CN113157129B - 一种触控基板及其制备方法、触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种触控基板及其制备方法、触控显示装置，其中一种触控基板，包括若干自容式触控电极和若干触控走线，每一所述自容式触控电极分别连接一根所述触控走线，所述若干触控走线至少部分设置在黑矩阵层，设置在所述黑矩阵层内的所述触控走线由遮光导电图案构成。本申请实施例提供的触控基板，通过将触控走线部分或者全部设置到黑矩阵层，解决了单层自容触控盲区大的问题，减少了制作工艺，节省了材料，并且通过能够显著减少阴极与触控金属层之间的寄生电容，减少干扰问题。

Description

一种触控基板及其制备方法、触控显示装置

技术领域

本申请一般涉及显示装置技术领域，具体涉及一种触控基板及其制备方法、触控显示装置。

背景技术

柔性多层一体化集成触控(英文：Flexible Multiple Layer On Cell，简称：F-MLOC)工艺是柔性触控基板制作过程中的常用工艺，该工艺可以将触控金属层直接制作于柔性显示基底上形成柔性触控基板，这种结构的柔性触控基板拥有的更薄厚度、更窄的边框和更优质的光学显示效果，在触控显示领域广泛使用。

TDDI(英文：Touch Display Design Integration)集成触控显示方案设计是把触控的IC和显示的IC进行一体化设计，其可以显著IC的制作成本和制作周期。但是采用TDDI设计，显示的Source线和触控的Source线之间有明显的干扰。

另外，触控电极通常直接制作在薄膜封装层上表面，然而由于薄膜封装层较薄(通常厚度＜10um)，触控电极与阴极之间的距离较小，触控电极与阴极之间的寄生电容较大，使得大尺寸触摸屏远端的触控电极通道的RC延时大，从而导致触控电极的扫描频率大幅下降，该寄生电容引起的的噪声信号干扰触控金属层的触控响应，进而导致触控报点率等关键性能降低。

另外就是目前TDDI设计的触控多为单层的自容触控，单层的自容触控因为要走线会有很多的盲区，而随着屏幕尺寸的增大，这种问题会越来越严重；而如果采用双层金属走线就会增加一道Mask(掩膜)，显著增加生产成本。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种触控基板及其制备方法、触控显示装置，可以有效减少触控盲区。

一方面，本申请提供了一种触控基板，包括若干自容式触控电极和若干触控走线，每一所述自容式触控电极分别连接一根所述触控走线，所述若干触控走线至少部分设置在黑矩阵层，设置在所述黑矩阵层内的所述触控走线由遮光导电图案构成。

进一步地，所述若干触控走线均设置在黑矩阵层，或者，所述若干触控走线中一部分设置在所述黑矩阵层，其余部分设置在与所述自容式触控电极同层区域。

进一步地，所述触控基板包括显示区域与边框区域，所述若干自容式触控电极在所述显示区域内阵列排布，所述触控走线包括经过所述显示区域的第一走线段和设置在所述边框区域的第二走线段，所述第一走线段与所述自容式触控电极相连，所述第二走线段与TDDI芯片相连。

在一些实施例中，设置在所述黑矩阵层内的所述触控走线中，所述第一走线段通过过孔与所述自容式触控电极电连接。

在一些实施例中，设置在所述自容式触控电极同层区域内的所述触控走线中，所述第一走线段沿所述触控基板的短端方向引出，相邻两行或列的所述自容式触控电极连接的所述第一走线段分别向相反方向引出。

进一步地，还包括阵列基板，所述阵列基板至少包括层叠设置的衬底基板、像素单元、发光层、薄膜封装层，所述黑矩阵层设置在所述阵列基板与所述自容式触控电极的两层之间位置，所述像素单元至少包括薄膜晶体管、阳极、发光体、阴极、显示走线。

进一步地，所述黑矩阵层上还设置有对应所述像素单元发光体位置的开口，所述开口位置处设置有色阻单元。

在一些实施例中，靠近所述TDDI芯片位置处的黑矩阵层上设置有保护区，所述保护区在所述阵列基板上的垂直投影至少覆盖所述触控走线和所述像素单元的显示走线。

进一步地，所述保护区连接所述TDDI芯片的GND端，或连接FPC的GND端。

另一方面，本申请提供了一种触控基板的制备方法，用于制备如以上任一所述的触控基板，所述方法包括：

形成阵列基板，包括在底衬基板上形成多个像素电路，在像素电路上依次形成发光层和封装层，所述像素单元至少包括薄膜晶体管、阳极、发光体、阴极、显示走线；

在所述封装层上形成黑矩阵层；

在所述黑矩阵层上通过构图工艺形成所述开口、所述触控走线及所述保护区的图案，所述触控走线包括经过所述显示区域的第一走线段和设置在所述边框区域的第二走线段，所述开口对应所述像素单元发光体位置，所述保护区在所述阵列基板上的垂直投影至少覆盖所述触控走线和所述像素单元的显示走线；在所述开口位置形成色阻单元；

在所述黑矩阵层上形成第一平坦层，并在所述第一平坦层上形成过孔，所述过孔与所述触控走线的第一走线段连通；

在所述第一平坦层上形成触控金属层，并通过构图工艺形成自容式触控电极；

在所述触控金属层上形成第二平坦层。

进一步地，在所述黑矩阵层上形成部分所述触控走线图案，其余部分所述触控走线在所述触控金属层上形成。

再一方面，本申请提供了一种触控显示装置，包括如以上任一所述的触控基板。

本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请实施例提供的触控基板，通过将触控走线部分或者全部设置到黑矩阵层，解决了单层自容触控盲区大的问题，减少了制作工艺，节省了材料，并且通过能够显著减少阴极与触控金属层之间的寄生电容，减少干扰问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本申请的实施例提供的一种触控基板的结构示意图；

图2为本申请的实施例提供的另一种触控基板的结构示意图；

图3为本申请的实施例提供的一种触控基板的结构示意图；

图4为本申请的实施例提供的一种触控基板的制备方法步骤ST1对应的结构示意图；

图5为本申请的实施例提供的一种触控基板的制备方法步骤ST3对应的结构示意图；

图6为本申请的实施例提供的一种触控基板的制备方法步骤ST4对应的结构示意图；

图7为本申请的实施例提供的一种触控基板的制备方法步骤ST5对应的结构示意图；

图8为图1中A-A处的截面图；

图9为图1中B-B处的截面图。

1、自容式触控电极；2、触控走线；3、显示区域；4、FPC；5、第一走线段；6、第二走线段；7、TDDI芯片；8、过孔；9、阵列基板；10、衬底基板；11、像素单元；12、发光层；13、薄膜封装层；14、发光体；15、色阻单元；16、黑矩阵层；17、保护区；18、第一平坦层；19、第二平坦层；20、设置在与所述自容式触控电极同层区域的触控走线；21、设置在所述黑矩阵层内的触控走线。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

请详见图1，本申请提供了一种触控基板，包括若干自容式触控电极1和若干触控走线2，每一所述自容式触控电极1分别连接一根所述触控走线2，所述若干触控走线2至少部分设置在黑矩阵层16，包括：所述若干触控走线2均设置在黑矩阵层16，或者所述若干触控走线2中一部分设置在所述黑矩阵层16，其余部分设置在与所述自容式触控电极1同层区域，设置在所述黑矩阵层16内的所述触控走线2由遮光导电图案构成。

在具体设置时，遮光导电的材料可以使用掺杂有纳米金属材料的聚合物基体；或者也可以使用掺杂有复合型掺杂导电材料的聚合物基体；或者可以直接使用导电性高分子材料，例如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等导电聚合物及其衍生物；还可以使用具有黑矩阵特性的金属材料。

需要说明的是，在黑矩阵在形成若干触控走线2的图案时，图案之间需要绝缘，绝缘的方式可以采用遮光绝缘图案。该遮光绝缘图案的存在并不影响触控走线2互相绝缘的前提，且在遮光绝缘图案的作用下，触控显示面板内的光线无法从该间隙处射出触控显示面板，从而防止了光线从间隙处射出触控显示面板，提高了触控显示面板的显示效果。

所述触控基板包括显示区域3与边框区域，所述若干自容式触控电极1在所述显示区域3内阵列排布，所述触控走线2包括经过所述显示区域3的第一走线段5和设置在所述边框区域的第二走线段6，所述第一走线段5与所述自容式触控电极1相连，所述第二走线段6与TDDI芯片7相连。

对于自容式触控电极1既是驱动电极又是感应电极，导致电极引线的数量加倍上升，例如一个具有M行的感应通道Rx和N列的驱动通道Tx的普通触控基板仅需要M+N根电极引线，但如果使用FSLOC和GSF的电极引线为M*N根。

需要说明的是，在具体设置触控走线2的方式时，主要考虑的屏幕尺寸的大小以及触控电极图案的设计。实际显示屏幕越小触控Pattern设计的越大，其触控线所占盲区越小，可以采用部分走线设置在黑矩阵区域部分走线设置在触控电极同层区域。大尺寸屏幕和触控电极图案设计的比较小的时候，屏幕尺寸越大，触控电极图案越小，其走线越多，所占盲区越大，此时可以采用全部走线设置在黑矩阵区域。

触控屏中的触控电极对应触控屏中能被识别的最小触控区域(也可称为sensorpitch)。通常最小触控区域的面积等于触控电极在触控屏上的正投影面积。该最小触控区域的面积可以反映触控屏的触控精度，且该最小触控区域的面积与触控屏的触控精度负相关。在具体设置时，触控电极的形状可以为方形、菱形或者其他形状，在本申请中并不具体限制触控电极的形状。触控电极的排列的形式可以为多种方式，包括交叉或者非交叉等，本申请同样并不限制触控电极的排列方式。

所述触控基板还包括阵列基板9，所述阵列基板9至少包括层叠设置的衬底基板10、像素单元11、发光层12、薄膜封装层13，所述黑矩阵层16设置在所述阵列基板9与所述自容式触控电极1的两层之间位置，所述像素单元11至少包括薄膜晶体管、阳极、发光体14、阴极、显示走线。

通过在触控电极与像素单元11的阴极之间增加黑矩阵的设置，减小或消除触控电极与阴极之间的寄生电容，使得大尺寸触摸屏远端的触控电极通道的RC延时小，防止寄生电容导致触控电极的扫描频率大幅下及噪声信号干扰触控金属层的触控响应，从而提高触控灵敏度和精确度。

在具体设置时，所述黑矩阵层16上还设置有对应所述像素单元11发光体14位置的开口，所述开口位置处设置有色阻单元15。

另外，在靠近所述TDDI芯片7位置处的黑矩阵层16上设置有保护区17，如图9所示，所述保护区17在所述阵列基板9上的垂直投影至少覆盖所述触控走线2和所述像素单元11的显示走线。

在具体实施时，所述保护区17连接所述TDDI芯片7的GND端，或连接FPC4的GND端。对于COF产品GND信号可以由TDDI芯片7直接给出，对于COP产品，可通过FPC4给出信号线，如图3所示。

需要说明的是，保护区17处于显示走线和触控走线2的上下层之间，通过保护区17接地线，可以消除上下层信号线之间的干扰电场，从而消除或减少显示走线和触控走线2之间的干扰，提高画面品质和触控准确性。

设置在所述黑矩阵层16内的所述触控走线2中，所述第一走线段5通过过孔8与所述自容式触控电极1电连接。设置在所述自容式触控电极1同层区域内的所述触控走线2中，所述第一走线段5沿所述触控基板的短端方向引出，相邻两行或列的所述自容式触控电极1连接的所述第一走线段5分别向相反方向引出。

另外需要说明的是，设置在所述黑矩阵层16内的所述触控走线2与设置在所述自容式触控电极1同层区域内的所述触控走线2在显示区域3边缘位置进行同层出线后与IC芯片进行布线；因此在保护区17位置处，黑矩阵未设置触控走线2。保护区17可以根据靠近IC位置处的信号走线进行不同形状设置，在具体设置时，可以根据具体应用情况进行具体设置。

实施例一

如图1所示，一种触控基板，包括若干自容式触控电极1和若干触控走线2，每一所述自容式触控电极1分别连接一根所述触控走线2，所述若干触控走线2均设置在黑矩阵层16，设置在所述黑矩阵层16内的所述触控走线2由遮光导电图案构成。

所述触控基板包括显示区域3与边框区域，所述若干自容式触控电极1在所述显示区域3内阵列排布，所述触控走线2包括经过所述显示区域3的第一走线段5和设置在所述边框区域的第二走线段6，所述第一走线段5与所述自容式触控电极1相连，所述第二走线段6通过出线区与TDDI芯片7相连。

设置在所述黑矩阵层16内的所述触控走线2中，所述第一走线段5通过过孔8与所述自容式触控电极1电连接。

通过将触控走线2全部布置于黑矩阵层16中，可以减少触控盲区，提升用户的触控感官体验。

在具体制备时：

ST1、形成阵列基板9，包括在底衬基板上形成多个像素电路，在像素电路上依次形成发光层12和封装层，所述像素单元11至少包括薄膜晶体管、阳极、发光体14、阴极、显示走线。如图4所示，像素单元11的制备在现有技术中存在多种方式，本申请不在此进行赘述。

ST2、在所述封装层上形成黑矩阵层16；黑矩阵层16的材料可以使用掺杂有纳米金属材料的聚合物基体；或者也可以使用掺杂有复合型掺杂导电材料的聚合物基体；或者可以直接使用导电性高分子材料，例如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等导电聚合物及其衍生物；还可以使用具有黑矩阵特性的金属材料。

ST3、在所述黑矩阵层16上通过构图工艺形成所述开口、所述触控走线2及所述保护区17的图案，如图5所示，所述触控走线2包括经过所述显示区域3的第一走线段5和设置在所述边框区域的第二走线段6，所述开口对应所述像素单元11发光体14位置，所述保护区17在所述阵列基板9上的垂直投影至少覆盖所述触控走线2和所述像素单元11的显示走线；在所述开口位置形成色阻单元15。通常色阻包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，在具体设置时，色阻单元15与像素单元11的发光体14的颜色相对应。

构图工艺，可指包括光刻工艺，也可以指包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。

ST4、在所述黑矩阵层16上形成第一平坦层18，并在所述第一平坦层18上形成过孔8，所述过孔8与所述触控走线2的第一走线段5连通；第一平坦层18的作用主要是平坦化基底。如图6所示。

ST5、在所述第一平坦层18上形成触控金属层，并通过构图工艺形成自容式触控电极1；如图7所示。

ST6、在所述触控金属层上形成第二平坦层19。第二平坦层19的作用一是保护触控电极，二是作为平坦化基底，以利于后续模组工艺更好地进行模组贴合。如图7、8所示，其中图8所示为图1中A-A处的截面图。

实施例二

如图2所示，一种触控基板，包括若干自容式触控电极1和若干触控走线2，每一所述自容式触控电极1分别连接一根所述触控走线2，所述若干触控走线2部分设置在所述黑矩阵层16，其余部分设置在与所述自容式触控电极1同层区域，设置在所述黑矩阵层16内的所述触控走线2由遮光导电图案构成。

所述触控基板包括显示区域3与边框区域，所述若干自容式触控电极1在所述显示区域3内阵列排布，所述触控走线2包括经过所述显示区域3的第一走线段5和设置在所述边框区域的第二走线段6，所述第一走线段5与所述自容式触控电极1相连，所述第二走线段6通过出线区与TDDI芯片7相连。

设置在所述黑矩阵层16内的所述触控走线2中，所述第一走线段5通过过孔8与所述自容式触控电极1电连接。

如图2所示，图中与自容式触控电极有交叉的触控走线为设置在所述黑矩阵层内的触控走线21，图中与自容式触控电极之间的触控走线为设置在与所述自容式触控电极同层区域的触控走线20。

设置在所述自容式触控电极同层区域内的所述触控走线20中，所述第一走线段5沿所述触控基板的短端方向引出，相邻两行或列的所述自容式触控电极1连接的所述第一走线段5分别向相反方向引出。

在于自容式触控电极1同层区域内的所述触控走线2从触控电极与触控电极之间的缝隙位置处引出，在具体引出时，可以均从一个方向引出，也可以从相反方向引出。

由于柔性卷曲屏幕或者NB屏等，长端方向长度远大于短端方向长度，而自容式触控电极1需要大量金属引线进行单独驱动，所以沿长端方向触控电极数量远大于短端方向触控电极数量。

第一走线段5沿所述触控基板的短端方向引出，缩短显示区域3内触控电极引线长度及占用可视区面积，在不同屏幕中，相同方向可以包括从左至右方向、从右至左方向、从上至下方向。不同方向的方式包括，位于左侧显示区域3内的触控电极的引线从左侧方向引出，位于右侧显示区域3内的触控电极的引线从右侧方向引出。在图2中仅示出了从一个方向引出的方案。

值得说明的是，当触控走线2的数量大于一层时，进一步拓宽了布线的空间区域，即利用垂直于衬底基板10的纵向空间换取了布线的横向空间，从而提升布线空间和布线数量。本领域技术人员应当理解，由于布线空间的增加，可以在现有基础上减小相邻两个触控电极的间距，则相同面积的触控基板能够进一步设置更多数量的触控电极以提高触控基板的灵敏度。

在具体制备时：

ST1、形成阵列基板9，包括在底衬基板上形成多个像素电路，在像素电路上依次形成发光层12和封装层，所述像素单元11至少包括薄膜晶体管、阳极、发光体14、阴极、显示走线。像素单元11的制备在现有技术中存在多种方式，本申请不在此进行赘述。

ST2、在所述封装层上形成黑矩阵层16；黑矩阵层16的材料可以使用掺杂有纳米金属材料的聚合物基体；或者也可以使用掺杂有复合型掺杂导电材料的聚合物基体；或者可以直接使用导电性高分子材料，例如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等导电聚合物及其衍生物；还可以使用具有黑矩阵特性的金属材料。

ST3、在所述黑矩阵层16上通过构图工艺形成所述开口、部分所述触控走线2及所述保护区17的图案，所述触控走线2包括经过所述显示区域3的第一走线段5和设置在所述边框区域的第二走线段6，所述开口对应所述像素单元11发光体14位置，所述保护区17在所述阵列基板9上的垂直投影至少覆盖所述触控走线2和所述像素单元11的显示走线；在所述开口位置形成色阻单元15。通常色阻包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，在具体设置时，色阻单元15与像素单元11的发光体14的颜色相对应。

ST4、在所述黑矩阵层16上形成第一平坦层18，并在所述第一平坦层18上形成过孔8，所述过孔8与所述触控走线2的第一走线段5连通；第一平坦层18的作用主要是平坦化基底。

ST5、在所述第一平坦层18上形成触控金属层，并通过构图工艺形成自容式触控电极1；以及通过构图工艺形成部分触控引线。

ST6、在所述触控金属层上形成第二平坦层19。第二平坦层19的作用一是保护触控电极，二是作为平坦化基底，以利于后续模组工艺更好地进行模组贴合。

再一方面，本申请提供了一种触控显示装置，包括如以上任一所述的触控基板。通过将触控走线部分或者全部设置到黑矩阵层，解决了单层自容触控盲区大的问题，减少了制作工艺，节省了材料，并且通过能够显著减少阴极与触控金属层之间的寄生电容，减少干扰问题。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。

本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。

Claims (10)

1.一种触控基板，包括若干自容式触控电极和若干触控走线，每一所述自容式触控电极分别连接一根所述触控走线，其特征在于，所述若干触控走线至少部分设置在黑矩阵层，设置在所述黑矩阵层内的所述触控走线由遮光导电图案构成；

还包括阵列基板，所述黑矩阵层设置在所述阵列基板与所述自容式触控电极的两层之间位置，所述阵列基板的像素单元具有显示走线；

靠近TDDI芯片位置处的黑矩阵层上设置有保护区，所述保护区在所述阵列基板上的垂直投影至少覆盖所述触控走线和所述像素单元的显示走线；

所述保护区位于所述触控走线与显示走线之间，所述保护区连接所述TDDI芯片的GND端，或连接FPC的GND端。

2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述若干触控走线均设置在黑矩阵层，或者，所述若干触控走线中一部分设置在所述黑矩阵层，其余部分设置在与所述自容式触控电极同层区域。

3.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述触控基板包括显示区域与边框区域，所述若干自容式触控电极在所述显示区域内阵列排布，所述触控走线包括经过所述显示区域的第一走线段和设置在所述边框区域的第二走线段，所述第一走线段与所述自容式触控电极相连，所述第二走线段与TDDI芯片相连。

4.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，设置在所述黑矩阵层内的所述触控走线中，所述第一走线段通过过孔与所述自容式触控电极电连接。

5.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，设置在所述自容式触控电极同层区域内的所述触控走线中，所述第一走线段沿所述触控基板的短端方向引出，相邻两行或列的所述自容式触控电极连接的所述第一走线段分别向相反方向引出。

6.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，所述阵列基板至少包括层叠设置的衬底基板、所述像素单元、发光层、薄膜封装层，所述像素单元至少包括薄膜晶体管、阳极、发光体、阴极。

7.根据权利要求6所述的触控基板，其特征在于，所述黑矩阵层上还设置有对应所述像素单元发光体位置的开口，所述开口位置处设置有色阻单元。

8.一种触控基板的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-7任一所述的触控基板，所述方法包括：

形成阵列基板，包括在底衬基板上形成多个像素电路，在像素电路上依次形成发光层和封装层，所述像素单元至少包括薄膜晶体管、阳极、发光体、阴极、显示走线；

在所述封装层上形成黑矩阵层；

在所述黑矩阵层上通过构图工艺形成开口、所述触控走线及所述保护区的图案，所述触控走线包括经过所述显示区域的第一走线段和设置在边框区域的第二走线段，所述开口对应所述像素单元发光体位置，所述保护区在所述阵列基板上的垂直投影至少覆盖所述触控走线和所述像素单元的显示走线；在所述开口位置形成色阻单元；所述保护区位于所述触控走线与显示走线之间，所述保护区连接所述TDDI芯片的GND端，或连接FPC的GND端；

在所述黑矩阵层上形成第一平坦层，并在所述第一平坦层上形成过孔，所述过孔与所述触控走线的第一走线段连通；

在所述第一平坦层上形成触控金属层，并通过构图工艺形成自容式触控电极；

在所述触控金属层上形成第二平坦层。

9.根据权利要求8所述的触控基板的制备方法，其特征在于，

在所述黑矩阵层上形成部分所述触控走线图案，其余部分所述触控走线在所述触控金属层上形成。

10.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一所述的触控基板。