KR20150101001A - 표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기판; 상기 기판상에 배치된 제 1 전극; 상기 기판상에 배치되며, 상기 제 1 전극에 대응되어 개구부가 구비된 화소정의막; 상기 화소정의막 상에 배치된 금속층; 상기 개구부에 대응되는 제 1 전극상에 배치된 발광층; 및 상기 개구부에 대응되는 발광층 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고, 상기 금속층은 상기 제2전극과 접촉하는 표시장치를 제공한다.

Description

표시장치 및 그 제조 방법 {DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화소정의막 상에 배치되며 제2전극과 접촉하는 금속층을 포함하는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기광학(electro-optical) 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.
한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가 받고, 전기 광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호로 변환함으로써 영상이 표시된다.
최근에 자체발광이 가능하여 별도의 광원이 필요하지 않고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 상대적으로 우수한 유기 발광 표시 장치에 대한 관심이 증대되고 있다.
유기 발광 표시 장치는 화소정의막에 의해 구분된 화소 영역에 전기장 생성전극 중 하나인 애노드가 형성된다. 상기 화소정의막은 단위 화소를 구분시켜주기 위해 형성된다. 표시 장치 외부에서 입사되는 광은, 일부가 상기 화소정의막에 반사되어 표시 장치의 야외시인성을 현저하게 떨어뜨린다. 또한, 외부에서 입사되는 일부 광은 상기 화소정의막 내부로 입사된 후, 화소정의막 하부에 배치된 기판 구조물(ex) 애노드)에 재반사되어 표시 장치의 야외시인성을 낮추는 원인이 된다.
한편, 최근 표시장치가 대면적화, 고집적화 되어 감에 따라 상기 전기장 생성전극 중 하나인 캐소드의 IR-Drop 이 일어나고, 캐소드의 전압 강하에 따른 표시 장치의 휘도가 불균일해진다.
본 발명의 일례는 표시장치 및 그 제조방법을 제공하고자 한다. 이를 위하여 본 발명의 일례는 야외시인성을 향상시키고 제2전극의 전압 강하를 방지하는 금속층을 포함하는 표시장치 및 그 제조방법을 제안하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는 기판; 상기 기판상에 배치된 제 1 전극; 상기 기판상에 배치되며, 상기 제 1 전극에 대응되어 개구부가 구비된 화소정의막; 상기 화소정의막 상에 배치된 금속층; 상기 개구부에 대응되는 제 1 전극상에 배치된 발광층; 및 상기 개구부에 대응되는 발광층 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고, 상기 금속층은 상기 제2전극과 접촉하는 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속층 상에 배치된 유전체층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층은 플루오르화 리튬(LiF), 삼산화 텅스텐(WO3), 이산화 티타늄(TiO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 아연(ZnO), 황화 아연(ZnS) 및 산화 은(AgO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층은 상기 화소정의막과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층의 굴절률은 1 내지 5일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층은 상기 제2전극 상에 배치될수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화소정의막은 돌출부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속층은 상기 돌출부의 상면 및 측면 중 적어도 하나를 덮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 기판상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 기판상에 상기 제 1 전극에 대응되는 개구부가 구비된 화소정의막을 형성하는 단계; 상기 화소정의막 상에 금속층을 형성하는 단계; 상기 개구부에 대응되는 제 1 전극상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층과 접촉하도록 상기 개구부에 대응되는 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화소정의막 및 상기 금속층을 형성하는 단계는, 상기 기판 및 상기 제1전극 상에 감광성 유기재료를 도포하는 단계; 상기 감광성 유기재료 상에 감광성 금속재료를 도포하는 단계; 마스크를 이용하여 상기 감광성 유기재료 및 상기 감광성 금속재료를 노광하는 단계; 노광된 상기 감광성 유기재료 및 상기 감광성 금속재료를 현상하여 상기 제1전극을 노출시키는 개구부를 형성하고, 상기 화소정의막을 형성하는 단계; 및 상기 감광성 금속재료를 열처리하여 금속층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 열처리 온도는 200 ~ 300 ℃일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속층 상에 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속층 및 상기 제2전극 상에 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화소정의막, 상기 금속층 및 상기 유전체층을 형성하는 단계는, 상기 기판 및 상기 제1전극 상에 제1감광성 유기재료를 도포하는 단계; 상기 감광성 유기재료 상에 감광성 금속재료를 도포하는 단계; 상기 감광성 금속재료 상에 제2감광성 유기재료를 도포하는 단계; 마스크를 이용하여 상기 제1감광성 유기재료, 상기 감광성 금속재료 및 상기 제2감광성 유기재료를 노광하는 단계; 노광된 상기 제1감광성 유기재료, 상기 감광성 금속재료 및 상기 제2감광성유기재료를 현상하여 상기 제1전극을 노출시키는 개구부를 형성하고, 상기 화소정의막 및 상기 유전체층을 형성하는 단계; 및 상기 감광성 금속재료를 열처리하여 금속층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층은 플루오르화 리튬(LiF), 삼산화 텅스텐(WO3), 이산화 티타늄(TiO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 아연(ZnO), 황화 아연(ZnS) 및 산화 은(AgO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층은 상기 화소정의막과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치는 화소정의막 상에 금속층을 형성하여 외광 반사를 억제하고 야외시인성을 향상시킬 수 있다. 또한, 금속층 상에 유전체층을 형성하여 외광 흡수율을 더 높임으로서 외광 반사를 더욱 억제시킬 수 있다. 상기 유전체층과 금속층이 위상매칭되어 파장에 상관 없이 외광을 상쇄간섭시켜 모든 파장의 외광을 고르게 흡수할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 표시장치는 금속층과 제2전극이 연결됨에 따라 제2전극의 전압강하를 방지하고, 소비전력이 감소되고, 휘도의 균일성이 높아진다.
또한 본 발명에 따른 표시장치의 제조방법은 화소정의막 공정 중에 금속층과 유전체층을 함께 형성할 수 있어 추가 마스크가 필요하지 않아 공정 효율이 높아진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예1에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시예1에 따른 표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예2에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예3에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예4에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예5에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 금속층 및 유기층 간 위상 매칭을 통한 상쇄간섭 효과를 이용하여 외광 반사를 줄이는 원리를 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 유기발광 표시장치 또는 액정표시장치일 수 있다. 이하에서는 표시장치는 유기발광 표시장치인 것을 전제로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예1에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 영역의 각 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있으나, 본 발명 및 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 가질 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 영역은 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
먼저, 도 1 및 도2를 참조하여 본 발명의 일 실시예를 좀더 상세하게 살펴보면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는, 기판(111), 기판(111)에 정의된 복수의 화소 각각에 형성된, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(70)를 포함한다. 그리고, 기판(111)은, 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 이 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다.
여기서, 각 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
유기 발광 소자(70)는, 화소 전극(710)과, 이 화소 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)과, 이 유기 발광층(720) 상에 형성된 공통 전극(730)을 포함한다. 여기서, 화소 전극(710)은 각 화소마다 하나 이상씩 형성되므로 기판(111)은 서로 이격된 복수의 화소 전극들(710)을 가진다.
여기서 화소 전극(710)이 정공 주입 전극인 양극(애노드)이며, 공통 전극(730)이 전자 주입 전극인 음극(캐소드)이 된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 화소 전극(710)이 음극이 되고, 공통 전극(730)이 양극이 될 수도 있다.
유기 발광층(720)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
축전 소자(80)는 절연층(160)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 유지전극(158, 178)을 포함한다. 여기서, 절연층(160)은 유전체가 된다. 축전 소자(80)에 축적된 전하와 한 쌍의 유지전극(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는, 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173), 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176), 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결되고, 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)는 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 제1유지전극(158)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(70)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 제1유지전극(158)에 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 제2유지전극(178)은 각각 공통 전원 라인(172)에 연결된다.
구동 드레인 전극(177)이 드레인 접촉구멍(contact hole)(181)을 통해 유기 발광 소자(70)의 화소 전극(710)에 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다.
공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스윙칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(70)로 흘러 유기 발광 소자(70)가 발광한다.
실시예1
도 1와 함께 도 2를 참조하여, 본 발명의 실시예1에 따른 표시장치의 구조를 더욱 설명한다.
도 2에 유기 발광 소자(70), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)이 도시되어 있으므로, 이를 중심으로 설명한다. 스위칭 박막 트랜지스터(10)의 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 및 드레인 전극(173, 174)은 각기 구동 박막 트랜지스터(20)의 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 및 드레인 전극(176, 177)과 동일한 적층 구조를 가지므로 이에 대한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 기판(111)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니므로, 기판(111)이 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.
기판(111) 위에 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 버퍼층(120)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 그러나 이러한 버퍼층(120)이 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(111)의 종류 및 공정 조건 등을 고려하여 형성하지 않을 수도 있다.
버퍼층(120) 위에 구동 반도체층(132)이 형성된다. 구동 반도체층(132)은 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 및 산화물 반도체로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나인 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
구동 반도체층(132) 위에는 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소(SiNx), 및 산화 규소(SiO2)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하여 형성된다. 일례로, 게이트 절연막(140)은 40nm의 두께를 갖는 질화 규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막으로 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예1에서, 게이트 절연막(140)이 전술한 구성에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연막(140) 위에 구동 게이트 전극(155), 게이트 라인(도 1의 참조부호 151), 제1 유지전극(158)이 형성된다. 이때, 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)의 적어도 일부, 구체적으로 채널 영역(135)과 중첩 형성된다. 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)을 형성하는 과정에서 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136)과 드레인 영역(137)에 불순물을 도핑할 때 채널 영역(135)에는 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다.
게이트 전극(155)과 제1유지 전극(158)은 서로 동일한 층에 위치하며, 실질적으로 동일한 금속 물질로 형성된다. 이때, 금속 물질은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한다. 일례로, 게이트 전극(155) 및 제1유지전극(158)은 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에는 구동 게이트 전극(155)을 덮는 절연층(160)이 형성된다. 상기 절연층(160)은 층간 절연층일 수 있다. 절연층(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(140)과 절연층(160)은 구동 반도체층(132)의 소스 및 드레인 영역을 드러내는 접촉 구멍을 구비한다.
표시 영역(DA)에 절연층(160) 위에 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177), 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2 유지전극(178)이 형성된다. 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 접촉구멍을 통해 구동 반도체층(132)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결된다.
구체적으로, 구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 및 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172)과 제2 유지전극(178)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금에 의하여 형성될 수 있으며, 상기 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 상기 다중막 구조의 예로, 크롬 또는 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 상부막으로 된 이중막, 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 중간막과 몰리브덴(합금) 상부막으로 된 삼중막을 들 수 있다.
구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 및 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2 유지전극(178)은 상기 설명한 재료 이외에도 여러 가지 다양한 도전재료에 의하여 형성될 수 있다.
이에 의해, 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한 구동 박막 트랜지스터(20)가 형성된다. 그러나 구동 박막 트랜지스터(20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않으며, 다양한 구조로 변형 가능하다.
절연층(160) 상에 구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 등을 덮는 보호막(180)이 형성된다. 보호막(180)은 폴리아크릴계, 폴리이미드계 등과 같은 유기물로 이루어질 수 있다. 보호막(180)은 평탄화막일 수 있다.
보호막(180)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 으로 이루어진 그룹 중 선택된 적어도 하나로 만들어질 수 있다.
보호막(180)은 구동 드레인 전극(177)을 드러내는 드레인 접촉구멍(181)을 구비한다.
보호막(180) 위에 화소 전극(710)이 형성되고, 이 화소 전극(710)은 보호막(180)의 드레인 접촉구멍(181)을 통해 구동 드레인 전극(177)에 연결된다.
보호막(180)에 화소 전극(710)을 덮는 화소 정의막(190)이 형성된다. 이 화소 정의막(190)은 화소 전극(710)을 드러내는 개구부(199)를 구비한다.
즉, 화소 전극(710)은 화소 정의막(190)의 개구부(199)에 대응하도록 배치된다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
또한, 화소정의막(190)은 감광성 유기재료 또는 감광성 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 화소정의막(190)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), PSPI(Photo sensitive polymide), PA(Photo sensitive acryl), 감광 노볼락 레진(Photo sensitive Novolak resin) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
화소정의막(190) 상에 금속층(400)이 배치된다. 금속층(400)은 화소정의막(190)으로 입사되는 외광을 흡수한다. 따라서, 금속층(400)은 외광이 박막 트랜지스터(10,20)에 입사되는 것을 방지한다.
유기 발광 표시 장치(100)가 전면 발광형 구조인 경우, 금속층(400)은 반사형 전극으로 구비된 화소 전극(710)에서 반사된 외광도 흡수한다. 그외에도 금속층(400)은 화소정의막(190) 하부에 배치된 기판(111)의 구조물에서 반사된 외광도 흡수한다. 즉, 금속층(400)은 화소정의막(190)을 통과하는 외광을 흡수하여 야외시인성을 향상시킨다.
금속층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함한다.
금속층(400)은 제2전극에 해당하는 공통 전극(730)과 접촉된다. 금속층(400)이 공통전극(730)과 접촉함으로써 공통 전극(730)의 전압 강하가 방지된다.
화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에서 화소 전극(710) 위에 유기 발광층(720)이 형성되고, 화소 정의막(190) 및 유기 발광층(720) 상에 공통 전극(730)이 형성된다.
이와 같이, 화소 전극(710), 유기 발광층(720), 및 공통 전극(730)을 포함하는 유기 발광 소자(70)가 형성된다.
화소 전극(710)과 공통 전극(730) 중 어느 하나는 투명한 도전성 물질로 형성되고 다른 하나는 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 화소 전극(710) 및 공통 전극(730)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치(900)는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다.
투명한 도전성 물질로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide)으로 이루어진 그룹 중에서 선택한 적어도 하나의 물질이 사용될 수 있다. 반사형 물질로 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미뮴(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질이 사용될 수 있다.
유기 발광층(720)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광층(720)은 발광층과, 정공 주입층(hole injection layeer, HIL), 정공 수송층(hole transpoting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 적어도 하나를 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 일례로 정공 주입층이 양극인 화소 전극(710) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
본 실시예에서 유기 발광층(720)이 화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에만 형성되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광층(720)중 적어도 하나 이상의 막이, 화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에서 화소 전극(710) 위 뿐만 아니라 화소 정의막(190)과 공통 전극(730) 사이에도 배치될 수 있다. 좀더 구체적으로, 유기 발광층(720)의 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 오픈 마스크(open)에 의해 개구부(199) 이외의 부분에도 형성되고, 유기 발광층(720)의 발광층이 미세 금속 마스크(fine metal mask, FMM)를 통해 각각의 개구부(199)마다 형성될 수 있다.
한편, 본 발명이 액정표시장치인 경우, 화소 전극(710)은 드레인 접촉구멍(181)을 통하여 구동 드레인 전극(177)과 물리적?전기적으로 연결되어 있으며, 구동 드레인 전극(177)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(710)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 공통 전극(common electrode)(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 화소 전극(710)과 공통 전극은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다.
이하, 도 1과 함께 도 3a 및 도 3g를 참조하여, 본 발명의 실시예1에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 유기 발광 표시 장치에서 설명한 것에 대해서는 구체적인 설명을 생략한다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시예1에 따른 표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 1및 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(111) 상에 구동 박막 트랜지스터(20), 축전소자(80), 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172) 등을 형성한다. 상기 구동 박막 트랜지스터(20), 축전소자(80), 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172)은 식각 공정 등으로 형성된다. 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2유지전극(178), 구동 소스전극(176) 및 구동 드레인 전극(177) 상에 평탄화막(180)을 형성한다. 평탄화막(180)에 구동 드레인전극(177)을 노출시키는 드레인 접촉구멍(181)을 형성한다. 평탄화막(180) 상에 드레인 접촉구멍(181)에 의해 노출된 구동 드레인전극(177)과 연결된 화소 전극(710)을 형성한다. 상기 화소 전극(710)을 형성하는 단계까지 본 발명의 표시장치는 기존의 공지된 방법과 동일하게 형성될 수 있다.
화소 전극(710) 및 평탄화막(180) 상에 감광성 유기재료(190a)를 도포한다. 감광성 유기재료(190a)는 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), PSPI(Photo sensitive polymide), PA(Photo sensitive acryl), 감광 노볼락 레진(Photo sensitive Novolak resin) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 감광성 유기재료(190a)는 증착 등의 공정으로 도포될 수 있다.
그 후, 소프트 베이크(soft bake) 공정을 실행한다. 소프트 베이크는 대략 90 내지 110℃로 대략 1분 정도 감광성 유기재료(190a)를 열처리하는 것이다. 감광성 유기재료(190a)는 솔벤트와 같은 용매에 용해시켜서 도포하게 되며, 소프트 베이크를 함으로써 솔벤트와 같은 용매를 증발시킬 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 감광성 유기재료(190a) 상에 감광성 금속재료(400a)를 도포한다. 감광성 금속재료(400a)는 스크린 프린팅, 블레이드 코팅법, 스핀코팅법 등으로 형성할 수 있다. 감광성 금속재료(400a)는 금속 입자, 바인더, 분산제, 유기용제(비이클) 등으로 구성된 점도성 액체이다. 상기 금속 입자는 가시광에서 광 흡수능력을 갖는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 유기 용제(비이클)는 화소정의막(190)의 감광성 유기재료(190a)를 식각하기 위해 사용되는 현상액에 반응하는 물질이어야 한다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 마스크(60)를 감광성 금속재료(400a) 위에 배치한다. 마스크(60)를 이용하여 감광성 유기재료(190a) 및 감광성 금속재료(400a)를 노광장치(미도시)에서 조사된 광(L)으로 노광한다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 도포된 감광성 유기재료(190a) 및 감광성 금속재료(400a)를 현상하여 화소 전극(710) 사이에 배치되도록 패터닝한다. 상기 현상 공정은 감광성 유기재료(190a) 및 감광성 금속재료(400a) 모두에 반응하는 현상액을 이용한다. 물론, 감광성 유기재료(190a)에 포함된 유기용제와 동일하거나 유사한 유기용제를 이용하여 감광성 금속재료(400a)를 준비하여 감광성 유기재료(190a) 및 감광성 금속재료(400a)를 동시에 현상할 수 있다.
한편, 도 3d의 공정에서 패터닝된 감광성 유기재료을 하드 베이크(Hard bake)하여 화소정의막(190)을 형성할 수 있다. 하드 베이크는 대략 110 내지 130℃로 열처리하는 공정이다. 하드 베이크를 함으로써, 감광성 고분자 물질을 열경화시킬 수 있다. 이러한 하드 베이크 공정은 도 3e에 도시된 큐어링(A) 공정으로 대체될 수 있다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 현상된 감광성 금속재료(400b)에 큐어링(Curing) 공정을 행한다. 상기 큐어링(A) 공정은 대기압 상태에서 대상 물질을 열처리하는 공정이다. 상기 큐어링(A) 공정은 감광성 금속재료(400b)에 포함된 유기 용제를 제거하여 감광성 금속재료(400b)를 순수한 금속층으로 변화시킨다. 상기 큐어링(A) 공정은 화소정의막(190)을 구성하는 유기재료가 손상되지 않을 범위 내의 온도 하에서 진행된다. 따라서, 큐어링(A) 공정은 화소정의막(190)이 손상되지 않을 범위인 대략 200 내지 300℃의 온도 범위 내에서 이루어진다.
한편, 상기 200 내지 300℃의 온도 범위 내에서 소성이 가능하기 위해 감광성 금속 재료는 저온 감광성 금속 페이스트를 사용할 수 있다.
한편, 상기 큐어링(A) 공정은 앞서 설명한 바와 같이, 화소정의막(190)을 열경화 시키는 하드 베이크 공정 역할도 할 수 있다. 물론, 화소정의막(190) 및 금속층(400)을 형성하는 과정에서 소프트 베이크, 하드 베이크 및 큐어링(A)이 모두 표시장치의 제조방법에 적용될 수 있다.
도 3f에 도시된 바와 같이, 큐어링 공정까지 완료되면 화소정의막(190)이 화소 전극(710) 사이에 형성된다. 금속층(400)은 화소정의막(190)과 동시에 형성되며, 화소정의막(190) 상에 형성된다. 따라서, 별도의 추가 마스크 필요 없이 금속층(400)을 화소정의막(190)과 동시에 형성함으로써 공정 효율이 높아진다.
도 3g에 도시된 바와 같이, 화소 전극(710) 상에 유기발광층(720)을 형성한다. 유기발광층(720) 상에 공통 전극(730)을 형성한다. 공통 전극(730)은 금속층(400)과 접촉하며, 화소정의막(190)의 개구부(199) 내에 형성된다. 공통전극(730)은 상기 예에 한하지 아니하고, 유기발광층(720), 화소정의막(190) 및 금속층(400)을 모두 덮도록 형성될 수 있다.
상기와 같은 제조방법에 의해 형성된 유기발광 표시장치(100)는 금속층(400)에 의하여 야외시인성을 향상시킬 수 있고, 공통 전극(730)의 전압 강하를 낮추고, 소비 전력을 감소시키고, 휘도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
실시예2 및 실시예3
하기에서는 도 4 및 도5를 참조하여 본 발명의 실시예2 및 3에 따른 표시장치를 설명한다. 실시예1에서 언급된 구성요소는 제외하고 차이가 나는 구성에 대해서만 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예2에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다. 도 5는 본 발명의 실시예3에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예 2 및 3의 화소정의막(190)은 돌출부(191)를 포함한다. 본 발명의 실시예 2는 금속층(400)이 화소정의막(190)의 돌출부(191) 상면 및 측면을 덮은 예이다.
본 발명의 실시예3은 금속층(400)이 화소정의막(190)의 돌출부(191)의 상면만 덮은 경우이다. 그 외에 돌출부(191)의 측면과 연결되는 화소정의막(190) 상면에도 금속층(400)이 일부 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예 2 및 3은 다양한 형태의 화소정의막(190) 구조에 형성된 금속층(400)을 나타낸다.
실시예4 및 실시예 5
하기에서는 도 6 내지 도8을 참조하여 본 발명의 실시예4 및 5에 따른 표시장치를 설명한다. 실시예1에서 언급된 구성요소는 제외하고 차이가 나는 구성에 대해서만 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시예4에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다. 도 7은 본 발명의 실시예5에 따른 도 1의 A-A' 선에 따른 단면도이다. 도 8은 본 발명의 금속층 및 유기층 간 위상 매칭을 통한 상쇄간섭 효과를 이용하여 외광 반사를 줄이는 원리를 나타낸 도면이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예 4 및 5에 따른 유기발광 표시장치는 금속층(400) 상에 배치된 유전체층(500)을 포함한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 유전체층(500)은 금속층(400) 상에만 형성될 수 있다. 또한, 도7에 도시된 바와 같이 유전체층(500)은 금속층(400) 및 공통 전극(730) 상에 동시에 형성될 수 있다.
유전체층(500)은 금속층(400)과 위상 매칭을 통하여 외광의 반사광 간의 상쇄간섭을 일으켜 광흡수율을 더 높일 수 있다.
유전체층(500)은 화소정의막(190)과 동일한 재료인 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide) 등의 유기물질로 형성될 수 있다. 또한, 유전체층(500)은 플루오르화 리튬(LiF), 삼산화 텅스텐(WO3), 이산화 티타늄(TiO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 아연(ZnO), 황화 아연(ZnS), 산화 은(AgO) 등과 같은 무기물질로 형성될 수 있다. 즉, 유전체층(500)은 굴절률이 1 내지 5 범위인 물질을 사용하여 형성된다. 상기 1 내지 5 범위의 굴절률을 가진 물질은 금속층(400)과 위상 매칭이 잘 이루어진다. 따라서, 외광의 전 파장에 고르게 광흡수가 일어난다.
유전체층(500) 다음과 같은 방법으로 형성될 수 있다. 상기 유기물질 또는 무기물질을 금속층(400) 상에 열증착 및 용액 공정 등을 이용하여 도포한다. 화소정의막(190) 노광에 적용한 마스크를 다시 이용하여 상기 유기물질 또는 무기물질을 노광한 뒤 현상하여 유전체층(500)을 형성한다.
한편, 상기 화소정의막(190) 및 금속층(400) 형성 과정에서 동시에 유전체층(500)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 감광성 유기재료(190a) 및 감광성 금속재료(400a)를 도포한 뒤, 유전체층(500)을 이루는 상기 유기물질을 한번 더 도포한다. 그리고 앞서 설명한 바와 같이, 노광, 현상 및 큐어링 공정을 거쳐 화소정의막(190), 금속층(400) 및 유전체층(500)을 동시에 형성할 수 있다.
도 8을 참조하면, 금속층(400)과 위상 매칭을 위한 유전체층(500)이 상쇄간섭을 일으켜 외광(L0) 반사를 줄이는 개략적인 매커니즘이다. 외광(L0)은 유전체층(500)에서 반사된 제1반사광(L1) 및 금속층(400)에서 반사된 제2반사광(L2)으로 변한다. 제1반사광(L1)의 위상(θ1)은 제2반사광(L2)의 위상(θ2)와 서로 180°의 위상 차이를 갖는다. 즉, 제1반사광(L1)과 제2반사광(L2)이 서로 위상차이로 인하여 상쇄간섭되어 화소정의막(190)에서 반사되는 광이 감소된다. 금속층(400)에 비하여 유전체층(500)에서 반사되는 제1반사광(L1)의 위상(θ1) 지연은 유전체층(500)의 두께 및 굴절률에 따라 조절할 수 있다.
이상에서 설명된 표시장치 및 그 제조방법의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
100: 유기 발광 표시 장치
10:스위칭 박막 트랜지스터 20:구동 박막 트랜지스터
60: 마스크 70: 유기발광소자
80:축전소자 101:기판
111:기판 본체 120:버퍼층
131:스위칭 반도체층 132:구동반도체층
135:채널영역 136:소스영역
137:드레인영역 140:게이트절연막
150:금속막 151:게이트 라인
152: 스위칭 게이트전극 155:구동 게이트전극
158:제1유지전극 160:절연층
166:드레인 접촉 구멍 167:소스 접촉 구멍
171:데이터 라인 172:공통 전원 라인
173:스위칭 소스전극 174:스위칭 드레인전극
176:구동 소스전극 177:구동 드레인전극
178:제2유지전극 180:평탄화막
181:드레인 접촉구멍 190:화소정의막
190a:감광성 유기재료 191:화소정의막 돌출부
199:개구부 400:금속층
400a:감광성 금속재료 400b:현상된 감광성 금속재료
500:유전체층 710:화소전극
720:유기발광층 730:공통전극
A:큐어링 L:광
L0:외부 광 L1:제1반사광
L2:제2반사광 θ1:제1반사광의 위상
θ2:제2반사광의 위상

Claims (18)

  1. 기판;
    상기 기판상에 배치된 제 1 전극;
    상기 기판상에 배치되며, 상기 제 1 전극에 대응되어 개구부가 구비된 화소정의막;
    상기 화소정의막 상에 배치된 금속층;
    상기 개구부에 대응되는 제 1 전극상에 배치된 발광층; 및
    상기 개구부에 대응되는 발광층 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고,
    상기 금속층은 상기 제2전극과 접촉하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속층 상에 배치된 유전체층을 더 포함하는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유전체층은 플루오르화 리튬(LiF), 삼산화 텅스텐(WO3), 이산화 티타늄(TiO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 아연(ZnO), 황화 아연(ZnS) 및 산화 은(AgO) 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 유전체층은 상기 화소정의막과 동일한 재료로 형성되는 표시장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 유전체층의 굴절률은 1 내지 5인 표시장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 유전체층은 상기 제2전극 상에 배치된 표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 화소정의막은 돌출부를 포함하는 표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 금속층은 상기 돌출부의 상면 및 측면 중 적어도 하나를 덮는 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 금속층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  10. 기판상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판상에 상기 제 1 전극에 대응되는 개구부가 구비된 화소정의막을 형성하는 단계;
    상기 화소정의막 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 개구부에 대응되는 제 1 전극상에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 금속층과 접촉하도록 상기 개구부에 대응되는 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 화소정의막 및 상기 금속층을 형성하는 단계는,
    상기 기판 및 상기 제1전극 상에 감광성 유기재료를 도포하는 단계;
    상기 감광성 유기재료 상에 감광성 금속재료를 도포하는 단계;
    마스크를 이용하여 상기 감광성 유기재료 및 상기 감광성 금속재료를 노광하는 단계;
    노광된 상기 감광성 유기재료 및 상기 감광성 금속재료를 현상하여 상기 제1전극을 노출시키는 개구부를 형성하고, 상기 화소정의막을 형성하는 단계; 및
    상기 감광성 금속재료를 열처리하여 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 열처리 온도는 200 ~ 300 ℃ 인 표시장치의 제조방법.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 금속층 상에 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 금속층 및 상기 제2전극 상에 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 화소정의막, 상기 금속층 및 상기 유전체층을 형성하는 단계는,
    상기 기판 및 상기 제1전극 상에 제1감광성 유기재료를 도포하는 단계;
    상기 감광성 유기재료 상에 감광성 금속재료를 도포하는 단계;
    상기 감광성 금속재료 상에 제2감광성 유기재료를 도포하는 단계;
    마스크를 이용하여 상기 제1감광성 유기재료, 상기 감광성 금속재료 및 상기 제2감광성 유기재료를 노광하는 단계;
    노광된 상기 제1감광성 유기재료, 상기 감광성 금속재료 및 상기 제2감광성유기재료를 현상하여 상기 제1전극을 노출시키는 개구부를 형성하고, 상기 화소정의막 및 상기 유전체층을 형성하는 단계; 및
    상기 감광성 금속재료를 열처리하여 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 유전체층은 플루오르화 리튬(LiF), 삼산화 텅스텐(WO3), 이산화 티타늄(TiO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 아연(ZnO), 황화 아연(ZnS) 및 산화 은(AgO) 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  17. 제13 항에 있어서,
    상기 유전체층은 상기 화소정의막과 동일한 재료로 형성되는 표시장치의 제조방법.
  18. 제10 항에 있어서,
    상기 금속층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치의 제조방법.
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