CN113327942A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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CN113327942A CN202110601548.1A CN202110601548A CN113327942A CN 113327942 A CN113327942 A CN 113327942A CN 202110601548 A CN202110601548 A CN 202110601548A CN 113327942 A CN113327942 A CN 113327942A
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赵吾阳
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Abstract

本公开提供一种显示面板及其制备方法，涉及显示技术领域。本公开的显示面板包括显示区和围绕显示区的外围区，外围区具有外围弯折区；显示面板在显示区具有接触过孔，在外围弯折区具有弯折槽；显示面板包括依次层叠的衬底基板、驱动电路层和像素层；驱动电路层包括半导体层和源漏金属层，以及包括位于半导体层和源漏金属层之间的中间层；接触过孔贯穿中间层且至少延伸至半导体层内；弯折槽包括贯穿中间层的第一弯折槽，以及包括开口于第一弯折槽的槽底的第二弯折槽；源漏金属层在接触过孔和弯折槽内均形成有导电图案。该显示面板能够降低显示面板的制备成本并保证显示面板的良率。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
柔性OLED(有机电致发光二极管)显示面板可以在外围区设置弯折槽，使得显示面板的绑定焊盘弯折至显示面板的背面。同时，主动驱动的显示面板中，驱动电路层需要设置薄膜晶体管；薄膜晶体管的源极/漏极与有源层之间通过接触过孔连接。在制备显示面板时，弯折槽和接触过孔均需要在制备源漏金属层之前制备。然而，弯折槽和接触过孔的制备需要进行三次光刻工艺，这抬高了显示面板的制备成本。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示面板及其制备方法，降低显示面板的制备成本并保证显示面板的良率。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的外围区，所述外围区具有外围弯折区；所述显示面板在所述显示区具有接触过孔，在所述外围弯折区具有弯折槽；
所述显示面板包括依次层叠的衬底基板、驱动电路层和像素层；所述驱动电路层包括半导体层和源漏金属层，以及包括位于所述半导体层和所述源漏金属层之间的中间层；
所述接触过孔贯穿所述中间层且至少延伸至所述半导体层内；所述弯折槽包括贯穿所述中间层的第一弯折槽，以及包括开口于所述第一弯折槽的槽底的所述第二弯折槽；
所述源漏金属层在所述接触过孔和所述弯折槽内均形成有导电图案。
根据本公开的一种实施方式，所述接触过孔贯穿所述半导体层。
根据本公开的一种实施方式，所述接触过孔的深度，为所述第一弯折槽的深度的0.9～1.1倍。
根据本公开的一种实施方式，所述衬底基板包括依次层叠设置的柔性衬底、无机阻挡层和无机缓冲层；所述驱动电路层设置于所述无机缓冲层远离所述柔性衬底的一侧；
所述接触过孔贯穿所述中间层、所述半导体层、所述无机缓冲层，且延伸至所述无机阻挡层。
根据本公开的一种实施方式，所述源漏金属层具有第一金属元素；
所述半导体层靠近所述接触过孔的部分，掺杂有所述第一金属元素。
根据本公开的一种实施方式，所述第一金属元素为铝。
根据本公开的一种实施方式，所述第一弯折槽的坡度角在40°～55°范围内。
根据本公开的一种实施方式，所述第二弯折槽的坡度角在50°～65°范围内。
根据本公开的另一个方面，提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的外围区，所述外围区具有外围弯折区；
所述显示面板的制备方法包括依次制备层叠设置的衬底基板、驱动电路层和像素层；所述驱动电路层包括半导体层和源漏金属层，以及包括位于所述半导体层和所述源漏金属层之间的中间层；
其中，制备所述驱动电路层包括：
在所述衬底基板的一侧依次形成所述半导体层、所述中间层，获得第一中间基板；
对所述第一中间基板进行图案化处理，通过一次刻蚀形成接触过孔和第一弯折槽，获得第二中间基板；其中，所述接触过孔位于所述显示区，所述接触过孔贯穿所述中间层且至少延伸至所述半导体层内；所述第一弯折槽位于所述外围弯折区；
对所述第二中间基板进行图案化处理，以形成第二弯折槽；其中，所述第二弯折槽开口于所述第一弯折槽的槽底；
在所述中间层远离所述衬底基板的一侧形成所述源漏金属层。
根据本公开的一种实施方式，对所述第一中间基板进行图案化处理和对所述第二中间基板进行图案化处理时，均采用CF4/O2作为刻蚀气体。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一种实施方式中，一种显示面板的结构示意图。
图2为本公开一种实施方式中，一种显示面板的结构示意图。
图3为本公开一种实施方式中，一种触控电极层的结构示意图。
图4为本公开一种实施方式中，一种触控功能层的结构示意图。
图5为一种相关技术中，一种接触过孔和弯折槽的结构示意图。
图6为一种相关技术中，一种驱动电路层的结构示意图。
图7为一种相关技术中，一种接触过孔和弯折槽的结构示意图。
图8为一种相关技术中，一种驱动电路层的结构示意图。
图9为本公开的一种实施方式中，接触过孔和弯折槽的结构示意图。
图10为本公开的一种实施方式中，驱动电路层的结构示意图。
图11为本公开的一种实施方式中，接触过孔和第一弯折槽的结构示意图。
图12为本公开的一种实施方式中，接触过孔和弯折槽的结构示意图。
图13为本公开的一种实施方式中，驱动电路层的结构示意图。
图14为本公开的一种实施方式中，驱动电路层的制备流程示意图。
附图标记说明：
AA、显示区；BB、外围区；B1、绑定区；B2、外围弯折区；HA、接触过孔；HB、弯折槽；HB1、第一弯折槽；HB2、第二弯折槽；ML1、第一金属导电结构；ML2、第二金属导电结构；BP、柔性衬底；PI1、第一聚酰亚胺层；PI2、第二聚酰亚胺层；SO1、氧化硅层；SO2、无机屏蔽层；Bu、无机缓冲层；Bu1、第一无机缓冲层；Bu2、第二无机缓冲层；MM、中间层；F100、衬底基板；F200、驱动电路层；F200M、晶体管；F201、半导体层；F202、栅极绝缘层；F203、栅极层；F204、层间电介质层；F2041、氮化硅层；F2042、氧化硅层；F2043、氮化硅层；F205、源漏金属层；F206、平坦化层；F300、像素层；F301、像素电极层；F302、像素定义层；F303、支撑柱层；F304、有机发光功能层；F305、公共电极层；F400、薄膜封装层；F401、第一无机封装层；F402、有机封装层；F403、第二无机封装层；F500、降反层；F600、触控功能层；F501、第一触控金属层；F502、触控绝缘层；F503、第二触控金属层；F510、触控电极；F511、列触控电极；F5111、列触控子电极；F512、行触控电极；F5121、行触控子电极；F5131、桥接连接部。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本公开提供一种显示面板以及应用该显示面板的显示装置。参见图2，从膜层分布的角度，显示面板包括依次层叠设置的衬底基板F100、驱动电路层F200和像素层F300。从区域分布的角度，参见图1，显示面板PNL包括显示区AA和围绕显示区AA的外围区BB。在显示区AA内，显示面板包括多个像素单元，任意一个像素单元可以包括位于驱动电路层中的像素驱动电路和位于像素层中的发光元件。在外围区BB，显示面板可以具有外围弯折区B2，显示面板可以在外围弯折区B2位置处弯折。进一步地，显示面板在外围区BB还可以具有绑定区B1，绑定区B1内设置有用于与外部电路绑定连接的绑定焊盘。其中，外围弯折区B2可以位于绑定区B1与之间；如此，当显示面板在外围弯折区B2弯折时，绑定焊盘可以被弯折至显示面板的背面，进而使得与绑定焊盘绑定连接的外部电路被弯折至显示面板的背面，减小应用该显示面板的显示装置的边框。可选地，外部电路可以为电路板或者覆晶薄膜，尤其是可以为柔性电路板。
可选地，显示面板在外围区BB设置有跨过外围弯折区B2的导电走线，导电走线可以直接或者间接与显示区AA电连接，且直接或者间接与绑定焊盘电连接。换言之，显示区AA与外部电路之间可以通过跨过外围弯折区B2的导电走线进行交互。
在本公开的一种实施方式中，显示面板在外围区BB还可以设置有芯片绑定区，芯片绑定区设置有用于与驱动芯片绑定连接的芯片绑定焊盘，芯片绑定焊盘中的至少部分可以与绑定焊盘通过走线连接。如此，本公开的显示面板可以采用COP(chip on panel)技术减小显示装置的边框。可以理解的是，当显示面板具有芯片绑定区时，导电走线中的至少一部分可以与芯片绑定焊盘电连接，使得显示区AA与驱动芯片可以通过导电走线进行交互。
参见图2，显示面板可以包括依次层叠设置的衬底基板F100、驱动电路层F200和像素层F300。
衬底基板F100可以为柔性衬底基板F100，以利于显示面板在外围弯折区B2弯折。在一些实施方式中，柔性衬底基板可以包括一层或者多层有机材料层，例如可以包括一层或者多层聚酰亚胺层。
可选地，参见图9～图13，衬底基板F100包括依次层叠设置的柔性衬底BP、无机阻挡层SO2和无机缓冲层Bu。
柔性衬底BP可以包括一层或者多层柔性有机层，例如可以包括一层或者多层聚酰亚胺层。当柔性衬底包括多层聚酰亚胺层时，相邻两层聚酰亚胺层之间可以设置有无机层，该无机层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料。参见图13，在本公开的一种实施方式中，柔性衬底BP包括依次层叠设置的第一聚酰亚胺层PI1、氧化硅层SO1和第二聚酰亚胺层PI2。
无机阻挡层SO2的材料可以为氧化硅，以便阻挡柔性衬底中的离子等向驱动电路层F200扩散，并提高柔性衬底BP与驱动电路层F200之间的结合力。
无机缓冲层Bu的材料可以为一层或者多层无机绝缘材料，这些材料可以包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料。在本公开的一种实施方式中，参见图13，无机缓冲层Bu可以包括依次层叠于无机阻挡层SO2远离柔性衬底一侧的第一无机缓冲层Bu1和第二无机缓冲层Bu2。第一无机缓冲层Bu1的材料可以为氮化硅，第二无机缓冲层Bu2的材料可以为氧化硅。在该实施方式中，第一无机缓冲层Bu1可以具有较高的致密性和较高的介电常数，因此能够更高效地阻挡来自柔性衬底的离子等。第二无机缓冲层Bu2可以为驱动电路层提供平坦且稳定的表面，并利于提高衬底基板与驱动电路层之间的结合力，利于驱动电路层的制备。
示例性地，在本公开的一种具体实施例中，衬底基板包括依次层叠设置的第一聚酰亚胺层PI1、氧化硅层SO1、第二聚酰亚胺层PI2、无机阻挡层SO2、第一无机缓冲层Bu1和第二无机缓冲层Bu2。其中，第一聚酰亚胺层PI1、氧化硅层SO1、第二聚酰亚胺层PI2可以作为衬底基板的柔性衬底BP。无机阻挡层SO2的材料可以为氧化硅。第一无机缓冲层Bu1和第二无机缓冲层Bu2可以作为衬底基板F100的无机缓冲层，第一无机缓冲层Bu1的材料可以为氮化硅，第二无机缓冲层Bu2的材料可以为氧化硅。
可选地，参见图2，在驱动电路层F200中，任意一个像素驱动电路可以包括有晶体管F200M和存储电容。进一步地，晶体管F200M可以为薄膜晶体管，薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管；薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料或者其他类型的半导体材料；薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管。在本公开的一种实施方式中，薄膜晶体管为非晶硅晶体管或者低温多晶硅晶体管。
可选地，驱动电路层F200可以包括层叠于衬底基板F100和像素层F300之间的半导体层F201、栅极绝缘层F202、栅极层F203、层间电介质层F204和源漏金属层F205等。各个薄膜晶体管和存储电容可以由半导体层F201、栅极绝缘层F202、栅极层F203、层间电介质层F204、源漏金属层F205等膜层形成。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置的半导体层F201、栅极绝缘层F202、栅极层F203、层间电介质层F204和源漏金属层F205，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置的栅极层F203、栅极绝缘层F202、半导体层F201、层间电介质层F204和源漏金属层F205，如此所形成的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
可选地，驱动电路层F200还可以采用双栅极层结构，即栅极层F203可以包括第一栅极层和第二栅极层，栅极绝缘层F202可以包括用于隔离半导体层F201和第一栅极层的第一栅极绝缘层，以及包括用于隔离第一栅极层和第二栅极层的第二栅极绝缘层。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置于衬底基板F100一侧的半导体层F201、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层F204和源漏金属层F205。
可选地，驱动电路层F200还可以采用双源漏金属层结构，即源漏金属层可以包括依次层叠于层间电介质层远离衬底基板F100一侧的第一源漏金属层、绝缘层和第二源漏金属层。其中，绝缘层可以包括一层或者多层绝缘材料，其可以为有机绝缘层、无机绝缘层或者有机/无机复合绝缘层。例如，绝缘层可以包括位于第一源漏金属层远离衬底基板F100一侧的氮化硅层(起到钝化作用)和树脂层(起到平坦化作用)。
可选地，驱动电路层F200还可以包括有钝化层，钝化层可以设于源漏金属层F205远离衬底基板F100的表面，以便保护源漏金属层F205。在本公开的一种实施方式中，钝化层的材料可以为氮化硅。
可选地，驱动电路层F200还可以包括位于源漏金属层F205和像素层F300之间的平坦化层F206，平坦化层F206可以为像素电极提供平坦化表面。可选地，平坦化层F206的材料可以为有机材料，例如可以为树脂材料，尤其是可以为光敏树脂材料。
可选地，栅极绝缘层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料。在本公开的一种实施方式中，栅极绝缘层的材料为氧化硅。
可选地，层间电介质层F204可以包括一层或者多层无机层，任意一层无机层的材料可以选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者其他的无机绝缘材料。在本公开的一种实施方式中，层间电介质层可以包括一层氮化硅层。在本公开的另一种实施方式中，参见图13，层间电介质层F204可以包括依次层叠设置的氮化硅层F2041、氧化硅层F2042和氮化硅层F2043。
在本公开中，源漏金属层F205可以设置有跨过外围弯折区B2的导电结构，例如设置有传输第一电源电压VDD的第一电源线、传输第二电源电压VSS的第二电源线、传输数据电压Data的数据走线等等，本公开对此不做特殊的限定。为了利于显示面板在外围弯折区B2的弯折，显示面板的部分膜层可以在外围弯折区B2镂空或者减薄，尤其是可以对一些无机膜层镂空或者减薄，这样显示面板在外围弯折区B2可以形成弯折槽HB。
像素层F300可以设置有与像素驱动电路对应电连接的发光元件，发光元件可以作为显示面板的子像素。如此，像素层设置有阵列分布的发光元件，且各个发光元件在像素驱动电路的控制下发光。在本公开中，发光元件可以为有机电致发光二极管(OLED)、微发光二极管(Micro LED)、量子点-有机电致发光二极管(QD-OLED)或者其他类型的发光元件。示例性地，在本公开的一种实施方式中，发光元件为有机电致发光二极管(OLED)，则该显示面板为OLED显示面板。如下，以发光元件为有机电致发光二极管为例，对像素层的一种可行结构进行示例性的介绍。
在该示例性地OLED显示面板中，参见图2，像素层可以设置于驱动电路层F200远离衬底基板F100的一侧，其可以包括依次层叠设置的像素电极层F301、像素定义层F302、支撑柱层F303、有机发光功能层F304和公共电极层F305。其中，像素电极层F301在显示面板的显示区AA具有多个像素电极；像素定义层F302在显示区AA具有与多个像素电极一一对应设置的多个贯通的像素开口，任意一个像素开口暴露对应的像素电极的至少部分区域。支撑柱层F303在显示区AA包括多个支撑柱，且支撑柱位于像素定义层F302远离衬底基板F100的表面，以便在蒸镀制程中支撑精细金属掩模版(Fine Metal Mask，FMM)。有机发光功能层F304至少覆盖被像素定义层F302所暴露的像素电极。其中，有机发光功能层F304可以包括有机电致发光材料层，以及可以包括有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种。可以通过蒸镀工艺制备有机发光功能层F304的各个膜层，且在蒸镀时可以采用精细金属掩模版或者开放式掩膜板(Open Mask)定义各个膜层的图案。公共电极层F305在显示区AA可以覆盖有机发光功能层F304。如此，像素电极、公共电极层F305和位于像素电极和公共电极层F305之间的有机发光功能层F304形成有机发电致光二极管F300D，任意一个有机电致发光二极管可以作为显示面板的一个子像素。
在一些实施方式中，像素层F300还可以包括位于公共电极层F305远离衬底基板F100一侧的光取出层，以增强有机发光二极管的出光效率。
可选地，显示面板还可以包括薄膜封装层F400。薄膜封装层F400设于像素层F300远离衬底基板F100的表面，可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。其中，无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵有机发光功能层F304而导致材料降解。可选地，无机封装层的边缘可以位于外围区。有机封装层位于相邻的两层无机封装层之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。其中，有机封装层的边缘，可以位于显示区的边缘和无机封装层的边缘之间。示例性地，薄膜封装层F400包括依次层叠于像素层F300远离衬底基板F100一侧的第一无机封装层F401、有机封装层F402和第二无机封装层F403。
可选地，显示面板还可以包括触控功能层F500，触控功能层F500设于薄膜封装层F400远离衬底基板F100的一侧，用于实现显示面板的触控操作。
在本公开的一种实施方式中，可以采用FMLOC(Flexible Multi-Layer On Cell)技术形成显示面板的触控功能层F500。如此，参见图3和图4，触控功能层可以包括依次层叠设置的触控布线层F501、触控绝缘层F502和触控电极层F503。触控电极层F503位于触控布线层F501远离衬底基板的一侧。触控布线层和触控电极层中的一层或者两层用于形成触控电极。在本公开的一种实施方式中，参见图2，触控功能层F500设置于薄膜封装层F400远离衬底基板的一侧。
可选地，在触控布线层与薄膜封装层F400之间还可以包括触控缓冲层。触控缓冲层的材料可以为无机材料，例如可以为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅等。可以理解的是，在本公开的其他实施方式中，薄膜封装层F400最外侧的无机封装层，也可以复用为触控缓冲层。
可选地，在触控电极层远离衬底基板F100的一侧还可以包括触控保护层。触控保护层的材料可以为无机材料，例如可以为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅等。可以理解的是，在本公开的其他实施方式中，触控电极层远离衬底基板F100的一侧也可以直接设置有机层，例如设置有机盖板或者设置光学胶等。
可选地，触控布线层和触控电极层可以为透光膜层，以使得所形成的触控电极F510为透明电极为准。在本公开的一种实施方式中，触控布线层和触控电极层的材料可以为透光材料，例如可以采为透明导电金属氧化物(如氧化铟锡等)。
当然的，在本公开的其他实施方式中，触控布线层和触控电极层也可以采用不透明的材料，例如可以为金属膜层；触控布线层和触控电极层所形成的图案可以暴露各个子像素，以避免对各个子像素的遮挡。示例性地，触控布线层和触控电极层的图案在衬底基板上的正投影，可以位于像素定义层远离衬底基板的表面在衬底基板上的正投影内；即触控布线层和触控电极层上的各个金属图案，可以设置于像素定义层的像素开口之间。
触控电极的形状和位置，可以根据显示面板的需要进行设置，以使得触控功能层F500能够基于自容或者互容原理确定触控位置为准。
举例而言，参见图3和图4，在本公开的一种实施方式中，触控电极F510包括多个沿行方向H1延伸的行触控电极F512和多个沿列方向H2延伸的列触控电极F511。各个行触控电极F512沿列方向H2依次排列，各个列触控电极F511沿行方向H1依次排列。其中，任意一个列触控电极F511设置于触控电极层，且包括沿列方向H2依次排列的多个列触控子电极F5111，相邻两个列触控子电极F5111的端部相互连接。如此，列触控电极F511完全设置于触控电极层。任意一个行触控电极F512包括沿行方向H1依次排列的多个行触控子电极F5121，行触控子电极F5121设置于触控电极层，且其边缘与列触控子电极F5111的边缘相邻设置。在任意一个行触控电极F512中，相邻两个行触控子电极F5121之间被列触控电极F511隔离，且相邻两个行触控子电极F5121之间通过位于触控布线层的桥接连接部F5131连接。
可选地，触控功能层F500还可以用于形成触控走线，以便将触控电极响应触控动作而产生的信号传导出来。在本公开的一种实施方式中，触控布线层F501形成这些触控走线。进一步地，触控电极层也可以形成与各个触控走线一一对应的辅助走线。触控走线与对应的辅助走线通过过孔连接且并联设置，这样可以减小触控走线的阻抗，降低触控信号在触控走线上的压降，提高触控的精度和灵敏度。
在本公开的一种实施方式中，源漏金属层F205所形成的跨过外围弯折区B2的导电结构，还可以包括跨过外围弯折区B2的跨接走线，跨接走线可以设置于源漏金属层F205。触控走线在外围弯折区B2可以中断，并通过跨接走线连接。换言之，在外围弯折区B2，触控走线可以通过位于源漏金属层F205的跨接走线跨接。如此，可以减小显示面板在外围弯折区B2的厚度并提高其柔性，利于显示面板在外围弯折区B2弯折。
可选地，参见图2，显示面板还可以包括降反层F600，降反层F600可以设置于薄膜封装层F400远离像素层F300的一侧，用于降低显示面板对环境光线的反射，进而降低环境光线对显示效果的影响。在本公开的一种实施方式中，降反层F600可以包括层叠设置的彩膜层和黑矩阵层，如此可以在实现降低环境光线干扰的同时，可以避免降低显示面板的透光率。在本公开的另一种实施方式中，降反层F600可以为偏光片，例如可以为图案化的涂布型圆偏光片。进一步地，降反层F600可以设置于触控功能层F500远离衬底基板F100的一侧。
参见图13，在本公开中，可以将半导体层与源漏金属层F205之间的膜层定义为中间层MM。在本公开中，如果源漏金属层F205包括第一源漏金属层和第二源漏金属层，则中间层MM为半导体层与第一源漏金属层之间的各个膜层。
示例性地，参见图13，如果驱动电路层包括依次层叠设置的半导体层F201、栅极绝缘层F202、栅极层F203、层间电介质层F204和源漏金属层F205，则中间层MM可以包括栅极绝缘层F202、栅极层F203、层间电介质层F204。
再示例性地，如果驱动电路层F200包括依次层叠设置于衬底基板F100一侧的半导体层F201、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层F204和源漏金属层F205，则中间层MM可以包括第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层F204。
再示例性地，如果驱动电路层F200包括依次层叠设置于衬底基板F100一侧的半导体层F201、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层F204、第一源漏金属层、绝缘层、第二源漏金属层，则中间层MM可以包括第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层F204。
在本公开中，显示面板在显示区AA具有接触过孔HA，接触过孔HA贯穿中间层MM且暴露半导体层的至少部分区域，以使得源漏金属层F205通过接触过孔HA与半导体层电连接。换言之，源漏金属层F205在接触过孔HA内形成有导电图案，这些导电图案可以作为薄膜晶体管的源极或者漏极。示例性地，参见图10和图13，半导体层形成有薄膜晶体管的有源层，该有源层可以包括沟道区和位于沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区，源极接触区和漏极接触区相互绝缘设置。接触过孔HA包括第一接触过孔和第二接触过孔，第一接触过孔可以贯穿中间层MM并暴露源极接触区的至少部分区域，和第二接触过孔可以贯穿中间层MM并暴露漏极接触区的至少部分区域。源漏金属层F205形成有第一金属导电结构ML1和第二金属导电结构ML2，第一金属导电结构ML1覆盖接触过孔HA1，以使得第一金属导电结构ML1与源极接触区直接接触并电连接；第二金属导电结构ML2覆盖接触过孔HA2，以使得第二金属导电结构ML2与漏极接触区直接接触并电连接。如此，第一金属导电结构ML1可以作为该薄膜晶体管的源极，第二金属导电结构ML2可以作为该薄膜晶体管的漏极。
在本公开中，参见图9和图12，显示面板在外围弯折区B2具有弯折槽HB。弯折槽HB开口于中间层MM远离衬底基板F100的一侧。其中，弯折槽HB在衬底基板F100上的正投影，可以与外围弯折区B2重合。参见图10和图13，源漏金属层F205形成有跨过外围弯折区B2的导电结构，导电结构至少部分设置于弯折槽HB中，并沿远离显示区AA的方向贯穿弯折槽HB。如此，源漏金属层F205在弯折槽HB内也形成有导电图案。
在本公开中，在制备显示面板时，可以先在衬底基板F100一侧依次形成半导体层F201和中间层MM，获得第一中间基板。然后，对第一中间基板进行图案化操作，以形成接触过孔HA和弯折槽HB。然后，在中间层MM远离衬底基板F100的一侧形成源漏金属层F205，并继续形成显示面板的其他膜层，例如继续形成像素层。
在一种相关技术中，参见图5和图6，可以先采用光刻工艺对第一中间基板进行图案化操作，以形成接触过孔HA。其中，在刻蚀第一中间基板以形成接触过孔HA时，可以使得接触过孔HA恰好贯穿中间层MM并暴露半导体层，避免刻蚀过程对半导体层产生损伤。如此，在所形成的显示面板中，源漏金属层F205与半导体层的上表面(远离衬底基板F100的表面)实现面接触。在刻蚀形成接触过孔HA之后，再采用两次光刻工艺在外围弯折区B2形成弯折槽HB。如此，弯折槽HB包括位于开口一侧的第一弯折槽HB1和位于槽底一侧的第二弯折槽HB2，第一弯折槽HB1与第二弯折槽HB2之间存在台阶。其中，第一弯折槽HB1和第二弯折槽HB2的坡度角，均在50°～65°范围内。
在采用该相关技术制备显示面板时，需要采用三次光刻工艺才能形成接触过孔HA和弯折槽HB。具体的，需要依次进行如下步骤：光刻胶涂覆、采用第一种掩膜板曝光、刻蚀以形成接触过孔HA、剥离光刻胶、光刻胶涂覆、采用第二种掩膜板曝光、刻蚀以形成第一弯折槽HB1、剥离光刻胶、光刻胶涂覆、采用第三种掩膜板曝光、刻蚀以形成第二弯折槽HB2、剥离光刻胶。在该制备过程中，需要三次涂覆光刻胶、三次剥离光刻胶、采用三种不同的掩膜板并进行三次曝光、进行三次刻蚀等等，这导致该相关技术对涂胶设备、曝光设备、刻蚀设备和剥离设备等占用较多且生产节拍较慢、物料消耗大，生产成本高。
为了解决上述问题，开发了第二种相关技术。参见图7和图8，在该第二种相关技术中，可以在第一次光刻工艺中同时形成接触过孔HA和第一弯折槽HB1，然后在第二次光刻工艺中形成第二弯折槽HB2。如此，可以仅采用两次光刻工艺，就可以实现接触过孔HA和弯折槽HB的制备。在第一次光刻工艺中，需要采用两次不同的刻蚀(第一次刻蚀气体为CF4/O2，第二次刻蚀气体为CF4/CHF3/Ar)，以保证接触过孔HA暴露半导体层且避免对半导体层的损伤，使得源漏金属层F205与半导体层之间形成面接触。然而，两次不同的刻蚀在外围弯折区B2的刻蚀速率不同，将导致第一弯折槽HB1的侧壁形成两个不同的坡度角；其中，第一次刻蚀所形成的坡度角和第二弯折槽HB2的坡度角，均在50°～65°范围内；第二次刻蚀所形成的坡度角达到了85°～90°。当源漏金属层F205在弯折槽HB形成导电图案时，容易出现断路不良。
在本公开中，可以采用如下方法制备接触过孔HA和弯折槽HB：参见图9～图13，对第一中间基板进行图案化处理，通过一次刻蚀形成接触过孔HA和第一弯折槽HB1，获得第二中间基板。然后，对第二中间基板进行图案化处理，以在第一弯折槽HB1内向衬底基板F100一侧继续刻蚀，获得第二弯折槽HB2。根据本公开提供的制备方法，可以通过一次刻蚀形成接触过孔HA，避免两次刻蚀时导致第一弯折槽HB1的侧壁过陡。在刻蚀形成接触过孔HA时，为了保证源漏金属层F205与半导体层连接，避免接触过孔HA内残留有中间层MM而导致源漏金属层F205与半导体层接触不良，参见图9和图11，可以进行过刻蚀以使得接触过孔HA穿过半导体层的上表面(远离衬底基板F100的表面)。如此，所形成的接触过孔HA可以贯穿中间层MM并至少延伸至半导体层F201内。换言之，接触过孔HA的底部可以伸入半导体层F201内，或者接触过孔HA可以贯穿半导体层F201。采用本公开提供的方法制备驱动电路层时，既可以减少图案化操作次数以降低显示面板的制备成本，又可以避免形成过陡的坡度角而引起源漏金属层断路不良，因此能够在保证显示面板的良率的条件下降低显示面板的制备成本。
如此，本公开提供如下一种显示面板的制备方法，该显示面板的制备方法包括依次制备层叠设置的衬底基板、驱动电路层和像素层。其中，驱动电路层包括半导体层F201、源漏金属层F205，以及包括位于半导体层F201和源漏金属层F205之间的中间层MM。其中，参见图14，制备驱动电路层包括：
步骤S110，在衬底基板F100一侧依次形成半导体层F201、中间层MM，获得第一中间基板；
步骤S120，对第一中间基板进行图案化处理，通过一次刻蚀形成接触过孔HA和第一弯折槽HB1，获得第二中间基板；其中，接触过孔HA位于显示区AA，接触过孔HA贯穿中间层MM且至少延伸至半导体层F201内；第一弯折槽HB1位于外围弯折区B2；
步骤S130，对第二中间基板进行图案化处理，以形成第二弯折槽HB2；其中，第二弯折槽HB2开口于第一弯折槽HB1的槽底；
步骤S140，在中间层MM远离衬底基板F100的一侧形成源漏金属层F205。
相应的，本公开的显示面板中，接触过孔HA贯穿中间层MM且至少延伸至半导体层F201内；弯折槽HB包括贯穿中间层MM的第一弯折槽HB1，以及开口于第一弯折槽HB1的槽底的第二弯折槽HB2；源漏金属层F205在接触过孔HA和弯折槽HB内均形成有导电图案。
可选地，在步骤S120中，参见图11，可以使得接触过孔HA贯穿半导体层。如此，半导体层在接触过孔HA处具有侧壁，源漏金属层F205与半导体层的侧壁连接。
可选地，接触过孔HA和第一弯折槽HB1深度基本相同，例如接触过孔HA的深度为第一弯折槽HB1的深度的0.9～1.1倍。在本公开中，接触过孔HA的深度指的是接触过孔HA的孔底与中间层MM的上表面(远离衬底基板F100的表面)之间的距离；第一弯折槽HB1的深度指的是第一弯折槽HB1的槽底与中间层MM的上表面(远离衬底基板F100的表面)之间的距离。由于接触过孔HA和第一弯折槽HB1是在同一次刻蚀中形成的，且所刻蚀的膜层的材料基本相同，刻蚀速率基本相同，因此深度基本相同。
可选地，参见图11，接触过孔HA贯穿中间层MM、半导体层F201、无机缓冲层Bu，且延伸至无机屏蔽层SO2。如此，一方面可以保证接触过孔HA贯穿半导体层，进而保证各个晶体管的有源层与源漏金属层F205的接触电阻保持均一；另一方面，可以使得第一弯折槽HB1深度增大，进而利于显示面板在外围弯折区B2的弯折。不仅如此，由于在一次刻蚀中形成接触过孔HA，因此接触过孔HA的延伸至无机屏蔽层时，接触过孔HA的深度较大且刻蚀时间长，有利于减小接触过孔HA的坡度角，进而利于源漏金属层F205与半导体层F201的侧壁之间具有更大的接触面积，减小接触电阻。
可选地，在步骤S120中，在刻蚀时可以采用干法刻蚀，刻蚀的气体可以为CF4/O2。如此，可以使得接触过孔HA和第一弯折槽HB1具有适宜的坡度角。示例性地的，第一弯折槽HB1的坡度角在40°～55°范围内。在该范围内，既可以避免坡度角太大而导致源漏金属层F205断路不良，又可以避免坡度角太小而导致接触过孔HA的孔径太大。不仅如此，这还可以利于半导体层形成较大面积的侧壁，进而提高源漏金属层F205与半导体层之间的接触面积、降低源漏金属层F205与半导体层之间的接触电阻。
可选地，在步骤S130中，可以采用与步骤S120相同的刻蚀气体进行刻蚀，例如采用CF4/O2。这样，可以使得第二弯折槽HB2同样具有适宜的坡度角。可以理解的是，由于第一弯折槽HB1和第二弯折槽HB2刻蚀的膜层、材料和尺寸不同，因此第一弯折槽HB1和第二弯折槽HB2的坡度角不完全相同。在本公开的一种实施方式中，第二弯折槽HB2的坡度角在50°～65°的范围内。
参见图12，在步骤S130中，由于需要重新进行曝光和显影，因此第二弯折槽HB2开口于第一弯折槽HB1的槽底，且开口尺寸小于第一弯折槽HB1的槽底。如此，第一弯折槽HB1和第二弯折槽HB2之间具有台阶面。该台阶面的存在，可以避免源漏金属层F205在弯折槽HB内单次爬坡高度太大，进而利于源漏金属层F205的稳定，减小爬坡高度太大而引起的断路不良。
可选地，在步骤S140中，源漏金属层F205的材料可以包括第一金属元素，第一金属元素可以从半导体层与源漏金属层F205的接触面，向半导体层一侧迁移。如此，半导体层F201靠近接触过孔HA的部分，掺杂有第一金属元素。这样，可以进一步降低源漏金属层F205与半导体层之间的接触电阻。可选地，第一金属元素可以为铜、银、铝等在硅中易迁移的金属元素。在本公开的一种实施方式中，第一金属可以为铝。进一步地，源漏金属层F205的材料还可以包括其他金属元素，例如用于粘接或者保护的第二金属元素。示例性地，第二金属元素可以为钛、镍、钼等。
在本公开中，源漏金属层F205可以包括一层或者多层金属层。其中，靠近中间层MM的金属层，可以具有第一金属元素，以利于第一金属元素掺杂入临近的半导体层。示例性地的，在本公开的一种实施方式中，源漏金属层F205可以包括依次层叠于中间层MM一侧的铝金属层和钛金属层。
示例性地，在本公开的一种实施方式中，参见图13，本公开提供的显示面板中，衬底基板包括依次层叠设置的第一聚酰亚胺层PI1、氧化硅层SO1、第二聚酰亚胺层PI2、无机阻挡层SO2、第一无机缓冲层Bu1和第二无机缓冲层Bu2。第一无机缓冲层Bu1和第二无机缓冲层Bu2可以作为衬底基板的无机缓冲层Bu。驱动电路层包括依次层叠设置于第二无机缓冲层Bu2一侧的半导体层F201、栅极绝缘层F202、栅极层F203、层间电介质层F204和源漏金属层F205，层间电介质层F204包括层叠设置的氮化硅层F2041、氧化硅层F2042和氮化硅层F2043。其中，栅极绝缘层F202、栅极层F203、层间电介质层F204可以作为显示面板的中间层MM。在该显示面板中，接触过孔HA贯穿中间层MM、半导体层F201、无机缓冲层Bu，并伸入至无机阻挡层SO2内。源漏金属层覆盖触过孔HA以便与半导体层F201临近触过孔HA的侧壁连接，且至少部分铝注入至半导体层靠近HA的侧壁处。如此，源漏金属层可以形成薄膜晶体管的源极和漏极。相较于源漏金属层与半导体层的上表面接触的方案，该示例中源漏金属层与半导体层的侧壁接触，并使得源漏金属层与半导体层之间的接触电阻降低15％，进而可以降低显示面板的功耗。
本公开实施方式还提供一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板。该显示装置可以为电视机、智能手机、智能手表、笔记本电脑或者其他类型的显示装置。由于该显示装置具有上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板，因此具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的外围区，所述外围区具有外围弯折区；所述显示面板在所述显示区具有接触过孔，在所述外围弯折区具有弯折槽；
所述显示面板包括依次层叠的衬底基板、驱动电路层和像素层；所述驱动电路层包括半导体层和源漏金属层，以及包括位于所述半导体层和所述源漏金属层之间的中间层；
所述接触过孔贯穿所述中间层且至少延伸至所述半导体层内；所述弯折槽包括贯穿所述中间层的第一弯折槽，以及包括开口于所述第一弯折槽的槽底的所述第二弯折槽；
所述源漏金属层在所述接触过孔和所述弯折槽内均形成有导电图案。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述接触过孔贯穿所述半导体层。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述接触过孔的深度，为所述第一弯折槽的深度的0.9～1.1倍。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述衬底基板包括依次层叠设置的柔性衬底、无机阻挡层和无机缓冲层；所述驱动电路层设置于所述无机缓冲层远离所述柔性衬底的一侧；
所述接触过孔贯穿所述中间层、所述半导体层、所述无机缓冲层，且延伸至所述无机阻挡层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述源漏金属层具有第一金属元素；
所述半导体层靠近所述接触过孔的部分，掺杂有所述第一金属元素。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第一金属元素为铝。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一弯折槽的坡度角在40°～55°范围内。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二弯折槽的坡度角在50°～65°范围内。
9.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的外围区，所述外围区具有外围弯折区；
所述显示面板的制备方法包括依次制备层叠设置的衬底基板、驱动电路层和像素层；所述驱动电路层包括半导体层和源漏金属层，以及包括位于所述半导体层和所述源漏金属层之间的中间层；
其中，制备所述驱动电路层包括：
在所述衬底基板的一侧依次形成所述半导体层、所述中间层，获得第一中间基板；
对所述第一中间基板进行图案化处理，通过一次刻蚀形成接触过孔和第一弯折槽，获得第二中间基板；其中，所述接触过孔位于所述显示区，所述接触过孔贯穿所述中间层且至少延伸至所述半导体层内；所述第一弯折槽位于所述外围弯折区；
对所述第二中间基板进行图案化处理，以形成第二弯折槽；其中，所述第二弯折槽开口于所述第一弯折槽的槽底；
在所述中间层远离所述衬底基板的一侧形成所述源漏金属层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其中，对所述第一中间基板进行图案化处理和对所述第二中间基板进行图案化处理时，均采用CF4/O2作为刻蚀气体。
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