CN105094486A - 内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法 - Google Patents

内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法。该内嵌式自电容触控显示面板包括：阵列基板、CF基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层，光线自CF基板一侧入射、自阵列基板一侧出射。阵列基板包括：多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)、多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)、以及呈矩阵式排列的多个像素电极(50)；触控扫描线与栅极扫描线(11)共用，触控接收线与数据线(41)共用，触控自电容与像素电极(50)共用，能够在不增加现有阵列基板的工艺流程的前提下，实现内嵌式自电容触控功能，降低面板的驱动成本。该内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，能够不增加现有阵列基板的工艺流程，降低面板的驱动成本。

Description

内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。触控显示面板将触控面板和液晶显示面板结合为一体，使得液晶显示面板同时具备显示和感知触控输入的功能。
液晶显示面板通常是由一彩膜基板(ColorFilter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向(VerticalAlignment，VA)型、扭曲向列(TwistedNematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwistedNematic，STN)型、平面转换(In-PlaneSwitching，IPS)型、及边缘场开关(FringeFieldSwitching，FFS)型。其中IPS型液晶显示面板中的液晶分子相对于基板面平行取向，通过对液晶层施加横向电场来控制液晶分子的旋转。
TFT阵列基板是液晶显示面板的重要组成部分。TFT阵列基板通常包括数据线、扫描线、公共电极线、公共电极、像素电极和TFT。每个像素电性连接一个TFT，TFT的栅极(Gate)连接至水平的扫描线，TFT的源极(Source)连接至竖直方向的数据线，漏极(Drain)则连接至像素电极。在水平扫描线上施加足够的电压，会使得电性连接至该条扫描线上的所有TFT打开，从而数据线上的信号电压能够写入像素，控制不同液晶的透光度进而达到显示的效果。
触控显示面板依感应技术不同可分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种，目前主流的触控技术为电容式，其中电容式又分为自电容式和互电容式。触控显示面板根据结构不同可划分为：触控电路覆盖于液晶盒上式(OnCell)，触控电极内嵌在液晶盒内式(InCell)、以及外挂式。其中，内嵌式触控显示面板具有轻薄、无需边框、可实现全平面设计等诸多优点，成为目前触控技术领域内的研究热点之一。
现有的内嵌式自电容触控显示面板通常需要一套触控线路(包括触控扫描线、触控接收线、及触控自电容)与驱动控制部分以实现触控功能，面板的制程工艺具有一定难度，面板的驱动成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种内嵌式自电容触控显示面板，能够在不增加现有阵列基板的工艺流程的前提下，实现内嵌式自电容触控功能，降低面板的驱动成本。
本发明的目的还在于提供一种内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，能够不增加现有阵列基板的工艺流程，降低面板的驱动成本。
为实现上述目的，本发明提供了一种内嵌式自电容触控显示面板，包括：阵列基板、CF基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层，光线自CF基板一侧入射、自阵列基板一侧出射；
所述阵列基板包括：多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线、多条沿竖直方向间隔设置的数据线、以及呈矩阵式排列的多个像素电极，所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线与多条沿竖直方向间隔设置的数据线相互绝缘交错，划分出多个子像素区域，每一像素电极对应位于一子像素区域内；
触控扫描线与所述栅极扫描线共用，触控接收线与所述数据线共用，触控自电容与所述像素电极共用；
将一帧画面的时间分为显示时间和触控时间；在显示时间内，所述栅极扫描线传输栅极扫描信号，所述数据线传输像素灰阶信号，所述像素电极用于形成存储电容和液晶电容；在触控时间内，所述栅极扫描线用作触控扫描线传输触控扫描信号，所述数据线用作触控接收线感应触控信号，所述像素电极用作触控自电容。
所述阵列基板还包括：对应每一像素电极设置的TFT、及与像素电极相对设置的整片式公共电极；
一栅极绝缘层覆盖所述栅极扫描线、TFT的栅极，所述数据线设于所述栅极绝缘层上，TFT的岛状有源层设于所述栅极绝缘层上，TFT的源极与漏极分别与所述岛状有源层连接，所述像素电极设于所述栅极绝缘层上并与TFT的漏极连接，一绝缘保护层覆盖所述数据线、像素电极、TFT的源极与漏极，所述公共电极铺设于所述绝缘保护层上。
所述像素电极为平板状，所述公共电极为覆盖所有子像素区域的整片式结构；所述公共电极在与每一所述像素电极相对的范围内开设有数个长条形通孔。
所述栅极扫描线、数据线、及所述TFT的栅极、源极、与漏极的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度均为
所述像素电极与公共电极的材料均为ITO，厚度均为
所述栅极绝缘层与绝缘保护层的材料均为氮化硅，厚度均为 所述岛状有源层的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为
本发明还提供一种内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极扫描线和与栅极扫描线一体的栅极；
所述栅极扫描线还用作触控扫描线；
步骤2、在所述栅极扫描线和栅极上沉积栅极绝缘层，再在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层；
步骤3、在所述岛状有源层和栅极绝缘层上沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理，形成数据线、与数据线一体并连接所述岛状有源层的源极、及连接所述岛状有源层的漏极；
所述栅极、源极、漏极与岛状有源层构成TFT；
所述数据线还用作触控接收线；
步骤4、在所述栅极绝缘层、数据线、源极、及漏极上沉积第一透明导电薄膜，并对该第一透明导电薄膜进行图案化处理，形成呈矩阵式排列的多个像素电极，每一像素电极对应连接一个TTF的漏极；
所述像素电极还用作触控自电容；
步骤5、在所述数据线、像素电极、源极与漏极上沉积绝缘保护层，并对该绝缘保护层进行图案化处理；
步骤6、在所述绝缘保护层上沉积第二透明导电薄膜，并对该第二透明导电薄膜进行图案化处理，形成与所有像素电极相对设置的整片式公共电极，所述整片式公共电极在与每一所述像素电极相对的范围内开设有数个长条形通孔；
至此完成阵列基板的制作；
步骤7、提供CF基板，将CF基板与阵列基板对组，在两基板之间灌注液晶，形成液晶层。
所述步骤1通过物理气相沉积工艺沉积第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤2通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积栅极绝缘层与半导体膜，对该半导体膜进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤3通过物理气相沉积工艺沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理包括曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤4通过物理气相沉积工艺沉积第一透明导电薄膜，对该第一透明导电薄膜进行图案化处理包括曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤5通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积绝缘保护层，对该绝缘保护层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤6通过物理气相沉积工艺沉积第二透明导电薄膜，对该第二透明导电薄膜进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
所述步骤1中的第一金属层、所述步骤3中的第二金属层的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度均为
所述步骤2中的栅极绝缘层、所述步骤5中的绝缘保护层的材料均为氮化硅，厚度均为所述步骤2中的半导体膜的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为
所述步骤4中第一透明导电薄膜、所述步骤6中第二透明导电薄膜的材料均为ITO，厚度均为
本发明的有益效果：本发明提供的一种内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法，将触控扫描线与栅极扫描线共用，触控接收线与数据线共用，触控自电容与像素电极共用，能够在不增加现有阵列基板的工艺流程的前提下，实现内嵌式自电容触控功能，降低面板的驱动成本。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明内嵌式自电容触控显示面板的阵列基板的俯视示意图；
图2为本发明内嵌式自电容触控显示面板的驱动时序示意图；
图3为本发明内嵌式自电容触控显示面板的触控驱动原理示意图；
图4为本发明内嵌式自电容触控显示面板的制作方法的流程图；
图5为本发明内嵌式自电容触控显示面板的制作方法的步骤1的示意图；
图6为本发明内嵌式自电容触控显示面板的制作方法的步骤2的示意图；
图7为本发明内嵌式自电容触控显示面板的制作方法的步骤3的示意图；
图8为本发明内嵌式自电容触控显示面板的制作方法的步骤4的示意图；
图9为本发明内嵌式自电容触控显示面板的制作方法的步骤6的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明首先提供一种内嵌式自电容触控显示面板，包括：阵列基板、CF基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层，光线自CF基板一侧入射、自阵列基板一侧出射。
请参阅图1，所述阵列基板包括：
多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线11；
多条沿竖直方向间隔设置的数据线41，所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线11与多条沿竖直方向间隔设置的数据线41相互绝缘交错，划分出多个子像素区域；
呈矩阵式排列的多个像素电极50，每一像素电极50对应位于一子像素区域内，所述像素电极50为平板状；
对应每一像素电极50设置的TFTT；
及与所有像素电极50相对设置的整片式公共电极60，所述整片式公共电极60在与每一所述像素电极50相对的范围内开设有数个长条形通孔61，使得像素电极50与公共电极60之间能够形成横向电场。
一栅极绝缘层(未图示)覆盖所述栅极扫描线11、TFTT的栅极13；所述数据线41设于所述栅极绝缘层上；TFT的岛状有源层30设于所述栅极绝缘层上；TFTT的源极45与漏极47分别与所述岛状有源层30连接；所述像素电极50设于所述栅极绝缘层上并与TFTT的漏极47连接。一绝缘保护层(未图示)覆盖所述数据线41、像素电极50、TFTT的源极45与漏极47；所述整片式公共电极60铺设于所述绝缘保护层上。
具体地，所述栅极扫描线11、数据线41、及所述TFTT的栅极13、源极45、与漏极47的材料均为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的组合，厚度均为所述像素电极50与公共电极60的材料均为氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)，厚度均为所述栅极绝缘层与绝缘保护层的材料均为氮化硅(SiNx)，厚度均为所述岛状有源层30的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为
特别需要说明的是，触控扫描线与所述栅极扫描线11共用，触控接收线与所述数据线41共用，触控自电容与所述像素电极50共用，能够在不增加现有阵列基板的工艺流程的前提下，实现内嵌式自电容触控功能。
请同时参阅图2和图3，本发明的内嵌式自电容触控显示面板采用显示与触控分时进行，即将一帧画面的时间分为显示时间和触控时间两部分：在显示时间内，所述栅极扫描线11传输栅极扫描信号，所述数据线41传输像素灰阶信号，所述像素电极50用于形成存储电容和液晶电容，正常显示画面；在触控时间内，所述栅极扫描线11用作触控扫描线传输触控扫描信号，所述数据线41用作触控接收线感应触控信号，所述像素电极50用作触控自电容，实现内嵌式自电容触控功能。
具体地，如图3所示，在触控时间内，假设第n(n为正整数)条栅极扫描线11传输触控扫描信号G(n)，则位于第n行的所有TFT打开，使得位于第n行的各个像素电极50分别通过一TFT与相应的一条数据线41导通，各条数据线41内分别传输脉冲信号。此时，若手指触摸到第n行、第m(m为正整数)列的像素电极50，则会影响该像素电极50处的电容，同时与该像素电极50导通的第m条数据线41内传输的脉冲信号D(m)因感应到电容的差异而变化，即该第m条数据线41用作触控接收线感应触控信号，从而确定出触控信号所在的位置。
所述栅极扫描信号与触控扫描信号均由栅极驱动器提供，不需要为实现触控功能增加额外的驱动控制部分，可以降低面板的驱动成本。
所述CF基板的结构与现有的IPS型液晶显示面板中的CF基板相同，具有彩膜光阻、黑色矩阵、光阻间隔物、及配向膜等组成部分，此处不展开详述。
请参阅图4，本发明还提供一种内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图5所示，提供一基板，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极扫描线11和与栅极扫描线11一体的栅极13；所述栅极扫描线11还用作触控扫描线。
具体地，该步骤1通过物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)工艺沉积第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
所述第一金属层的材料为Mo、Al、Cu中的一种或多种的组合，厚度为
步骤2、如图6所示，在所述栅极扫描线11和栅极13上沉积栅极绝缘层，再在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层30。
具体地，该步骤2通过等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)工艺沉积栅极绝缘层(未图示)与半导体膜，对该半导体膜进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻。
所述栅极绝缘层的材料为SiNx，厚度为所述半导体膜的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为
步骤3、如图7所示，在所述岛状有源层30和栅极绝缘层上沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理，形成数据线41、与数据线41一体并连接所述岛状有源层30的源极45、及连接所述岛状有源层30的漏极47。所述栅极13、源极45、漏极47与岛状有源层30构成TFTT。所述数据线41还用作触控接收线。
具体地，该步骤3通过PVD工艺沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理包括曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
所述第二金属层的材料为Mo、Al、Cu中的一种或多种的组合，厚度为
步骤4、如图8所示，在所述栅极绝缘层、数据线41、源极45、及漏极47上沉积第一透明导电薄膜，并对该第一透明导电薄膜进行图案化处理，形成呈矩阵式排列的多个像素电极50，每一像素电极50对应连接一个TTFT的漏极47。所述像素电极50为平板状，还用作触控自电容。
具体地，该步骤4通过PVD工艺沉积第一透明导电薄膜，对该第一透明导电薄膜进行图案化处理包括曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
所述第一透明导电薄膜的材料为ITO，厚度为
步骤5、在所述数据线41、像素电极50、源极45与漏极47上沉积绝缘保护层(未图示)，并对该绝缘保护层进行图案化处理，在外围走线区和Pad区形成圆形过孔。
具体地，该步骤5通过PECVD工艺沉积绝缘保护层，对该绝缘保护层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻。
所述绝缘保护层的材料为SiNx，厚度为
步骤6、如图9所示，在所述绝缘保护层上沉积第二透明导电薄膜，并对该第二透明导电薄膜进行图案化处理，形成与所有像素电极50相对设置的整片式公共电极60，所述整片式公共电极60在与每一所述像素电极50相对的范围内开设有数个长条形通孔61；至此完成阵列基板的制作。
具体地，该步骤6通过PVD工艺沉积第二透明导电薄膜，对该第二透明导电薄膜进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
所述第二透明导电薄膜的材料为ITO，厚度为
步骤7、提供CF基板，将CF基板与阵列基板对组，在两基板之间灌注液晶，形成液晶层。
上述方法并不增加阵列基板的工艺流程，制作出的内嵌式自电容触控显示面板采用显示与触控分时进行，将一帧画面的时间分为显示时间和触控时间两部分：在显示时间内，所述栅极扫描线11传输栅极扫描信号，所述数据线41传输像素灰阶信号，所述像素电极50用于形成存储电容和液晶电容，正常显示画面；在触控时间内，所述栅极扫描线11用作触控扫描线传输触控扫描信号，所述数据线41用作触控接收线感应触控信号，所述像素电极50用作触控自电容，实现了内嵌式自电容触控功能。所述栅极扫描信号与触控扫描信号均由栅极驱动器提供，不需要为实现触控功能增加额外的驱动控制部分，可以降低面板的驱动成本。
综上所述，本发明的内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法，将触控扫描线与栅极扫描线共用，触控接收线与数据线共用，触控自电容与像素电极共用，能够在不增加现有阵列基板的工艺流程的前提下，实现内嵌式自电容触控功能，降低面板的驱动成本。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，包括：阵列基板、CF基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层，光线自CF基板一侧入射、自阵列基板一侧出射；
所述阵列基板包括：多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)、多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)、以及呈矩阵式排列的多个像素电极(50)，所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)与多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)相互绝缘交错，划分出多个子像素区域，每一像素电极(50)对应位于一子像素区域内；
触控扫描线与所述栅极扫描线(11)共用，触控接收线与所述数据线(41)共用，触控自电容与所述像素电极(50)共用；
将一帧画面的时间分为显示时间和触控时间；在显示时间内，所述栅极扫描线(11)传输栅极扫描信号，所述数据线(41)传输像素灰阶信号，所述像素电极(50)用于形成存储电容和液晶电容；在触控时间内，所述栅极扫描线(11)用作触控扫描线传输触控扫描信号，所述数据线(41)用作触控接收线感应触控信号，所述像素电极(50)用作触控自电容。
2.如权利要求1所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：对应每一像素电极(50)设置的TFT(T)、及与像素电极(50)相对设置的公共电极(60)；
一栅极绝缘层覆盖所述栅极扫描线(11)、TFT(T)的栅极(13)，所述数据线(41)设于所述栅极绝缘层上，TFT的岛状有源层(30)设于所述栅极绝缘层上，TFT(T)的源极(45)与漏极(47)分别与所述岛状有源层(30)连接，所述像素电极(50)设于所述栅极绝缘层上并与TFT(T)的漏极(47)连接，一绝缘保护层覆盖所述数据线(41)、像素电极(50)、TFT(T)的源极(45)与漏极(47)，所述公共电极(60)铺设于所述绝缘保护层上。
3.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述像素电极(50)为平板状，所述公共电极(60)为覆盖所有子像素区域的整片式结构；所述公共电极(60)在与每一所述像素电极(50)相对的范围内开设有数个长条形通孔(61)。
4.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述栅极扫描线(11)、数据线(41)、及所述TFT(T)的栅极(13)、源极(45)、与漏极(47)的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度均为
5.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述像素电极(50)与公共电极(60)的材料均为ITO，厚度均为
6.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述栅极绝缘层与绝缘保护层的材料均为氮化硅，厚度均为所述岛状有源层(30)的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为
7.一种内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极扫描线(11)和与栅极扫描线(11)一体的栅极(13)；
所述栅极扫描线(11)还用作触控扫描线；
步骤2、在所述栅极扫描线(11)和栅极(13)上沉积栅极绝缘层，再在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层(30)；
步骤3、在所述岛状有源层(30)和栅极绝缘层上沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理，形成数据线(41)、与数据线(41)一体并连接所述岛状有源层(30)的源极(45)、及连接所述岛状有源层(30)的漏极(47)；
所述栅极(13)、源极(45)、漏极(47)与岛状有源层(30)构成TFT(T)；
所述数据线(41)还用作触控接收线；
步骤4、在所述栅极绝缘层、数据线(41)、源极(45)、及漏极(47)上沉积第一透明导电薄膜，并对该第一透明导电薄膜进行图案化处理，形成呈矩阵式排列的多个像素电极(50)，每一像素电极(50)对应连接一个TTF(T)的漏极(47)；
所述像素电极(50)还用作触控自电容；
步骤5、在所述数据线(41)、像素电极(50)、源极(45)与漏极(47)上沉积绝缘保护层，并对该绝缘保护层进行图案化处理；
步骤6、在所述绝缘保护层上沉积第二透明导电薄膜，并对该第二透明导电薄膜进行图案化处理，形成与所有像素电极(50)相对设置的整片式公共电极(60)，所述整片式公共电极(60)在与每一所述像素电极(50)相对的范围内开设有数个长条形通孔(61)；
至此完成阵列基板的制作；
步骤7、提供CF基板，将CF基板与阵列基板对组，在两基板之间灌注液晶，形成液晶层。
8.如权利要求7所述的内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤1通过物理气相沉积工艺沉积第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤2通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积栅极绝缘层与半导体膜，对该半导体膜进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤3通过物理气相沉积工艺沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理包括曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤4通过物理气相沉积工艺沉积第一透明导电薄膜，对该第一透明导电薄膜进行图案化处理包括曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤5通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积绝缘保护层，对该绝缘保护层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤6通过物理气相沉积工艺沉积第二透明导电薄膜，对该第二透明导电薄膜进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
9.如权利要求7所述的内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中的第一金属层、所述步骤3中的第二金属层的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度均为
10.如权利要求7所述的内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中的栅极绝缘层、所述步骤5中的绝缘保护层的材料均为氮化硅，厚度均为所述步骤2中的半导体膜的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为
所述步骤4中第一透明导电薄膜、所述步骤6中第二透明导电薄膜的材料均为ITO，厚度均为
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