CN110164963A - 一种薄膜晶体管以及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种薄膜晶体管以及采用上述薄膜晶体管的显示面板，源/漏极层、有源层、栅极层、电容层以及多个绝缘层，有源层设置于源/漏极层和栅极层之间，储能层设置于栅极层远离有源层的一侧，源/漏极层、有源层、栅极层以及电容层两两之间分别设置有一所述绝缘层。采用上述薄膜晶体管，将第一扫描线、第二扫描线以及信号接收线与栅极层制作于同一层，使得触控传感器的信号接收线与栅极层共用同层金属，省去了单独制作用于设置信号接收线的层级；第一数据线、第二数据线以及信号驱动线与源/漏极层制作于同一层，使得触控传感器的信号驱动线与源/漏极层共用同层金属。这样，显示面板上无需单独设置触控电路，降低了显示面板的厚度。

Description

一种薄膜晶体管以及显示面板
技术领域
本发明涉及面板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管以及采用上述薄膜晶体管的显示面板。
背景技术
随着液晶显示屏幕的发展，超薄、重量轻、低功耗的屏幕需求不断被提出。其中，由OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)制作的屏幕因其自发光、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板等优异特性，正受到越来越多的关注和青睐。
OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO)，与电力之正极相连，再加上空穴传输层、发光层与电子传输层以及另一个金属阴极，包成如三明治的结构。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电子就会在发光层中结合，产生光亮，材料不同产生红、绿和蓝三原色，构成基本色彩，这样通过控制电力的强弱即可显示灰阶色彩，最终达到显示图像的目的。
其中，薄膜晶体管的性能以及出光率决定了OLED显示屏的市场竞争力。目前市场上的由低温多晶硅制作的显示屏具有较好的性能，但是，由于大多OLED显示屏是从阴极出光，要实现触控功能，需要在阴极之上额外做触控传感器，极大地增加了显示设备的厚度以及制作成本。
发明内容
基于此，有必要提供一种降低厚度以及生产成本的薄膜晶体管以及采用上述薄膜晶体管的显示面板。
一种薄膜晶体管，包括：源/漏极层、有源层、栅极层、电容层以及多个绝缘层，所述有源层设置于所述源/漏极层和所述栅极层之间，所述电容层设置于所述栅极层远离所述有源层的一侧，所述源/漏极层、所述有源层、所述栅极层以及所述电容层两两之间分别设置有一所述绝缘层；所述栅极层包括栅极层本体、第一扫描线、第二扫描线以及信号接收线，所述第一扫描线、所述第二扫描线以及所述信号接收线分别与所述栅极层本体连接；所述源/漏极层包括源/漏极层本体、第一数据线、第二数据线以及信号驱动线，所述第一数据线、所述第二数据线以及所述信号驱动线分别与所述源/漏极层本体连接；所述电容层包括电容层本体以及初始化线，所述初始化线与所述电容层本体连接。
采用上述薄膜晶体管，将第一扫描线、第二扫描线以及信号接收线与栅极层制作于同一层，使得触控传感器的信号接收线与栅极层共用同层金属，省去了单独制作信号接收线的层级；第一数据线、第二数据线以及信号驱动线与源/漏极层制作于同一层，以及初始化线与电容层同层，使得触控传感器的信号驱动线与源/漏极层共用同层金属，即触控传感器的电路与薄膜晶体管的电路共同层级，从而无需单独设置触控电路，降低了显示面板的厚度。
在其中一个实施例中，所述栅极层的材质包括金属钼。
在其中一个实施例中，所述电容层的材质包括金属钼。
在其中一个实施例中，所述源/漏极层包括依次相互叠置的第一钛层、铝层以及第二钛层，所述第一钛层设置于所述铝层靠近所述有源层的一侧。
在其中一个实施例中，所述有源层的材质包括铟锌氧化物。
在其中一个实施例中，所述有源层设置有掺杂部。
一种显示面板，包括：多个上述任一实施例中的所述薄膜晶体管以及多个像素区域，各所述薄膜晶体管与各所述像素区域一一对应设置，所述显示面板还包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及发光层，所述阳极与所述薄膜晶体管连接，所述发光层位于所述阳极和所述阴极之间，所述玻璃基板与所述阴极连接。
在其中一个实施例中，所述薄膜晶体管的面积与对应的所述像素区域的面积的比为10％～40％。
在其中一个实施例中，所述阳极的材质包括纳米银。
在其中一个实施例中，所述阴极的材质包括镁银合金。
这样，使用透明的纳米银做阳极、反射率高的镁银合金做阴极，使发光层发出的光线从柔性基板一侧发出，从而增加了所述显示面板的出光强度。
附图说明
图1为一实施例的薄膜晶体管的结构示意图；
图2为另一实施例的薄膜晶体管的结构示意图；
图3为一实施例的源/漏极层的结构示意图；
图4为一实施例的栅极层的结构示意图；
图5为一实施例的电容层的结构示意图；
图6为一实施例的显示面板的结构示意图；
图7为另一实施例的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
一种薄膜晶体管，包括源/漏极层、栅极层、有源层、电容层以及多个绝缘层，所述有源层设置于所述源/漏极层和所述栅极层之间，例如，所述电容层设置于所述栅极层远离所述有源层的一侧，所述源/漏极层、所述有源层、所述栅极层以及所述电容层两两之间分别设置有一所述绝缘层；例如，所述栅极层包括栅极层本体、第一扫描线、第二扫描线以及信号接收线，所述第一扫描线、所述第二扫描线以及所述信号接收线分别与所述栅极层本体连接；例如，所述源/漏极层包括源/漏极层本体、第一数据线、第二数据线以及信号驱动线，所述第一数据线、所述第二数据线以及所述信号驱动线分别与所述源/漏极层本体连接；例如，所述电容层包括电容层本体以及初始化线，所述初始化线与所述电容层本体连接。通过将第一扫描线、第二扫描线以及信号接收线与栅极层制作于同一层，第一数据线、第二数据线以及信号驱动线与源/漏极层制作于同一层，以及初始化线与电容层同层，使得触控传感器的电路与薄膜晶体管的电路共同层级，从而无需单独设置触控电路，降低了显示面板的厚度。
在一个实施例中，一种薄膜晶体管10，如图1所示，其包括源/漏极层11、有源层12、栅极层13、电容层14以及多个绝缘层15，所述有源层12设置于所述源/漏极层11和所述栅极层13之间，所述电容层设置于所述栅极层13远离所述有源层12的一侧，所述源/漏极层11、所述有源层12、所述栅极层13以及所述电容层14两两之间分别设置有一所述绝缘层15；如图4所示，所述栅极层13包括栅极层本体131、第一扫描线132、第二扫描线133以及信号接收线134，所述第一扫描线132、所述第二扫描线133以及所述信号接收线134分别与所述栅极层13本体连接；如图3所示，所述源/漏极层11包括源/漏极层本体111、第一数据线112、第二数据线113以及信号驱动线114，所述第一数据线112、所述第二数据线113以及所述信号驱动线114分别与所述源/漏极层本体111连接；所述电容层14包括电容层本体141以及初始化线142，所述初始化线142与所述电容层本体141连接。
为了便于栅极层13的稳定，所述栅极层13的材质包括金属钼。栅极层13起到开关薄膜晶体管10的作用，使得其作为所述薄膜晶体管10的电流导通关键层级，其中，所述栅极层13与所述有源层12交叠位置可等效为所述薄膜晶体管10的栅极，在一实施例中，所述栅极层13设置于所述有源层12和所述电容层14之间，即所述薄膜晶体管的结构为底栅结构，底栅结构中除了绝缘层以外，其他各金属膜层均是通过PVD成膜方式形成的，然后在其上刻蚀出所需要的电路图案，因此使得底栅结构在制作工艺上较为简单。所述栅极层13为了更好地适用于底栅结构，所述栅极层13具有良好的导电特性，所述栅极层13的材质选用导电性能良好的金属，例如，所述栅极层13的材质为金属钼，钼电阻率较低：0℃时为5.17×-10Ω·cm，即5.17×10-10Ω·cm；800℃时为24.6×-10Ω·cm；2400℃时为72×-10Ω·cm，由于金属钼自身具有极低的电阻率，而且在温度相差较大时，电阻率的变化较小，使得所述栅极层13的导电性能稳定而且高效；在另一实施例中，所述栅极层13的材质为铝铌合金，金属铝作为导电介质，将其与金属铌制作成金属合金，利用金属铌自身具有极强的稳定性和极低的电导率特性，这样，使得铝铌合金材质的层级可以作为所述薄膜晶体管10的所述栅极层13。
所述电容层14具有存储电能的特点，所述栅极层13与所述电容层14交叠的位置作为储能电容的一极，为了便于稳定低温多晶硅薄膜晶体管10的工作电压，所述电容层14具有在不同温度下的稳定性以及低电导率的特性，例如，所述电容层14的材质为金属钼，金属钼因其具有较强的电子传递能力，并将电子所具有的电能存储于其中。又如，所述电容层14的材质为铝铌合金，这样，使得所述薄膜晶体管10在工作时保持稳定，从而使得所述薄膜晶体管具有的稳定电压。
为了便于形成源/漏极层11，所述源/漏层包括相互叠置的第一钛层、铝层以及第二钛层，所述第一钛层设置于所述铝层靠近所述有源层12的一侧，即所述源/漏层的结构为层叠结构，也即，所述源/漏层的结构为“三明治”结构，所述第一钛层位于靠近所述有源层12的位置，所述第二钛层与所述第一钛层相对设置，所述源/漏层的两端的材质为金属钛(Ti)，又如，所述源/漏层的材质结构还可以为第一钼层、铝层以及第二钼层，所述第一钼层与所述有源层12连接，所述第二钼层与所述金属膜层连接，这样，所述源/漏层可以通过叠层的金属层快速形成。
为了降低所述薄膜晶体管10在电路中的阈值电压偏移，所述有源层12的材质包括铟锌氧化物。通过化学气象沉积成膜的方式形成铟锡氧化物薄膜，铟锌氧化物薄膜可作为薄膜晶体管10的有源层12。上述薄膜晶体管10在平板显示领域有着广泛的应用，其具有电子迁移率高、开关比大、均匀性好、透光性佳、电学稳定性好等优点，在平板显示及柔性集成电路等方面取得广泛应用，铟锌氧化物薄膜具有高迁移率和电阻率可控的特点，是一种有前景的氧化物半导体材料，已被用于制备氧化物薄膜晶体管10。在本实施例中，由于薄膜晶体管10属于显示面板的电路结构的一部分，上述电路为补偿电路，例如，补偿电路为2T1C电路，又如，补偿电路为4T2C电路，本实施以补偿电路为3T1C为例。所述薄膜晶体管10的有源层12采用铟锌氧化物，通过所述有源层12的高迁移率和电阻率可控的特性，使得薄膜晶体管10在显示面板的电路中具有阈值电压偏移较小的特点，其相对于低温多晶硅电路更为简单，从而使得所述薄膜晶体管10的面积占像素单元的面积较小，减小了所述薄膜晶体管10占像素单元的比率。
为了增加所述发光层的透光率，所述有源层12设置有掺杂部，所述掺杂部的掺杂元素为金属镧。金属镧作为ⅢB族元素，不同镧掺杂比例的所述薄膜晶体管10的透光率是随温度变化的，宽禁带半导体材料的自由载流子吸收和带间跃迁吸收在透射光谱中所对应的波长范围分别为红外波段和紫外波段，其中，在紫外波段(<400nm)，透过率随波长减小而减小，表现出带间跃迁吸收特征；可见光波段(400-760nm)具有良好的透明性，且透过率大于73％；在红外区透过率随波长增大而减小，表现为自由载流子吸收特性。在一实施例中，透过所述薄膜晶体管10的光线为可见光，将所述有源层12进行部分或者全部掺杂，尤其是进行镧掺杂，使得所述有源层12的透光率提升，从而提高了所述薄膜晶体管10的透光特性。
在另一实施例中，所述有源层12的材质包括非晶硅。由于非晶硅的获取途径就比较方便，使得非晶硅的使用成为了本发明的另一备选材料。例如，非晶硅(amorphoussilicon)又称无定形硅，单质硅的一种形态，棕黑色或灰黑色的微晶体，其成分为硅元素，化学性质比晶体硅活泼，可由活泼金属(如钠、钾等)在加热下还原四卤化硅，或用碳等还原剂还原二氧化硅制得，非晶硅是一种直接带隙半导体，它的结构内部有许多所谓的“悬键”，也就是没有和周围的硅原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流，并不需要声子的帮助，因而非晶硅可以做得很薄，还有制作成本低的优点；又如，所述有源层12的材质包括多晶硅，灰色金属光泽，熔点1410℃，沸点2355℃，溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸，硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂，加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形，常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应，高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用，具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料。又如，所述有源层12的材质还包括低温多晶硅(Low Temperature PloySilicon)，低温多晶硅的原材料是非晶硅，非晶硅经过激光照射技术形成低温多晶硅，即利用激光的能量把非晶硅转化为多晶硅，使得低温多晶硅具有电子移动速率高的特点，而且其获取以及制作的途径较为便利，使得低温多晶硅作为有源层的材质成为可能。其中，所述掺杂部的厚度决定了与所述有源层12之间的接触良好程度，例如，所述掺杂部的厚度为5nm～25nm；又如，所述掺杂部的厚度为8nm～22nm；又如，所述掺杂部的厚度为10nm～20nm，如果所述掺杂部的厚度小于10nm，在进行干刻过孔时容易出现刻蚀穿至有源层12的情况，使得无法形成所需要的掺杂部；如果所述掺杂部的厚度大于20nm，会出现所述掺杂层与所述源/漏极层11之间的接触电阻过大的情况。所述掺杂部的掺杂方式包括离子注入，便于获得掺杂浓度和掺杂深度精准的所述掺杂部，进而使得所述有源层12和所述掺杂部之间的电子转移更加迅速，即所述有源层12和所述掺杂部之间具有良好的电连接，也即所述有源层12和所述掺杂部之间具有良好的欧姆连接，即电连接。
为了避免源/漏极层11、栅极层13、有源层12以及电容层14之间的原子渗透，在一实施例中，在上述各层之间设置绝缘材料，根据各层级的材质以及功能不同，采用不同的绝缘材料。如图2所示，由于所述电容层14与玻璃板连接，所述电容层14与玻璃板之间设置有缓冲层151，例如，为了增强绝缘能力，所述缓冲层151的绝缘材料为SiNx；又如，为了与玻璃板之间具有较好的界面附着能力，所述缓冲层151的绝缘材料为SiO2；又如，为了克服所述电容层14的电压漂移，所述缓冲层151的绝缘材料为按一定比例混合的SiNx和SiO2混合物，避免了电容层14中的金属原子渗透至玻璃板中导致的透光率降低；所述电容层14与所述栅极层13之间设置有第一绝缘层152，所述第一绝缘层152的材质为SiNx；所述有源层12与所述源/漏极层11之间设置有第二绝缘层154，所述第二绝缘层154的材质为SiO2；所述有源层12与所述栅极层13之间设置有栅极绝缘层153，所述栅极绝缘层153的材质包括SiNx和SiO2，其中，为了便于所述栅极绝缘层153与所述有源层12之间的连接，例如，SiNx:SiO2的占比为1:(1～5)；又如，SiNx:SiO2的占比为1:(1.5～3)；又如，SiNx:SiO2的占比为1:2，此种材料的栅极绝缘层153不仅具有较强的绝缘能力，还可以提高了与其他层级之间的附着程度，从而使得所述有源层12和栅极层13绝缘，避免了有源层12直接与栅极层13直接接触，即避免了所述有源层12与所述栅极层13之间的金属原子相互渗透。
为了便于所述源/漏极层11与阳极连接，所述薄膜晶体管10还包括第三绝缘层155以及平坦化层16，所述第三绝缘层155分别与所述源/漏极层11以及所述平坦化层16连接，所述第三绝缘层155材质为SiNx，所述第三绝缘层155使得所述源/漏极层11与所述阳极绝缘，所述平坦化层16与设置于所述第三绝缘层155和所述阳极之间，所述平坦化层16增强了阳极与所述第三绝缘层155之间的附着能力，即增强了阳极与薄膜晶体管10之间的附着能力，所述平坦化层16的厚度为1.5μm～3.5μm。又如，平坦化层16的厚度为1.7μm～2.5μm。又如，平坦化层16的厚度为2.0μm～3.0μm。又如，平坦化层16的厚度为1.5μm、2μm或3μm。又如，平坦化层16的厚度为3.5μm。需要说明的是，平坦化层16的厚度过低，例如低于1.5μm时，不利于阳极的附着。
在一实施例中，所述缓冲层的材质为采用按一定比例混合的SiNx和SiO2混合物的绝缘材料，并在其上形成电容层，采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)成膜方法形成所述电容层，PVD成膜法相较于PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)成膜法具有较强的控制线宽的特点，由于PVD成膜法适用于金属膜的制作，PECVD成膜法适用于非金属膜的制作，因此后续各金属膜层的制作均采用PVD成膜法形成，使得形成的所述电容层的表面平整。在制作完成所述电容层之后，通过显影曝光获取具有合适的电容层的电路图案，电容层的电路图案根据所述初始化线的走线形成，即电容层的电路图案为具有所述初始化线的电路走线，使得所述初始化线与所述电容层本体共用同层金属膜；在所述电容层上制做所述第一绝缘层，采用PVD成膜方法在所述第一绝缘层上形成所述栅极层，通过显影曝光获取具有合适的栅极层的电路图案，所述栅极层的电路图案为具有第一扫描线、第二扫描线以及信号接收线的电路走线，其中，由于所述信号接收线与所述栅极层本体制作在同一层，使得所述信号接收线与所述栅极层本体共用同层的金属膜，从而无需单独制作触控传感器上的信号接收线；在所述第二绝缘层上形成所述源/漏极层，同样采用PVD成膜方法，之后通过显影曝光获取具有合适的源/漏极层的电路图案，所述源/漏极层的电路图案具有第一数据线、第二数据线以及信号驱动线的电路走线，其中，由于所述信号驱动线为触控传感器电路的一部分，将所述信号驱动线直接制作于所述源/漏极层本体上，使得所述信号驱动线与所述源/漏极本体共用同层的金属膜，从而无需单独制作触控传感器上的信号驱动线。其中，所述有源层上并未设置有电路走线，即所述有源层无需执行显影曝光操作。
由于所述信号驱动线与所述信号接收线分别位于不同金属层，使得所述信号驱动线与所述信号接收线之间形成触控电容，当触控扫描时，所述信号驱动线发出驱动信号，当有触摸时，触控电容的容值将产生变化，由所述信号接收线接收触摸信号进行触控的识别，根据识别的信号判断触摸所执行的操作，即完成的触控传感器触控识别。这样，无需在显示面板上再单独制作触控传感器，降低了所述显示面板的厚度。
本发明还提供一种采用上述薄膜晶体管10的显示面板20，请参阅图6，所述显示面板包括多个所述薄膜晶体管10以及与所述薄膜晶体管10对应的像素区域，所述显示面板还包括有机电致发光器件21，所述有机电致发光器件21包括玻璃基板211、阴极212、发光层213以及阳极214，所述阳极214与所述薄膜晶体管10连接，所述发光层213位于所述阳极214和所述阴极212之间，所述玻璃基板211与所述阴极212连接。例如，该有机电致发光器件21还包括发光区域决定膜层，该发光区域决定膜层设置于阳极214和阴极212之间，且该发光区域决定膜层设置于所述发光层213的外侧，即发光区域决定膜层包覆该发光层213，所述发光区域用于透光，该发光区域用于与有机电致发光器件21的发光层213对齐，使得发光层213的光线能够透过该发光区域内的各膜层而出。
在一实施例中，所述薄膜晶体管10的面积占对应的所述像素区域的面积的比为10％～40％，所述薄膜晶体管10位于所述显示面板中，所述薄膜晶体管10的位于阳极214上，每一所述薄膜晶体管10控制一个像素区域，所述薄膜晶体管10的面积大小决定了显示面板的出光面积。其中，所述薄膜晶体管10挡住光线的部分为像素电路区域，由于所述薄膜晶体管10的有源层采用镧掺杂的铟锌氧化物，使得所述薄膜晶体管10的像素电路更为简单，采用的像素电路为简单的补偿电路，例如3T1C电路，从而使得其在背板上的面积较小，即所述薄膜晶体管10的实际面积所占像素区域面积的比例较小，例如，显示面板的像素为200PPI时，其出光面积可以达到65-80％。这样，提高了所述显示面板的出光率。
为了提高发光层213的光线透过阳极214的强度，所述阳极214的材质包括纳米银。纳米银是纳米线状银单质，由于其良好的导电性，使其在微电子领域占有极其重要的地位，纳米银还具有表面效应以及量子尺寸效应等特点。纳米银的粒径小于100nm，一般在25-50nm之间，由于其粒径单位为纳米一级别，使得以纳米银为材质的薄膜层具有较高的透光性。在本实施例中，所述发光层213的光线需要通过所述阳极214，为了避免对所述发光层213发射光线的强度削弱，所述发光层213选用具有较高透光率的纳米银，使得所述薄膜晶体管10的光线强度得到提升。而且，纳米银作为金属材质，其导电特性比其他的金属更强，而且，所述发光层213的材质为有机发光材料，纳米银的具有与有机材料良好的匹配性，使得所述阳极214与所述发光层213之间的匹配程度更高，即所述阳极214更好地附着于所述发光层213上，使得所述发光层213的光线能够透过所述阳极214，从而提高了发光层213的光线强度。
在另一实施例中，所述阳极214的材质还可以是多晶ITO，具有很好的导电性和透明性，采用ITO材料既可以作为阳极起导电的功能，还可以作为透明膜层，便于提高发光层213的透光率，从而提高发光层213的透光强度。
为了增强显示面板的光线强度，所述阴极212的材质包括镁银合金。镁银合金由银和镁组成的二元合金以及添加其他元素(主要指镍)构成的银合金，添加镁于银中使再结晶温度呈线性提高，硬度急剧提高。镁银合金是可硬化的合金，通过内氧化可以改善其力学性能和提高使用温度，例如，AgMg2.7、AgMg3、AgMg4.7，均系单相固溶体。镁银合金对光的反射率高，主要用于电气仪表和光学仪器，例如，AgMg3是光电倍增管中作倍增极的关键材料。在一实施例中，所述阴极212设置于封装板和所述反光层之间，具有镁银合金材质的所述阴极212，使得所述发光层213朝向所述阴极212的光线反射，即所述阴极212将光线反射并从所述阳极214一侧发射出去。所述发光层213发射的光线朝向所述阳极214和所述阴极212，朝向所述阴极212的光线原本会被吸收，这一部分的光线经所述阴极212反射，使得光线反射从所述阳极214射出，增加了从所述阳极214发射出去的光线强度。这样，从所述阳极214发射出去的光线增多，提升了所述显示面板的出光率。所述阴极的材料除了上述镁银合金之外，还可以采用其他具有较高反射率的材料，此处不再赘述。
为了保护薄膜晶体管10并使得光线从阳极214一侧发射出去，请参阅图7，所述显示面板还包括柔性基板22，所述柔性基板22设置于所述薄膜晶体管10上，所述柔性基板22为PI膜，即所述柔性基板22的材质为聚酰亚胺，聚酰亚胺具有高透射率，使得所述发光层213的光线可以完全透过所述柔性基板22，即避免了所述光线强度的降低。此外，所述显示面板在制作的过程中，需要进行烘烤工艺，而聚酰亚胺材料具有优异的热稳定性、耐化学腐蚀性和机械性能的特点，其还具有抗弯强度可达到345MPa，抗弯模量达到20GPa，热固性聚酰亚胺蠕变很小，有较高的拉伸强度，聚酰亚胺的使用温度范围覆盖较广，从零下一百余摄氏度到两三百摄氏度。这样，避免了所述薄膜晶体管10直接曝露于外部环境，而且，避免了对所述发光层213发射的光线的影响。
通过将触控传感器的信号驱动线和信号接收线分别制作于薄膜晶体管的源/漏极层以及栅极层，从而无需单独制作触控传感器上的信号驱动线以及信号接收线，由于所述信号驱动线与所述信号接收线分别位于不同金属层，使得所述信号驱动线与所述信号接收线之间形成触控电容，当触控扫描时，所述信号驱动线发出驱动信号，当有触摸时，触控电容的容值将产生变化，由所述信号接收线接收触摸信号进行触控的识别，根据识别的信号判断触摸所执行的操作，即完成的触控传感器触控识别。这样，无需在显示面板上再单独制作触控传感器，降低了所述显示面板的厚度。使用透明的纳米银做阳极、反射率高的镁银合金做阴极，使发光层发出的光线从柔性基板一侧发出，从而增加了所述显示面板的出光强度。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：源/漏极层、有源层、栅极层、电容层以及多个绝缘层，所述有源层设置于所述源/漏极层和所述栅极层之间，所述电容层设置于所述栅极层远离所述有源层的一侧，所述源/漏极层、所述有源层、所述栅极层以及所述电容层两两之间分别设置有一所述绝缘层；
所述栅极层包括栅极层本体、第一扫描线、第二扫描线以及信号接收线，所述第一扫描线、所述第二扫描线以及所述信号接收线分别与所述栅极层本体连接；
所述源/漏极层包括源/漏极层本体、第一数据线、第二数据线以及信号驱动线，所述第一数据线、所述第二数据线以及所述信号驱动线分别与所述源/漏极层本体连接；
所述电容层包括电容层本体以及初始化线，所述初始化线与所述电容层本体连接。
2.根据权利要求1所述薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层的材质包括金属钼。
3.根据权利要求1所述薄膜晶体管，其特征在于，所述电容层的材质包括金属钼。
4.根据权利要求1所述薄膜晶体管，其特征在于，所述源/漏极层包括依次相互叠置的第一钛层、铝层以及第二钛层，所述第一钛层设置于所述铝层靠近所述有源层的一侧。
5.根据权利要求1所述薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材质包括铟锌氧化物。
6.根据权利要求1所述薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层设置有掺杂部。
7.一种显示面板，其特征在于，包括多个如权利要求1至6中任一项所述薄膜晶体管以及多个像素区域，各所述薄膜晶体管与各所述像素区域一一对应设置，所述显示面板还包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及发光层，所述阳极与所述薄膜晶体管连接，所述发光层位于所述阳极和所述阴极之间，所述玻璃基板与所述阴极连接。
8.根据权利要求7所述显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的面积与对应的所述像素区域的面积的比为10％～40％。
9.根据权利要求7所述显示面板，其特征在于，所述阳极的材质包括纳米银。
10.根据权利要求7所述显示面板，其特征在于，所述阴极的材质包括镁银合金。
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