CN112947794B - 触控显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种触控显示面板和显示装置，属于显示技术领域。触控显示面板包括显示区和围绕所述显示区的外围区；所述外围区设置有绑定区；所述触控显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、金属屏蔽层、驱动电路层、像素层和触控功能层；其中，所述触控功能层设置有触控电极；所述触控显示面板包括与部分所述触控电极连接并延伸至所述绑定区的第一触控引线，所述第一触控引线的至少部分位于所述金属屏蔽层。该触控显示面板能够减小边框。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种触控显示面板和显示装置。
背景技术
FMLOC(Flexible Multi-Layer On Cell，柔性多层结构)技术已经在OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示装置中应用，以使得显示装置实现触控功能。然而，触控走线的排布需要较大边框空间，制约了OLED显示装置的窄边框化。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种触控显示面板和显示装置，以减小边框。
根据本公开的一个方面，提供一种触控显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的外围区；所述外围区设置有绑定区；
所述触控显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、金属屏蔽层、驱动电路层、像素层和触控功能层；其中，所述触控功能层设置有触控电极；
所述触控显示面板包括与部分所述触控电极连接并延伸至所述绑定区的第一触控引线，所述第一触控引线的至少部分位于所述金属屏蔽层。
根据本公开的一种实施方式，所述触控电极包括沿列方向延伸的列触控电极，至少部分所述列触控电极与各个所述第一触控引线一一对应连接；其中，所述第一触控引线与对应的所述列触控电极的远离所述绑定区的一端连接。
根据本公开的一种实施方式，所述第一触控引线包括与所述列触控电极连接的第一引线段，以及包括与所述第一引线段通过过孔连接的第二引线段；
所述第一引线段位于所述触控功能层，且所述第二引线段位于所述金属屏蔽层。
根据本公开的一种实施方式，所述触控显示面板还包括位于所述像素层和所述触控功能层之间的薄膜封装层；连接所述第一引线段和所述第二引线段的过孔，位于所述薄膜封装层的边缘远离所述显示区的一侧。
根据本公开的一种实施方式，所述外围区设置有裂纹挡坝；连接所述第一引线段和所述第二引线段的过孔，位于所述裂纹挡坝和所述显示区之间。
根据本公开的一种实施方式，所述第二引线段设于所述外围区。
根据本公开的一种实施方式，所述触控显示面板还包括位于所述像素层和所述触控功能层之间的薄膜封装层；所述第二引线段包括走线子引线段和连接子引线段，所述走线子引线段位于所述薄膜封装层的边缘与所述显示区之间；
所述连接子引线段位于所述显示区远离所述绑定区的一侧，且通过过孔与对应的所述列触控电极连接。
根据本公开的一种实施方式，沿行方向，各个所述第二引线段均位于所述显示区的同一侧。
根据本公开的一种实施方式，沿行方向，部分所述第一触控引线的第二引线段位于所述显示区的一侧，且其余所述第一触控引线的第二引线段位于所述显示区的另一侧。
根据本公开的一种实施方式，所述第一触控引线还包括第三引线段，所述第三引线段通过过孔与所述第二引线段连接且延伸至所述绑定区。
根据本公开的一种实施方式，所述第三引线段位于所述驱动电路层、所述像素层和所述触控功能层中的一层或者多层。
根据本公开的另一个方面，提供一种显示装置，包括上述的触控显示面板。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一种实施方式中，触控显示面板触控电极和触控引线的结构示意图。
图2为本公开一种实施方式中，触控显示面板的结构示意图。
图3为本公开一种实施方式中，触控显示面板的结构示意图。
图4为本公开一种实施方式中，触控显示面板的触控电极的结构示意图。
图5为本公开一种实施方式中，触控功能层在P1P2位置的剖切结构示意图。
图6为本公开一种实施方式中，触控显示面板在第一过孔位置处的剖切结构示意图，在该剖切示意图中仅示出了部分膜层。
图7为本公开一种实施方式中，触控显示面板在第二过孔位置处的剖切结构示意图，在该剖切示意图中仅示出了部分膜层。
附图标记说明：
F100、衬底基板；F201、金属屏蔽层；F200、驱动电路层；F200M、晶体管；F202、缓冲层；F203、半导体层；F204、栅极绝缘层；F205、栅极层；F206、层间电介质层；F207、源漏金属层；F208、平坦化层；F300、像素层；F301、像素电极层；F302、像素定义层；F303、支撑柱层；F304、有机发光功能层；F305、公共电极层；F400、薄膜封装层；F401、第一无机封装层；F402、有机封装层；F403、第二无机封装层；F500、触控功能层；F501、第一触控金属层；F502、触控绝缘层；F503、第二触控金属层；F510、触控电极；F511、列触控电极；F5111、列触控子电极；F512、行触控电极；F5121、行触控子电极；F5131、桥接连接部；F600、降反层；TL1、第一触控引线；TL11、第一引线段；TL12、第二引线段；TL13、第三引线段；TL121、走线子引线段；TL122、连接子引线段；TL2、第二触控引线；TL3、第三触控引线；DAM、裂纹挡坝；B01、第一亚区；B02、第二亚区；B03、第三亚区；B04、第四亚区；HL1、第一过孔；HL2、第二过孔；H1、行方向；H2、列方向。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
用语“一个”、“一”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本公开提供一种触控显示面板。参见图1和图2，该触控显示面板PNL包括显示区AA和围绕显示区AA的外围区BB；外围区BB设置有绑定区B1。
参见图3，从膜层角度，触控显示面板包括依次层叠设置的衬底基板F100、金属屏蔽层F201、驱动电路层F200、像素层F300和触控功能层F500。
参见图1，触控功能层设置有触控电极F510。触控显示面板包括与部分触控电极F510连接并延伸至绑定区B1的第一触控引线TL1，第一触控引线TL1的至少部分位于金属屏蔽层F201。
在本公开提供的触控显示面板中，第一触控引线TL1可以通过金属屏蔽层F201跨接，进而避免了所有触控引线均设置于触控功能层F500而引起的边框过大问题，利于显示装置的窄边框化。
下面，结合附图对本公开提供的触控显示面板的结构、原理和效果做进一步地的解释和说明。
参见图3，从膜层的层叠关系上，本公开提供的触控显示面板可以包括依次层叠设置的衬底基板F100、金属屏蔽层F201、驱动电路层F200、像素层F300和触控功能层F500。
可选地，衬底基板F100可以为无机材料的衬底基板F100，也可以为有机材料的衬底基板F100。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板F100的材料可以为钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板F100的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinyl phenol，PVP)、聚醚砜(Polyether sulfone，PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)或其组合。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板F100也可以为柔性衬底基板F100，例如衬底基板F100的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，PI)。衬底基板F100还可以为多层材料的复合，举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板F100可以包括依次层叠设置的底膜层(Bottom Film)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。
可选地，在驱动电路层F200中，任意一个像素驱动电路可以包括有晶体管F200M和存储电容。进一步地，晶体管F200M可以为薄膜晶体管，薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管；薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料或者其他类型的半导体材料；薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管。在本公开的一种实施方式中，薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管。
可以理解的是，像素驱动电路中的各个晶体管中，任意两个晶体管之间的类型可以相同或者不相同。示例性地，在一种实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管可以为N型晶体管且部分晶体管可以为P型晶体管。再示例性地，在本公开的另一种实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管的有源层的材料可以为低温多晶硅半导体材料，且部分晶体管的有源层的材料可以为金属氧化物半导体材料。
晶体管可以具有第一端、第二端和控制端，第一端和第二端中的一个可以为晶体管的源极且另一个可以为晶体管的漏极，控制端可以为晶体管的栅极。可以理解的是，晶体管的源极和漏极为两个相对且可以相互转换的概念；当晶体管的工作状态改变时，例如电流方向改变时，晶体管的源极和漏极可以互换。
可选地，驱动电路层F200可以包括层叠于衬底基板F100和像素层F300之间的半导体层F203、栅极绝缘层F204、栅极层F205、层间电介质层F206和源漏金属层F207等。各个薄膜晶体管和存储电容可以由半导体层F203、栅极绝缘层F204、栅极层F205、层间电介质层F206、源漏金属层F207等膜层形成。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置的半导体层F203、栅极绝缘层F204、栅极层F205、层间电介质层F206和源漏金属层F207，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置的栅极层F205、栅极绝缘层F204、半导体层F203、层间电介质层F206和源漏金属层F207，如此所形成的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。驱动电路层F200还可以采用双栅极层F205结构，即栅极层F205可以包括第一栅极层和第二栅极层，栅极绝缘层F204可以包括用于隔离半导体层F203和第一栅极层的第一栅极绝缘层，以及包括用于隔离第一栅极层和第二栅极层的第二栅极绝缘层。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置于衬底基板F100一侧的半导体层F203、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层F206和源漏金属层F207。
可选地，驱动电路层F200还可以包括有钝化层，钝化层可以设于源漏金属层F207远离衬底基板F100的表面，以便保护源漏金属层F207。
可选地，驱动电路层F200还可以包括设于衬底基板F100与半导体层F203之间的缓冲层F202，且半导体层F203、栅极层F205等均位于缓冲层F202远离衬底基板F100的一侧。缓冲层F202的材料可以为氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料。缓冲材料层可以为一层无机材料层，也可以为多层层叠的无机材料层。
可选地，驱动电路层F200还可以包括位于源漏金属层F207和像素层F300之间的平坦化层F208，平坦化层F208可以为像素电极提供平坦化表面。可选地，平坦化层F208的材料可以为有机材料。
可选地，像素层F300可以设置于驱动电路层F200远离衬底基板F100的一侧，其可以包括依次层叠设置的像素电极层F301、像素定义层F302、支撑柱层F303、有机发光功能层F304和公共电极层F305。其中，像素电极层F301在显示面板的显示区具有多个像素电极；像素定义层F302在显示区具有与多个像素电极一一对应设置的多个贯通的像素开口，任意一个像素开口暴露对应的像素电极的至少部分区域。支撑柱层F303在显示区包括多个支撑柱，且支撑柱位于像素定义层F302远离衬底基板F100的表面，以便在蒸镀制程中支撑精细金属掩模版(Fine Metal Mask，FMM)。有机发光功能层F304至少覆盖被像素定义层F302所暴露的像素电极。其中，有机发光功能层F304可以包括有机电致发光材料层，以及可以包括有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种。可以通过蒸镀工艺制备有机发光功能层F304的各个膜层，且在蒸镀时可以采用精细金属掩模版或者开放式掩膜板(Open Mask)定义各个膜层的图案。公共电极层F305在显示区可以覆盖有机发光功能层F304。如此，像素电极、公共电极层F305和位于像素电极和公共电极层F305之间的有机发光功能层F304形成有机发电致光二极管F300D，任意一个有机电致发光二极管可以作为显示面板的一个子像素。
在一些实施方式中，像素层F300还可以包括位于公共电极层F305远离衬底基板F100一侧的光取出层，以增强有机发光二极管的出光效率。
可选地，参见图3，触控显示面板还可以包括薄膜封装层F400。薄膜封装层F400设于像素层F300远离衬底基板F100的表面，可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。其中，无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵有机发光功能层F304而导致材料降解。可选地，无机封装层的边缘可以位于外围区BB。有机封装层位于相邻的两层无机封装层之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。其中，有机封装层的边缘，可以位于显示区AA和无机封装层的边缘之间。在图1中，采用虚线示意出了薄膜封装层F400的边缘，可以理解的是，该边缘为无机封装层的边缘。
示例性地，在本公开的一种实施方式中，薄膜封装层F400包括依次层叠于像素层F300远离衬底基板F100一侧的第一无机封装层F401、有机封装层F402和第二无机封装层F403。
可选地，在本公开的一种实施方式中，触控功能层F500设于薄膜封装层F400远离衬底基板F100的一侧，用于实现显示面板的触控操作。
可选地，触控显示面板还可以包括降反层F600，降反层F600可以设置于触控功能层F500远离像素层F300的一侧，用于降低显示面板对环境光线的反射，进而降低环境光线对显示效果的影响。在本公开的一种实施方式中，降反层F600可以包括层叠设置的彩膜层和黑矩阵层，如此可以在实现降低环境光线干扰的同时，可以避免降低显示面板的透光率。在本公开的另一种实施方式中，降反层F600可以为偏光片，例如可以为图案化的涂布型圆偏光片。
可选地，参见图4和图5，触控功能层F500可以包括依次层叠设置的第一触控金属层F501、触控绝缘层F502和第二触控金属层F503；第二触控金属层F503位于第一触控金属层F501远离衬底基板F100的一侧。第一触控金属层F501和第二触控金属层F503中的一层或者两层用于形成触控电极F510。在本公开的一种实施方式中，触控功能层F500设置于薄膜封装层F400远离衬底基板的一侧。
可选地，在第一触控金属层F501与薄膜封装层F400之间还可以包括触控缓冲层。触控缓冲层的材料可以为无机材料，例如可以为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅等。可以理解的是，在本公开的其他实施方式中，薄膜封装层F400最外侧的无机封装层，例如第二无机封装层F403，也可以复用为触控缓冲层。
可选地，在第二触控金属层F503远离衬底基板F100的一侧还可以包括触控保护层。触控保护层的材料可以为无机材料，例如可以为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅等。可以理解的是，在本公开的其他实施方式中，第二触控金属层F503远离衬底基板F100的一侧也可以直接设置有机层，例如设置有机盖板或者设置光学胶等。
可选地，第一触控金属层F501和第二触控金属层F503可以为透光膜层，以使得所形成的触控电极F510为透明电极为准。在本公开的一种实施方式中，第一触控金属层F501和第二触控金属层F503的材料可以为透光材料，例如可以采为透明导电金属氧化物(如氧化铟锡等)。
触控电极F510的形状和位置，可以根据触控显示面板的需要进行设置，以使得触控功能层F500能够基于自容或者互容原理确定触控位置为准。触控功能层F500还可以用于形成触控引线，以便将触控电极F510响应触控动作而产生的信号传导出来。
举例而言，在本公开的一种实施方式中，参见图4和图5，触控电极F510包括多个沿行方向H1延伸的行触控电极F512和多个沿列方向H2延伸的列触控电极F511。各个行触控电极F512沿列方向H2依次排列，各个列触控电极F511沿行方向H1依次排列。其中，任意一个列触控电极F511设置于第二触控金属层F503，且包括沿列方向H2依次排列的多个列触控子电极F5111，相邻两个列触控子电极F5111的端部相互连接。如此，列触控电极F511完全设置于第二触控金属层F503。任意一个行触控电极F512包括沿行方向H1依次排列的多个行触控子电极F5121，行触控子电极F5121设置于第二触控金属层F503，且其边缘与列触控子电极F5111的边缘相邻设置。在任意一个行触控电极F512中，相邻两个行触控子电极F5121之间被列触控电极F511隔离，且相邻两个行触控子电极F5121之间通过位于第一触控金属层F501的桥接连接部F5131连接。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，触控电极包括多个沿行方向延伸的行触控电极和多个沿列方向延伸的列触控电极。各个行触控电极沿列方向依次排列，各个列触控电极沿行方向依次排列。其中，任意一个行触控电极设置于第二触控金属层，且包括沿行方向依次排列的多个行触控子电极，相邻两个行触控子电极的端部相互连接。如此，行触控电极完全设置于第二触控金属层。任意一个列触控电极包括沿列方向依次排列的多个列触控子电极，列触控子电极设置于第二触控金属层，且其边缘与行触控子电极的边缘相邻设置。在任意一个列触控电极中，相邻两个列触控子电极之间被行触控电极隔离，且相邻两个列触控子电极之间通过位于第一触控金属层的桥接连接部连接。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，触控电极包括多个沿行方形延伸的行触控电极和多个沿列方向延伸的列触控电极。各个行触控电极沿列方向依次排列，且各个列触控电极沿行方向依次排列。其中，行触控电极和列触控电极中的一个，设置于第一触控金属层，且另一个设置于第二触控金属层。如此，行触控电极和列触控电极之间相互交叠且形成互容电容。当触控功能层被手指等触控物按压时，行触控电极和列触控电极之间的互容电容发生改变。
再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，触控电极阵列分布于第二触控金属层，触控引线通过第一触控金属层延伸至与各个触控电极通过过孔连接。
在本公开提供的触控显示面板中，触控电极F510需要与触控引线连接以便输出触控信号。其中，至少部分触控电极F510与第一触控引线连接，使得该触控电极的触控信号可以通过金属屏蔽层F201向外传输，能够减少在触控功能层F500并形设置的触控引线的数量，进而利于减小触控显示面板的边框。
从俯视角度，参见图1和图2，触控显示面板所在平面可以包括显示区AA和围绕显示区AA的外围区BB。在本公开的一种实施方式中，参见图2，外围区BB包括依次首尾连接的第一亚区B01、第二亚区B02、第三亚区B03和第四亚区B04，第一亚区B01和第三亚区B03相对设置，且第二亚区B02和第四亚区B04相对设置；显示区AA被第一亚区B01至第四亚区B04环绕。其中绑定区B1可以设置于第一亚区B01中。
参见图1，本公开提供的触控显示面板设置有触控引线(TL1、TL2、TL3)，触控引线与触控电极F510连接且延伸至绑定区B1，以便将触控电极F510产生的信号传输至与触控显示面板连接的驱动芯片，进而实现对触控动作的识别。可选地，触控引线至少部分设置于触控功能层F500，任意一个触控引线位于触控功能层F500的部分既可以位于第一触控金属层F501，也可以位于第二触控金属层F503，还可以同时位于第一触控金属层F501和第二触控金属层F503。在本公开的一种实施方式中，对于任意一个触控引线位于触控功能层F500的部分，其可以包括层叠的上引线段和下引线段；上引线段位于第二触控金属层F503且下引线段位于第一触控金属层F501。如此，可以减小触控引线的阻抗，减小触控引线对触控信号的损耗。
可选地，参见图1，触控电极F510包括沿列方向H2延伸的列触控电极F511和沿行方向H1延伸的行触控电极F512，触控引线包括第一触控引线TL1和第二触控引线TL2。至少部分列触控电极F511与各个第一触控引线TL1一一对应连接；其中，第一触控引线TL1与对应的列触控电极F511的远离绑定区B1的一端连接。全部行触控电极F512和其余列触控电极F511与第二触控引线TL2连接，且第二触控引线TL2远离触控电极F510的一端延伸至绑定区B1；其中，列触控电极F511远离绑定区B1的一端与对应的第二触控引线TL2连接。
在该实施方式中，如果第一触控引线TL1不经过金属屏蔽层F201进行跨接，则其需要借助第一触控金属层F501和第二触控金属层F503进行布线，且从外围区BB绕过各个触控电极F510；这样，这些第一触控引线TL1不得不设置在第二触控引线TL2远离显示区AA的一侧，使得触控功能层F500在外围区BB设置更多的并列走线而导致边框太大。而在本公开提供的实施方式中，第一触控引线TL1可以通过金属屏蔽层F201进行跨接，进而可以通过跨接的方式避让第二触控引线TL2，避免在外围区BB并列设置太多的走线，因此可以减小走线空间进而减小触控显示面板的边框。
在本公开的一种实施方式中，参见图1，第一触控引线TL1的数量与列触控电极F511的数量相同且一一对应设置；任意一个列触控电极F511远离绑定区B1的一端与对应的第一触控引线TL1连接。相应的，列触控电极F511无需与第二触控引线TL2连接，第二触控引线TL2可以与各个行触控电极F512一一对应设置，且第二触控引线TL2与对应的行触控电极F512连接。
可选地，参见图1和图6，第一触控引线TL1包括与列触控子电极F5111连接的第一引线段TL11(用实线表示)，以及包括与第一引线段TL11通过第一过孔HL1连接的第二引线段TL12(用虚线表示)；第一引线段TL11位于触控功能层F500，且第二引线段TL12位于金属屏蔽层F201。如此，第一触控引线TL1通过第二引线段TL12在金属屏蔽层F201进行跨接，实现对第二触控引线TL2的避让，进而减小触控显示面板的边框。换言之，在本公开中，可以将第一触控引线TL1设置于金属屏蔽层F201的部分，作为第一触控引线TL1的第二引线段TL12；将第一触控引线TL1设置在触控功能层F500的部分，且连接第二引线段TL12和列触控电极F511的部分，作为第一触控引线TL1的第一引线段TL11。
在图1中，为了视图清晰，第一引线段TL11和第二引线段TL12的主体部分在图示中没有交叠；可以理解的是，第一引线段TL11和第二引线段TL12除了在第一过孔HL1位置交叠外，在其他位置也可以发生交叠；两者之间由于有各种绝缘材料的阻隔，因此不会在第一过孔HL1以外的区域发生短路。
在图1中，为了视图清晰，第二引线段TL12与第二触控引线TL2在图示中没有交叠；可以理解的是，第二引线段TL12与第二触控引线TL2可以发生交叠；两者之间由于有各种绝缘材料的阻隔，因此不会发生短路。这样，第二引线段TL12可以通过金属屏蔽层F201避让第二触控引线TL2，减少与第二触控引线TL2并列设置的触控引线的数量，进而减小触控显示面板的边框。
在本公开的一种实施方式中，参见图1，第一引线段TL11与绑定区B1位于显示区AA的两侧。示例性地，第一引线段TL11位于外围区BB的第三亚区B03，绑定区B1位于外围区BB的第一亚区B01。如此，第一过孔HL1位于第三亚区B03。
可选地，参见图1和图7，第一触控引线TL1还包括第三引线段TL13，第三引线段TL13通过第二过孔HL2与第二引线段TL12连接且延伸至绑定区B1。如此，可以保证第一触控引线TL1连接至绑定区B1，便于触控信号的输出。进一步地，第三引线段TL13位于驱动电路层F200、像素层F300和触控功能层F500中的一层或者多层。换言之，第三引线段TL13可以位于栅极层F205、源漏金属层F207、像素电极层F301、公共电极层F305、第一触控金属层F501和第二触控金属层F503中的一层，或者可以在上述膜层中的多层膜层之间跨接，或者至少局部可以同时设置于上述膜层中的多层膜层。在本公开的一种实施方式中，第二过孔HL2与绑定区B1设置于显示区AA的同一侧。示例性地，第二过孔HL2和绑定区B1均设置于外围区BB的第一亚区B01。
示例性地，在本公开的一种实施方式中，第三引线段TL13位于源漏金属层F207，其通过第二过孔HL2与第二引线段TL12电连接。在该实施方式中，第三引线段TL13的末端可以延伸至绑定区B1中，复用为绑定焊盘。
再示例性地，在本公开的另一种实施方式中，第三引线段可以部分位于触控功能层且部分位于源漏金属层，实现在触控功能层和源漏金属层之间的跨接设置。举例而言，触控显示面板在绑定区与显示区之间设置有弯折区，第三引线段在弯折区以外设置于触控功能层，且在弯折区内设置于源漏金属层；如此，第三引线段在弯折区借助源漏金属层实现跨接。
可选地，触控显示面板还包括位于像素层F300和触控功能层F500之间的薄膜封装层F400；连接第一引线段TL11和第二引线段TL12的第一过孔HL1，位于薄膜封装层F400的边缘(图1中用虚线表示)远离显示区AA的一侧。换言之，该第一过孔HL1不穿过薄膜封装层F400，一方面避免对薄膜封装层F400开孔而导致封装失效的风险，另一方面可以避免过孔深度太大而导致制备困难、第一引线段TL11在第一过孔HL1处容易断路等问题。
进一步可选地，参见图6，在该开设第一过孔HL1的位置，触控显示面板设置有依次层叠的衬底基板F100、金属屏蔽层F201、层间电介质层F206和触控绝缘层F502，该第一过孔HL1依次贯穿触控绝缘层F502和层间电介质层F206，进而使得第一触控金属层F501(图6中未示出)和第二触控金属层F503能够与金属屏蔽层F201电连接。
可选地，参见图1(用虚线示出裂纹挡坝DAM)和图6，触控显示面板在外围区BB设置有裂纹挡坝DAM。该裂纹挡坝DAM设置于触控显示面板的边缘，以避免在从母板上切割触控显示面板时在触控显示面板边缘产生裂纹，并阻挡裂纹向显示区AA的延伸。连接第一引线段TL11和第二引线段TL12的第一过孔HL1，位于裂纹挡坝DAM和显示区AA之间。如此，该第一过孔HL1收到裂纹挡坝DAM的保护，可以尽量减小其受到裂纹影响而失效的风险，保证第一触控引线TL1的良率和稳定性。
可选地，第二引线段TL12设于外围区BB。换言之，第二引线段TL12在衬底基板F100上的正投影，绕过显示区AA。如此，金属屏蔽层F201在显示区AA的部分可以用于触控显示面板的其他电性连接，例如提高存储电容的电容量、调节像素驱动电路在一些节点的寄生电容、寄生电阻等等。换言之，第二引线段TL12设置于金属屏蔽层F201且位于外围区BB，不会对触控显示面板在显示区AA的设置产生干扰或者影响。
可选地，触控显示面板还包括位于像素层F300和触控功能层F500之间的薄膜封装层F400。参见图1，第二引线段TL12包括走线子引线段TL121和连接子引线段TL122，走线子引线段TL121位于薄膜封装层F400的边缘与显示区AA之间；连接子引线段TL122位于显示区AA远离绑定区B1的一侧，且通过第一过孔HL1与对应的列触控子电极F5111连接。如此，走线子引线段TL121在薄膜封装层F400的覆盖范围内，使得该走线子引线段TL121尽量靠近显示区AA而远离触控显示面板的边缘，能够降低触控显示面板边缘裂纹对第一触控引线TL1的稳定性的影响，以及能够降低外部信号对第一触控引线TL1上的触控信号的干扰。
进一步可选地，参见图1，第一引线段TL11沿列方向H2延伸，且连接子引线段TL122沿列方向H2延伸。如此，可以减小第一引线段TL11和连接子引线段TL122的长度，减小第一引线段TL11和连接子引线段TL122在薄膜封装层F400的边缘以外的长度，减少触控显示面板边缘裂纹等可能对第一触控引线TL1的影响。
在外围区BB，第一触控引线TL1可以从显示区AA的同一侧绕过显示区AA，也可以从两侧分别绕过显示区AA，以能够绕过显示区AA为准。换言之，各个第一触控引线TL1可以从外围区BB的第二亚区B02绕过显示区AA，也可以从外围区BB的第四亚区B04绕过显示区AA；当然的，也可以部分从第二亚区B02绕过显示区AA，且其余部分从第四亚区B04绕过显示区AA。
示例性地，在本公开的一种实施方式中，沿行方向H1，各个第二引线段TL12均位于显示区AA的同一侧。例如，各个第二引线段TL12均可以穿过外围区BB的第二亚区B02以绕过显示区AA，或者各个第二引线段TL12均可以穿过外围区BB的第四侧以绕过显示区AA。
再示例性地，在本公开的另一种实施方式中，沿行方向H1，部分第一触控引线TL1的第二引线段TL12位于显示区AA的一侧，且其余第一触控引线TL1的第二引线段TL12位于显示区AA的另一侧。例如，部分第一触控引线TL1的第二引线段TL12可以外围区BB的第二亚区B02以绕过显示区AA，且其余第一触控引线TL1的第二引线段TL12可以外围区BB的第四亚区B04以绕过显示区AA。
在本公开的一种具体示例中，第一触控引线TL1分成第一引线组和第二引线组，第一引线组包括依次相邻的多个第一触控引线TL1，第二引线组包括其余的第一触控引线TL1，且这些触控引线也依次相邻；第一引线组位于第二引线组靠近外围区BB的第二亚区B02的一侧。第一引线组中的各个第一触控引线TL1的第二引线段TL12，均穿过外围区BB的第二亚区B02以绕过显示区AA；第二引线组中的各个第一触控引线TL1的第二引线段TL12，均穿过外围区BB的第四亚区B04以绕过显示区AA。更进一步地，第一引线组和第二引线组中，第一触控引线TL1的数量相同。
在本公开提供的触控显示面板中，第二触控引线TL2可以位于显示区AA的同一侧，也可以分别位于显示区AA的两侧，以能够实现将各个行触控电极F512连接至绑定区B1为准。
可选地，参见图1，行触控电极F512分成第一电极组和第二电极组。第一电极组中的各个行触控电极F512所连接的第二触控引线TL2，既可以通过外围区BB的第二亚区B02连接至绑定区B1，也可以外围区BB的第四亚区B04连接至绑定区B1。第二电极组中的各个行触控电极F512所连接的第二触控引线TL2，既可以通过外围区BB的第二亚区B02连接至绑定区B1，也可以外围区BB的第四亚区B04连接至绑定区B1。
进一步可选地，第一电极组和第二电极组中，行触控电极F512的数量相同。
进一步可选地，第一电极组中，各个行触控电极F512依次相邻；第二电极组中，各个行触控电极F512依次相邻。
进一步可选地，第一电极组位于第二电极组远离绑定区B1的一侧。
示例性地，在本公开的一种实施方式中，第一电极组位于第二电极组远离绑定区B1的一侧，且第一电极组和第二电极组中行触控电极F512的数量相同。第一电极组中的各个行触控电极F512所连接的第二触控引线TL2，可以通过外围区BB的第二亚区B02连接至绑定区B1；第二电极组中的各个行触控电极F512所连接的第二触控引线TL2，可以外围区BB的第四亚区B04连接至绑定区B1。如此，可以减少外围区BB的第二亚区B02和第四亚区B04中的第二触控引线TL2的数量，进一步减小触控显示面板的边框。
再示例性地，在本公开的另一种实施方式中，第一电极组位于第二电极组远离绑定区B1的一侧，且第一电极组和第二电极组中行触控电极F512的数量相同。第一电极组中的各个行触控电极F512所连接的第二触控引线TL2，可以通过外围区BB的第四亚区B04连接至绑定区B1；第二电极组中的各个行触控电极F512所连接的第二触控引线TL2，可以外围区BB的第二亚区B02连接至绑定区B1。如此，可以减少外围区BB的第二亚区B02和第四亚区B04中的第二触控引线TL2的数量，进一步减小触控显示面板的边框。
可以理解的是，在本公开的其他实施方式中，各个第二触控引线TL2也可以通过其他方式连接至绑定区B1。例如，各个行触控电极F512所连接的第二触控引线TL2，均通过外围区BB的第四亚区B04连接至绑定区B1。再例如，各个行触控电极F512所连接的第二触控引线TL2，均通过外围区BB的第二亚区B02连接至绑定区B1。
在本公开的一种实施方式中，第一触控引线TL1的第二引线段TL12，与第二触控引线TL2可以部分交叠。由于第二引线段TL12与第二触控引线TL2分别位于金属屏蔽层F201和触控功能层F500，因此两者的交叠不会导致短路或者信号干扰。不仅如此，两者的交叠可以减小第二引线段TL12和第二触控引线TL2的布线所占用的面积，减小触控显示面板的边框。
可选地，参见图1，触控引线还可以包括第三触控引线TL3，第三触控引线TL3与各个列触控电极F511靠近绑定区B1的一端一一对应连接，且延伸至绑定区B1。如此，列触控电极F511的两端均通过触控引线连接至绑定区B1。
本公开实施方式还提供一种显示装置，该显示装置包括上述触控显示面板实施方式所描述的任意一种触控显示面板PNL。该显示装置可以为手机屏幕、平板电脑或者其他类型的触控显示器。由于该显示装置具有上述触控显示面板实施方式所描述的任意一种触控显示面板，因此具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (9)
1.一种触控显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的外围区；所述外围区设置有绑定区；
所述触控显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、金属屏蔽层、驱动电路层、像素层和触控功能层；其中，所述触控功能层设置有触控电极；
所述触控显示面板包括与部分所述触控电极连接并延伸至所述绑定区的第一触控引线，所述第一触控引线的至少部分位于所述金属屏蔽层；
所述触控电极包括沿列方向延伸的列触控电极，至少部分所述列触控电极与各个所述第一触控引线一一对应连接；其中，所述第一触控引线与对应的所述列触控电极的远离所述绑定区的一端连接；
所述第一触控引线包括与所述列触控电极连接的第一引线段、与所述第一引线段通过过孔连接的第二引线段，以及包括第三引线段；
所述第一引线段位于所述触控功能层，且所述第二引线段位于所述金属屏蔽层；所述第三引线段通过过孔与所述第二引线段连接且延伸至所述绑定区。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其中，所述触控显示面板还包括位于所述像素层和所述触控功能层之间的薄膜封装层；连接所述第一引线段和所述第二引线段的过孔，位于所述薄膜封装层的边缘远离所述显示区的一侧。
3.根据权利要求1所述的触控显示面板，其中，所述外围区设置有裂纹挡坝；连接所述第一引线段和所述第二引线段的过孔，位于所述裂纹挡坝和所述显示区之间。
4.根据权利要求1所述的触控显示面板，其中，所述第二引线段设于所述外围区。
5.根据权利要求4所述的触控显示面板，其中，所述触控显示面板还包括位于所述像素层和所述触控功能层之间的薄膜封装层；所述第二引线段包括走线子引线段和连接子引线段，所述走线子引线段位于所述薄膜封装层的边缘与所述显示区之间；
所述连接子引线段位于所述显示区远离所述绑定区的一侧，且通过过孔与对应的所述列触控电极连接。
6.根据权利要求1所述的触控显示面板，其中，沿行方向，各个所述第二引线段均位于所述显示区的同一侧。
7.根据权利要求1所述的触控显示面板，其中，沿行方向，部分所述第一触控引线的第二引线段位于所述显示区的一侧，且其余所述第一触控引线的第二引线段位于所述显示区的另一侧。
8.根据权利要求1所述的触控显示面板，其中，所述第三引线段位于所述驱动电路层、所述像素层和所述触控功能层中的一层或者多层。
9.一种显示装置，包括权利要求1～8任意一项所述的触控显示面板。
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