CN112783366B - 触控显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种触控显示面板，包括具有多个阵列分布的子像素的阵列基板、触控层以及驱动芯片，触控层包括多个阵列分布的触控电极和连接对应的触控电极的多条触控引线，其中，每一触控电极在所述阵列基板上的正投影位于相邻的两个所述子像素之间，每一触控引线连接对应的触控电极与驱动芯片，至少部分触控引线包括绕线部和直线部，绕线部靠近其对应的触控电极，直线部连接所述驱动芯片。将连接不同位置的触控电极的多条触控引线增设绕线设计，一方面使得远近端的触控通道的电阻达到相同或接近，改善触控信号的均匀性，另一方面，该绕线设计不会占用像素面积，对像素开口率不会造成影响。

Description

触控显示面板
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板。
背景技术
柔性显示是未来极具竞争优势的显示技术。柔性显示技术的一大优点是具有可折叠性，可获得更大的显示区域而不会占据更大的空间。为了获得更好的折叠效果，模组在厚度设计上呈现越来越薄的趋势，而触控功能层也逐渐从外挂式走向内嵌式，将触控与显示集成，从而减薄整体模组厚度，更有利于未来折叠屏的发展。
由于内嵌式触控在面板尺寸较大或者为薄盖板柔性方案时，互电容触控方案由于尺寸变大，负载超过驱动芯片可驱动的范围，并且悬浮效果较差，因此可选择自电容触控方案做替代，但自电容触控功能与显示功能整合时，触控走线需在像素之间排布，其线宽受到限制，在线宽较小时远端电阻(距离驱动芯片较远的触控走线电阻)将远大于近端电阻(距离驱动芯片较近的触控走线电阻)，因此近端和远端的负载将会呈现明显差异。
综上，现有的自电容触控结构需要作出改进。
发明内容
本发明实施例提供一种触控显示面板，以解决现有的触控显示面板，自电容触控方案中，触控走线需要设置在相邻像素之间的间隙内，其线宽受到限制，在线宽较小时，远端电阻将远大于近端电阻，导致远端和近端的负载呈现明显差异，远端数据信号衰减，进而影响触控性能的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种触控显示面板，包括具有多个阵列分布的子像素阵列基板、设置于所述阵列基板上的触控层以及驱动芯片；所述触控层包括多个阵列分布的触控电极和连接对应的所述触控电极的多条触控引线；其中，每一所述触控电极在所述阵列基板上的正投影位于相邻的两个所述子像素之间，每一所述触控引线连接对应的所述触控电极与所述驱动芯片，至少部分所述触控引线包括绕线部和直线部，所述绕线部靠近其对应的所述触控电极，所述直线部连接所述驱动芯片。
在本发明的一种实施例中，多个所述触控电极和多个所述触控引线同层设置。
在本发明的一种实施例中，多个所述触控电极和多个所述触控引线同层设置。
在本发明的一种实施例中，所述绕线部设置于与其对应的所述触控电极的一侧，且与其对应的所述触控电极平齐。
在本发明的一种实施例中，至少部分所述绕线部包括矩形起伏状的折线，所述矩形起伏状的折线与其对应的所述触控电极平齐。
在本发明的一种实施例中，所述绕线部还包括平行的多条分支走线，多条所述分支走线与所述矩形起伏状的折线相交以形成网格状的断线结构。
在本发明的一种实施例中，所述绕线部至少围绕与其对应的所述触控电极的一部分设置。
在本发明的一种实施例中，部分所述绕线部包括至少一圈绕线圈，所述绕线圈围绕所述触控电极，每一所述绕线圈的首端与其对应的所述触控电极连接，其尾端与其对应的所述直线部连接。
在本发明的一种实施例中，所述绕线部还包括多条分支走线，多条所述分支走线与所述绕线圈相交形成网格状的断线结构。
在本发明的一种实施例中，每一所述触控电极与其对应的绕线部所占的区域面积之和与其他任一触控电极与其对应的绕线部所占的区域面积之和相等。
在本发明的一种实施例中，多个所述触控电极和多个所述触控引线异层设置，且所述触控电极和所述触控引线之间设置有绝缘层，所述触控电极与其对应的所述触控引线通过所述绝缘层上的过孔连接。
在本发明的一种实施例中，至少部分所述绕线部包括矩形起伏状的折线。
在本发明的一种实施例中，所述矩形起伏状的折线在所述阵列基板上的正投影与其中一个所述触控电极的金属网格线在所述阵列基板上的正投影重合。
本发明的有益效果为：将连接不同触控电极的多条触控引线增设绕线设计，将连接远端触控电极与连接近端触控电极的不同触控引线设计为不同的绕线周长，一方面使得远近端的触控通道的电阻达到相同或接近，从而改善触控信号的均匀性，另一方面，该绕线设计不会占用像素面积，对像素开口率不会造成影响。
附图说明
图1为本发明实施例提供的触控显示面板的平面示意图。
图2为本发明实施例提供的触控层的平面示意图。
图3为本发明实施例提供的触控电极和触控引线连接的示意图；
图4为本发明其他实施例提供的触控层的平面示意图。
图5为图4中A处的放大结构示意图。
图6为本发明其他实施例提供的触控层的另一结构示意图。
图7为本发明其他实施例提供的触控层的又一结构示意图。
图8为图7中B处的放大结构示意图。
图9为本发明其他实施例提供的触控电极与触控引线异层设置的结构示意图。
图10为图9中C处的放大结构示意图。
图11为图10中沿AA’线的剖面示意图。
图12为本发明其他实施例提供的触控电极与触控引线异层设置的另一结构示意图。
图13为图9中D处的放大结构示意图。
图14为图10中沿BB’线的剖面示意图。
图15为本发明实施例提供的触控显示面板的剖面示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的触控显示面板，由于连接不同位置的触控电极的触控引线距离驱动芯片的远近不同，当触控引线在像素之间排布，其线宽受到限制，在线宽较小时，远端触控引线的电阻将远大于近端触控引线的电阻，导致近端和远端负载存在明显差异，进而导致触控性能变差的技术问题，本发明实施例能够解决该缺陷。
请参阅图1，本发明实施例提供一种触控显示面板，包括阵列基板10、触控层20以及驱动芯片30，其中，所述阵列基板10包括多个阵列分布的子像素，所述触控层20设置于所述阵列基板10上，且所述触控层20包括多个阵列分布的触控电极21以及与连接对应的所述触控电极21的多条触控引线(图中未示出)，每一触控引线连对应的所述触控电极21与所述驱动芯片30，即每一触控引线独立连接一个所述触控电极21至所述驱动芯片30。
一种实施例中，所述触控层20为内嵌式触控设计，即所述触控层20直接设置于所述阵列基板10的某些膜层上，避免单独使用一块基板，从而有利于减薄所述触控显示面板10的厚度。
在本发明实施例中，所述触控层20为自电容触控设计，为了不影响所述子像素所在区域的透过率，可将所述触控电极21设置于相邻的两个所述子像素之之间，即每一所述触控电极21在所述阵列基板10上的正投影位于相邻的两个所述子像素之间。
将自电容设计的所述触控层20与所述阵列基板上的显示功能整合时，所述触控引线需要排布在相邻的所述子像素之间的间隙内，其线宽受到限制。当线宽较小时，距离所述驱动芯片30的远近不同的所述触控引线之间的负载存在差异。本发明实施例通过将部分所述触控引线中的某一段走线设计为绕线设计，从而使得远近端的电阻相同或趋于一致，解决远近端电阻差异大导致远近端数据衰减造成的触控性能变差的问题。
具体地，请同时参阅图1和图2，本发明实施例的至少部分所述触控引线22包括绕线部221和直线部222，所述绕线部221靠近其对应的所述触控电极21，所述直线部222连接至所述驱动芯片30。
一种实施例中，多个所述触控电极21与多个所述触控引线22同层设置。多个所述触控电极21和多个所述触控引线22可通过对同一金属层进行图案化工艺得到。
一种实施例中，请参阅图2，所述绕线部221至少围绕与其对应的所述触控电极21的一部分设置。
具体地，部分所述绕线部221包括至少一圈绕线圈2201，所述绕线圈2201围绕所述触控电极21。每一所述绕线圈2201的首端与其对应的所述触控电极21连接，其尾端与其对应的所述直线部222连接。
部分所述绕线部221可包括半圈绕线圈2201，围绕其对应的所述触控电极21的一部分设置。
可理解的是，远端的所述触控引线22设置的绕线圈2201的圈数相对少一些，近端的所述触控引线22设置的绕线圈2201的圈数相对多一些，所述远端和所述近端是以不同触控引线22连接的所述触控电极21距离所述驱动芯片30的远近而言的。
图2示意出了图1中纵向排列的三个触控电极21对应的触控引线22的绕线方式，以图2为例进行说明，远端的触控电极21A对应的触控引线22包括半圈绕线圈2201，中间的触控电极21B对应的触控引线22包括一圈绕线圈2201，近端的触控电极21C对应的触控引线22包括两圈绕线圈，根据实际情况对应的触控电极21距离驱动芯片30的远近来具体设计不同触控引线22的绕线圈的圈数。
一种实施例中，每一所述触控电极21与其对应的绕线部221所占的区域面积之和与其他任一触控电极21与其对应的绕线部221所占的区域面积之和相等。从而使得即使增设了绕线部221的设计，也不会增加对所述子像素的占用面积。
所述绕线圈2201可通过对与其对应连接的触控电极21进行断线设计来形成，将原有设计的触控电极的长度和宽度进行调整来实现，例如原有的触控电极的尺寸为n乘以n，通过本设计后，可将触控电极的尺寸设计为(n-1)乘以(n-1)或者(n-1)乘以(n-2)等，相比原有的触控电极多出的面积可用于设计绕线圈2201，与现有技术相比，所述绕线圈2201不会新增占用子像素的面积。
虽然本实施例中的所述触控电极21相对现有设计的触控电极21的面积减少，但绕线部221的绕线圈2201与对应的触控电极21连接，可提供触控需要的感应量，基本上不会对触控感应量造成影响。
所述绕线圈2201的形状与所述触控电极21的形状相匹配。例如，所述触控电极21为圆形时，所述绕线圈2201为圆形；所述触控电极21为菱形时，所述绕线圈2201为菱形，所述触控电极21为矩形时，所述绕线圈2201为矩形。
一种实施例中，所述触控电极21可为金属网格图案，所述触控电极21的金属网格线位于相邻的所述子像素之间的间隙内，即多个所述子像素位于所述触控电极21的金属网格内。
所述绕线圈2201的线宽可与所述触控电极21的网格线的线宽相等。具体地，可通过对金属网格进行断线设计来形成对应的绕线圈2201。在其他实施例中，所述触控电极21也可为金属块图案。
一种实施例中，请参阅图3中的a和b，所述绕线部21可为单通道设计，也可为两通道或多通道设计，图3中的a为单通道设计，图3中的b为双通道设计。
具体地，请参阅图3中的b，所述绕线部221包括第一绕线圈221A和第二绕线圈221B，每一绕线圈(第一绕线圈221A和第二绕线圈221B)的首端与其对应的所述触控电极21连接，其尾端连接至其对应的直线部222，以形成双通道，在既不影响触控电极的触控感应量的同时，增加所述触控引线22传递数据信号的稳定性。通道数量可依据电阻要求设计，这里不做限定。
一种实施例中，请参阅图4和图5，所述绕线部221还可包括多条分支走线2202，多条所述分支走线间隔设置且与其对应的所述绕线圈2201相交，以增加对应的所述触控电极221的触控感应量。
具体地，所述绕线圈2201可与多条所述分支走线2202相交形成网格状的断线结构。当所述触控电极221为金属网格图案时，可通过对原有的触控电极进行断线结构设计，形成对应的绕线部221。具有该分支走线2202的绕线部221不需增加新的制程，只需在形成金属网格图案的触控电极21的同时，在相应的地方进行刻蚀，方案不仅简单，且能为触控电极21提供触控需要的感应量。
请参阅图6，在其他实施例中，所述绕线部221可采用其他方式的绕线设计。所述绕线部221设置于与其对应的所述触控电极21的一侧，且与其对应的所述触控电极21平齐，以避免新增对所述子像素的占用面积。
具体地，所述绕线部221包括连续起伏的走线。在单位长度内，所述绕线部221的走线的周长大于所述直线部222的走线的周长。通过设计不同绕线部221的绕线周长，从而使得远端的触控引线22的电阻与近端的触控引线的电阻相匹配，提高不同位置的所述触控电极221的触控信号的均匀性。
一种实施例中，请参阅图6，至少部分所述绕线部21包括矩形起伏状的折线2203，所述矩形起伏状的折线2203与其对应的所述触控电极21平齐。
一种实施例中，所述每一所述触控电极21与其对应的绕线部221所占的区域面积之和与其他任一触控电极21与其对应的绕线部所占的区域面积之和相等。
具体地，所述触控电极21与其对应的绕线部221所占的区域的长度为L，宽度为W，该长度L和宽度W不变，即所述绕线部221所占的区域面积设计的大一些时，其对应的所述触控电极21的面积会设计的小些，从而保证所述矩形起伏状的折线2203的设计不会占用所述子像素所在区域的面积，保证所述子像素的开口率。
当所述触控电极21为金属网格图案时，所述矩形起伏状的折线2203的线宽与所述触控电极21的网格线的线宽相等。具体地，可通过对金属网格进行断线设计来形成对应的所述矩形起伏状的折线2203。在其他实施例中，所述触控电极21可为金属块。
在其他实施例中，所述矩形起伏状的折线2203可替换为三角形起伏状的走线，三角形起伏状的走线相对矩形起伏状的折线2203，可进一步增加所述触控引线2203的周长。
请参阅图7和图8，所述绕线部221可采用与图3相同的分支走线设计，即所述绕线部221也包括多条分支走线2202，多条所述分支走线2202与所述矩形起伏状的折线2203相交，以进一步增加所述触控电极21的触控感应量。
具体地，多条所述分支走线2202与所述矩形起伏状的折线2203相交形成网格状的断线结构。当所述触控电极21为金属网格图案时，可通过对原有的触控电极进行断线结构设计，形成对应的矩形起伏状的折线2203以及多条所述分支走线2202的图案。具有该分支走线2202的绕线部221不需增加新的制程，只需在形成金属网格图案的触控电极21的同时，在相应的地方进行刻蚀，方案不仅简单，没有新增占用面积，且能为触控电极221提供触控需要的感应量。
所述阵列基板10上设置有发光功能层，所述发光功能层上设置有封装层。
一种实施例中所述触控电极21可设置于所述封装层上，所述触控电极21为金属网格图案。
一种实施例中，所述触控电极21还可与所述发光功能层的阴极或阳极同层设置，所述触控电极21为透光或半透光的金属块。通过对阴极或阳极进行图案化设计，在相邻的所述子像素之间形成所述触控电极21的图案。
请参阅图9至图11，与上述实施例不同的是，多个所述触控电极21与多条所述触控引线22可异层设置，所述触控电极21与所述触控引线22之间设置有绝缘层22，所述绝缘层22上开设有过孔61，所述触控电极21与所述触控引线22通过所述过孔61连接。
具体地，所述发光功能层40设置于所述阵列基板10上，所述封装层50设置于所述发光功能层40上，所述触控引线22设置于所述封装层50上所述绝缘层60覆盖于所述触控引线22，所述触控电极21设置于所述绝缘层60上。
在其他实施例中，所述触控引线22与所述触控电极21的上下位置关系可互换，即所述触控电极21设置于所述封装层50上，所述触控引线22设置于所述触控电极21上。
请参阅图9和图10，所述绕线部221包括矩形起伏状的折线2203。
具体地，所述触控电极21可为金属网格状图案，所述矩形起伏状的折线2203的线宽可与所述触控电极21的金属网格线宽相等。
所述矩形起伏状的折线2203在所述阵列基板10上的正投影与其中一个所述触控电极21的金属网格线在所述阵列基板10上的正投影重合，从而使得所述矩形起伏状的折线2203不会新增占用面积，保证所述子像素的开口率。
一种实施例中，请参阅图9和图10，所述矩形起伏状的折线2203在所述阵列基板10上的正投影与其对应的所述触控电极21的金属网格线在所述阵列基板10上的正投影重合。
相对于现有技术，所述矩形起伏状的折线2203和其对应的所述触控电极21所形成的触控通道正对阴极的面积不会额外增加，该方式可维持触控通道和阴极的电容基本不变，仅通过该矩形起伏状的折线2203改变触控通道的电阻，进行远近端的电阻匹配。
一种实施例中，请参阅图12至图14，与图9至图11中的实施例不同的是，所述矩形起伏状的折线2203在所述阵列基板10上的正投影与其相邻的所述触控电极21的金属网格线在所述阵列基板10上的正投影重合，即矩形起伏状的折线2203设置在于其相邻的触控电极所在的区域内。由于所述矩形起伏状的折线2203和其对应的所述触控电极21在所述阵列基板10上的正投影不重合，因此所述矩形起伏状的折线2203和其对应的所述触控电极21所形成的触控通道与阴极的正对面积会增加，增加面积的部分为所述矩形起伏状的折线2203的线宽所占的面积，所述因此该绕线方式在匹配远近端电阻的同时，也可将电容进行匹配，即对阴极的相应位置进行图案化设计，进一步改善触控信号的均匀性。
上述两种绕线方式所形成的不同位置的触控通道正对阴极的实际面积不同，因此触控通道对阴极的电容负载不同。在实际应用上，靠近所述驱动芯片30的触控引线22可增加上述绕线设计，增加适当的电阻和电容负载，让远离所述驱动芯片30的触控通道负载与近端的触控通道负载相同或接近。
请参阅图15，所述阵列基板10可包括基板11和设置于所述基板11上的薄膜晶体管阵列12，所述薄膜晶体管阵列12可包括设置于所述阵列基板11上的有源层121、第一栅极122、第二栅极123以及源漏极层124，上述薄膜晶体管的器件膜层之间设置有绝缘层，所述薄膜晶体管阵列12的结构可参考现有技术，这里不再赘述。
所述基板11可为柔性基板，具体可为聚酰亚胺基板，在其他实施例中，所述基板11可为双层聚酰亚胺基板。
所述发光功能层40设置于所述薄膜晶体管阵列12上，具体地，所述发光功能层40包括设置于所述源漏极层124上的阳极41、发光材料层42以及阴极43，所述封装层50覆盖所述发光功能层40。所述触控显示面板100的其他结构可参考上述实施例的描述，这里不再赘述。
将连接不同触控电极21的多条触控引线22增设绕线设计，将连接远端触控电极与连接近端触控电极的不同触控引线设计为不同的绕线周长，一方面使得远近端的触控通道的电阻达到相同或接近，从而改善触控信号的均匀性，另一方面，该绕线设计不会占用像素面积，对像素开口率不会造成影响。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种触控显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (5)

1.一种触控显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括多个阵列分布的子像素；
触控层，设置于所述阵列基板上，所述触控层包括多个阵列分布的触控电极和连接对应的所述触控电极的多条触控引线，多个所述触控电极和多个所述触控引线同层设置；以及
驱动芯片；其中，
每一所述触控电极在所述阵列基板上的正投影位于相邻的两个所述子像素之间，每一所述触控引线连接对应的所述触控电极与所述驱动芯片，至少部分所述触控引线包括绕线部和直线部，所述绕线部靠近其对应的所述触控电极，所述直线部连接所述驱动芯片；
每一所述触控电极与其对应的绕线部所占的区域面积之和与其他任一触控电极与其对应的绕线部所占的区域面积之和相等。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述绕线部设置于与其对应的所述触控电极的一侧，且与其对应的所述触控电极平齐。
3.根据权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，至少部分所述绕线部包括矩形起伏状的折线，所述矩形起伏状的折线与其对应的所述触控电极平齐。
4.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述绕线部至少围绕与其对应的所述触控电极的一部分设置。
5.根据权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，部分所述绕线部包括至少一圈绕线圈，所述绕线圈围绕所述触控电极，每一所述绕线圈的首端与其对应的所述触控电极连接，其尾端与其对应的所述直线部连接。
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