CN105468202A - 阵列基板、触控显示面板及触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了阵列基板、触控显示面板及触控显示装置。所述阵列基板的一具体实施方式包括：衬底基板，包括显示区和非显示区；垂直于所述衬底基板的方向上排列的多个金属层；多个金属层包括第一金属层和第二金属层；第一金属层用于形成所述阵列基板的扫描线；第二金属层用于形成所述阵列基板的数据线；显示区内设有多个像素单元，像素单元呈阵列排布，像素单元的行方向为扫描线的延伸方向,像素单元的列方向为数据线的延伸方向；触控电极层，触控电极层包括多个触控电极；多条触控信号线，触控信号线与一个触控电极电相连，为触控电极传输触控信号；触控信号线与至少一层多个金属层同层设置。该实施方式能够降低阵列基板制作过程的工艺复杂度。

Description

阵列基板、触控显示面板及触控显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及触控显示技术领域，尤其涉及阵列基板、触控显示面板及触控显示装置。

背景技术

内嵌式触摸显示屏上设有公共电极。在触摸检测时公共电极复用为触控发射电极，接收触控驱动信号，触摸检测电路根据显示屏上电容的变化确定触摸点。公共电极可以采用ITO导电玻璃制作。在内嵌式触摸显示屏中，触控显示面板上的公共电极呈条状平行排布。由于公共电极的面积较大，其电阻值较高，对触摸检测电路的精度影响较大。

一般地，内嵌式触摸显示屏可以包括多个金属层，包括用于形成扫描线的第一金属层、用于形成数据线的第二金属层，以及用于形成公共电极线的第三金属层。通常，第三金属层与第一金属层和第二金属层不同层设置。公共电极与形成于第三金属层上的公共电极线并联连接，可以有效地减小公共电极的阻值。

在上述采用在第三金属层上形成公共电极线与公共电极并联以减小公共电极电阻的方法中，需要在显示屏制作过程中单独形成第三金属层。而为了避免第三金属层与其他导电层(例如第二金属层和公共电极)之间形成电场，还需要在第三金属层与其他导电层之间制作绝缘层，不仅增加了显示屏的厚度，也增加了工艺复杂度。

发明内容

有鉴于此，期望能够提供一种制作工艺简单且降低公共电极电阻的阵列基板。为了解决上述技术问题，本申请提供了阵列基板、触控显示面板及触控显示装置。

第一方面，本申请提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，包括显示区和非显示区；在垂直于所述衬底基板的方向上排列的多个金属层；所述多个金属层包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层用于形成所述阵列基板的扫描线；所述第二金属层用于形成所述阵列基板的数据线；所述显示区内设有多个像素单元，所述像素单元呈阵列排布，所述像素单元的行方向为所述扫描线的延伸方向,所述像素单元的列方向为数据线的延伸方向；触控电极层，所述触控电极层包括多个触控电极；多条触控信号线，所述触控信号线与一个所述触控电极电相连，为所述触控电极传输触控信号；所述触控信号线与至少一层所述多个金属层同层设置。

第二方面，本申请提供了如本申请第一方面所提供的阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的彩膜基板。

第三方面，本申请提供了一种触控显示装置，包括如本申请第二方面所提供的触控显示面板。

本申请提供的阵列基板、触控显示面板及触控显示装置，通过将与触控电极并联的触控信号线与阵列基板上已有的金属层同层设置，在制作过程中，可以通过同一道工序形成触控电极所在金属层上的所有线路图形，在降低触控电极电阻的同时简化了工艺。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本申请提供的阵列基板的一个局部剖面图；

图2是本申请提供的阵列基板的一个实施例的结构示意图；

图3是图2所示阵列基板的局部剖面图；

图4是本申请提供的阵列基板的另一个实施例的结构示意图；

图5是图4所示阵列基板的局部剖面图；

图6A是本申请提供的阵列基板的又一个实施例的结构示意图；

图6B是本申请提供的阵列基板的再一个实施例的结构示意图；

图7A是图6A所示阵列基板的局部剖面图；

图7B是图6B所示阵列基板的局部剖面图；

图8是本申请提供的阵列基板的再一个实施例的结构示意图；

图9是图8所示阵列基板的局部剖面图；

图10是本申请提供的触控显示面板的一个实施例的局部剖面图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

请参考图1，其示出了本申请提供的阵列基板的一个局部剖面图。如图1所示，阵列基板100包括衬底基板10，衬底基板10包括显示区101和非显示区102。阵列基板100还包括在垂直于衬底基板10的方向上排列的多个金属层。多个金属层至少包括第一金属层11和第二金属层12。其中，第一金属层11用于形成阵列基板100的扫描线111(图1中仅示出一条)，第二金属层12用于形成阵列基板100的数据线121。显示区101内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线111的延伸方向，像素单元的列方向为数据线121的延伸方向。阵列基板100还包括触控电极层13和多条触控信号线。触控电极层13包括多个触控电极131。触控信号线与一个触控电极131电相连，为触控电极131传输触控信号。触控信号线与至少一层上述多个金属层同层设置。如图1中，触控信号线112可以与第一金属层11同层设置。在其他的实施例中，触控信号线112也可以与第二金属层12同层设置。

阵列基板100的非显示区102内设有驱动电路，阵列基板100的显示区101内设有多个像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管，扫描线111的一端与薄膜晶体管的栅极电相连，扫描线111的另一端与栅极驱动电路113电相连；数据线121的一端与薄膜晶体管的源极电相连，数据线121的另一端与源极驱动电路123电相连；在进行一幅画面的显示时，栅极驱动电路能够发出驱动扫描信号，通过扫描线111控制薄膜晶体管的导通和断开，当薄膜晶体管被导通，显示信号通过数据线121输入显示像素中，从而进行一幅画面的显示。栅极驱动电路113可以与第一金属层11同层设置，源极驱动电路123可以与第二金属层12同层设置。

在本实施例中，触控电极131可以用于实现包含阵列基板100的显示面板的触控功能。在互容式触控显示面板中，触控电极131可以用作互容式触控电极，例如作为触控发射电极，通过触控信号线112接收触控信号，与触控接收电极形成互电容，通过检测互电容的变化来确定触摸点。在自容式触摸显示面板中，触控电极131可以用作自容式触控电极，通过触控信号线112接收触控信号，并将在检测到触摸点时将由于自电容变化而产生的感应信号通过触控信号线112传递至触摸检测电路。

本实施例提供的阵列基板100，通过将触控信号线与阵列基板上已有的金属层同层设置，省去了触控信号线金属层的制作，在制作阵列基板时可以降低工艺复杂度。

进一步参考图2，其示出了本申请提供的阵列基板的一个实施例的结构示意图。如图2所示，阵列基板200包括呈阵列排布的像素单元203、沿像素单元203的行方向延伸的扫描线211以及沿像素单元203的列方向延伸的数据线221。在本实施例中，用于向触控电极传输触控信号的触控信号线212与扫描线所在的第一金属层同层设置。触控信号线212设置于相邻两行像素单元203之间，与显示区内的扫描线211绝缘且走线方向一致。在图2中，触控信号线212与扫描线211平行。在显示阶段，扫描线211接收栅极扫描电路输出的扫描信号，此时触控信号线212可以作为公共电极线为公共电极传输显示所需要的公共电压。由于扫描线211和触控信号线212绝缘，扫描线211和触控信号线212上的信号互不干扰，避免形成寄生电容影响显示效果，并且可以使用一道工序同时形成触控信号线212与扫描线211，降低了工艺成本，也减少了显示面板的膜层数量。

在本实施例的一些可选的实现方式中，阵列基板还包括形成于第一金属层和触控电极层之间的第一绝缘层。第一绝缘层上设有贯穿第一绝缘层的至少一个第一导通孔241，触控信号线212通过至少一个第一导通孔241与多个触控电极电连接。

进一步参考图3，其示出了图2所示阵列基板的局部剖面图。图3所示为沿图2中与数据线221平行线的S1剖开的切面示意图。如图3所示，阵列基板200包括衬底基板20，衬底基板20包括显示区201和非显示区202。阵列基板200还包括在垂直于衬底基板20的方向上排列的第一金属层21和第二金属层22。其中，第一金属层21用于形成阵列基板200的扫描线211，第二金属层22用于形成阵列基板200的数据线221。显示区201内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线211的延伸方向，像素单元的列方向为数据线221的延伸方向。阵列基板200还包括触控电极层23和触控信号线212。触控信号线212与第一金属层21同层设置。触控电极层23包括多个触控电极231。触控信号线212与一个触控电极231电相连，为触控电极231传输触控信号。

在本实施的一些可选的实现方式中，阵列基板200还包括形成于第一金属层21和触控电极层23之间的第一绝缘层24。第一绝缘层24上设有贯穿第一绝缘层24的至少一个第一导通孔241。触控信号线212通过至少一个第一导通孔241与多个触控电极231电连接。

如图3所示，第一绝缘层24可以形成于第一金属层21和触控电极层23之间。第一绝缘层可以为多个，例如当第二金属层22形成于第一金属层21和触控电极层23之间时，第一金属层21和第二金属层22之间、以及第二金属层22和触控电极层23之间可以均设有第一绝缘层24。在制作阵列基板时，可以沿垂直于衬底基板方向依次形成：第一金属层21、第一层第一绝缘层、第二金属层22、第二层第一绝缘层、触控电极层23，并在第一层第一绝缘层和第二层第一绝缘层相对的位置上设置第一导通孔。触控信号线212形成于第一金属层21上，通过贯穿第一层第一绝缘层和第二层第一绝缘层的第一导通孔241与触控电极231电连接。

在本实施例的一些可选的实现方式中，在第一绝缘层24上可以设有多个并联的第一导通孔241。多个并联的第一导通孔不仅可以进一步减小触控电极的电阻，还可以在触控信号线无法通过一个第一导通孔向触控电极传输信号时其他第一导通孔可以保证触控信号线与触控电极的电连接的稳定性。

在进一步的实现方式中，第一导通孔241设置于相邻的两个像素单元之间。在本实施例中，可以以一定长度间隔设置第一导通孔。任意两个第一导通孔241之间相隔多个像素单元的长度，即多个像素单元之间仅设置一个导通孔，有利于提升阵列基板的开口率。

需要说明的是，阵列基板200的非显示区202内设有栅极驱动电路、源极驱动电路以及薄膜晶体管，这些公知的结构在图2中并未示出。

请参考图4，其示出了本申请提供的阵列基板的另一个实施例的结构示意图。如图4所示，阵列基板400包括呈阵列排布的像素单元403、沿像素单元403的行方向延伸的扫描线411以及沿像素单元403的列方向延伸的数据线421。在本实施例中，用于向触控电极传输触控信号的触控信号线422与数据线421所在的第二金属层同层设置。触控信号线422设置于相邻两列像素单元403之间，与显示区内的数据线421绝缘且走线方向一致。在图4中，触控信号线422与数据线421平行。在显示阶段，数据线421接收驱动电路输出的数据信号，此时触控信号线422作为公共电极线为公共电极传输显示所需要的公共电压。由于数据线421和触控信号线422绝缘，数据线421和触控信号线422上的信号互不干扰，避免形成寄生电容影响显示效果。并且可以使用一道工序同时形成触控信号线422与数据线421，降低了工艺成本，也减少了显示面板的膜层数量。

在本实施例的一些可选的实现方式中，阵列基板还包括形成于第二金属层和触控电极层之间的第二绝缘层。第二绝缘层上设有贯穿第二绝缘层的至少一个第二导通孔441，触控信号线422通过至少一个第二导通孔441与多个触控电极电连接。

进一步参考图5，其示出了图4所示阵列基板的局部剖面图。图5所示为沿图4中与扫描线411平行的线S2剖开的切面示意图。如图5所示，阵列基板400包括衬底基板40，衬底基板40包括显示区401和非显示区402。阵列基板400还包括在垂直于衬底基板40的方向上排列的第一金属层41和第二金属层42。其中，第一金属层41用于形成阵列基板400的扫描线411，第二金属层42用于形成阵列基板400的数据线421。显示区401内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线411的延伸方向,像素单元的列方向为数据线421的延伸方向。阵列基板400还包括触控电极层43和触控信号线422。触控信号线422与第二金属层42同层设置。触控电极层43包括多个触控电极431。触控信号线422与一个触控电极431电相连，为触控电极431传输触控信号。

在本实施的一些可选的实现方式中，阵列400还包括形成于第二金属层42和触控电极层43之间的第二绝缘层44。第二绝缘层44上设有贯穿第二绝缘层的至少一个第二导通孔441。触控信号线422通过至少一个第二导通孔441与多个触控电极431电连接。

如图5所示，第二绝缘层44可以形成于第二金属层42和触控电极层43之间。在本实施例的一些可选的实现方式中，在第二绝缘层44上可以设有多个并联的第二导通孔441。多个并联的第一导通孔不仅可以进一步减小触控电极的电阻，还可以保证触控信号线与触控电极的连接的稳定性。

在进一步的实现方式中，第二导通孔441设置于相邻的两个像素单元之间。在本实施例中，任意两个第二导通孔441之间可以相隔多个像素单元的长度，多个公共电极可以共用一个第二导通孔，有利于提升阵列基板的开口率。

在一些实施例中，如果阵列基板用于LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)屏幕，则阵列基板还可以包括TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)遮光金属层，用于遮挡阵列基板上与像素单元连接的TFT，避免TFT受到光照后产生漏电流影响像素单元的扫描和显示。

进一步参考图6A，其示出了本申请提供的阵列基板的又一个实施例的结构示意图。如图6A所示，阵列基板600A包括呈阵列排布的像素单元603、沿像素单元603的行方向延伸的扫描线611以及沿像素单元603的列方向延伸的数据线621。TFT遮光金属层在衬底基板上具有正投影，且正投影将TFT遮挡，避免TFT受到光照。在本实施例中，用于向触控电极传输触控信号的触控信号线652与TFT遮光金属651所在的TFT遮光金属层同层设置。触控信号线652设置于相邻两行像素单元603之间，与显示区内的扫描线611绝缘且走线方向一致。在图6A中，触控信号线652与扫描线611平行。在显示阶段，扫描线611接收栅极驱动电路输出的扫描信号，此时触控信号线652作为公共电极线为公共电极传输显示所需要的公共电压。由于TFT遮光金属层仅用于遮挡薄膜晶体管，其与阵列基板上的其他导电层之间设有绝缘层，故而TFT遮光金属层与第一金属层、第二金属层、触控电极层以及其他导电层(例如像素电极层)之间彼此绝缘，与TFT遮光金属层同层设置的触控信号线652与形成于第一金属层61上的扫描线绝缘，触控信号线652与扫描线611上的信号互不干扰，从而可以避免形成寄生电容影响显示效果。另外，与TFT遮光金属层同层设置的触控信号线652与设置于其他导电层的信号线(例如数据线、栅线、源极驱动电路中的信号线、栅极驱动电路中的信号线等)之间不会发生短路，从而保证阵列基板显示效果的稳定性。

继续参考图6B，其示出了本申请提供的阵列基板的再一个实施例的结构示意图。如图6B所示，阵列基板600B包括呈阵列排布的像素单元603、沿像素单元603的行方向延伸的扫描线611以及沿像素单元603的列方向延伸的数据线621。TFT遮光金属层在衬底基板上的具有正投影，且正投影将TFT遮挡，避免TFT受到光照。在本实施例中，用于向触控电极传输触控信号的触控信号线653与TFT遮光金属651所在的TFT遮光金属层同层设置。触控信号线653设置于相邻两列像素单元603之间，与显示区内的数据线611绝缘且走线方向一致。在图6B中，触控信号线653与数据线621平行。在显示阶段，数据线621接收驱动电路输出的数据信号，此时触控信号线653作为公共电极线为公共电极传输显示所需要的公共电压。由于数据线621和触控信号线653绝缘，数据线621和触控信号线653上的信号互不干扰，从而可以避免形成寄生电容影响显示效果。

在图6A或图6B所示的实施例中，阵列基板600A或600B还可以包括形成于TFT遮光金属层和触控电极层之间的第三绝缘层。第三绝缘层上设有贯穿第三绝缘层的至少一个第三导通孔641或651，触控信号线通过至少一个第三导通孔641或651与多个触控电极电连接。

进一步参考图7A，其示出了图6A所示阵列基板的局部剖面图。图7A所示为沿图6A中与数据线621平行的线S3剖开的切面。如图7A所示，阵列基板600A包括衬底基板60，衬底基板60包括显示区601和非显示区602。阵列基板600A还包括在垂直于衬底基板60的方向上排列的第一金属层61、第二金属层62和TFT遮光金属层65。其中，第一金属层61用于形成阵列基板600A的扫描线611和TFT的栅极612，第二金属层62用于形成阵列基板600A的数据线621。显示区601内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线611的延伸方向，像素单元的列方向为数据线621的延伸方向。阵列基板600A还包括触控电极层63和与TFT遮光金属层65同层设置的触控信号线652。触控电极层63包括多个触控电极631。触控信号线652与一个触控电极631电相连，为触控电极631传输触控信号。

在本实施的一些可选的实现方式中，阵列基板600A还包括形成于TFT遮光金属层65和触控电极层63之间的第三绝缘层64。第三绝缘层64上设有贯穿第三绝缘层的至少一个第三导通孔641。触控信号线652通过至少一个第三导通孔641与多个触控电极631电连接。

进一步参考图7B，其示出了图6B所示阵列基板的局部剖面图。图7B所示为沿图6B中与扫描线611平行的线S4剖开的切面示意图。如图7B所示，阵列基板600B包括衬底基板60，衬底基板60包括显示区601和非显示区602。阵列基板600B还包括在垂直于衬底基板60的方向上排列的第一金属层61、第二金属层62和TFT遮光金属层65。其中，第一金属层61用于形成阵列基板600B的扫描线611和TFT的栅极612，第二金属层62用于形成阵列基板600B的数据线621以及TFT的源极622和漏极623。显示区601内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线611的延伸方向，像素单元的列方向为数据线621的延伸方向。阵列基板600B还包括触控电极层63和与TFT遮光金属层65同层设置的触控信号线653。触控电极层63包括多个触控电极631。触控信号线653与一个触控电极631电相连，为触控电极631传输触控信号。

在本实施的一些可选的实现方式中，阵列基板600B还包括形成于TFT遮光金属层65和触控电极层63之间的第三绝缘层64。第三绝缘层64上设有贯穿第三绝缘层的至少一个第三导通孔642。触控信号线653通过至少一个第三导通孔642与多个触控电极631电连接。

如图7A和图7B所示，第三绝缘层64可以形成于TFT遮光金属层65和触控电极层63之间。第三绝缘层可以为多个，例如当第一金属层61和第二金属层62形成于触控电极层63和TFT遮光金属层65之间时，TFT遮光金属层和第一金属层61之间、第一金属层61和第二金属层62之间、第二金属层62和触控电极层63之间均设有第三绝缘层64。在制作阵列基板时，可以沿垂直于衬底基板方向依次形成：TFT遮光金属层65、第一层第三绝缘层64、第一金属层61、第二层第三绝缘层64、第二金属层62、第三层第三绝缘层64、触控电极层63，并在第一层第三绝缘层64、第二层第三绝缘层64和第三层第三绝缘层64的相对的位置上设置有第三导通孔。触控信号线652或653形成于TFT遮光金属层65上，通过第三导通孔与触控电极631电连接。在本实施例的一些可选的实现方式中，在第三绝缘层64上可以设有多个并联的第三导通孔。多个并联的第三导通孔不仅可以进一步减小触控电极的电阻，还可以进一步增强触控信号线与触控电极的连接的稳定性。

在进一步的实现方式中，第三导通孔641或642设置于相邻的两个像素单元之间。在本实施例中，任意两个第三导通孔之间可以相隔多个像素单元的长度，多个公共电极可以共用一个第三导通孔，以提升阵列基板的开口率。

请参考图8，其示出了本申请提供的阵列基板的再一个实施例的结构示意图。如图8所示，阵列基板800包括显示区801和非显示区802。阵列基板800上设有呈阵列排布的像素单元803、沿像素单元803的行方向延伸的扫描线811以及沿像素单元803的列方向延伸的数据线821。在本实施例中，阵列基板800上还设有多个触控电极831。用于向触控电极831传输触控信号的触控信号线822与数据线821所在的第二金属层同层设置，且触控信号线822设置于非显示区802内。触控信号线822与数据线821在非显示区的部分绝缘且与任意相邻的数据线无交叉。如图8所示，数据线821在非显示区802的延伸方向与像素单元的列方向不一致。在非显示区802内，数据线821与设置于非显示区802的驱动芯片(图8中未示出)连接。驱动芯片设置于非显示区802的一个子区域8021中。数据线821在非显示区802的子区域8021中的走线可以形成一个扇形结构。图8中示出了该扇形结构的一部分区域内部分数据线821和部分触控信号线822的走线方向。触控电极831通过设置于非显示区802的触控信号线连接至驱动芯片。每条触控信号线822与其相邻的数据线821在非显示区802的走线方向近似平行，且相互绝缘。在显示时数据线821接收驱动电路输出的数据信号，此时触控信号线822作为公共电极线为公共电极传输显示所需要的公共电压。由于数据线821和触控信号线822绝缘，数据线821和触控信号线822上的信号互不干扰，避免形成寄生电容影响显示效果。

在图8所示的实施例中，触控信号线822设置于由数据线821在非显示区内的走线部分形成的扇形结构中。且触控信号线822的走线方向与显示区801内的扫描线811的走线方向形成≤90°的角度。各触控信号线822之间可以互不平行。在沿着扇形结构的中心向两边方向上，各触控信号线822的走线方向与显示区801内的扫描线811的走线方向形成的夹角逐渐增大。在扇形结构的中心部分，触控信号线822的走线方向与显示区801内的数据线821方向一致。

在本实施例中，将触控信号线822设置于非显示区，且与数据线互不相交，可以进一步地减少显示区的走线数量。通过采用本实施例提供的阵列基板，无需在显示区为触控信号线设置走线空间，能够进一步简化显示区内的走线设计，减小工艺复杂度。同时，将触控信号线设置于与数据线在非显示区的走线部分形成的扇形结构中，可以简化非显示区内的走线设计，减小非显示区内触控信号线所占用的空间，有利于窄边框的设计。

在现有的阵列基板的设计中，触控信号线位于显示区内，为了避免触控信号线与数据线之间产生寄生电容或发生短路影响显示效果和触摸检测精度，通常将两条数据线设置在相邻两个像素单元之间的同一刻缝内，触控信号线排布于未设置数据线的相邻两个像素单元之间的刻缝内。这样，在同一刻缝内的相邻两条数据线通过同一条连接线先后接收数据信号时，悬空的一条数据线会受到相邻的被驱动的数据线上的信号的影响。通过采用本实施例所描述的方案，将触控信号线822与第二金属层82同层设置，且设置于非显示区内，可以在任意两条相邻数据线之间设置触控信号线。则在显示区内相邻两列像素单元之间可以仅设置一条数据线。在通过同一条信号线对数据线先后驱动时悬空的数据线不会受到被驱动的数据线上的信号的影响，避免了对显示效果造成的影响。

在本实施例的一些可选的实现方式中，阵列基板还包括形成于第二金属层和触控电极层之间的第四绝缘层。第四绝缘层上设有贯穿第四绝缘层的至少一个第四导通孔841，触控信号线822通过至少一个第四导通孔841与多个触控电极电连接。

在本实施的一些可选的实现方式中，阵列基板800还包括多个触控电极线垫832。触控电极线垫832在触控电极层83所在平面具有正投影且正投影位于触控电极层在非显示区802的部分内。触控电极线垫832可以设置于第四绝缘层84上。触控电极线垫832上可以设有与第四导通孔841对应的过孔，触控信号线822通过第四绝缘层上的第四导通孔841以及触控电极线垫832上的过孔与触控电极831电连接。

进一步参考图9，其示出了图8所示阵列基板的局部剖面图。图9所示为沿图8中与数据线811平行线的S5剖开的切面示意图。如图9所示，阵列基板800包括衬底基板80，衬底基板80包括显示区801和非显示区802。阵列基板800还包括在垂直于衬底基板80的方向上排列的第一金属层81和第二金属层82。其中，第一金属层81用于形成阵列基板800的扫描线，第二金属层82用于形成阵列基板800的数据线821。显示区801内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线811的延伸方向,像素单元的列方向为数据线821的延伸方向。阵列基板800还包括触控电极层83和设置于非显示区802的触控信号线822。触控信号线822与第二金属层82同层设置。触控电极层83包括多个触控电极831。触控信号线822与一个触控电极831电相连，为触控电极831传输触控信号。

在本实施的一些可选的实现方式中，阵列基板800还包括形成于第二金属层82和触控电极层83之间的第四绝缘层84以及触控电极线垫832。第四绝缘层84上设有贯穿第四绝缘层的至少一个第四导通孔841。触控信号线822通过至少一个第四导通孔841与多个触控电极831电连接。触控电极线垫832上可以设有与第四导通孔841的位置对应的过孔833。触控信号线822通过第四导通孔841和过孔833与触控电极831电连接。触控信号线822走线的宽度较小，而触控电极831的面积通常较大，通过设置触控电极线垫832，可以增大触控信号线822与触控电极831的接触面积，提升触控信号线822与触控电极831之间的连接的稳定性。

在本实施例的一些可选的实现方式中，在第二绝缘层84上可以设有多个并联的第四导通孔841。多个并联的第四导通孔841可以进一步减小触控电极的电阻，还可以保证触控信号线与触控电极电连接的稳定性。

在上述实施例中，设置于触控电极层的多个触控电极彼此绝缘，可选的，触控电极在触控阶段用作触控电极，在显示阶段用作公共电极。如此一来可以将触控功能集成于显示面板当中，大大减小了显示面板的厚度，有利于显示面板的轻薄化。本实施例中触控功能的实现可以通过互容式触控，也可以通过自容式触控。对于互容式触控，包括触控驱动电极和触控检测电极，触控驱动电极被依次输入触控驱动信号，触控检测电极输出检测信号，触控驱动电极和触控检测电极形成电容，当触控显示面板上发生触控时，会影响触摸点附近触控驱动电极和触控检测电极之间的耦合，从而改变触控驱动电极和触控检测电极之间的电容量。检测触摸点位置的方法为，对触控驱动电极依次输入触控驱动信号，触控检测电极同时输出触控检测信号，这样可以得到所有触控驱动电极和触控检测电极交汇点的电容值大小，即整个集成触控显示面板的二维平面的电容大小，根据触控显示面板二维电容变化量数据，可以计算出触摸点的坐标。

在触控阶段，触控电极可以作为触控驱动电极，也可以作为触控检测电极，接收或者输出触控信号。在显示阶段，触控电极复用为公共电极为阵列基板上的像素单元提供显示所需要的电压。进一步地，触控电极可以为条状电极，条状电极的延伸方向与数据线的延伸方向相同。多个条状电极可以沿与数据线相交的方向并列排布，例如可以沿与数据线垂直的方向并列排布，因而可以将控制电路与为显示像素提供显示信号的数据驱动电路设置在同一侧，有利于窄边框的设计。进一步地，触控电极用作触控驱动电极，在触摸检测时接收触控驱动信号。触控驱动信号可以为周期性的脉冲信号。

以上结合图2至图9具体描述了本申请提供的各实施例中触控信号线的设置方法，将触控信号线与第一金属层、第二金属层或TFT遮光金属层同层设置，在制作阵列基板时无需再制作触控电极线金属层，触控信号线和阵列基板上其他金属线线路可以同时成形，能够降低工艺复杂度，简化阵列基板的结构。

继续参考图10，其示出了本申请提供的触控显示面板的一个实施例的局部剖面图。如图10所示，触控显示面板1000可以包括阵列基板1和与阵列基板相对设置的彩膜基板2。其中，阵列基板1可以为以上结合图2至图9描述的阵列基板，包括衬底基板1110。衬底基板1110包括显示区1001和非显示区1002。阵列基板1还包括在垂直于衬底基板1110的方向上排列的多个金属层。多个金属层至少包括第一金属层1010和第二金属层1020。其中，第一金属层1010用于形成阵列基板1000的扫描线1011(图1中仅示出一条)，第二金属层1020用于形成阵列基板1000的数据线1021。显示区1001内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线1011的延伸方向,像素单元的列方向为数据线1021的延伸方向。阵列基板1还包括触控电极层1030和多条触控信号线。触控电极层1030包括多个触控电极1031。触控信号线与一个触控电极1031电相连，为触控电极1031传输触控信号。触控信号线与至少一层上述多个金属层同层设置。如图1中，触控信号线1022可以与第二金属层1020同层设置。在其他实施例中，触控信号线1022也可以与第一金属层1010同层设置。

阵列基板1的非显示区1002内设有驱动电路。其中，用于扫描阵列基板1上的像素单元的栅极驱动电路与第一金属层1010同层设置，用于向数据线1021传递数据信号以使像素单元根据数据信号进行显示的驱动电路1023可以与第二金属层1020同层设置。

彩膜基板2上可以设有与触控电极1031交叉设置的接收电极1041。接收电极也可以为延伸方向与扫描线1011平行、沿与扫描线相交的方向并列排布的条状电极。接收电极1041用作触控感应电极，与触控电极1031形成互电容。在图10所示的触控显示面板中，触控电极1031可以设置于阵列基板1朝向彩膜基板2的一侧，接收电极1041可以设置在彩膜基板2背离阵列基板1的一侧上。当然不仅限于此种设置，也可以是：触控电极1031可以设置于阵列基板1朝向彩膜基板2的一侧，接收电极1041可以设置在彩膜基板2朝向阵列基板1的一侧上，等等其它可以形成互电容的设置方式。在触摸检测时，通过检测触控电极1031和接收电极1041之间互电容的变化来确定触摸点的位置。

本申请实施例还提供了一种触摸显示屏，包括以上结合图10描述的触控显示面板。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (16)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板，包括显示区和非显示区；在垂直于所述衬底基板的方向上排列的多个金属层；

所述多个金属层包括第一金属层和第二金属层；

所述第一金属层用于形成所述阵列基板的扫描线；

所述第二金属层用于形成所述阵列基板的数据线；

所述显示区内设有多个像素单元，所述像素单元呈阵列排布，所述像素单元的行方向为所述扫描线的延伸方向,所述像素单元的列方向为数据线的延伸方向；

触控电极层，所述触控电极层包括多个触控电极；

多条触控信号线，所述触控信号线与一个所述触控电极电相连，为所述触控电极传输触控信号；

所述触控信号线与至少一层所述多个金属层同层设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述触控信号线与所述第一金属层同层设置；

所述触控信号线设置于相邻两行所述像素单元之间，所述触控信号线与所述显示区内的扫描线绝缘且走线方向一致。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括：形成于所述第一金属层和所述触控电极层之间的第一绝缘层；

所述第一绝缘层上设有贯穿所述第一绝缘层的至少一个第一导通孔，所述触控信号线通过所述至少一个第一导通孔与多个所述触控电极电连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控信号线与所述第二金属层同层设置，且所述触控信号线设置于相邻的两列所述像素单元之间；

所述触控信号线与所述显示区的数据线绝缘且走线方向一致。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成于所述第二金属层和所述触控电极层之间的第二绝缘层；

所述第二绝缘层上设有贯穿所述第二绝缘层的至少一个第二导通孔，所述触控信号线通过所述至少一个第二导通孔与所述触控电极电连接。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述多个金属层还包括薄膜晶体管遮光金属层，所述触控信号线与所述薄膜晶体管遮光金属层同层设置。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述触控信号线与所述数据线或所述扫描线的走线方向一致。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成于所述薄膜晶体管遮光金属层和所述触控电极之间的第三绝缘层；

所述第三绝缘层上设有贯穿所述第三绝缘层的至少一个第三导通孔，

所述触控信号线通过所述至少一个第三导通孔与所述触控电极电连接。

9.根据权利要求3-8任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导通孔或所述第二导通孔或所述第三导通孔位于相邻的两个所述像素单元之间。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述触控信号线与所述第二金属层同层设置，且所述触控信号线设置于所述非显示区内；

所述触控信号线与所述数据线在非显示区的部分绝缘且与任意相邻的数据线无交叉。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

形成于所述第二金属层和所述触控电极层之间的第四绝缘层；

多个触控电极线垫，每个所述触控电极线垫与触控电极线一一对应，且直接电相连；

所述触控电极线垫在所述触控电极层所在平面具有正投影，所述正投影位于所述触控电极层在非显示区域内的部分内；

所述第四绝缘层具有至少一个第四导通孔，所述触控信号线通过至少一个第四导通孔与所述触控电极电相连。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极在触控阶段用作触控电极，在显示阶段用作公共电极。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极为条状电极，所述条状电极的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同，所述条状电极沿与所述数据线相交的方向并列排布。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极用作触控驱动电极，接收触控驱动信号。

15.一种触控显示面板，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的彩膜基板。

16.一种触控显示装置，其特征在于，包括权利要求15所述的触控显示面板。