CN110416437B - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，以解决个别子像素内部发生短路影响其他子像素的显示效果的问题。其中该显示面板的制造方法包括：在衬底基板上制作多个阳极；在多个阳极之间的间隙区域上制作光刻胶层，光刻胶层定义出多个分割区域，光刻胶层定义的每个分割区域用于容纳至少一个阳极、待形成发光层及待形成阴极层；在多个阳极及光刻胶层背向衬底基板的一侧依次制作发光层和阴极层。上述制造方法应用于显示面板的制造，能够提高其子像素的阴极独立性。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
目前，随着VR(Virtual Reality，虚拟现实)/AR(Augmented Reality，增强现实)技术的日益进步和市场的快速增长，适用于VR/AR领域的显示面板也正在快速向微型化、高PPI(Pixels Per Inch，每英寸所拥有的像素数目)、快速响应和高色域的方向发展，硅基显示面板，特别是硅基微型OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板是其中突出的一个方向。虽然硅基微型OLED技术起步较晚，但凭借着其微型化和高PPI的优势，正在成为显示领域的新的关注焦点。
对于硅基微型OLED显示面板来说，其PPI较高，也就意味着其子像素尺寸很小，从而子像素中发光器件的发光层会由于太薄而容易发生短路。一旦发生短路，发光器件的阴极电压VSS就会发生变化，而由于通常OLED显示面板的阴极为一整面的结构，也就是说每一个发光器件的阴极电压VSS都是一样的，因此一旦某一个子像素内部发生短路，就会由阴极电压VSS发生变化而影响其他子像素，引起显示效果下降。
发明内容
本公开的实施例提供一种显示面板及其制造方法、显示装置，以解决个别子像素内部发生短路，会影响其他子像素的显示效果的问题。
为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
第一方面，本公开的实施例提供了一种显示面板的制造方法，所述制造方法包括：在衬底基板上制作多个阳极；在所述多个阳极之间的间隙区域上制作光刻胶层，所述光刻胶层定义出多个分割区域，光刻胶层定义的每个所述分割区域用于容纳至少一个所述阳极、待形成发光层及待形成阴极层；在所述多个阳极及所述光刻胶层背向所述衬底基板的一侧依次制作发光层和阴极层。
上述显示面板的制造方法中，在各阳极之间的间隙形成光刻胶层，光刻胶层定义出多个分割区域，每个分割区域内包括至少一个阳极，然后再进行发光层和阴极层的制作，在阴极层的制作过程中一部分阴极材料落在光刻胶层所定义的分割区域内，另一部分阴极材料落在光刻胶层上，从而阴极层自然被分割成多个独立的阴极，每个分割区域对应一个阴极。由于每个分割区域仅对应至少一个阳极，即对应至少一个子像素，因此在某一子像素发生短路时，其只能通过其所在的分割区域的一个阴极影响该分割区域内的其它子像素，也就是说，该子像素短路只能影响至少一个子像素，而不会影响其所在分割区域以外的子像素，从而缩小了子像素短路的影响范围，提升了显示效果。
此外，由于阴极层被分割成多个独立的阴极，每个阴极仅对应至少一个子像素，因此在控制子像素进行显示的过程中，当阳极电压和数据电压都固定受限时，可根据不同区域子像素对亮度的不同需求，改变相应阴极上的电压，以满足不同亮度需求的电压差，从而相比整面阴极只能有一种电压的方案，能够实现更灵活的调整、更宽泛的电压差调整范围，有利于提高显示的效果。
基于上述技术方案，可选的，每个所述分割区域内包括一个阳极。
可选的，每个所述分割区域内包括至少两个阳极；制作所述发光层的步骤包括：分别采用发不同颜色光的发光材料依次制作发相应颜色光的发光层，制作每种发光层时，使所述发光层的面积大于所述阳极的面积，以使发光材料填充所述分割区域中的所述至少两个阳极之间的间隙。
可选的，每个所述分割区域为条状或块状。
可选的，所述光刻胶层还包括阴极电压信号线的镂空图案；在制作所述阴极层的步骤中，阴极材料沉积在所述镂空图案的区域内，形成阴极电压信号线，每条所述阴极电压信号线电连接至少一个所述阴极。
可选的，在所述依次制作发光层和阴极层的步骤之后，还包括：采用激光烧蚀工艺去除所述光刻胶层。
可选的，所述去除所述光刻胶层的步骤之后，还包括：在所述阴极层背向所述衬底基板的一侧制作绝缘保护层；在所述绝缘保护层背向所述衬底基板的一侧覆盖封装基板。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示面板，包括衬底基板，及设置于所述衬底基板上的多个阳极，所述显示面板还包括：设置于所述多个阳极背向所述衬底基板一侧的多个发光层，所述多个发光层与所述多个阳极一一对应；设置于所述多个发光层背向所述衬底基板一侧的多个阴极，所述多个阴极之间相互隔开且相互绝缘，每个所述阴极对应至少一个所述发光层。
上述显示面板所能产生的有益效果与第一方面所提供的显示面板的制造方法的有益效果相同，此处不再赘述。
可选的，每个所述阴极对应一个发光层。
可选的，每个所述阴极对应至少两个发光层；一个阴极所对应的所述至少两个发光层中，各发光层的面积大于其所对应的阳极的面积，各发光层所对应的各阳极之间的间隙被发光材料填充。
可选的，所述显示面板包括阵列式排布的多个像素，每个像素包括至少三个子像素，每个所述子像素包括阳极、发光层和阴极；每个所述阴极为条状，每个所述阴极在所述衬底基板上的正投影覆盖一行或一列中至少两个连续的子像素的发光层在所述衬底基板上的正投影；或者，每个所述阴极为块状，每个所述阴极在所述衬底基板上的正投影覆盖一个区块内的至少两个子像素的发光层在所述衬底基板上的正投影。
可选的，每个所述阴极对应属于同一像素的两个子像素的发光层；或者，每个所述阴极对应属于同一像素的三个子像素的发光层。
可选的，所述显示面板还包括与所述多个阴极同层设置的多条阴极电压信号线；所述多个阴极与所述多条阴极电压信号线一一对应电连接；或者，所述多个阴极排列成多行或多列，多行或多列阴极与所述多条阴极电压信号线一一对应电连接。
第三方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括第二方面所提供的显示面板。
上述显示装置所能产生的有益效果与第一方面所提供的显示面板的制造方法的有益效果相同，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1a～1g为本公开实施例所提供的显示面板的第一种制造方法的各步骤图；
图2为2T1C的像素电路的结构图；
图3为硅基片的平面结构图；
图4为硅基片中单个显示单元的平面结构图；
图5为图1b中光刻胶层的第一种平面结构图；
图6为图1b中光刻胶层的第二种平面结构图；
图7为图1d中阴极层的平面结构图；
图8～图11为本公开实施例所提供的显示面板的第二种制造方法的各步骤图；
图12～图15为本公开实施例所提供的显示面板的第三种制造方法的各步骤图；
图16为本公开实施例所提供的显示面板的第一种截面结构图；
图17为本公开实施例所提供的显示面板的第二种截面结构图；
图18为本公开实施例所提供的显示面板的第三种截面结构图；
图19为本公开实施例所提供的显示面板中阴极与阴极电压信号线的第一种布置图；
图20为本公开实施例所提供的显示面板中阴极与阴极电压信号线的第二种布置图。
附图标记说明：
100-衬底基板； 1-顶层电极；
2-阳极； 3-第一绝缘层；
4-第二绝缘层； 5-光刻胶层；
6-发光层； 7-阴极；
CC-分割区域； 8-子像素；
9-阴极电压信号线； 9’-阴极电压信号线的镂空图案；
10-绝缘保护层； 11-封装基板；
12-显示单元； AA-像素区；
BB-绑定区。
具体实施方式
正如背景技术所述，在硅基微型OLED显示面板中，由于阴极是一整面的结构，因此个别子像素内部发生短路，会影响其他子像素的显示效果。可见，实现子像素的独立控制非常重要。
为了实现子像素的独立控制，相关技术中基于玻璃基显示面板提出通过在玻璃基板上做PS(Post Spacer，隔垫物)挡墙的工艺来实现阴极的分割，该技术的缺陷在于：1、PS挡墙会增加整个显示模组的厚度；2、PS挡墙工艺需要非常严格的条件，如严格控制曝光时间和曝光剂量；3.受限于玻璃基工艺，阴极分割的区块尺寸受到严格的限制，同时独立控制每个阴极所需要的大量阴极电压信号线，难以避免地会造成显示面板的边框宽度增加，这与当前显示面板追求窄边框的趋势是相悖的。
基于上述相关技术的现状，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本公开保护的范围。
本公开实施例提供了一种显示面板的制造方法，如图1a～图1g所示，该制造方法包括如下步骤：
S1：如图1a所示，在衬底基板100上制作多个阳极2。
S2：如图1b所示，在所述多个阳极2之间的间隙区域上制作光刻胶层5，该光刻胶层5定义出多个分割区域CC(请参见图2)，每个分割区域CC用于容纳至少一个阳极2、待形成发光层及待形成阴极层。
S3：如图1c所示，在所述多个阳极2及光刻胶层4背向衬底基板100的一侧制作发光层6。
S4：如图1d所示，在发光层6背向衬底基板100的一侧制作阴极层。
如此在制作阴极层的过程中，即可利用上述多个阳极2之间的间隙中的光刻胶层5实现阴极层的分割设置，形成多个阴极7。其中，每个分割区域CC包含一个或至少两个子像素8，每个分割区域CC内的子像素8对应一个阴极7，由此当某一个子像素8发生短路时，该短路的子像素8只能通过阴极7的阴极电压VSS影响其所在分割区域CC内的其他子像素8，而不会波及到其他分割区域内的子像素8，从而可以缩小子像素短路的影响范围，尤其是当每个分割区域CC包含一个子像素8时，某一个子像素8发生短路不会影响其他任何子像素，从而提升显示效果。
此外，阴极层的分割设置，还可以实现显示面板中像素区亮度的分区调节。如图2所示，以最普通的2T1C OLED像素电路(即像素电路中包含两个薄膜晶体管T1、T2及一个存储电容C)为例，一般情况下，发光器件D两端的跨压取决于阴极电压VSS和阳极电压VDD，其中，阳极电压VDD与Data信号(数据信号)电压Vdata、Gate信号(栅极信号)电压Vgate、及薄膜晶体管T2的阈值电压Vth相关，在Vdata、Vgate和Vth均为固定的情况下，即阳极电压VDD固定，因此要改变发光器件D两端的跨压以调节其亮度，只能调节阴极电压VSS。然而，在相关技术中，由于阴极往往为一整面的结构，致使像素区中各子像素的阴极电压VSS相同，从而无法实现像素区亮度的分区调节。在本公开实施例所提供的显示面板的制造方法中，由于实现了阴极层的分割设置，即各阴极7以分割区域CC为单位相互独立，每个分割区域CC内的子像素8对应一个阴极7，从而可以通过分别调节不同分割区域CC的阴极电压VSS实现对应子像素亮度的调节，即实现了像素区亮度的分区调节，每个分割区域CC内的子像素的亮度调节范围相对于相关技术扩大，从而能够达到更好的显示效果。
继续上述制造方法，如图1e、图1f、图1g所示，在执行步骤S4制作阴极层后，还可包括如下步骤：
S5：如图1e所示，去除光刻胶层5。
S6：如图1f所示，在阴极层背向衬底基板100的一侧制作绝缘保护层10。
S7：如图1g所示，在绝缘保护层10背向衬底基板100的一侧覆盖封装基板11。
下面对上述制造方法的各步骤进行详细的、示例性的介绍。
在上述制造方法中，在步骤S1之前，还可包括提供衬底基板100的步骤。请参见图3、图4，在该步骤中，作为一种可能，所提供的衬底基板100可以为硅基片，衬底基板100(即硅基片)上形成有多个显示单元12，每个显示单元12包括像素区AA和绑定区(Pad区)BB。其中，像素区AA即为上述技术方案中所述的子像素所在的区域。像素区AA中包括有薄膜晶体管阵列，绑定区BB中包括有绑定电极。
请参见图1a，在提供衬底基板100的步骤之后，还可依次包括以下步骤：在衬底基板100上形成缓冲层3，缓冲层3可以起到保护衬底基板100的作用；在缓冲层3背向衬底基板100的一侧制作多个顶层电极1，所述多个顶层电极1具体可包括薄膜晶体管的源极和漏极，其材料可为金属；在所述多个顶层电极1背向衬底基板100的一侧制作第二绝缘层4，该第二绝缘层4中设置有用于暴露各顶层电极1的过孔。
请继续参见图1a，在上述步骤S1中，制作多个阳极2的步骤可以包括以下过程：在第二绝缘层4上沉积阳极材料，在所沉积的阳极材料的薄膜上形成包括多个阳极2的图案的光刻胶层，以该光刻胶层为掩膜，对所沉积的阳极材料的薄膜进行刻蚀，从而形成多个阳极2。阳极可以采用金属氧化物导电材料，例如ITO(氧化铟锡)材料。另外，各阳极2可以通过第二绝缘层4上的过孔与各顶层电极1对应电连接。
如图1b所示，在上述步骤S2中，制作光刻胶层5的步骤可以包括以下过程：在所述多个阳极2上形成光刻胶层5，对该光刻胶层5进行曝光和显影，使其形成包括多个分割区域CC的图案的光刻胶层5，如图5所示，所述“多个分割区域CC的图案”具体可为网格状结构的图案。在一些实施例中，可以使光刻胶层5的厚度大于或等于阳极2、待形成发光层6及待形成阴极层的厚度之和，以有效保证光刻胶层5能够对阴极层实现分割，保证形成多个独立的阴极7。
需要说明的是，每个分割区域CC中可包括至少一个阳极2，以下以每个分割区域CC中包括一个阳极2为例进行说明。
在制作光刻胶层5的步骤中还可以包括以下过程：如图6所示，在光刻胶层5中形成包括多个分割区域CC的图案的同时，还形成包括阴极电压信号线的镂空图案9’，该阴极电压信号线的镂空图案9’用以在衬底基板100上形成阴极电压信号线。
如图1c所示，在上述步骤S3中，在制作发光层6时，以包含R(红)、G(绿)、B(蓝)三种颜色的子像素的显示面板为例，可以采用FMM(Fine MetalMask，高精度金属掩膜板)，分别对能够发R、G、B三种颜色光的发光材料进行蒸镀，从而在多个阳极2上形成按一定规律排布的R、G、B三种颜色的子像素的发光层6。需要指出的是，在上述形成发光层6的过程中，可能会出现少许发光材料沉积在光刻胶层5上的现象。
如图1d所示，在上述步骤S4中，制作阴极层具体可包括以下过程：在发光层6及光刻胶层5背向衬底基板100的一侧沉积阴极材料，沉积过程中，一部分阴极材料落至发光层6上，形成多个阴极7，另一部分落至光刻胶层5上，需要在后续工艺步骤中去除。在此过程中，具有多个分割区域CC的光刻胶层5将阴极层分割成多个独立的阴极7，每个阴极7的形状与对应的分割区域CC的形状相同。
在此设计中，由于阳极2、分割区域CC、发光层6、阴极7之间为一一对应的关系，因而实现了每个阴极7仅对应一个子像素，从而提高了子像素的独立性，当某一个子像素短路时，其仅会对与之对应的阴极7产生影响，而不会影响其它子像素。
此外，在步骤S4中还可以包括形成阴极电压信号线9的步骤。如图6、图7所示，通过在步骤S2中，在光刻胶层5中形成多个分割区域CC的图案的同时，在光刻胶层5中形成阴极电压信号线的镂空图案9’，从而在步骤S4中，阴极材料可以沉积在多个分割区域CC的图案区域内的同时，沉积在阴极电压信号线的镂空图案9’的区域内，从而形成阴极电压信号线9，每条阴极电压信号线9电连接至少一个阴极7。由于所形成的阴极电压信号线9直接与对应的阴极7同层电连接，因此简化了膜层结构，且可省去单独形成阴极电压信号线9的工序，简化了工艺步骤。
如图1e所示，在上述步骤S5中，去除光刻胶层5具体可采用激光烧蚀工艺。激光烧蚀过程中，光刻胶层5灰化，其上所覆盖的阴极材料随着光刻胶的灰化而去除，这使得各阴极7之间被彻底熔断，进一步保证了各阴极7之间的独立性。因激光烧蚀工艺精度较高，可以达到微米级别，因而即使各阴极7之间的间隙较小，也可以有效地去除间隙间的光刻胶层5。
如图1f所示，在上述步骤S6中，绝缘保护层7将相邻子像素之间的间隙填充，可以起到分隔子像素的作用，同时可以起到隔绝外界水、氧的作用，以保护子像素中的各膜层。绝缘保护层7的材料可选用有机材料。
如图1g所示，在上述步骤S7中，绝缘保护层7背向衬底基板100的一侧所设置的封装基板11，可以将显示面板的内部结构与外界隔绝，从而起到保护作用。作为一种可能的实现方式，在该步骤中，封装基板11可以采用玻璃基板。
需要说明的是，以上是以每个分割区域CC包括一个阳极2、一个发光层6和一个阴极7，即每个分割区域CC内仅包括一个子像素为例进行的说明。在本公开的另一实施例中，每个分割区域CC内可包括至少两个阳极2、至少两个发光层6和一个阴极7，即每个分割区域CC内包括至少两个子像素，在这种方案中，某一子像素的短路仅能通过其阴极7影响其所在分割区域CC内的其他子像素，而不能影响其他分割区域CC内的子像素，从而缩小了子像素短路的影响范围，提升了显示效果。
对于每个分割区域CC内可包括至少两个阳极2的方案，在制作发光层6的步骤S3中，可分别采用发不同颜色光的发光材料依次制作发相应颜色光的发光层6，制作每种发光层6时，使发光层6的面积大于阳极2的面积，使发光材料填充分割区域CC中的至少两个阳极2之间的间隙，以利用发光材料隔离处于同一分割区域CC内的阴极7与阳极2，避免阴极材料在沉积的过程中落入同一分割区域CC内的至少两个阳极2之间的间隙内，导致阴极7与阳极2连通。在一些实施例中，同一分割区域CC内的至少两个阳极2之间的间隙较小，因此仅需使发光层6的面积略大于阳极2的面积，就能够实现利用发光材料填充同一分割区域CC内至少两个阳极2之间的间隙的目的。另外，每个分割区域CC的形状可为条状或块状。
示例性的，每个分割区域CC内可包括两个阳极2、两个发光层6和一个阴极7，即每个分割区域CC内包括两个子像素。如图8～图11所示，在具体制作的过程中：在制作光刻胶层5的步骤S2中，所制作的光刻胶层5所定义出的每个分割区域CC内包括两个阳极2，如图8和图9所示；在制作发光层6的步骤S3中，分别采用发不同颜色光的发光材料依次制作发相应颜色光的发光层6，制作每种发光层6时，可以使发光层6的面积略大于阳极2的面积，以使发光材料填充每个分割区域CC中的两个阳极2之间的间隙，如图10所示。在制作阴极层的步骤S4中，每个分割区域CC内形成一个阴极7，该阴极7对应两个阳极2及两个发光层6，如图11所示。在这种方案中，当某一个子像素短路时，该短路的子像素仅能影响其所属分割区域CC内的另一子像素，而无法影响其他分割区域CC内的子像素，从而减小了子像素短路的影响范围，提升了显示效果。
示例性的，每个分割区域CC内可包括三个阳极2、三个发光层6和一个阴极7，即每个分割区域CC内包括两个子像素。如图12～图15所示，在具体制作的过程中：在制作光刻胶层5的步骤S2中，所制作的光刻胶层5所定义出的每个分割区域CC内包括三个阳极2，如图12和图13所示；在制作发光层6的步骤S3中，分别采用发不同颜色光的发光材料依次制作发相应颜色光的发光层6，制作每种发光层6时，可以使发光层6的面积略大于阳极2的面积，以使发光材料填充每个分割区域CC中的三个阳极2之间的间隙，如图14所示。在制作阴极层的步骤S4中，每个分割区域CC内形成一个阴极7，该阴极7对应三个阳极2及三个发光层6，如图15所示。在这种方案中，当某一个子像素短路时，该短路的子像素仅能影响其所属分割区域CC内的另外两个子像素，而无法影响其他分割区域CC内的子像素，从而减小了子像素短路的影响范围，提升了显示效果。
本公开的实施例还提供了一种显示面板，如图16～图18所示，该显示面板包括：衬底基板100；设置于衬底基板100上的多个阳极2；设置于所述多个阳极2背向衬底基板100一侧的多个发光层6，多个发光层6与多个阳极2一一对应；设置于多个发光层6背向衬底基板100一侧的多个阴极7，多个阴极7之间相互隔开且相互绝缘，每个阴极7对应至少一个发光层6。
与现有技术中的OLED显示面板的阴极为一整面的结构相比，该显示面板包括多个阴极7，每个阴极7对应至少一个发光层6，即每个阴极7对应至少一个子像素，从而在某一子像素发生短路时，该短路的子像素仅能通过其所对应的阴极7影响该阴极7所对应的其他子像素，而不能影响其他阴极7所对应的子像素，缩小了子像素短路的影响范围，提升了显示效果。
并且，可根据不同区域子像素对亮度的不同需求，改变相应阴极上的电压，以满足不同亮度需求的电压差，从而相比整面阴极只能有一种电压的方案，能够实现更灵活的调整、更宽泛的电压差调整范围，有利于提高显示的效果。
基于上述技术方案，示例性的，请参见图16，每个阴极7可以仅对应一个发光层6，即每个阴极7仅与一个子像素对应设置，从而当某一子像素发生短路时，该短路的子像素不能通过改变其阴极7的阴极电压VSS来影响其他子像素的阴极电压VSS，提升了显示效果。
示例性的，每个阴极7也可对应至少两个发光层6，即每个阴极7与至少两个子像素对应。并且，一个阴极7所对应的至少两个发光层6中，各发光层6的面积大于其所对应的阳极2的面积，各发光层6所对应的各阳极2之间的间隙被发光材料填充，以避免在沉积阴极材料的过程中，阴极材料沉积入相邻阳极2之间的间隙，导致阴极7与阳极2连通。
在一些实施例中，上述显示面板可以包括阵列式排布的多个像素，每个像素包括至少三个子像素8，每个子像素8包括阳极2、发光层6和阴极7。每个阴极7可为条状，每个阴极7在衬底基板100上的正投影覆盖一行或一列中至少两个连续的子像素的发光层6在衬底基板100上的正投影，也就是说，每个阴极7用于驱动一行或一列中至少两个连续的子像素的发光层6。或者，每个阴极7可为块状，每个阴极7在衬底基板100上的正投影覆盖一个区块内的至少两个子像素的发光层6在衬底基板100上的正投影，也就是说，每个阴极7用于驱动一个区块内的至少两个子像素的发光层6。
更为具体的，如图17所示，每个阴极7可对应属于同一像素的两个发光层6，即每个阴极7可对应属于同一像素的两个子像素，其中，各发光层6的面积大于其所对应的阳极2的面积，同一阴极7所对应的两个阳极2之间的间隙被发光材料填充。或者，如图18所示，每个阴极7可对应属于同一像素的三个发光层6，即每个阴极7可对应属于同一像素的三个子像素，其中，各发光层6的面积大于其所对应的阳极2的面积，同一阴极7所对应的三个阳极2之间的间隙被发光材料填充。
基于上述技术方案，如图19、图20所示，本实施例所提供的显示面板还可以包括与多个阴极7同层设置的多条阴极电压信号线9，每条阴极电压信号线9电连接至少一个阴极7，以利用各阴极电压信号线9分别向对应的电连接阴极7传输阴极电压信号VSS。
示例性的，如图19所示，所述多个阴极7可以与所述多条阴极电压信号线9一一对应电连接，从而可以分别对每个阴极7上的阴极电压VSS进行相对独立的调整。作为一种可能的设计，每条阴极电压信号线9可经过所述多个阴极7之间的间隙将相应的阴极7引出至衬底基板100的边框区域。所述多个阴极7与所述多条阴极电压信号线9可以同层设置，从而可以简化工艺步骤。在一些实施例中，衬底基板100可以为硅基片，由于硅基片曝光机的精度极高，因此硅基片上的布线宽度可以小至纳米级别，即便是每个阴极7均对应电连接有一条阴极电压信号线9，阴极电压信号线9的布线数量较多，对于硅基片而言也不能构成限制。
作为另一种可能设计，示例性的，如图20所示，所述多个阴极7排列成多行或多列，将多行或多列阴极7与多条阴极电压信号线9一一对应电连接，即一行或一列阴极7连接同一条阴极电压信号线，从而可以通过分别独立地调整各条阴极电压信号线9上的阴极电压VSS，实现对其所连接的一行或一列阴极7的阴极电压VSS的独立调整。作为一种可能的设计，每条阴极电压信号线9可直接经过对应行或列的各阴极7，将对应行或列的各阴极7依次串接，并引出至衬底基板100的边框区域。所述多个阴极7与多条阴极电压信号线9可以同层设置，从而可以简化工艺步骤。并且，每排阴极7连接一条阴极电压信号线9可减少布线的数量。
本公开的实施例还提供了一种显示装置，其包括上述实施例所提供的显示面板，该显示装置与上述实施例中的显示面板具有的优势相同，此处不再赘述。
本实施例中的显示装置可以为OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要说明的是，在一些实施例中，以上所提供的显示面板可以为硅基显示面板，即该显示面板的衬底基板100为硅基板，以上所提供的显示面板的制造方法可以为所述硅基显示面板的制造方法，以上所提供的显示装置可以为包括所述硅基显示面板的硅基显示装置。
此外，本公开实施例中所述的“多个A与多个B一一对应”是指一个A仅与一个B对应，且一个B也仅与一个A对应的关系；其中A和B是指本公开实施例中所涉及的相关部件或元器件。示例性的，“所述多个发光层与所述多个阳极一一对应”是指一个发光层仅与一个阳极对应，且一个阳极也仅与一个发光层对应；示例性的，“所述多个阴极与所述多条阴极电压信号线一一对应电连接”是指一个阴极仅与一条阴极电压信号线电连接，且一条阴极电压信号线仅与一个阴极电连接；示例性的，“多行或多列阴极与所述多条阴极电压信号线一一对应电连接”是指一行或一列阴极仅与一条阴极电压信号线电连接，且一条阴极电压信号线仅与一行或一列阴极电连接。
以上所述仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在衬底基板上制作多个阳极；
在所述多个阳极之间的间隙中制作光刻胶层，所述光刻胶层定义出多个分割区域，光刻胶层定义的每个所述分割区域用于容纳至少一个所述阳极、待形成发光层及待形成阴极层；
在所述多个阳极及所述光刻胶层背向所述衬底基板的一侧依次制作发光层和阴极层；
去除所述光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，每个所述分割区域内包括一个阳极。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，每个所述分割区域内包括至少两个阳极；
制作所述发光层的步骤包括：分别采用发不同颜色光的发光材料依次制作发相应颜色光的发光层，制作每种发光层时，使所述发光层的面积大于所述阳极的面积，以使发光材料填充所述分割区域中的所述至少两个阳极之间的间隙。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，每个所述分割区域为条状或块状。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层还包括阴极电压信号线的镂空图案；在制作所述阴极层的步骤中，阴极材料沉积在所述镂空图案的区域内，形成阴极电压信号线，每条所述阴极电压信号线电连接至少一个所述阴极。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述依次制作发光层和阴极层的步骤之后，还包括：采用激光烧蚀工艺去除所述光刻胶层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶层的步骤之后，还包括：
在所述阴极层背向所述衬底基板的一侧制作绝缘保护层；
在所述绝缘保护层背向所述衬底基板的一侧覆盖封装基板。
8.一种显示面板，包括衬底基板，及设置于所述衬底基板上的多个阳极，其特征在于，所述显示面板还包括：
设置于所述多个阳极背向所述衬底基板一侧的多个发光层，所述多个发光层与所述多个阳极一一对应；
设置于所述多个发光层背向所述衬底基板一侧的多个阴极，所述多个阴极之间相互隔开且相互绝缘，每个所述阴极对应至少一个所述发光层；
设置于所述多个阴极背向所述衬底基板一侧的绝缘保护层，所述绝缘保护层位于所述多个阳极之间的间隙中；
每个所述阴极对应至少两个发光层；
一个阴极所对应的所述至少两个发光层中，各发光层的面积大于其所对应的阳极的面积，各发光层所对应的各阳极之间的间隙被发光材料填充。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列式排布的多个像素，每个像素包括至少三个子像素，每个所述子像素包括阳极、发光层和阴极；
每个所述阴极为条状，每个所述阴极在所述衬底基板上的正投影覆盖一行或一列中至少两个连续的子像素的发光层在所述衬底基板上的正投影；或者，
每个所述阴极为块状，每个所述阴极在所述衬底基板上的正投影覆盖一个区块内的至少两个子像素的发光层在所述衬底基板上的正投影。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，每个所述阴极对应属于同一像素的两个子像素的发光层；或者，
每个所述阴极对应属于同一像素的三个子像素的发光层。
11.根据权利要求8～10任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括与所述多个阴极同层设置的多条阴极电压信号线；
所述多个阴极与所述多条阴极电压信号线一一对应电连接；或者，
所述多个阴极排列成多行或多列，多行或多列阴极与所述多条阴极电压信号线一一对应电连接。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求8～11任一项所述的显示面板。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200109675A (ko) * 2019-03-14 2020-09-23 주식회사 디비하이텍 애노드 구조물, 이의 형성 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR20210070667A (ko) * 2019-12-05 2021-06-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
US11195859B2 (en) * 2019-12-10 2021-12-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and flexible display panel
CN111640882B (zh) * 2020-06-30 2022-09-16 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN111785852B (zh) * 2020-07-24 2023-09-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置
CN112117391B (zh) * 2020-09-22 2023-05-30 京东方科技集团股份有限公司 一种硅基oled的显示基板及其制作方法和显示装置
CN112151694B (zh) * 2020-09-28 2023-05-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法
CN112151696B (zh) * 2020-09-28 2023-05-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
US11682663B2 (en) * 2020-11-16 2023-06-20 Meta Platforms Technologies, Llc Thermally isolated silicon-based display
TWI747690B (zh) * 2020-12-28 2021-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製作方法
WO2024045057A1 (zh) * 2022-08-31 2024-03-07 京东方科技集团股份有限公司 一种发光面板及其制备方法、发光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104898887A (zh) * 2015-06-23 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸显示屏、其驱动方法及显示装置
CN107123621A (zh) * 2017-05-10 2017-09-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
CN107819016A (zh) * 2017-10-30 2018-03-20 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW587395B (en) * 2002-05-28 2004-05-11 Ritdisplay Corp Full color organic light-emitting display device
CN1464766A (zh) * 2002-06-25 2003-12-31 铼宝科技股份有限公司 全彩有机电致发光显示装置
US20090081356A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Process for forming thin film encapsulation layers
KR20130063077A (ko) * 2011-12-06 2013-06-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 그의 제조방법
US9461277B2 (en) * 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR101983230B1 (ko) * 2012-10-19 2019-05-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102277029B1 (ko) * 2014-02-24 2021-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조 방법
KR102273654B1 (ko) * 2014-10-08 2021-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104898887A (zh) * 2015-06-23 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸显示屏、其驱动方法及显示装置
CN107123621A (zh) * 2017-05-10 2017-09-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
CN107819016A (zh) * 2017-10-30 2018-03-20 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

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