CN106292036A - 一种阵列基板、显示装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示装置及其制作方法，阵列基板包括基板；数据线和扫描线；数据线和扫描线同层设置且材质相同；数据线在与扫描线的交叉处断开，或扫描线在与数据线的交叉处断开；第一绝缘层设置于数据线和扫描线上远离基板的一侧；第一绝缘层设置有多个第一过孔；位于第一绝缘层上方的第一跨桥以及触控走线，触控走线和第一跨桥同层设置且材质相同；第一跨桥通过第一过孔将与扫描线的交叉处断开的数据线电连接，或者通过第一过孔将与数据线的交叉处断开的扫描线电连接；位于第一跨桥以及触控走线上方的平坦化层；位于平坦化层上方的触控电极。本发明简化了制作工艺，提升了良率，改善了触控及显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及其制作方法。
背景技术
在显示技术领域，为了实现显示面板的薄型化和轻量化，越来越多的产品将显示和触控集成到同一个显示面板上。，比较常见的触控技术有In-cell触控技术和On-cell触控技术。其中，In-cell触控技术是指将触控面板功能嵌入到液晶显示面板内部的方法，On-cell触控技术是指将部分触控电极结构嵌入到彩膜基板和偏光板之间，另一部分嵌入到彩膜基板与阵列基板之间的方法。由于In-cell触控技术能够使显示器更轻薄，因此更被关注。
图1a为现有技术中提供的一种阵列基板的结构示意图，参见图1a，其制程主要包括以下步骤：S1、在基板11上形成一层遮光层12；S2、在所述遮光层12上方形成缓冲层118，在所述缓冲层118上方形成有源层13；S3、进行CHD沟道掺杂；S4、进行ND-N型沟道掺杂；S5、在所述有源层13上方形成栅绝缘层14，在所述栅绝缘层14上方形成第一金属层15，采用构图工艺刻蚀形成栅极和扫描线；S6、进行PD-P型沟道掺杂；S7、在所述栅极和扫描线上方形成层间绝缘层16；S8、在所述层间绝缘层16上方形成第二金属层17，采用构图工艺刻蚀形成源极、漏极和数据线；S9、在所述源极、漏极和数据线上方形成平坦化层18；S10、在所述平坦化层18上方形成第三金属层19，采用构图工艺刻蚀形成触控走线，并在所述触控走线上方第一绝缘层111；S11、在所述第一绝缘层111上方形成触控电极层，采用构图工艺刻蚀形成触控电极110；S12、在所述触控电极11上方形成第二绝缘层112，采用构图工艺刻蚀形成贯穿第二绝缘层112的第一过孔113、同时贯穿第二绝缘层112和第一绝缘层111的第二过孔114、及同时贯穿第二绝缘层112、第一绝缘层111和平坦化层18的第三过孔115；S13、在所述第二绝缘层112上方形成像素电极层，形成像素电极116以及跨桥结构117。
图1b为现有技术中提供的又一种阵列基板的结构示意图，参见图1b，其制程主要包括以下步骤：S1、在基板11上形成一层遮光层12；S2、在所述遮光层12上方形成缓冲层118，在所述缓冲层118上方形成有源层13；S3、进行CHD沟道掺杂；S4、进行ND-N型沟道掺杂；S5、在所述有源层13上方形成栅绝缘层14，在所述栅绝缘层14上方形成第一金属层15，采用构图工艺刻蚀形成栅极和扫描线；S6、进行PD-P型沟道掺杂；S7、在所述栅极和扫描线上方形成层间绝缘层16；S8、在所述层间绝缘层16上方形成第二金属层17，采用构图工艺刻蚀形成源极、漏极和数据线；S9、在所述源极、漏极和数据线上方形成平坦化层18；S10、在平坦化层18上方形成触控电极层，采用构图工艺刻蚀形成触控电极110；S11、在所述触控电极110上方形成第一绝缘层111；S12、在第一绝缘层111上方形成第三金属层19，采用构图工艺刻蚀形成触控走线；S12、在所述触控走线上方第二绝缘层112；S13、采用构图工艺刻蚀形成贯穿第二绝缘层112的第一过孔113、同时贯穿第二绝缘层112和第一绝缘层111的第二过孔114、及同时贯穿第二绝缘层113、第一绝缘层110和平坦化层18的第三过孔116；S13、在所述第二绝缘层112上方形成像素电极层，形成像素电极116以及跨桥结构117。
但现有技术中的In-cell触控技术，由于需要触控走线与触控电极的连接，因此，触控电极需要进行刻缝处理，并且触控走线和触控电极的制程均在平坦化层的制程之后，触控走线与平坦化层之间的高度差较大，容易使后续配向膜摩擦配向引起暗态漏光以及液晶扩散不均问题。此外，触控电极与触控走线之间的距离较小，导致二者耦合比较严重，加大了触控走线的负载，容易造成显示不均以及触控电极轮廓可见现象。
参见图1a和图1b，现有的In-cell触控技术需要一次同时形成三个不同深度的过孔(第一过孔113、第二过孔114以及第三过孔115)，工艺复杂，容易造成产品良率的下降。触控电极与触控走线之间需要像素电极层形成的跨桥结构进行电连接，容易导致触控电极与触控走线之间的接触电阻过大，降低触控灵敏度。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示装置及其制作方法，以实现简化制作工艺，提升良率，改善触控及显示效果的目的。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
基板；
绝缘交叉设置的数据线和扫描线；所述数据线和所述扫描线限定出多个矩阵式排列的像素单元；所述数据线和所述扫描线同层设置且材质相同；所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开，或所述扫描线在与所述数据线的交叉处断开；
第一绝缘层设置于所述数据线和所述扫描线上远离所述基板的一侧；所述第一绝缘层设置有多个第一过孔；
位于所述第一绝缘层上方的第一跨桥以及触控走线，所述触控走线和所述第一跨桥同层设置且材质相同；所述第一跨桥通过所述第一过孔将与所述扫描线的交叉处断开的所述数据线电连接，或者通过所述第一过孔将与所述数据线的交叉处断开的所述扫描线电连接；
位于所述第一跨桥以及所述触控走线上方的平坦化层；
位于所述平坦化层上方的触控电极。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：第一方面所述的阵列基板；
与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；
以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成第一金属层，并采用构图工艺对所述第一金属层刻蚀形成扫描线和数据线；所述数据线和所述扫描线限定出多个矩阵式排列的像素单元；所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开，或所述扫描线在与所述数据线的交叉处断开；
在所述第一金属层上形成第一绝缘层，并刻蚀所述第一绝缘层形成多个第一过孔，所述第一过孔露出所述数据线的断开端或者露出所述扫描线的断开端；
在所述第一绝缘层上形成第二金属层，并采用构图工艺在所述第二金属层上形成第一跨桥和触控走线；所述第一跨桥通过所述第一过孔连接所述数据线的两个断开端或者连接所述扫描线的两个断开端；
在所述第二金属层上形成平坦化层；
在所述平坦化层上形成触控电极材料层，并采用构图工艺刻蚀形成触控电极的图案。
本发明通过将数据线和扫描线同层设置，利用与触控走线相同材质且同层设置的第一跨桥将扫描线的交叉处断开的数据线电连接，或者将数据线的交叉处断开的扫描线电连接，从而可以减少一道金属层的制程，有效缩短了制备工艺时间。此外，由于触控走线位于平坦化层的下方，触控电极位于平坦化层的上方，因此可以降低触控走线和触控电极之间的电容耦合，有效降低了触控走线的负载。触控走线制作于平坦化层之前，有利于显示面板的平坦化效果，避免由于触控走线的凸起设置引起的暗态漏光以及液晶扩散不均的问题。本发明提供的阵列基板无需像现有技术中需要同时刻蚀多个深度不同的过孔，提升了产品制作良率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1a为现有技术中提供的一种阵列基板的结构示意图；
图1b为现有技术中提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图2a为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图2b为图2a中的虚线框区域20的局部放大图；
图2c为沿图2b中AA’方向的剖面结构示意图；
图2d为本发明实施例提供的一种阵列基板中数据线和扫描线的位置分布示意图；
图3a为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图；
图3b为图3a中的虚线框区域30的局部放大图；
图3c为图3a中的虚线框区域40的局部放大图；
图3d为沿图3b中BB’方向的剖面结构示意图；
图3e为沿图3c中CC’方向的剖面结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图；
图4b为图4a中的虚线框区域50的局部放大图；
图4c为沿图4b中DD’方向的剖面结构示意图；
图4d为本发明实施例提供的又一种阵列基板中数据线和扫描线的位置分布示意图；
图5a为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图；
图5b为图5a中的虚线框区域60的局部放大图；
图5c为图5a中的虚线框区域70的局部放大图；
图5d为沿图5b中EE’方向的剖面结构示意图；
图5e为沿图5c中FF’方向的剖面结构示意图；
图6a为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管中有源层的结构示意图；
图6b为本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管中有源层的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图2a为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图。图2b为图2a中的虚线框区域20的局部放大图。图2c为沿图2b中AA’方向的剖面结构示意图。结合图2a-图2c所示，阵列基板包括：
基板21以及绝缘交叉设置的数据线22和扫描线23。其中，数据线22和扫描线23限定出多个矩阵式排列的像素单元；数据线22和扫描线23同层设置且材质相同。数据线22在与扫描线23的交叉处断开。示例性的，如图2d所示，可以将数据线22沿第一方向设置，将扫描线23沿第二方向设置，且数据线22在与扫描线23的交叉处断开。
阵列基板还包括第一绝缘层24、位于第一绝缘层24上方的第一跨桥26以及触控走线27。其中第一绝缘层24设置于数据线22和扫描线23上远离基板21的一侧。第一绝缘层24设置有多个第一过孔25。触控走线27和第一跨桥26同层设置且材质相同。第一跨桥26通过第一过孔25将与扫描线23的交叉处断开的数据线22电连接。
阵列基板还包括平坦化层28和触控电极29，平坦化层28位于第一跨桥26以及触控走线27上方。触控电极29位于平坦化层28上方。
制作时，在提供的基板21上形成第一金属层，并采用构图工艺对所述第一金属层刻蚀形成扫描线23和数据线22。数据线22沿第一方向延伸，扫描线23沿第二方向延伸，且数据线22在与扫描线23的交叉处断开，形成例如图2d所示的图案。在第一金属层上形成第一绝缘层24，并刻蚀第一绝缘层24形成多个第一过孔25，第一过孔25露出数据线22的断开端，其中第一绝缘层24可以采用有机膜或者无机膜材料形成。在第一绝缘层24上形成第二金属层，并采用构图工艺在所述第二金属层上形成第一跨桥26和触控走线27。其中第一跨桥26通过第一过孔25将数据线22的两个断开端连接在一起。参见图2b，由于触控走线27和第一跨桥26同层设置且材质相同，因此本实施例中设置第一跨桥26与数据线22以及触控走线27的延伸方向相同，且触控走线27在第一跨桥26处弯折以使触控走线27与第一跨桥26相互绝缘。在所述第二金属层上形成平坦化层28，参见图2b所示，在平坦化层28中设置多个第三过孔210。在平坦化层28上形成触控电极材料层，并采用构图工艺刻蚀形成触控电极29的图案。触控电极29通过第三过孔210与对应的触控走线27电连接。
本发明实施例采用第一金属层同时制作出数据线和扫描线，其中数据线在与扫描线的交叉处断开，后续通过第一跨桥将断开的数据线连接，与现有技术中需要额外一层金属层(参见图1a和图1b中的第三金属层19)制备触控走线相比，减少一道金属制程，能够有效缩短阵列基板的制程时间。本实施例中触控走线位于平坦化层的下方，触控电极位于平坦化层的上方，因此可以降低触控走线和触控电极之间的电容耦合，有效降低了触控走线的负载。触控走线制作于平坦化层之前，有利于显示面板的平坦化效果，避免由于触控走线的凸起设置引起的暗态漏光以及液晶扩散不均的问题。现有技术中的阵列基板需要在触控电极与触控走线之间设置绝缘层以及在触控电极与像素电极之间设置绝缘层，而本发明实施例中的触控电极和触控走线分别位于平坦化层的两侧，因此可以节省一道绝缘层的制程。并且，与现有技术中的阵列基板相比，本发明实施例提供的阵列基板无需像现有技术中同时刻蚀多个深度不同的过孔，提升了产品制作良率。
图3a为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图。图3b为图3a中的虚线框区域30的局部放大图。图3c为图3a中的虚线框区域40的局部放大图。图3d为沿图3b中BB’方向的剖面结构示意图。图3e为沿图3c中CC’方向的剖面结构示意图。结合图3a-图3e所示，与图2a和图2b不同的是，第一跨桥26与数据线22以及触控走线27的延伸方向相同，且所述触控走线27在第一跨桥26处断开；阵列基板还包括多个第二跨桥211，第二跨桥211和触控电极29同层设置且材质相同。平坦化层28还包括多个第二过孔212。第二跨桥211通过第二过孔212将断开的触控走线27电连接。
参见图3b和图3d，在需要触控电极29和触控走线27进行连接的地方，触控电极29与对应的第二跨桥211直接连接。参见图3c和图3e，在无需触控电极29和触控走线27连接的地方，触控电极29与第二跨桥211是相互断开的。
由于本实施例中数据线22在与扫描线23的交叉处断开，第一跨桥26与数据线22以及触控走线27的延伸方向相同，且触控走线27在第一跨桥26处断开，因此制作时，在第二金属层上形成平坦化层28之后，还包括：在平坦化层28中刻蚀形成多个第二过孔212，露出触控走线27的断开端。在采用构图工艺刻蚀形成触控电极29的图案的同时，同步刻蚀形成多个第二跨桥211，第二跨桥211通过第二过孔212连接触控走线27的两个断开端。
本发明实施例由于无需将触控走线在第一跨桥处弯折，因此不会额外占用像素单元的开口面积，所以可以显示提高开口率。
图4a为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图。图4b为图4a中的虚线框区域50的局部放大图。图4c为沿图4b中DD’方向的剖面结构示意图。结合图4a-图4c所示，阵列基板包括：
基板21以及绝缘交叉设置的数据线22和扫描线23。其中，数据线22和扫描线23限定出多个矩阵式排列的像素单元；数据线22和扫描线23同层设置且材质相同。扫描线23在与数据线22的交叉处断开。示例性的，如图4c所示，可以将数据线22沿第一方向设置，将扫描线23沿第二方向设置，且扫描线23在与数据线22的交叉处断开。
阵列基板还包括第一绝缘层24、位于第一绝缘层24上方的第一跨桥26以及触控走线27。其中第一绝缘层24设置于数据线22和扫描线23上远离基板21的一侧。第一绝缘层24设置有多个第一过孔25。触控走线27和第一跨桥26同层设置且材质相同。第一跨桥26通过第一过孔25将与数据线22的交叉处断开的扫描线23电连接。
阵列基板还包括平坦化层28和触控电极29，平坦化层28位于第一跨桥26以及触控走线27上方。触控电极29位于平坦化层28上方。
制作时，在提供的基板21上形成第一金属层，并采用构图工艺对所述第一金属层刻蚀形成扫描线23和数据线22。数据线22沿第一方向延伸，扫描线23沿第二方向延伸，且扫描线23在与数据线22的交叉处断开，形成例如图4d所示的图案。在第一金属层上形成第一绝缘层24，并刻蚀第一绝缘层24形成多个第一过孔25，第一过孔25露出扫描线23的断开端，其中第一绝缘层24可以采用有机膜或者无机膜材料形成。在第一绝缘层24上形成第二金属层，并采用构图工艺在所述第二金属层上形成第一跨桥26和触控走线27。其中第一跨桥26通过第一过孔25将扫描线23的两个断开端连接在一起。参见图4a和图4b所示，由于触控走线27和第一跨桥26同层设置且材质相同，因此本实施例中设置第一跨桥26与扫描线23的延伸方向相同，且触控走线27在第一跨桥26处弯折以使触控走线27与第一跨桥26相互绝缘。在所述第二金属层上形成平坦化层28，参见图4a和图4b所示，在平坦化层28中设置多个第三过孔210。在平坦化层28上形成触控电极材料层，并采用构图工艺刻蚀形成触控电极29的图案。触控电极29通过第三过孔210与对应的触控走线27电连接。
图5a为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图。图5b为图5a中的虚线框区域60的局部放大图。图5c为图5a中的虚线框区域70的局部放大图。图5d为沿图5b中EE’方向的剖面结构示意图。图5e为沿图5c中FF’方向的剖面结构示意图。结合图5a-图5e所示，与图4a和图4b不同的是，
第一跨桥26与扫描线23的延伸方向相同，且触控走线27在第一跨桥26处断开；阵列基板还包括多个第二跨桥211，第二跨桥211和触控电极29同层设置且材质相同。平坦化层28还包括多个第二过孔212。第二跨桥211通过第二过孔212将断开的触控走线27电连接。
参见图5b和图5d，在需要触控电极29和触控走线27进行连接的地方，触控电极29与对应的第二跨桥211直接连接。参见图5c和图5e，在无需触控电极29和触控走线27连接的地方，触控电极29与第二跨桥211是相互断开的。
由于本实施例中扫描线23在与数据线22的交叉处断开，第一跨桥26余扫描线23的延伸方向相同，并且触控走线27在第一跨桥26处断开，因此制作时，在第二金属层上形成平坦化层28之后，还包括：在平坦化层28中刻蚀形成多个第二过孔212，露出触控走线27的断开端。在采用构图工艺刻蚀形成触控电极29的图案的同时，同步刻蚀形成多个第二跨桥211，第二跨桥211通过第二过孔212连接触控走线27的两个断开端。
本发明实施例由于无需将触控走线在第一跨桥处弯折，因此不会额外占用像素单元的开口面积，所以可以显示提高开口率。
在上述各实施例的基础上，每一像素单元包括一薄膜晶体管，如图6a所示，薄膜晶体管的有源层70为U字形。其中有源层70可以为低温多晶硅材料。扫描线23在有源层70上的投影与有源层70的U字形两个侧边部分交叠，形成双栅结构，如图6a中的虚线框71区域所示。或者如图6b所示，薄膜晶体管的有源层70为L形，扫描线23在有源层70上的投影与有源层70的L字形的两边部分交叠，形成双栅结构，如图6b中的虚线框72区域所示。薄膜晶体管的有源层70与扫描线23以及数据线22之间设置有栅极绝缘层213(如图2c、图3d、图3e、图4c、图5d、图5e所示)。在制作时，在基板21上形成第一金属层之前，采用构图工艺在基板21上形成有源层70，其中形成的有源层70的形状如图6a或图6b所示，在所述有源层70上形成栅极绝缘层213，在栅极绝缘层213上形成第一金属层。
需要说明的是，图2a-图6b中具有诸多相同之处，其相同之处在后续附图中沿用相同的附图标记，且相同之处不再赘述。
如图7所示，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述各实施例所述的阵列基板81，还包括与阵列基板81相对设置的彩膜基板82，以及位于所述阵列基板81和彩膜基板82之间的液晶层83。本实施例提供的显示装置包含上述阵列基板，其技术原理和产生的技术效果与上述阵列基板类似，这里不再累述。需要说明的是，本发明实施例提供的显示装置还可以包括其他用于支持显示装置正常工作的电路及器件，上述的显示装置可以为手机、平板电脑、电子纸、电子相框中的一种。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (19)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
绝缘交叉设置的数据线和扫描线；所述数据线和所述扫描线限定出多个矩阵式排列的像素单元；所述数据线和所述扫描线同层设置且材质相同；所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开，或所述扫描线在与所述数据线的交叉处断开；
第一绝缘层，设置于所述数据线和所述扫描线上远离所述基板的一侧；所述第一绝缘层设置有多个第一过孔；
位于所述第一绝缘层上方的第一跨桥以及触控走线，所述触控走线和所述第一跨桥同层设置且材质相同；所述第一跨桥通过所述第一过孔将与所述扫描线的交叉处断开的所述数据线电连接，或者通过所述第一过孔将与所述数据线的交叉处断开的所述扫描线电连接；
位于所述第一跨桥以及所述触控走线上方的平坦化层；
位于所述平坦化层上方的触控电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，若所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开，所述第一跨桥与所述数据线以及所述触控走线的延伸方向相同，且所述触控走线在所述第一跨桥处弯折以使所述触控走线与所述第一跨桥相互绝缘。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，若所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开，所述第一跨桥与所述数据线以及所述触控走线的延伸方向相同，且所述触控走线在所述第一跨桥处断开；
所述阵列基板还包括多个第二跨桥，所述第二跨桥和所述触控电极同层设置且材质相同；
所述平坦化层还包括多个第二过孔；所述第二跨桥通过所述第二过孔将断开的所述触控走线电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，若所述扫描线在与所述数据线的交叉处断开，所述第一跨桥与所述扫描线的延伸方向相同，且所述触控走线在所述第一跨桥处弯折以使所述触控走线与所述第一跨桥相互绝缘。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，若所述扫描线在与所述数据线的交叉处断开，所述第一跨桥与所述扫描线的延伸方向相同，且所述触控走线在所述第一跨桥处断开；
所述阵列基板还包括多个第二跨桥，所述第二跨桥和所述触控电极同层设置且材质相同；
所述平坦化层还包括多个第二过孔；所述第二跨桥通过所述第二过孔将断开的所述触控走线电连接。
6.根据权利要求2或4所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层设置有多个第三过孔，所述触控电极通过所述第三过孔与对应的所述触控走线电连接。
7.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极与对应的所述第二跨桥直接连接，以使所述触控电极与对应的触控走线电连接。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，每一所述像素单元均包括一薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的有源层为U字形，所述扫描线在所述有源层上的投影与所述有源层的U字形两个侧边部分交叠，形成双栅结构。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，每一所述像素单元均包括一薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的有源层为L字形，所述扫描线在所述有源层上的投影与所述有源层的L字形的两边部分交叠，形成双栅结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-9中任一项所述的阵列基板；
与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；
以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
11.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成第一金属层，并采用构图工艺对所述第一金属层刻蚀形成扫描线和数据线；所述数据线和所述扫描线限定出多个矩阵式排列的像素单元；所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开，或所述扫描线在与所述数据线的交叉处断开；
在所述第一金属层上形成第一绝缘层，并刻蚀所述第一绝缘层形成多个第一过孔，所述第一过孔露出所述数据线的断开端或者露出所述扫描线的断开端；
在所述第一绝缘层上形成第二金属层，并采用构图工艺在所述第二金属层上形成第一跨桥和触控走线；所述第一跨桥通过所述第一过孔连接所述数据线的两个断开端或者连接所述扫描线的两个断开端；
在所述第二金属层上形成平坦化层；
在所述平坦化层上形成触控电极材料层，并采用构图工艺刻蚀形成触控电极的图案。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，若所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开，所述第一跨桥与所述数据线以及所述触控走线的延伸方向相同，且所述触控走线在所述第一跨桥处弯折以使所述触控走线与所述第一跨桥相互绝缘。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，若所述数据线在与所述扫描线的交叉处断开，所述第一跨桥与所述数据线以及所述触控走线的延伸方向相同，且所述触控走线在所述第一跨桥处断开；
还包括：
在所述平坦化层中刻蚀形成多个第二过孔，露出所述触控走线的断开端；
在采用构图工艺刻蚀形成触控电极的图案的同时，同步刻蚀形成多个第二跨桥，所述第二跨桥通过所述第二过孔连接所述触控走线的两个断开端。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，若所述扫描线在与所述数据线的交叉处断开，所述第一跨桥与所述扫描线的延伸方向相同，且所述触控走线在所述第一跨桥处弯折以使所述触控走线与所述第一跨桥相互绝缘。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，若所述扫描线在与所述数据线的交叉处断开，所述第一跨桥与所述扫描线的延伸方向相同，且所述触控走线在所述第一跨桥处断开；
还包括：
在所述平坦化层中刻蚀形成多个第二过孔，露出所述触控走线的断开端；
在采用构图工艺刻蚀形成触控电极的图案的同时，同步刻蚀形成多个第二跨桥，所述第二跨桥通过所述第二过孔连接所述触控走线的两个断开端。
16.根据权利要求12或14所述的方法，其特征在于，在所述第二金属层上形成平坦化层之后还包括：
在所述平坦化层中刻蚀形成多个第三过孔，所述第三过孔露出部分所述触控走线；所述触控电极通过所述第三过孔与对应的所述触控走线电连接。
17.根据权利要求13或15所述的方法，其特征在于，所述触控电极与对应的所述第二跨桥直接连接，以使所述触控电极与对应的触控走线电连接。
18.根据权利要求11-15中任一项所述的方法，其特征在于，每一所述像素单元均包括一薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的有源层为U字形，所述扫描线在所述有源层上的投影与所述有源层的U字形两个侧边部分交叠，形成双栅结构。
19.根据权利要求11-15中任一项所述的方法，其特征在于，每一所述像素单元均包括一薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的有源层为L字形，所述扫描线在所述有源层上的投影与所述有源层的L字形的两边部分交叠，形成双栅结构。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170104 |