CN115421338A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,用于使光学部件设置区兼具较优的成像质量和显示效果。显示面板包括:第一显示区,第一显示区包括第一扫描线和第一数据线,第一扫描线和第一数据线限定出第一子像素区,第一子像素区包括第一公共电极和第一像素电极;衬底基板;平坦化层;第一透光导电层,位于平坦化层背向衬底基板的一侧,第一公共电极位于第一透光导电层;第二透光导电层,位于第一透光导电层背向衬底基板的一侧,第一像素电极位于第二透光导电层;第一数据线由透光导电材料形成,位于平坦化层朝向衬底基板的一侧,和/或,第一扫描线由透光导电材料形成,位于平坦化层朝向衬底基板的一侧。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
对于具有摄像功能的显示面板,为了提高面板的屏占比,通常在面板的显示区内设置一个光学部件设置区,在光学部件设置区设置摄像组件。
在现有技术中,为解决光学部件设置区摄像时光透过率不足的问题,通常将光学部件设置区内的信号线采用透光导电材料形成,并同时去除该信号线上方的黑矩阵。然而,上述设计虽然会提高光学部件设置区的透光率,但会对光学部件设置区的显示产生不良影响,导致光学部件设置区难以兼具较优的成像质量和显示效果。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置,使光学部件设置区兼具较优的成像质量和显示效果。
一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
第一显示区,所述第一显示区包括第一扫描线和第一数据线,所述第一扫描线和所述第一数据线限定出多个第一子像素区,所述第一子像素区包括第一公共电极和第一像素电极;
衬底基板;
平坦化层,所述平坦化层位于所述衬底基板;
第一透光导电层,所述第一透光导电层位于所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧,所述第一公共电极位于所述第一透光导电层;
第二透光导电层,所述第二透光导电层位于所述第一透光导电层背向所述衬底基板的一侧,所述第一像素电极位于所述第二透光导电层;
其中,所述第一数据线由透光导电材料形成,所述第一数据线位于所述平坦化层朝向所述衬底基板的一侧,和/或,所述第一扫描线由透光导电材料形成,所述第一扫描线位于所述平坦化层朝向所述衬底基板的一侧。
另一方面,本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法,包括:
在衬底基板的第一显示区形成第一数据线和/或第一扫描线,所述第一数据线和/或所述第一扫描线由透光导电材料形成;
在所述第一数据线和/或所述第一扫描线背向所述衬底基板的一侧形成平坦化层;
在所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧形成第一透光导电层,所述第一透光导电层包括第一公共电极;
在所述第一透光导电层背向所述衬底基板的一侧形成第二透光导电层,所述第二透光导电层包括第一像素电极。
再一方面,本发明实施例提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
上述技术方案具有如下有益效果:
在本发明实施例中,通过将第一数据线和/或第一扫描线设置在平坦化层朝向衬底基板的一侧,可以利用平坦化层增大第一数据线和/或第一扫描线与液晶分子之间的间距,使第一数据线、第一扫描线与液晶分子相距较远,如此一来,即使第一数据线和第一扫描线上的电压跳变,也难以对液晶分子产生影响,有效降低了由数据信号、扫描信号跳变导致的第一显示区显示异常问题,弱化甚至消除了暗线现象。另一方面,第一公共电极接收固定的公共电压信号,还可以屏蔽其下方第一数据线、第一扫描线上的电压跳变所产生的干扰电场对液晶分子的影响,从而更大程度地减低第一显示区显示异常的风险。
此外,本发明实施例中第一数据线和/或第一扫描线位于平坦化层朝向衬底基板的一侧,基于该种结构,在面板的工艺流程中,首先形成第一数据线和/或第一扫描线,然后再形成平坦化层,第一数据线和第一扫描线无需沉积在平坦化层上,因此也避免了由形成平坦化层的树脂材料与形成第一数据线和第一扫描线的氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)材料的粘合力较差所导致的第一数据线、第一扫描线容易剥落的问题,提高了第一数据线和第一扫描线在面板内的稳固性,从而提高了数据信号和扫描信号传输的可靠性。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有技术中显示面板的光学部件设置区的俯视图;
图2为图1沿A1'-A2'方向的剖视图;
图3为本发明实施例所提供的显示面板的俯视图;
图4为本发明实施例所提供的第一数据线和第一扫描线的设置位置示意图;
图5为现有技术中光学部件设置区内数据线位置处的暗线示意图;
图6为本发明实施例所提供的第一显示区内第一数据线位置处的暗线示意图;
图7为本发明实施例所提供的第一数据线和第一扫描线的一种连接示意图;
图8为图7沿A1-A2方向的剖视图;
图9为本发明实施例所提供的第一数据线和第一扫描线的另一种连接示意图;
图10为图9沿B1-B2方向的剖视图;
图11为本发明实施例所提供的第一钝化层和第二层间绝缘层中的过孔的尺寸示意图;
图12为本发明实施例所提供的第一数据线和第一扫描线的再一种设置位置示意图;
图13为本发明实施例所提供的第一数据线和第一扫描线的又一种设置位置示意图;
图14为图12对应的第一数据线和第一扫描线的连接示意图;
图15为图13对应的第一数据线和第一扫描线的连接示意图;
图16为图12对应的第一数据线和第一扫描线的另一种连接示意图;
图17为图13对应的第一数据线和第一扫描线的另一种连接示意图;
图18为本发明实施例所提供的第一数据线和第一扫描线的又一种设置位置示意图;
图19为本发明实施例所提供的第一数据线和第一扫描线的又一种设置位置示意图;
图20为图18对应的第一数据线和第一扫描线的连接示意图;
图21为图19对应的第一数据线和第一扫描线的连接示意图;
图22为图18对应的第一数据线和第一扫描线的另一种连接示意图;
图23为图19对应的第一数据线和第一扫描线的另一种连接示意图;
图24为图18对应的第一数据线和第一扫描线的再一种连接示意图;
图25为图19对应的第一数据线和第一扫描线的再一种连接示意图;
图26为本发明实施例所提供的第四钝化层的结构示意图;
图27为本发明实施例所提供的第五钝化层的结构示意图;
图28为本发明实施例所提供的第一数据线和第一扫描线的又一种设置位置示意图;
图29为图28对应的第一数据线和第一扫描线的连接示意图;
图30为图28对应的第一数据线和第一扫描线的另一种连接示意图;
图31为图28对应的第一数据线和第一扫描线的再一种连接示意图;
图32为本发明实施例所提供的第一扫描线和第一数据线的尺寸示意图;
图33为本发明实施例所提供的驱动晶体管的尺寸示意图;
图34为本发明实施例所提供的驱动晶体管的另一种尺寸示意图;
图35为本发明实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图;
图36为本发明实施例所提供的遮光部的结构示意图;
图37为本发明实施例所提供的遮光部的尺寸示意图;
图38为本发明实施例所提供的触控层的设置位置示意图;
图39为本发明实施例所提供的触控层的另一种设置位置示意图;
图40为本发明实施例所提供的触控层的再一种设置位置示意图;
图41为图40沿C1-C2方向的剖视图;
图42为本发明实施例所提供的第二显示区的结构示意图;
图43为本发明实施例所提供的显示面板的制作方法的流程图;
图44为本发明实施例所提供的显示面板的制作方法的另一种流程图;
图45为本发明实施例所提供的第一钝化层和第二钝化层的结构示意图;
图46为本发明实施例所提供的第一钝化层和第二钝化层的另一种结构示意图;
图47为本发明实施例所提供的第一钝化层和第二钝化层的再一种结构示意图;
图48为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解,尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述透光导电层,但这些透光导电层不应限于这些术语。这些术语仅用来将透光导电层彼此区分开。例如,在不脱离本发明实施例范围的情况下,第一透光导电层也可以被称为第二透光导电层,类似地,第二透光导电层也可以被称为第一透光导电层。
在阐述本发明实施例所提供的技术方案之前,本发明首先对现有技术中存在的问题进行说明。
显示面板包括扫描线和数据线,扫描线和数据线交叉限定出多个子像素区,各子像素区包括公共电极和像素电极,公共电极和像素电极通常采用氧化铟锡(Indium TinOxides,ITO)等透光导电材料形成。
结合背景技术中的分析,对于具有摄像功能的显示面板,显示面板的显示区包括光学部件设置区,为解决光学部件设置区摄像时光透过率不足的问题,如图1和图2所示,图1为现有技术中显示面板的光学部件设置区的俯视图,图2为图1沿A1'-A2'方向的剖视图,光学部件设置区内的扫描线Gate'和数据线Data'与公共电极1'同层、同材料设置,并且,扫描线Gate'和数据线Data'上方不覆盖黑矩阵。
然而,为驱动显示面板正常工作,面板中的扫描线和数据线上的电压需不断进行跳变。以数据线为例,随着扫描线的逐行扫描,当第i条扫描线向第i行子像素输出扫描信号时,第j条数据线上传输有第i行第j列子像素所需接收的数据电压,而当第i+1条扫描线向第i+1行子像素输出扫描信号时,第j条数据线上的电压则跳变为第i+1行第j列子像素所需的数据电压。
扫描线和数据线上的电压不断跳变,会导致扫描线和数据线上侧的液晶分子2'也随之不断旋转。由于光学部件设置区内的扫描线Gate'和数据线Data'上方没有黑矩阵遮挡,因此,液晶分子2'的不断旋转会使扫描线Gate'和数据线Data'所在位置处显示的画面不断闪烁,而画面不断闪烁会导致这部分区域在视觉上的亮度明显偏暗,进而导致扫描线Gate'和数据线Data'所在位置处呈现明显的暗线现象。
此外,请再次参见图2,扫描线Gate'和数据线Data'与公共电极1'同层设置时,扫描线Gate'和数据线Data'会形成在平坦化层3'上方。而平坦化层3'通常由树脂等有机材料形成,树脂材料与形成扫描线Gate'和数据线Data'的氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)材料的粘合力较差,导致氧化铟锡材料容易剥落。尤其地,扫描线Gate'和数据线Data'呈细线结构,剥落风险更大,光学部件设置区中显示异常的风险也就更大。
为此,本发明实施例提供了一种显示面板,该显示面板能够在解决光学部件设置区光透过率不足的问题的同时,避免对光学部件设置区的显示产生不良影响,使光学部件设置区兼具较优的成像质量和显示效果。
如图3和图4所示,图3为本发明实施例所提供的显示面板的俯视图,图4为本发明实施例所提供的第一数据线和第一扫描线的设置位置示意图,本发明实施例所提供的显示面板包括第一显示区1,该第一显示区1可为上述光学部件设置区,第一显示区1设置有用于实现摄像功能的摄像组件。第一显示区1包括第一扫描线Gate1和第一数据线Data1,第一扫描线Gate1和第一数据线Data1限定出多个第一子像素区3,第一子像素区3包括第一公共电极4和第一像素电极5。
此外,显示面板还包括:衬底基板6、平坦化层7、第一透光导电层8和第二透光导电层9。其中,平坦化层7位于衬底基板6;第一透光导电层8位于平坦化层7背向衬底基板6的一侧,第一公共电极4位于第一透光导电层8;第二透光导电层9位于第一透光导电层8背向衬底基板6的一侧,第一像素电极5位于第二透光导电层9。第一透光导电层8和第二透光导电层9具体可由氧化铟锡等透光导电材料形成。
其中,第一数据线Data1由氧化铟锡等透光导电材料形成,第一数据线Data1位于平坦化层7朝向衬底基板6的一侧,和/或,第一扫描线Gate1由氧化铟锡等透光导电材料形成,第一扫描线Gate1位于平坦化层7朝向衬底基板6的一侧。
需要说明的是,为实现膜层平坦化,平坦化层7在垂直于衬底基板6所在平面方向上的膜厚通常远大于面板内其它膜层在垂直于衬底基板6所在平面方向上的膜厚。在本发明实施例中,通过将第一数据线Data1和/或第一扫描线Gate1设置在平坦化层7朝向衬底基板6的一侧,可以利用平坦化层7增大第一数据线Data1和/或第一扫描线Gate1与液晶分子之间的间距,使第一数据线Data1、第一扫描线Gate1与液晶分子相距较远,如此一来,即使第一数据线Data1和第一扫描线Gate1上的电压跳变,也难以对液晶分子产生影响,有效降低了由数据信号、扫描信号跳变导致的第一显示区1显示异常问题,弱化甚至消除了暗线现象。另一方面,第一公共电极4接收固定的公共电压信号,还可以屏蔽其下方第一数据线Data1、第一扫描线Gate1上的电压跳变所产生的干扰电场对液晶分子的影响,从而更大程度地减低第一显示区1显示异常的风险。
而且,发明人还对此进行了验证,如图5和图6所示,图5为现有技术中光学部件设置区内数据线Data'位置处的暗线示意图,图6为本发明实施例所提供的第一显示区1内第一数据线Data1位置处的暗线示意图,其中,横纵坐标分别表示X方向和Y方向上的位置点。通过对比图5和图6可知,基于本发明实施例所提供的结构,第一显示区内的暗线被显著弱化,难以被人眼识别。
此外,本发明实施例中第一数据线Data1和/或第一扫描线Gate1位于平坦化层7朝向衬底基板6的一侧,基于该种结构,在面板的工艺流程中,首先形成第一数据线Data1和/或第一扫描线Gate1,然后再形成平坦化层7,第一数据线Data1和第一扫描线Gate1无需沉积在平坦化层7上,因此也避免了由树脂材料与氧化铟锡材料的粘合力较差所导致的第一数据线Data1、第一扫描线Gate1容易剥落的问题,提高了第一数据线Data1和第一扫描线Gate1在面板内的稳固性,从而提高了数据信号和扫描信号传输的可靠性。
在一种实施方式中,请再次参见图3和图4,第一子像素区3还包括驱动晶体管10,驱动晶体管10的栅极11与第一扫描线Gate1电连接,驱动晶体管10的第一极12与第一数据线Data1电连接,驱动晶体管10的第二极13与所在第一子像素区3的第一像素电极5电连接。
基于此,显示面板还包括:半导体层14,半导体层14位于平坦化层7朝向衬底基板6的一侧,驱动晶体管10的有源层15位于半导体层14;第一层间绝缘层16,第一层间绝缘层16位于半导体层14背向衬底基板6的一侧;第一金属层17,第一金属层17位于第一层间绝缘层16背向衬底基板6的一侧,驱动晶体管10的栅极11位于第一金属层17;第二层间绝缘层18,第二层间绝缘层18位于第一金属层17背向衬底基板6的一侧;第二金属层19,第二金属层19位于第二层间绝缘层18与平坦化层7之间,驱动晶体管10的第一极12和第二极13位于第二金属层19。
显示面板进行画面显示时,第一扫描线Gate1向驱动晶体管10的栅极11提供扫描信号,控制驱动晶体管10导通,第一数据线Data1提供的显示数据电压通过导通的驱动晶体管10传输至与其电连接的第一像素电极5,液晶分子在第一像素电极5和第一公共电极4所形成的电场的作用下旋转,实现正常的画面显示。显示面板进行摄像时,第一扫描线Gate1向驱动晶体管10的栅极11提供扫描信号,控制驱动晶体管10导通,第一数据线Data1提供的摄像数据电压,如255灰阶对应的白态电压通过导通的驱动晶体管10传输至与其电连接的第一像素电极5,液晶分子在第一像素电极5和第一公共电极4所形成的电场的作用下旋转,外界环境光透过液晶分子射入摄像组件,实现成像。
在一种实施方式中,请再次参见图4,显示面板还包括第三透光导电层20,第一数据线Data1和第一扫描线Gate1均位于第三透光导电层20,此时,第一数据线Data1和第一扫描线Gate1同层设置,两部分走线仅需占用一个膜层厚度,更利于面板的轻薄化设计。
具体地,当第一数据线Data1和第一扫描线Gate1均位于第三透光导电层20时,本发明实施例以以下三种设置方式为例对面板的结构进行说明。
第一种设置方式:
请再次参见图4,显示面板还包括第一钝化层21,第一钝化层21位于第二金属层19与平坦化层7之间,且第三透光导电层20位于第一钝化层21与平坦化层7之间。
在该种设置方式中,第三透光导电层20不会改变驱动晶体管10原有的工艺流程,仅需在形成驱动晶体管10后,增加第三透光导电层20的工艺流程即可,面板的制作工艺更简便。此外,氧化铟锡等透光导电材料的刻蚀多采用湿刻工艺,通过在第三透光导电层20与第二金属层19之间增设一层第一钝化层21,可以利用第一钝化层21对第二金属层19进行保护,避免第三透光导电层20的湿刻工艺刻蚀掉第二金属层19中的金属,提高第二金属层19中信号传输的可靠性。
进一步地,如图7和图8所示,图7为本发明实施例所提供的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的一种连接示意图,图8为图7沿A1-A2方向的剖视图,第一扫描线Gate1包括第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12,驱动晶体管10的栅极11包括第一端22和第二端23,第一端22与第一扫描线段Gate11电连接,第二端23与第二扫描线段Gate12电连接。
第一数据线Data1包括第一数据线段Data11和第二数据线段Data12,驱动晶体管10的第一极12包括第三端24和第四端25,第一钝化层21包括第一过孔26和第二过孔27,第一数据线段Data11通过第一过孔26与第三端24电连接,第二数据线段Data12通过第二过孔27与第四端25电连接,第三端24还与驱动晶体管10的有源层15电连接。
在上述结构中,第一数据线Data1和第一扫描线Gate1在交叠位置处均采用断线设计,第一数据线段Data11和第二数据线段Data12之间利用驱动晶体管10的第一极12充当金属跨桥,第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12之间利用驱动晶体管10的栅极11充当金属跨桥,既保证了第一数据线段Data11和第二数据线段Data12之间、第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12之间有效的电连接,又无需再设置额外的跨桥结构,简化了工艺。而且,相较于氧化铟锡等透光导电材料,金属材料的负载较小,因此上述设计能够利用金属跨桥减小第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的整体负载,进而降低数据信号和扫描信号在传输过程中的衰减。
此外,请再次参见图7,驱动晶体管10的第一极12在其延伸方向上的长度为K,为保证驱动晶体管10的第一极12具有足够的长度,以使得第一极12与第一数据线段Data11和第二数据线段Data12之间具有较大的交叠面积,提高连接的可靠性,K可以满足:15μm≤K≤25μm。
或者,在另一种实施方式中,如图9和图10所示,图9为本发明实施例所提供的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的另一种连接示意图,图10为图9沿B1-B2方向的剖视图,第一扫描线Gate1包括第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12,驱动晶体管10的栅极11包括第一端22和第二端23,第一端22与第一扫描线段Gate11电连接,第二端23与第二扫描线段Gate12电连接。在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一数据线Data1的投影与驱动晶体管10的栅极11的投影交叠,第一钝化层21包括第三过孔28,第一数据线Data1通过第三过孔28与驱动晶体管10的第一极12电连接,驱动晶体管10的第一极12还与驱动晶体管10的有源层15电连接。
在上述结构中,第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12之间利用驱动晶体管10的栅极11充当金属跨桥,由于驱动晶体管10的栅极11与第一数据线Data1异层设置,因此,即使将第一数据线Data1设计为连续走线与驱动晶体管10的栅极11交叠,也不会造成信号干扰。而且,当第一数据线Data1为连续走线时,驱动晶体管10的第一极12无需充当金属跨桥,因此,可以通过减小驱动晶体管10的第一极12的尺寸的方式降低金属对外界环境光的遮挡,使更多数量的外界环境光透过第一显示区1射入摄像组件,有效提高成像质量。
基于上述图7和图9所示的结构,在一种实施方式中,请再次参见图7和图9,第二金属层19还包括第一辅助连接部29和第二辅助连接部30,第一辅助连接部29电连接在第一扫描线段Gate11与第一端22之间,第二辅助连接部30电连接在第二扫描线段Gate12于第二端23之间。
当第三透光导电层20位于第二金属层19背向衬底基板6的一侧时,第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11之间相距较远,第一扫描线Gate1至少需要贯穿第一钝化层21和第二层间绝缘层18两个膜层的连接过孔才能与驱动晶体管10的栅极11实现电连接,由于过孔深度较大,过孔内沉积的金属材料可能存在不连续的情况,导致第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11断路。而在本发明实施例中,通过在第二金属层19内设置辅助连接部,辅助连接部可以作为第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11之间的辅助连接层,第一扫描线Gate1仅需通过贯穿第一钝化层21上的连接过孔与辅助连接部电连接,进而辅助连接部再通过贯穿第二层间绝缘层18上的连接过孔与驱动晶体管10的栅极11电连接即可,有效提高了第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11之间的连接可靠性。
进一步地,如图11所示,图11为本发明实施例所提供的第一钝化层和第二层间绝缘层18中的过孔的尺寸示意图,第二层间绝缘层18包括第十五过孔31和第十六过孔32,第一钝化层21包括第十七过孔33和第十八过孔34。第一扫描线段Gate11通过第十七过孔33与第一辅助连接部29电连接,第一辅助连接部29进而再通过第十五过孔31与第一端22电连接,第二扫描线段Gate12通过第十八过孔34与第二辅助连接部30电连接,第二辅助连接部30进而再通过第十六过孔32与第二端23电连接。
在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一辅助连接部29覆盖第十五过孔31,且第一辅助连接部29的投影的边缘与第十五过孔31的投影的边缘之间的距离为H1,0.5μm≤H1≤2.0μm;在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第二辅助连接部30覆盖第十六过孔32,且第二辅助连接部30的投影的边缘与第十六过孔32的投影的边缘之间的距离为H2,0.5μm≤H2≤2.0μm;在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一辅助连接部29覆盖第十七过孔33,且第一辅助连接部29的投影的边缘与第十七过孔33的投影的边缘之间的距离为P1,0.5μm≤P1≤1.5μm;在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第二辅助连接部30覆盖第十八过孔34,且第二辅助连接部30的投影的边缘与第十八过孔34的投影的边缘之间的距离为P2,0.5μm≤P2≤1.5μm。
此时,第一辅助连接部29外扩于第二层间绝缘层18中的第十五过孔31,第二辅助连接部30外扩于第二层间绝缘层18中的第十六过孔32,在面板的工艺制程中,即使因对位误差等因素造成辅助连接部的膜层位置出现偏移,也能够保证辅助连接部与第一扫描线Gate1交叠,从而提高第一扫描线Gate1与辅助连接部之间的连接可靠性,与此同时,第一辅助连接部29还外扩于第一钝化层21中的第十七过孔33,第二辅助连接部30还外扩于第一钝化层21中的第十八过孔34,辅助连接部与驱动晶体管10的栅极11之间的连接可靠性也更高。
在一种实施例中,请再次参见图11,第一钝化层21在垂直于衬底基板6所在平面上的膜厚为D,将D的最小值设置为可以避免第一钝化层21过薄,对第三透光导电层20进行湿刻工艺时,第一钝化层21可有效保护第二金属层19中的金属不被刻蚀掉,而进一步将D的最大值设置为可以避免第一钝化层21过厚,从而避免对面板的整体厚度产生影响。
第二种设置方式:
如图12和图13所示,图12为本发明实施例所提供的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的再一种设置位置示意图,图13为本发明实施例所提供的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的又一种设置位置示意图,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第三透光导电层20与第一金属层17相邻设置,且第一扫描线Gate1的投影与驱动晶体管10的栅极11的投影交叠,第一数据线Data1与驱动晶体管10的栅极11电绝缘。
也就是说,在该种设置方式中,第三透光导电层20与第一金属层17之间未设置绝缘层,第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11通过直接接触的方式实现电连接,相较于通过过孔相连,一方面可以增大二者的接触面积,连接更稳定,另一方面也可以避免因过孔内沉积的金属材料不连续而导致的断路风险。而且,该种结构仅需在面板内增设第三透光导电层20,无需增设额外的绝缘层,更有利于面板的轻薄化设计。
进一步地,请再次参见图13,第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11朝向衬底基板6一侧的下表面相邻。
相较于第一扫描线Gate1位于驱动晶体管10的栅极11的上侧,第一扫描线Gate1位于驱动晶体管10的栅极11的下侧,一方面,可以更大程度地增大第一数据线Data1、第一扫描线Gate1与液晶分子之间的间距,从而更大程度地降低第一数据线Data1、第一扫描线Gate1上的电压跳变对第一显示区1所显示的画面的影响;另一方面,当第一扫描线Gate1位于驱动晶体管10的栅极11的下侧时,在显示面板的工艺制程中,首先形成第三透光导电层20,然后再形成第一金属层17,可以避免第三透光导电层20的湿刻工艺对第一金属层17中的金属的蚀刻。
需要说明的是,金属的刻蚀通常采用干刻工艺,干刻工艺对氧化铟锡等透光导电材料的影响较小,因此,第一金属层17的干刻工艺不会刻蚀掉下方的第三透光导电层20。
基于上述图12和图13所示的结构,在一种实施方式中,如图14和图15所示,图14为图12对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的连接示意图,图15为图13对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的连接示意图,第一扫描线Gate1包括第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12,驱动晶体管10的栅极11包括第一端22和第二端23,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一扫描线段Gate11的投影与第一端22的投影交叠,第二扫描线段Gate12的投影与第二端23的投影交叠;第一数据线Data1包括第一数据线段Data11和第二数据线段Data12,驱动晶体管10的第一极12包括第三端24和第四端25,第二层间绝缘层18包括第四过孔35和第五过孔36,第三端24通过第四过孔35与第一数据线段Data11电连接,第四端25通过第五过孔36与第二数据线段Data12电连接,第一层间绝缘层16还包括第六过孔37,第一数据线段Data11还通过第六过孔37与驱动晶体管10的有源层15电连接。
在上述结构中,第一数据线Data1和第一扫描线Gate1在交叠位置处均采用断线设计,第一数据线段Data11和第二数据线段Data12之间利用驱动晶体管10的第一极12充当金属跨桥,第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12之间利用驱动晶体管10的栅极11充当金属跨桥,既保证了第一数据线段Data11和第二数据线段Data12之间、第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12之间有效的电连接,又无需再设置额外的跨桥结构,简化了工艺。而且,相较于氧化铟锡等透光导电材料,金属材料的负载较小,因此上述设计能够利用金属跨桥减小第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的整体负载,进而降低数据信号和扫描信号在传输过程中的衰减。
或者,在另一种实施方式中,如图16和图17所示,图16为图12对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的另一种连接示意图,图17为图13对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的另一种连接示意图,第一数据线Data1包括第一数据线段Data11和第二数据线段Data12,驱动晶体管10的第一极12包括第三端24和第四端25,第二层间绝缘层18包括第七过孔38和第八过孔39,第三端24通过第七过孔38与第一数据线段Data11电连接,第四端25通过第八过孔39与第二数据线段Data12连接,第一层间绝缘层16还包括第九过孔40,第一数据线段Data11还通过第九过孔40与驱动晶体管10的有源层15电连接。
在上述结构中,第一数据线段Data11和第二数据线段Data12之间利用驱动晶体管10的第一极12充当金属跨桥,由于驱动晶体管10的第一极12与第一扫描线Gate1异层设置,因此,即使将第一扫描线Gate1设计为连续走线与驱动晶体管10的第一极12交叠,也不会造成信号干扰。而且,当第一扫描线Gate1为连续走线时,第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11存在较大的交叠面积,即使由于工艺误差因素致第一扫描线Gate1或驱动晶体管10的栅极11的设置位置出现偏差,也仍能保证第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11接触,第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11的连接可靠性较高。
第三种设置方式:
如图18和图19所示,图18为本发明实施例所提供的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的又一种设置位置示意图,图19为本发明实施例所提供的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的又一种设置位置示意图,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第三透光导电层20与第二金属层19相邻设置,且在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一数据线Data1的投影与驱动晶体管10的第一极12的投影交叠,第一数据线Data1与驱动晶体管10的第二极13电绝缘,第一扫描线Gate1分别与驱动晶体管10的第一极12和第二极13电绝缘。
也就是说,在该种设置方式中,第三透光导电层20与第二金属层19之间未设置绝缘层,第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12通过直接接触的方式实现电连接,相较于通过过孔相连,一方面可以增大二者的接触面积,连接更稳定,另一方面也可以避免因过孔内沉积的金属材料不连续而导致的断路风险。而且,该种结构仅需在面板内增设第三透光导电层20,无需增设额外的绝缘层,更有利于面板的轻薄化设计。
进一步地,请再次参见图19,第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12朝向衬底基板6一侧的下表面相邻。
相较于第一数据线Data1位于驱动晶体管10的上侧,第一数据线Data1位于驱动晶体管10的第一极12的下侧,一方面,可以更大程度地增大第一数据线Data1、第一扫描线Gate1与液晶分子之间的间距,从而更大程度地降低第一数据线Data1、第一扫描线Gate1上的电压跳变对第一显示区1所显示的画面的影响;另一方面,当第一数据线Data1位于驱动晶体管10的第一极12的下侧时,在显示面板的工艺制程中,首先形成第三透光导电层20,然后再形成第二金属层19,可以避免第三透光导电层20的湿刻工艺刻蚀掉第二金属层19中的金属。此外,虽然第三透光导电层20位于第一金属层17远离衬底基板6的一侧,但由于第三透光导电层20与第一金属层17之间还间隔有第二层间绝缘层18,因此第三透光导电层20的湿刻工艺也不会刻蚀掉第一金属层17中的金属。
此外,需要说明的是,金属的刻蚀通常采用干刻工艺,干刻工艺对氧化铟锡等透光导电材料的影响较小,因此,第二金属层19的干刻工艺不会刻蚀掉下方的第三透光导电层20。
基于上述图18和图19所示的结构,在一种实施方式中,如图20和图21所示,图20为图18对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的连接示意图,图21为图19对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的连接示意图,第一扫描线Gate1包括第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12,驱动晶体管10的栅极11包括第一端22和第二端23,第二层间绝缘层18包括第十过孔41和第十一过孔42,第一扫描线段Gate11通过第十过孔41与第一端22电连接,第二扫描线段Gate12通过第十一过孔42与第二端23电连接;第一数据线Data1包括第一数据线段Data11和第二数据线段Data12,驱动晶体管10的第一极12包括第三端24和第四端25,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第三端24的投影与第一数据线段Data11的投影交叠,第四端25的投影与第二数据线段Data12的投影交叠,第三端24还与驱动晶体管10的有源层15电连接。
在上述结构中,第一数据线Data1和第一扫描线Gate1在交叠位置处均采用断线设计,第一数据线段Data11和第二数据线段Data12之间利用驱动晶体管10的第一极12充当金属跨桥,第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12之间利用驱动晶体管10的栅极11充当金属跨桥,既保证了第一数据线段Data11和第二数据线段Data12之间、第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12之间有效的电连接,还无需再设置额外的跨桥结构,简化了工艺。而且,相较于氧化铟锡等透光导电材料,金属材料的负载较小,因此上述设计能够利用金属跨桥减小第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的整体负载,进而降低数据信号和扫描信号在传输过程中的衰减。
或者,在另一种实施方式中,如图22和图23所示,图22为图18对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的另一种连接示意图,图23为图19对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的另一种连接示意图,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一扫描线Gate1的投影与驱动晶体管10的栅极11的投影交叠,第二层间绝缘层18包括第十二过孔43,第一扫描线Gate1通过第十二过孔43与驱动晶体管10的栅极11电连接;第一数据线Data1包括第一数据线段Data11和第二数据线段Data12,驱动晶体管10的第一极12包括第三端24和第四端25,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第三端24的投影与第一数据线段Data11的投影交叠,第四端25的投影与第二数据线段Data12投影交叠,第三端24还与驱动晶体管10的有源层15电连接。
在上述结构中,第一数据线段Data11和第二数据线段Data12之间利用驱动晶体管10的第一极12充当金属跨桥,由于驱动晶体管10的第一极12与第一扫描线Gate1异层设置,因此,即使将第一扫描线Gate1设计为连续走线与驱动晶体管10的第一极12交叠,也不会造成信号干扰。而且,当第一扫描线Gate1为连续走线时,第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11存在较大的交叠面积,即使由于工艺误差因素致第一扫描线Gate1或驱动晶体管10的栅极11的设置位置出现偏差,也仍能保证第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11接触,第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11的连接可靠性较高。
再或者,在另一种实施方式中,如图24和图25所示,图24为图18对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的再一种连接示意图,图25为图19对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的再一种连接示意图,第一扫描线Gate1包括第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12,驱动晶体管10的栅极11包括第一端22和第二端23,第二层间绝缘层18包括第十三过孔44和第十四过孔45,第一扫描线段Gate11通过第十三过孔44与第一端22电连接,第二扫描线段Gate12通过第十四过孔45与第二端23电连接。在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一数据线Data1的投影与驱动晶体管10的第一极12的投影交叠,驱动晶体管10的第一极12还与驱动晶体管10的有源层15电连接。
在上述结构中,第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12之间利用驱动晶体管10的栅极11充当金属跨桥,由于驱动晶体管10的栅极11与第一数据线Data1异层设置,因此,即使将第一数据线Data1设计为连续走线与驱动晶体管10的栅极11交叠,也不会造成信号干扰。而且,当第一数据线Data1为连续走线时,第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12存在较大的交叠面积,即使由于工艺误差因素致第一数据线Data1或驱动晶体管10的第一极12的设置位置出现偏差,也仍能保证第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12接触,第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12的连接可靠性较高。
需要说明的是,在本发明其它可选的实施方式中,第三透光导电层20和第一金属层17或第二金属层19之间也可间隔有钝化层。示例性的,如图26所示,图26为本发明实施例所提供的第四钝化层81的结构示意图,当第三透光导电层20位于平坦化层7与第二层间绝缘层18之间时,第三透光导电层20与第二金属层19之间还可间隔一层第四钝化层81。如此设置,当第三透光导电层20位于第二金属层19背向衬底基板6的一侧时,可以利用第四钝化层81保护第二金属层19不被第三透光导电层20的湿刻工艺影响。或者,如图27所示,图27为本发明实施例所提供的第五钝化层82的结构示意图,当第三透光导电层20位于第一层间绝缘层16与第二层间绝缘层18之间时,第三透光导电层20与第一金属层17之间还可间隔一层第五钝化层82,如此设置,当第三透光导电层20位于第一金属层17背向衬底基板6的一侧时,可以利用第五钝化层82保护第一金属层17不被第三透光导电层20的湿刻工艺影响。
在一种实施方式中,如图28所示,图28为本发明实施例所提供的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的又一种设置位置示意图,显示面板还包括异层设置的第四透光导电层46和第五透光导电层47,第一数据线Data1位于第四透光导电层46,第一扫描线Gate1位于第五透光导电层47。
当第一扫描线Gate1和第一数据线Data1异层设置时,第一扫描线Gate1和第一数据线Data1的设置位置更加灵活。例如,请再次参见图28,第五透光导电层47可以与第一金属层17相邻设置,从而使第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11之间的电连接更易实现,而第四透光导电层46则可以与第二金属层19相邻设置,从而使第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12之间的电连接更易实现。
在一种实施方式中,请再次参见图28,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第四透光导电层46与第二金属层19相邻设置,且第一数据线Data1的投影与驱动晶体管10的第一极12的投影交叠;在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第五透光导电层47与第一金属层17相邻设置,且第一扫描线Gate1的投影与驱动晶体管10的栅极11的投影交叠。
以第四透光导电层46与第二金属层19相邻设置为例,第四透光导电层46与第二金属层19之间未设置绝缘层,第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12通过直接接触的方式实现电连接,相较于通过过孔相连,一方面可以增大二者的接触面积,连接更稳定,另一方面也可以避免因过孔内沉积的金属材料不连续而导致的断路风险。而且,该种结构还可减少面板内所设置的绝缘层的数量,更有利于面板的轻薄化设计。
进一步地,如图29所示,图29为图28对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的连接示意图,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一数据线Data1的投影与第一扫描线Gate1的投影交叠,此时,第一数据线Data1和第一扫描线Gate1为连续走线结构,无需设置金属跨桥,工艺制程更简单。
或者,如图30所示,图30为图28对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的另一种连接示意图,第一扫描线Gate1包括第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12,驱动晶体管10的栅极11包括第一端22和第二端23,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一扫描线段Gate11的投影与第一端22的投影交叠,第二扫描线段Gate12的投影与第二端23的投影交叠;在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一数据线Data1的投影与驱动晶体管10的栅极11的投影交叠。
此时,第一数据线Data1为连续走线,第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12存在较大的交叠面积,即使由于工艺误差因素致第一数据线Data1或驱动晶体管10的第一极12的设置位置出现偏差,也仍能保证第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12接触,第一数据线Data1与驱动晶体管10的第一极12的连接可靠性较高。
再或者,如图31所示,图31为图28对应的第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的再一种连接示意图,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第一扫描线Gate1的投影与驱动晶体管10的第一极12的投影交叠;第一数据线Data1包括第一数据线段Data11和第二数据线段Data12,驱动晶体管10的第一极12包括第三端24和第四端25,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第三端24的投影与第一数据线段Data11的投影交叠,第四端25的投影与第二数据线段Data12的投影交叠。
此时,第一扫描线Gate1为连续走线,第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11存在较大的交叠面积,即使由于工艺误差因素致第一扫描线Gate1或驱动晶体管10的栅极11的设置位置出现偏差,也仍能保证第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11接触,第一扫描线Gate1与驱动晶体管10的栅极11的连接可靠性较高。
在一种实施方式中,为避免第一扫描线Gate1负载过大,对扫描信号造成较大损耗,如图32所示,图32为本发明实施例所提供的第一扫描线Gate1和第一数据线Data1的尺寸示意图,第一扫描线Gate1在垂直于衬底基板6所在平面上的膜厚为X1,第一扫描线Gate1在垂直其延伸方向上的线宽为Z1,X1和Z1可以满足:2.5μm≤Z1≤9μm。为避免第一数据线Data1负载过大,对数据信号造成较大损耗,第一数据线Data1在垂直于衬底基板6所在平面上的膜厚为X2,第一数据线Data1在垂直其延伸方向上的线宽为Z2,X2和Z2可以满足:2.5μm≤Z2≤9μm。
在一种实施方式中,如图33所示,图33为本发明实施例所提供的驱动晶体管10的尺寸示意图,驱动晶体管10的有源层15为U型结构,驱动晶体管10的有源层15包括顺次连通的第一半导体部48、第二半导体部49和第三半导体部50。
在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,驱动晶体管10的栅极11的投影分别与第一半导体部48和第三半导体部50的投影交叠,驱动晶体管10的栅极11包括在其延伸方向上相对的第一边51和第二边52,第一边51与第一半导体部48之间的最小距离大于第一边51与第三半导体部50之间的最小距离。第一边51的投影边缘与第一半导体部48的投影边缘之间的距离为Q1,第二边52的投影边缘与第三半导体部50的投影边缘之间的距离为Q2,5μm≤Q1≤15μm,5μm≤Q2≤15μm,从而使驱动晶体管10的栅极11具有足够的长度,保证驱动晶体管10的栅极11贯穿整个驱动晶体管10的有源层15,便于与第一扫描线段Gate11和第二扫描线段Gate12电连接。
在一种实施方式中,如图34所示,图34为本发明实施例所提供的驱动晶体管10的另一种尺寸示意图,驱动晶体管10的有源层15包括连接岛53,连接岛53与驱动晶体管10的第一极12电连接,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,驱动晶体管10的第一极12覆盖连接岛53,且驱动晶体管10的第一极12的投影的边缘与连接岛53的投影的边缘之间的距离为Y,0≤Y≤1μm。此时,驱动晶体管10的第一极12外扩于有源层15的连接岛53,驱动晶体管10的第一极12与驱动晶体管10的有源层15之间更易通过过孔进行可靠的电连接。
在一种实施方式中,如图35和图36所示,图35为本发明实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图,图36为本发明实施例所提供的遮光部的结构示意图,显示面板还包括与阵列基板相对设置的彩膜基板54,彩膜基板54包括遮光层55,遮光层55包括位于第一显示区1的多个遮光部56,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,遮光部56的投影与第一子像素区3中的驱动晶体管10的投影交叠,并且,遮光部56的至少部分边缘为非直线型边缘。
显示面板进行摄像模式时,外界环境光透过遮光层55的开口区射入,若遮光层55呈规则的直线延伸,外界环境光透过遮光层55的间隙射入后,容易发生周期性干涉,进而产生衍射条纹。而通过将遮光部56的至少部分边缘设置为非直线型边缘,可以利用遮光部56不规则的边缘打破光的周期性干涉,弱化衍射现象,进而降低衍射条纹对成像质量的影响。
进一步地,请再次参见图36,遮光部56包括至少一个子遮光部57,子遮光部57的形状为圆形或椭圆形。例如,遮光部56可以包括两个圆形的子遮光部57,从而实现对不同版图形状的驱动晶体管10进行有效覆盖。
此外,如图37所示,图37为本发明实施例所提供的遮光部的尺寸示意图,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,遮光部56覆盖驱动晶体管10的栅极11,遮光部56的投影边缘与驱动晶体管10的栅极11的投影边缘之间的距离为E1,0≤E1≤2.0μm;在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,遮光部56覆盖驱动晶体管10的第一极12,遮光部56的投影边缘与驱动晶体管10的第一极12的投影边缘之间的距离为E2,0≤E2≤2.0μm;在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,遮光部56覆盖驱动晶体管10的第二极13,遮光部56的投影边缘与驱动晶体管10的第二极13的投影边缘之间的距离为E3,0≤E3≤2.0μm;在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,遮光部56覆盖驱动晶体管10的有源层15,遮光部56的投影边缘与驱动晶体管10的有源层15的投影边缘之间的距离为E4,0≤E4≤2.0μm。
此时,遮光部56对驱动晶体管10中的金属进行了全部覆盖,外界环境光射入第一显示区1后会被覆盖在驱动晶体管10上方的遮光部56吸收掉,从而无法被驱动晶体管10中的金属反射至人眼,从而能保证较好的对比度。而且,遮光部56还对驱动晶体管10的有源层15进行了全部覆盖,外界环境光或者杂散光无法照射至有源层15,进而避免驱动晶体管10产生漏电流,提高了驱动晶体管10的工作稳定性。
在一种实施方式中,如图38所示,图38为本发明实施例所提供的触控层的设置位置示意图,显示面板还包括触控层58和第三钝化层60,其中,触控层58包括触控信号线59,触控层58位于第一透光导电层8与平坦化层7之间,且触控层58由透光导电材料形成;第三钝化层60位于触控层58与第一透光导电层8之间。
由于触控层58和第三钝化层60设置在平坦化层7背向衬底基板6的一侧,可以利用触控层58和第三钝化层60进一步增大第一数据线Data1和第一扫描线Gate1与液晶分子的距离,从而进一步降低第一数据线Data1和第一扫描线Gate1上的电压跳变对液晶分子的影响。此外,将触控层58也由透光导电材料形成,可以降低触控层58对第一数据线Data1和第一扫描线Gate1的遮挡,提高第一显示区1的光线透过率。
或者,在另一种实施方式中,当第一数据线Data1和第一扫描线Gate1位于第三透光金属层时,如图39所示,图39为本发明实施例所提供的触控层的另一种设置位置示意图,显示面板还包括触控层58,触控层58包括触控信号线59,触控信号线59与第一数据线Data1同向延伸,触控信号线59包括第一触控线段61、第二触控线段62和跨桥63,跨桥63电连接在第一触控线段61和第二触控线段62之间,并且,在垂直于衬底基板6所在平面方向上,跨桥63的投影与第一扫描线Gate1的投影交叠;第一触控线段61和第二触控线段62位于第三透光导电层20,跨桥63与第三透光导电层20异层设置,例如,跨桥63可以位于第一金属层17,也可以位于第二金属层19,也可以为额外增设的金属层。
在上述结构中,第一触控线段61和第二触控线段62仅需与第一数据线Data1和第一扫描线Gate1采用同一构图工艺形成即可,无需占用额外的膜层厚度,而且,第一触控线段61和第二触控线段62之间采用跨桥63电连接,还可以避免第一触控线段61和第二触控线段62与第一扫描线Gate1接触,进而避免触控信号和扫描信号相互串扰。
或者,在另一种实施方式中,当第一数据线Data1位于第四透光金属层、第一扫描线Gate1位于第五透光金属层时,如图40和图41所示,图40为本发明实施例所提供的触控层的再一种设置位置示意图,图41为图40沿C1-C2方向的剖视图,显示面板还包括触控层58,触控层58包括触控信号线59,触控信号线59与第一数据线Data1同向延伸,且触控信号线59位于第四透光导电层46。
在上述结构中,第一数据线Data1和第一扫描线Gate1异层设置,当触控信号线59位于第四透光导电层46时不会与第一扫描线Gate1接触,因此触控信号线59可以设置为连续的走线结构,无需设置跨桥,简化了触控信号线59的工艺制程。而且,触控信号线59也无需占用额外的膜层空间,不会对面板的整体厚度产生影响。
此外,需要说明的是,半导体层14朝向衬底基板6的一侧还可设置有挡光层,挡光层位于第一显示区1,用于对驱动晶体管10的有源层15进行遮挡,避免由背光射入面板内的光照射到有源层15而产生光生载流子,进而避免驱动晶体管10产生漏电流。
在一种实施方式中,结合图3,如图42所示,图42为本发明实施例所提供的第二显示区的结构示意图,显示面板还包括与第一显示区1相邻设置的第二显示区64,第二显示区64包括第二扫描线Gate2和第二数据线Data2,第二扫描线Gate2和第二数据线Data2限定出多个第二子像素区65,第二子像素区65包括第二公共电极66和第二像素电极67;其中,第二扫描线Gate2位于第一金属层17,第二数据线Data2位于第二金属层19,第二扫描线Gate2与第一扫描线Gate1之间通过过孔电连接,第二数据线Data2与第一数据线Data1之间通过过孔电连接。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法,该制作方法用于制作上述显示面板,结合图3和图4,如图43所示,图43为本发明实施例所提供的显示面板的制作方法的流程图,该制作方法包括:
步骤S1:在衬底基板6的第一显示区1形成第一数据线Data1和/或第一扫描线Gate1,第一数据线Data1和/或第一扫描线Gate1由透光导电材料形成。
步骤S2:在第一数据线Data1和/或第一扫描线Gate1背向衬底基板6的一侧形成平坦化层7。
步骤S3:在平坦化层7背向衬底基板6的一侧形成第一透光导电层8,第一透光导电层8包括第一公共电极4。
步骤S4:在第一透光导电层8背向衬底基板6的一侧形成第二透光导电层9,第二透光导电层9包括第一像素电极5。
在本发明实施例中,第一数据线Data1和/或第一扫描线Gate1位于平坦化层7朝向衬底基板6的一侧,第一数据线Data1、第一扫描线Gate1与液晶分子相距较远,即使第一数据线Data1和第一扫描线Gate1上的电压跳变,也难以对液晶分子产生影响,有效降低了由数据信号、扫描信号跳变导致的第一显示区1显示异常问题,弱化甚至消除了暗线现象。另一方面,第一公共电极4接收固定的公共电压信号,还可以屏蔽其下方第一数据线Data1、第一扫描线Gate1上的电压跳变所产生的干扰电场对液晶分子的影响,从而更大程度地减低第一显示区1显示异常的风险。
此外,本发明实施例首先形成第一数据线Data1和/或第一扫描线Gate1,然后再形成平坦化层7,第一数据线Data1和第一扫描线Gate1无需沉积在平坦化层7上,因此也避免了由树脂材料与氧化铟锡材料的粘合力较差所导致的第一数据线Data1、第一扫描线Gate1容易剥落的问题。
在一种实施方式中,请再次参见图3和图4,显示面板还包括驱动晶体管10,驱动晶体管10的栅极11与第一扫描线Gate1电连接,驱动晶体管10的第一极12与第一数据线Data1电连接,驱动晶体管10的第二极13与第一像素电极5电连接。
基于此,如图44所示,图44为本发明实施例所提供的显示面板的制作方法的另一种流程图,在形成平坦化层7之前,制作方法还包括:
步骤S01:在衬底基板6上形成半导体层14,半导体层14位于平坦化层7朝向衬底基板6的一侧,半导体层14包括驱动晶体管10的有源层15。
步骤S02:在半导体层14背向衬底基板6的一侧形成第一层间绝缘层16。
步骤S03:在第一层间绝缘层16背向衬底基板6的一侧形成第一金属层17,第一金属层17包括驱动晶体管10的栅极11。
步骤S04:在第一金属层17背向衬底基板6的一侧形成第二层间绝缘层18。
步骤S05:在第二层间绝缘层18背向衬底基板6的一侧形成第二金属层19,第二金属层19包括驱动晶体管10的第一极12和第二极13。
在一种实施方式中,请再次参见图44,步骤S1具体可包括:
步骤S11:在第二金属层19背向衬底基板6的一侧,利用第一掩膜板形成第一钝化层21。
步骤S12:在第一钝化层21背向衬底基板6的一侧形成第三透光导电层20,第三透光导电层20包括第一数据线Data1和第一扫描线Gate1。
在该种设置方式中,第三透光导电层20不会改变驱动晶体管10原有的工艺流程,仅需在形成驱动晶体管10后,增加第三透光导电层20的工艺流程即可,面板的制作工艺更简便。此外,氧化铟锡等透光导电材料的刻蚀多采用湿刻工艺,通过在第三透光导电层20与第二金属层19之间增设一层第一钝化层21,可以利用第一钝化层21对第二金属层19进行保护,避免第三透光导电层20的湿刻工艺刻蚀掉第二金属层19中的金属,提高第二金属层19中信号传输的可靠性。
进一步地,在形成第一透光导电层8之后、形成第二透光导电层9之前,制作方法还包括:利用第一掩膜板形成第二钝化层。
当第一钝化层21和第二钝化层80采用同一掩膜板形成时,如图45所示,图45为本发明实施例所提供的第一钝化层21和第二钝化层80的结构示意图,第一钝化层21包括第十九过孔70、第二十过孔71和第二十一过孔72,第一数据线Data1通过第十九过孔70与驱动晶体管10的第一极12电连接,第一扫描线Gate1通过第二十过孔71与驱动晶体管10的栅极11电连接。第二钝化层80包括第二十二过孔73、第二十三过孔74和第二十四过孔75,第一像素电极5通过第二十四过孔75和第二十一过孔72与驱动晶体管10的第二极13电连接。在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第十九过孔70的投影与第二十二过孔73的投影重合,第二十过孔71的投影与第二十三过孔74的投影重合,第二十一过孔72的投影与第二十四过孔75的投影重合。
需要说明的是,第二钝化层80中的第二十二过孔73和第二十三过孔74内均无导电材料沉积,不用于导电膜层之间的电连接。
采用上述制作方法,第一钝化层21和第二钝化层80采用同一掩膜板进行刻蚀,减少了面板工艺制程中所需的掩膜板数量,降低了工艺成本。
或者,在另一种实施方式中,在形成第一透光导电层8之后、形成第二透光导电层9之前,制作方法还包括:利用第二掩膜板形成第二钝化层80。
当第一钝化层21和第二钝化层80采用不同掩膜板形成时,如图46所示,图46为本发明实施例所提供的第一钝化层21和第二钝化层80的另一种结构示意图,第一钝化层21包括第十九过孔70、第二十过孔71和第二十一过孔72,第一数据线Data1通过第十九过孔70与驱动晶体管10的第一极12电连接,第一扫描线Gate1通过第二十过孔71与驱动晶体管10的栅极11电连接。第二钝化层80仅包括第二十四过孔75,第一像素电极5通过第二十四过孔75、第二十一过孔72以及平坦化层7中的过孔与驱动晶体管10的第二极13电连接。
采用上述制作方法,第一钝化层21和第二钝化层80采用不同的掩膜板进行刻蚀,第二钝化层80中无需形成闲置的第二十二过孔73和第二十三过孔74,第二钝化层80中过孔数量较少,第二钝化层80更易形成平坦表面,有效提高了第二钝化层80的膜层平坦性及面板的盒厚均一性。
进一步地,如图47所示,图47为本发明实施例所提供的第一钝化层21和第二钝化层80的再一种结构示意图,平坦化层7具有第二十五过孔76,在垂直于衬底基板6所在平面的方向上,第二十五过孔76的投影覆盖第二十一过孔72的投影,并且,第二十五过孔76的孔径大于第二十一过孔72的孔径,第二十五过孔76和第二十一过孔72形成套孔结构。此时,对于第一钝化层21所具有的第十九过孔70、第二十过孔71和第二十一过孔72,相较于第十九过孔70和第二十过孔71,第二十一过孔72的孔径可以设置的更小一些。具体地,第十九过孔70的孔径为L1,3.0μm≤L1≤5.5μm,第二十过孔71的孔径为L2,3.0μm≤L2≤5.5μm,第二十一过孔72的孔径为L3,2.5μm≤L3≤4.5μm。
在第一钝化层21上形成平坦化层7后,由于第一钝化层21中第二十一过孔72的孔径较小,因此,在平坦化层7上形成第二十五过孔76的工艺制程中,平坦化层7中与第二十五过孔76对应的刻蚀区域会覆盖第二十一过孔72及第二十一过孔72周边的部分第一钝化层21,那么即使平坦化层7的刻蚀工艺对第一钝化层21产生影响,也仅会影响暴露在第二十五过孔76内的那部分第一钝化层21,而不会使第二十一过孔72的孔径变得过大,避免出现第二十一过孔72的孔径大于第二十五过孔76的孔径的情况,进而在后续形成第二钝化层80的第二十四过孔75时,避免在第二十一过孔72内存在刻蚀不完全情况,从而提高第一像素电极5与驱动晶体管10的第二极13之间的连接可靠性。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,如图48所示,图48为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图,该显示装置包括上述显示面板100。其中,显示面板100的具体结构和制作方法已经在上述实施例中进行了详细说明,此处不再赘述。当然,图48所示的显示装置仅仅为示意说明,该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
第一显示区,所述第一显示区包括第一扫描线和第一数据线,所述第一扫描线和所述第一数据线限定出多个第一子像素区,所述第一子像素区包括第一公共电极和第一像素电极,所述第一显示区为光学部件设置区;
衬底基板;
平坦化层,所述平坦化层位于所述衬底基板;
第一透光导电层,所述第一透光导电层位于所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧,所述第一公共电极位于所述第一透光导电层;
第二透光导电层,所述第二透光导电层位于所述第一透光导电层背向所述衬底基板的一侧,所述第一像素电极位于所述第二透光导电层;
其中,所述第一数据线由透光导电材料形成,所述第一数据线位于所述平坦化层朝向所述衬底基板的一侧,和/或,所述第一扫描线由透光导电材料形成,所述第一扫描线位于所述平坦化层朝向所述衬底基板的一侧;
所述第一子像素区还包括驱动晶体管,所述驱动晶体管的栅极与所述第一扫描线电连接,所述驱动晶体管的第一极与所述第一数据线电连接,所述驱动晶体管的第二极与所在第一子像素区的所述第一像素电极电连接;
所述显示面板还包括:
半导体层,所述半导体层位于所述平坦化层朝向所述衬底基板的一侧,所述驱动晶体管的有源层位于所述半导体层;
第一层间绝缘层,所述第一层间绝缘层位于所述半导体层背向所述衬底基板的一侧;
第一金属层,所述第一金属层位于所述第一层间绝缘层背向所述衬底基板的一侧,所述驱动晶体管的栅极位于所述第一金属层;
第二层间绝缘层,所述第二层间绝缘层位于所述第一金属层背向所述衬底基板的一侧;
第二金属层,所述第二金属层位于所述第二层间绝缘层与所述平坦化层之间,所述驱动晶体管的第一极和第二极位于所述第二金属层;
异层设置的第四透光导电层和第五透光导电层,所述第一数据线位于所述第四透光导电层,所述第一扫描线位于所述第五透光导电层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第四透光导电层与所述第二金属层相邻设置,且所述第一数据线的投影与所述驱动晶体管的第一极的投影交叠;
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第五透光导电层与所述第一金属层相邻设置,且所述第一扫描线的投影与所述驱动晶体管的栅极的投影交叠。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第一数据线的投影与所述第一扫描线的投影交叠,所述第一数据线和所述第一扫描线为连续走线结构。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第一扫描线包括第一扫描线段和第二扫描线段,所述驱动晶体管的栅极包括第一端和第二端,在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第一扫描线段的投影与所述第一端的投影交叠,所述第二扫描线段的投影与所述第二端的投影交叠;在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第一数据线的投影与所述驱动晶体管的栅极的投影交叠。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第一数据线包括第一数据线段和第二数据线段,所述驱动晶体管的第一极包括第三端和第四端,在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第一扫描线的投影与所述驱动晶体管的第一极的投影交叠;在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第三端的投影与所述第一数据线段的投影交叠,所述第四端的投影与所述第二数据线段的投影交叠。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,所述彩膜基板包括遮光层,所述遮光层包括位于所述第一显示区的多个遮光部,在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述遮光部的投影与所述第一子像素区中的所述驱动晶体管的投影交叠,并且,所述遮光部的至少部分边缘为非直线型边缘。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述遮光部包括至少一个子遮光部,所述子遮光部的形状为圆形或椭圆形。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
触控层,所述触控层包括触控信号线,所述触控层位于所述第一透光导电层与所述平坦化层之间,且所述触控层由透光导电材料形成;
第三钝化层,所述第三钝化层位于所述触控层与所述第一透光导电层之间。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
触控层,所述触控层包括触控信号线,所述触控信号线与所述第一数据线同向延伸,且所述触控信号线位于所述第四透光导电层。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括与所述第一显示区相邻设置的第二显示区,所述第二显示区包括第二扫描线和第二数据线,所述第二扫描线和所述第二数据线限定出多个第二子像素区,所述第二子像素区包括第二公共电极和第二像素电极;
其中,所述第二扫描线位于所述第一金属层,所述第二数据线位于所述第二金属层。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~10任一项所述的显示面板。
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