述像素单元包括薄膜晶体管，所述压力传感器与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且采用同种材料制作，所述压力传感器的方阻大于所述有源层的重掺杂区的方阻。
本发明实施例通过设置压力传感器的方阻大于有源层的重掺杂区的方阻，增大了压力传感器的方阻，当压力传感器的电阻一定时，使得压力传感器的面积可以做的更小，有利于显示装置的窄边框，并且减小阵列基板非显示区信号线之间的干扰。
附图说明
图1a是本发明实施例提供的一种阵列基板的示意图；
图1b是阵列基板沿剖面线A1-A2的剖面示意图；
图2是本发明实施例提供的一种薄膜导电材料示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种阵列基板的示意图；
图4是阵列基板沿剖面线B1-B2的剖面示意图；
图5是本发明实施例提供的一种压力传感器的示意图；
图6是本发明实施例提供的又一种阵列基板的示意图；
图7是本发明实施例提供的又一种压力传感器的示意图；
图8a是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图8b是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图9是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图；
图10是本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法的流程图；
图11a是本发明实施例提供的一种曝光工艺示意图；
图11b是本发明实施例提供的一种显影后光阻层的的示意图；
图11c是本发明实施例提供的一种压力传感器和有源层示意图；
图11d是本发明实施例提供的又一种显影后光阻层的示意图；
图12a是本发明实施例提供的图案化后的半导体层和光阻层的示意图；
图12b是本发明实施例提供的又一种显影后光阻层的示意图；
图12c是本发明实施例提供的又一种显影后光阻层的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本实施例提供了一种阵列基板，图1a是本发明实施例提供的一种阵列基板的示意图，图1b是阵列基板沿剖面线A1-A2的剖面示意图，参考图1a和图1b，所述阵列基板包括：
衬底基板10，衬底基板10包括显示区11和围绕显示区11的非显示区12，衬底基板10的显示区11设置有多个像素单元110，像素单元包括薄膜晶体管111；
至少一个压力传感器20，压力传感器20位于衬底基板10的非显示区12，压力传感器20与薄膜晶体管111的有源层101同层设置，且采用同种材料制作，有源层101包括沟道区101a与重掺杂区101b，压力传感器20的方阻大于有源层101的重掺杂区101b的方阻。
其中，薄膜晶体管111包括栅极102、有源层101、漏极103和源极104，其中，有源层101与栅极102相对应的区域为有源层101的沟道区101a，有源层101与漏极103和源极104相对应的区域为有源层101的重掺杂区101b。另外，方阻就是方块电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边之间的电阻。图2是本发明实施例提供的一种薄膜导电材料示意图，参考图2，薄膜导电材料的长为l，宽为w，膜厚为d，薄膜导电材料的电阻R＝ρ*l/(w*d)＝(ρ/d)*(l/w)，令l＝w，则方阻r＝ρ/d，其中，ρ为薄膜导电材料的电阻率。
现有技术中，压力传感器20与薄膜晶体管111的有源层101通常在同一工艺中形成，压力传感器20的方阻通常与有源层101的重掺杂区101b的方阻相同，导致压力传感器20的电阻一定的情况下，其面积较大，不利于显示装置的窄边框。并且由于阵列基板的非显示区通常会有多条信号线，压力传感器20的占用面积较大，挤占信号线的空间，使得信号线之间间距缩短，易造成短路或耦合。
本实施例通过设置压力传感器20的方阻大于有源层101的重掺杂区101b的方阻，增大了压力传感器20的方阻。对于块状的当压力传感器20的电阻一定时，压力传感器20的长度与宽度的比值可以做的更小，即宽度一定时，长度可以做的较小，从而可以减小压力传感器20的面积；对于由多个感应电阻组成的压力传感器20，感应电阻的电阻一定时，每一个感应电阻的长度与宽度的比值都可以做的更小，每一个感应电阻的面积均可以做的更小，从而可以减小压力传感器20的面积，有利于显示装置的窄边框，并且减小阵列基板非显示区信号线之间的干扰。
可选的，参考图1b，沿垂直于衬底基板10的方向，压力传感器20的厚度d1小于有源层101的重掺杂区101b的厚度d2。
具体的，在压力传感器20的电阻率一定的情况下，通过减小压力传感器20的膜厚，增大了压力传感器20的方阻，从而减小了压力传感器20的面积，有利于显示装置的窄边框，并且减小阵列基板非显示区信号线之间的干扰。
可选的，压力传感器20的掺杂浓度小于有源层101的重掺杂区101b的掺杂浓度。
具体的，在压力传感器20的膜层厚度一定的情况下，通过设置压力传感器20的掺杂浓度小于有源层101的重掺杂区101b的掺杂浓度，减小了压力传感器20的掺杂浓度，降低了压力传感器20的导电能力，即增大了压力传感器20的电阻率，从而增大了压力传感器20的方阻，减小了压力传感器20的面积，有利于显示装置的窄边框，并且减小阵列基板非显示区信号线之间的干扰。
可选的，压力传感器20和有源层101可以由多晶硅材料制成。可选的，压力传感器20可以采用P型掺杂或N型掺杂。
需要说明的是，可以通过保持压力传感器的膜厚与有源层的重掺杂区的膜厚相同，仅设置压力传感器的掺杂浓度小于重掺杂区的掺杂浓度来增大压力传感器的方阻，也可以通过保持压力传感器的掺杂浓度与有源层的重掺杂区的掺杂浓度一样，仅设置压力传感器的膜厚小于重掺杂区的膜厚来增大压力传感器的方阻，还可以即设置压力传感器的掺杂浓度小于重掺杂区的掺杂浓度，又设置压力传感器的膜厚小于重掺杂区的膜厚来增大压力传感器的方阻，本实施例并不做具体限定。
图3是本发明实施例提供的又一种阵列基板的示意图，可选的，参考图3，阵列基板还包括驱动电路30，用于为压力传感器20提供电源驱动信号；
距离驱动电路30较远压力传感器20的掺杂浓度小于距离驱动电路30较近的压力传感器的掺杂浓度。
具体的，驱动电路30通过电源信号线31与压力传感器20电连接，为压力传感器20提供电源驱动信号，与距离驱动电路30较远的压力传感器20电连接的电源信号线31的长度较长，电阻较大，导致电源信号线31分压较大，影响传输到压力传感器20的电源驱动信号，从而可能影响压力传感器20的压力检测精度。通过设置距离驱动电路30较远压力传感器20的掺杂浓度小于距离驱动电路30较近的压力传感器的掺杂浓度，使得距离驱动电路30较远的压力传感器20的方阻较大，从而使得在压力传感器20采用与距离驱动电路30较近的压力传感器20相同的面积或采用较小的面积时仍可以具有较大的电阻，增大压力传感器20的分压，保证传输到压力传感器20的电源驱动信号的强度，提高压力检测精度。
图4是阵列基板沿剖面线B1-B2的剖面示意图，可选的，参考图3和图4，阵列基板还包括驱动电路30，用于为压力传感器20提供电源驱动信号；
距离驱动电路30较远的压力传感器20沿垂直于衬底基板10的方向的厚度D1小于距离驱动电路30较近的压力传感器20的沿垂直于衬底基板10的方向的厚度D2。
具体的，通过设置距离驱动电路30较远的压力传感器20的厚度D1小于距离驱动电路30较近的压力传感器20的厚度D2，使得距离驱动电路30较远的压力传感器20的方阻较大，从而使得在压力传感器20采用与距离驱动电路30较近的压力传感器20相同的面积或采用较小的面积时仍可以具有较大的电阻，增大压力传感器20的分压，保证传输到压力传感器20的电源驱动信号的强度，提高压力检测精度。
图5是本发明实施例提供的一种压力传感器的示意图，图6是本发明实施例提供的又一种阵列基板的示意图，可选的，参考图5和图6，压力传感器20呈四边形，包括相对设置的第一边21和第二边22，以及相对设置的第三边23和第四边24；
压力传感器20包括位于第一边21的第一电源信号输入端Vin1和位于第二边22的第二电源信号输入端Vin2，用于向压力传感器20输入电源驱动信号；
压力传感器20还包括位于第三边23的第一感应信号测量端Vout1和位于第四边24的第二感应信号测量端Vout2，用于从压力传感器20输出压感检测信号。
在具体应用时，驱动电路30通过第一电源信号输入端Vin1和第二电源信号输入端Vin2对压力传感器20施加电源驱动信号后，当按压阵列基板时，阵列基板发生形变，压力传感器20发生相应的形变，其电阻发生变化，从而使得压力传感器20的第一感应信号测量端Vout1和第二感应信号测量端Vout2输出的压感检测信号之差与无按压时压力传感器20的第一感应信号测量端Vout1和第二感应信号测量端Vout2输出的压感检测信号之差不同，据此，可以确定触控压力的大小。
可选的，参考图6，阵列基板还包括多条数据线40，压力传感器20的一条对角线25与数据线40相互垂直。
具体的，压力传感器20的对角线与数据线40之间的夹角会影响压力传感器20识别触控压力大小的灵敏度。通过设置压力传感器20的一条对角线25与数据线40相互垂直，使得压力传感器20具有较大的识别触控压力大小的灵敏度，保证压力检测精度。另外，四边形的压力传感器20具有两条对角线，可以设置任意一条对角线与数据线40相互垂直，并不做具体限定。
图7是本发明实施例提供的又一种压力传感器的示意图，可选的，参考图7，压力传感器20包括第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4；
第一感应电阻R1的第一端以及第四感应电阻R4的第一端与第一电源信号输入端Vin1电连接，第一感应电阻R1的第二端以及第二感应电阻R2的第一端与第一感应信号测量端Vout1电连接，第四感应电阻R4的第二端以及第三感应电阻R3的第一端与第二感应信号测量端Vout2电连接，第二感应电阻R2的第二端以及第三感应电阻R3的第二端与第二电源信号输入端Vin2电连接；
第一电源信号输入端Vin1和第二电源信号输入端Vin2用于向压力传感器20输入电源驱动信号；第一感应信号测量端Vout1和第二感应信号测量端Vout2用于从压力传感器20输出压感检测信号。
具体的，第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4构成惠斯通电桥结构。当向第一电源信号输入端Vin1和第二电源信号输入端Vin2输入电源驱动信号时，惠斯通电桥中各支路均有电流通过。此时，按压阵列基板，压力传感器20因受到来自阵列基板上与其对应位置处剪切力的作用，其内部各电阻(包括第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4)的电阻阻值发生变化，从而使得压力传感器20的第一感应信号测量端Vout1和第二感应信号测量端Vout2的输出电信号之差与无按压时压力传感器20的第一感应信号测量端Vout1和第二感应信号测量端Vout2的输出电信号之差不同，据此，可以确定触控压力的大小。
需要说明的是，由于将惠斯通电桥设置于阵列基板上，当对阵列基板施加压力时，阵列基板发生形变，则设置在该阵列基板上的第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4均会发生形变，为了能够起到检测触控压力的大小的作用，需要要求第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4所感受的形变不同。
具体的，通过设置压力传感器的方阻大于有源层重掺杂区的方阻，使得第一感应电阻、第二感应电阻、第三感应电阻和第四感应电阻的电阻一定时，每一个电阻的面积都可以做的更小，减小了压力传感器的面积，有利于显示装置的窄边框，并且减小阵列基板非显示区信号线之间的干扰。
本实施例还提供了一种显示面板。图8a是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图，参考图8a，显示面板200可以包括本发明任意实施例所述的阵列基板100。具体的，参考图8a，显示面板200可以为液晶显示面板，还可以包括与阵列基板100相对设置的彩膜基板300，以及填充于阵列基板100和彩膜基板300之间的液晶层400。
图8b是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，参考图8b，显示面板200还可以为有机发光显示面板，则显示面板200还包括与阵列基板100相对设置的封装层500。
本实施例还提供了一种显示装置。图9是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图，参考图9，显示装置600包括本发明任意实施例所述的显示面板200。
本实施例还提供了一种阵列基板制作方法，图10是本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法的流程图，参考图10，所述阵列基板制作方法包括：
步骤310、提供一衬底基板。
其中，衬底基板包括显示区和围绕显示区的非显示区。
步骤320、在衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器。
其中，像素单元包括薄膜晶体管，压力传感器与薄膜晶体管的有源层同层设置，且采用同种材料制作，压力传感器的方阻大于有源层的重掺杂区的方阻。
本实施例通过设置压力传感器的方阻大于有源层的重掺杂区的方阻，增大了压力传感器的方阻，当压力传感器的电阻一定时，压力传感器面积可以做的更小，有利于显示装置的窄边框，并且减小阵列基板非显示区信号线之间的干扰。
可选的，薄膜晶体管的有源层与压力传感器在同一工艺中形成。
具体的，通过将薄膜晶体管的有源层和压力传感器在同一制作工艺中完成，能够有效减少一道硅材料膜制程，简化了阵列基板的制作工艺，降低了制作成本。
图11a是本发明实施例提供的一种曝光工艺示意图，图11b是本发明实施例提供的一种显影后光阻层的示意图，图11c是本发明实施例提供的一种压力传感器和有源层的示意图。参考图11a-图11c，在衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器可以包括如下步骤：
形成一半导体层50，半导体层50覆盖衬底基板10；
在半导体层50远离衬底基板10的一侧形成光阻层60；
采用半色调掩膜工艺对光阻层60进行曝光，并显影，使沿垂直于衬底基板10的方向，有源层的重掺杂区对应区域保留的光阻层60a的厚度h2大于压力传感器对应区域保留的光阻层60b的厚度h1；
对半导体层50和保留的光阻层60a和60b进行刻蚀，以使刻蚀后沿垂直于衬底基板10的方向，压力传感器20的厚度d1小于有源层101的重掺杂区101b的厚度d2。
具体的，在半色调掩膜工艺中，采用半色调掩膜70对光阻层60进行曝光，使得显影后，光阻层60可以形成厚度不同的图案，通过设置有源层101的重掺杂区101b对应区域保留的光阻层60a的厚度h2大于压力传感器20对应区域保留的光阻层60b的厚度h1，使得压力传感器20对应区域的半导体层50刻蚀掉的厚度大于重掺杂区101b对应区域的半导体层50刻蚀掉的厚度，即形成的压力传感器20的厚度d1小于有源层101的重掺杂区101b的厚度d2。
通过采用半色调掩膜工艺，使得在同一工艺中形成的压力传感器的厚度小于重掺杂区的厚度，使得压力传感器具有较大的方阻，一方面节省了工艺步骤，降低了工艺成本，另一方面减小压力传感器的面积，有利于显示装置的窄边框，并且减小阵列基板非显示区信号线之间的干扰。
需要说明的是，本实施例仅对形成压力传感器和有源层的步骤进行了说明，形成像素单元的其他膜层的工艺步骤与现有技术中类似，在此不做具体说明。另外，本实施例对有源层的沟道区的厚度等厚度并不做具体限定，图11a-图11c中仅示例性的示出了整个有源层的厚度相同，并非对本发明的限定。
图11d是本发明实施例提供的又一种显影后光阻层的示意图，可选的，参考图11d，阵列基板还包括驱动电路，用于为压力传感器提供电源驱动信号；在衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器之时，还包括：
采用半色调掩膜工艺对光阻层进行曝光，并显影，使距离驱动电路较远的压力传感器对应区域保留的光阻层60b1沿垂直于衬底基板10的方向的厚度H1小于距离驱动电路较近的压力传感器对应区域保留的光阻层60b2沿垂直于衬底基板10的方向的厚度H2；对半导体层和保留的光阻层60b1和60b2进行刻蚀，以使刻蚀后距离驱动电路较远的压力传感器沿垂直于衬底基板10的方向的厚度小于距离驱动电路较近的压力传感器沿垂直于衬底基板10的方向的厚度。
具体的，通过设置距离驱动电路较远的压力传感器的厚度小于距离驱动电路较近的压力传感器的厚度，使得距离驱动电路较远的压力传感器的方阻较大，从而使得在压力传感器采用与距离驱动电路较近的压力传感器相同的面积或采用较小的面积时仍可以具有较大的电阻，增大压力传感器的分压，保证传输到压力传感器的电源驱动信号的强度，提高压力检测精度。
图12a是本发明实施例提供的图案化后的半导体层和光阻层的示意图，图12b是本发明实施例提供的又一种显影后光阻层的示意图，参考图12a和图12b，在衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器包括：
形成一半导体层，半导体层覆盖衬底基板10；
图案化半导体层；形成与压力传感器对应的半导体图案50a和与有源层对应的半导体图案50b；
在半导体层远离衬底基板10的一侧形成一层光阻层60’；
采用半色调掩膜工艺对光阻层60’进行曝光，并显影，使有源层的重掺杂区101b对应区域保留的光阻层的厚度小于压力传感器对应区域保留的光阻层60c的厚度；
对图案化后的半导体层50a和50b进行掺杂，以使掺杂后形成的压力传感器的掺杂浓度小于有源层的重掺杂区的掺杂浓度。
具体的，在实际掺杂工艺中重掺杂区101b上并不保留光阻层，即重掺杂区101b对应区域保留的光阻层的厚度为零，压力传感器对应区域保留的光阻层60c的厚度可根据实际掺杂浓度需要进行设定，并不做具体限定。掺杂工艺中时，由于光阻层60c的阻挡，压力传感器对应的半导体图案50a的掺杂量小于正常重掺杂区101b对应半导体层的掺杂量，从而增大了压力传感器的方阻。
需要说明的是，本实施例仅对形成压力传感器和有源层的步骤进行了说明，形成像素单元的其他膜层的工艺步骤与现有技术中类似，在此不做具体说明。另外，有源层还可以包括沟道区与重掺杂区之间的轻掺杂区，本实施例仅示例性的示出了轻掺杂区和沟道区上保留的光阻层的厚度，并非对本发明的限定。
另外，为降低工艺难度，压力传感器器边缘的第一电源信号输入端、第二电源信号输入端、第一感应信号测量端以及第二感应信号测量端的掺杂浓度可以与有源层重掺杂区的掺杂浓度相同。
图12c是本发明实施例提供的又一种显影后光阻层的示意图，可选的，参考图12c，阵列基板还包括驱动电路，用于为压力传感器提供电源驱动信号；
在在衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器之时，还包括：
采用半色调掩膜工艺对光阻层进行曝光，并显影，使距离驱动电路较远压力传感器对应区域保留的光阻层60c1的厚度H3大于距离驱动电路较近的压力传感器对应区域保留的光阻层60c2的厚度H4；
对图案化后的半导体层进行掺杂，以使掺杂后形成的距离驱动电路较远的压力传感器的掺杂浓度小于距离驱动电路较近的压力传感器的掺杂浓度。
掺杂工艺中时，由于光阻层60c1和60c2的阻挡，距离驱动电路较远的压力传感器对应的半导体图案50a1的掺杂量小于距离驱动电路较近的压力传感器对应的半导体图案50a2的掺杂量，使掺杂后形成的距离驱动电路较远的压力传感器的掺杂浓度小于距离驱动电路较近的压力传感器的掺杂浓度，使得距离驱动电路较远的压力传感器的方阻较大，从而使得在压力传感器采用与距离驱动电路较近的压力传感器相同的面积或采用较小的面积时仍可以具有较大的电阻，增大压力传感器的分压，保证传输到压力传感器的电源驱动信号的强度，提高压力检测精度。
本实施例提供的阵列基板制作方法与本发明任意实施例提供的阵列基板属于同一发明构思，具有相应的有益效果。未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明任意实施例提供的阵列基板。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (18)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述衬底基板的显示区设置有多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管；
至少一个压力传感器，所述压力传感器位于所述衬底基板的非显示区，所述压力传感器与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且采用同种材料制作，所述有源层包括沟道区与重掺杂区，所述压力传感器的方阻大于所述有源层的重掺杂区的方阻。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：
沿垂直于所述衬底基板的方向，所述压力传感器的厚度小于所述有源层的重掺杂区的厚度。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：
所述压力传感器的掺杂浓度小于所述有源层的重掺杂区的掺杂浓度。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：
所述阵列基板还包括驱动电路，用于为所述压力传感器提供电源驱动信号；
距离所述驱动电路较远的所述压力传感器沿垂直于所述衬底基板的方向的厚度小于距离所述驱动电路较近的所述压力传感器的沿垂直于所述衬底基板的方向的厚度。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：
所述阵列基板还包括驱动电路，用于为所述压力传感器提供电源驱动信号；
距离所述驱动电路较远所述压力传感器的掺杂浓度小于距离所述驱动电路较近的所述压力传感器的掺杂浓度。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：
所述压力传感器采用P型掺杂或N型掺杂。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：
所述压力传感器呈四边形，包括相对设置的第一边和第二边，以及相对设置的第三边和第四边；
所述压力传感器包括位于所述第一边的第一电源信号输入端和位于所述第二边的第二电源信号输入端，用于向所述压力传感器输入电源驱动信号；
所述压力传感器还包括位于所述第三边的第一感应信号测量端和位于所述第四边的第二感应信号测量端，用于从所述压力传感器输出压感检测信号。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：
所述阵列基板还包括多条数据线，所述压力传感器的一条对角线与所述数据线相互垂直。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：
所述压力传感器包括第一感应电阻、第二感应电阻、第三感应电阻和第四感应电阻；
所述第一感应电阻的第一端以及所述第四感应电阻的第一端与第一电源信号输入端电连接，所述第一感应电阻的第二端以及所述第二感应电阻的第一端与第一感应信号测量端电连接，所述第四感应电阻的第二端以及所述第三感应电阻的第一端与第二感应信号测量端电连接，所述第二感应电阻的第二端以及所述第三感应电阻的第二端与第二电源信号输入端电连接；
所述第一电源信号输入端和所述第二电源信号输入端用于向所述压力传感器输入电源驱动信号；所述第一感应信号测量端和所述第二感应信号测量端用于从所述压力传感器输出压感检测信号。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：
所述压力传感器和所述有源层由多晶硅材料制成。
11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的显示面板。
13.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
在所述衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在所述衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器；
其中，所述像素单元包括薄膜晶体管，所述压力传感器与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且采用同种材料制作，所述压力传感器的方阻大于所述有源层的重掺杂区的方阻。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层与所述压力传感器在同一工艺中形成。
15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在所述衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器包括：
形成一半导体层，所述半导体层覆盖所述衬底基板；
在所述半导体层远离所述衬底基板的一侧形成光阻层；
采用半色调掩膜工艺对所述光阻层进行曝光，并显影，使沿垂直于所述衬底基板的方向，所述有源层的重掺杂区对应区域保留的光阻层的厚度大于所述压力传感器对应区域保留的光阻层的厚度；
对所述半导体层和保留的所述光阻层进行刻蚀，以使刻蚀后沿垂直于所述衬底基板的方向，所述压力传感器的厚度小于所述有源层的重掺杂区的厚度。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述阵列基板还包括驱动电路，用于为所述压力传感器提供电源驱动信号；
在所述衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在所述衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器之时，还包括：
采用半色调掩膜工艺对所述光阻层进行曝光，并显影，使距离所述驱动电路较远的所述压力传感器对应区域保留的光阻层沿垂直于所述衬底基板的方向的厚度小于距离所述驱动电路较近的所述压力传感器对应区域保留的光阻层沿垂直于所述衬底基板的方向的厚度；
对所述半导体层和保留的所述光阻层进行刻蚀，以使刻蚀后距离所述驱动电路较远的所述压力传感器沿垂直于所述衬底基板的方向的厚度小于距离所述驱动电路较近的所述压力传感器沿垂直于所述衬底基板的方向的厚度。
17.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在所述衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器包括：
形成一半导体层，所述半导体层覆盖所述衬底基板；
图案化所述半导体层；
在所述半导体层远离所述衬底基板的一侧形成一层光阻层；
采用半色调掩膜工艺对所述光阻层进行曝光，并显影，使所述有源层的重掺杂区对应区域保留的光阻层的厚度小于所述压力传感器对应区域保留的光阻层的厚度；
对图案化后的所述半导体层进行掺杂，以使掺杂后形成的所述压力传感器的掺杂浓度小于所述有源层的重掺杂区的掺杂浓度。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述阵列基板还包括驱动电路，用于为所述压力传感器提供电源驱动信号；
在在所述衬底基板的显示区形成多个像素单元，并在所述衬底基板的非显示区形成至少一个压力传感器之时，还包括：
采用半色调掩膜工艺对所述光阻层进行曝光，并显影，使距离所述驱动电路较远所述压力传感器对应区域保留的光阻层的厚度大于距离所述驱动电路较近的所述压力传感器对应区域保留的光阻层的厚度；
对图案化后的所述半导体层进行掺杂，以使掺杂后形成的距离所述驱动电路较远的所述压力传感器的掺杂浓度小于距离所述驱动电路较近的所述压力传感器的掺杂浓度。
CN201710524267.4A 2017-06-30 2017-06-30 一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法 Active CN107221537B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710524267.4A CN107221537B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法
US15/862,594 US10528173B2 (en) 2017-06-30 2018-01-04 Array substrate, display panel, display device and method for manufacturing array substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710524267.4A CN107221537B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107221537A true CN107221537A (zh) 2017-09-29
CN107221537B CN107221537B (zh) 2019-12-17

Family

ID=59951662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710524267.4A Active CN107221537B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10528173B2 (zh)
CN (1) CN107221537B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107656650A (zh) * 2017-09-30 2018-02-02 厦门天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板及其显示装置
CN107861654A (zh) * 2017-10-26 2018-03-30 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN109003990A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 上海中航光电子有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN110058713A (zh) * 2017-12-12 2019-07-26 三星显示有限公司 沿折叠轴可折叠的显示装置和用于驱动该显示装置的方法
CN111969021A (zh) * 2020-08-27 2020-11-20 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置及电子设备
CN113268151A (zh) * 2020-02-14 2021-08-17 华为技术有限公司 一种显示模组、电子设备及其控制方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111624797B (zh) * 2020-06-17 2022-08-19 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160011697A1 (en) * 2007-09-29 2016-01-14 Au Optronics Corporation Capacitive touch panel with low impedance
CN105511679A (zh) * 2015-12-25 2016-04-20 上海天马微电子有限公司 玻璃基板、触控显示屏及触控压力计算方法
CN106353943A (zh) * 2016-10-26 2017-01-25 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板以及驱动方法
US20170139518A1 (en) * 2015-11-17 2017-05-18 Samsung Display Co., Ltd. Pixel, display panel including the pixel, and method of manufacturing the display panel

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113327948A (zh) * 2015-12-28 2021-08-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
KR20180099725A (ko) * 2015-12-29 2018-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막 및 반도체 장치
KR102308648B1 (ko) * 2016-03-22 2021-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160011697A1 (en) * 2007-09-29 2016-01-14 Au Optronics Corporation Capacitive touch panel with low impedance
US20170139518A1 (en) * 2015-11-17 2017-05-18 Samsung Display Co., Ltd. Pixel, display panel including the pixel, and method of manufacturing the display panel
CN105511679A (zh) * 2015-12-25 2016-04-20 上海天马微电子有限公司 玻璃基板、触控显示屏及触控压力计算方法
CN106353943A (zh) * 2016-10-26 2017-01-25 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板以及驱动方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107656650A (zh) * 2017-09-30 2018-02-02 厦门天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板及其显示装置
CN107861654A (zh) * 2017-10-26 2018-03-30 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN107861654B (zh) * 2017-10-26 2020-12-18 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN110058713A (zh) * 2017-12-12 2019-07-26 三星显示有限公司 沿折叠轴可折叠的显示装置和用于驱动该显示装置的方法
CN109003990A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 上海中航光电子有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN109003990B (zh) * 2018-07-27 2020-11-03 上海中航光电子有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN113268151A (zh) * 2020-02-14 2021-08-17 华为技术有限公司 一种显示模组、电子设备及其控制方法
US11669189B2 (en) 2020-02-14 2023-06-06 Huawei Technologies Co., Ltd. Display module, electronic device, and electronic device control method
CN113268151B (zh) * 2020-02-14 2023-07-07 华为技术有限公司 一种显示模组、电子设备及其控制方法
US12130978B2 (en) 2020-02-14 2024-10-29 Huawei Technologies Co., Ltd. Display module, electronic device, and electronic device control method
CN111969021A (zh) * 2020-08-27 2020-11-20 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20180129331A1 (en) 2018-05-10
US10528173B2 (en) 2020-01-07
CN107221537B (zh) 2019-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107221537A (zh) 一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法
CN105511679B (zh) 玻璃基板、触控显示屏及触控压力计算方法
CN105677111A (zh) 一种阵列基板及显示面板
CN107092118A (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN107329615A (zh) 显示面板及显示装置
CN107422514B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
WO2018040578A1 (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN106292036A (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制作方法
CN107562276B (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN108037844A (zh) 触控显示面板和触控显示装置
CN107316838A (zh) 阵列基板、制作方法、触控显示面板及触控显示装置
CN107272961A (zh) 一种显示面板及显示装置
US20190004660A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel
CN107315505A (zh) 显示面板、触控显示装置及触控压力检测方法
CN107293553A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN106292035A (zh) 压感显示面板及其制造方法、压感显示装置
CN107527925A (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN107340914A (zh) 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN107168589A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN107340918A (zh) 一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置
US10895924B2 (en) Display substrate, display panel and display device
CN103235456B (zh) 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN107275346A (zh) 显示面板和显示装置
CN107340913A (zh) 显示面板及触控显示装置
US9029971B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing touch substrate

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant