CN108254987B - 阵列基板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板和显示装置。阵列基板包括：基板，设置在基板上的多条扫描线和多条数据线，扫描线和数据线交叉形成多个子像素；设置在子像素内的像素电极，像素电极包括多个条形电极，同一行子像素内的条形电极的长轴互相平行，任意相邻两行子像素内的条形电极的长轴延长线相交；每个触控电极和至少一条触控信号线电连接，每条触控信号线包括多个直线部和多个折线部，相邻的两个直线部通过折线部连接，直线部与位于同一行子像素内的条形电极的长轴互相平行，折线部的延长线与条形电极的长轴相交，折线部在基板上的正投影与扫描线在基板上的正投影交叠且折线部与扫描线不垂直。本技术方案能够解决按压不均影响显示效果的问题。

Description

阵列基板以及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板以及显示装置。

背景技术

在液晶显示技术领域，平面转换(In-Plane Switching IPS)技术和边缘场开关(Fringe Field Switching FFS)技术是两种常用的宽视角液晶显示技术，该两项技术的特点是像素电极和公共电极设置于同一基板，使液晶分子在平行于基板的平面内旋转，从而提高液晶层的透光效率。特别在内置触控的液晶显示技术领域中，以IPS或是FFS技术为基础，使用互电容或是自电容模式分割公共电极为触摸块进行分时触摸的技术成为主流。

随着对于小型便携型智能设备的耗电成为显著问题时，生产耗电少的透过率高且色彩基本不变的产品就变得急迫，所以业界开始探索一种耗电好、色彩鲜艳可以带有内置触控的显示装置，但是现有技术中显示装置中的某一区域容易出现严重的按压不均(tracemura)现象以及触摸不良现象。

发明内容

本发明提供一种阵列基板和显示装置，以解决按压不均现象影响显示效果以及触摸不良的问题。

第一方面，本发明提供一种阵列基板，包括：基板，设置在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，其中，所述多条扫描线和所述多条数据线交叉形成多个子像素；

设置在所述子像素内的像素电极，所述像素电极包括多个条形电极，其中同一行所述子像素内的所述条形电极的长轴互相平行，任意相邻两行所述子像素内的所述条形电极的长轴延长线相交；

所述多个子像素包括多个第一类子像素列和多个第二类子像素列，所述第一类子像素列和所述第二类子像素列在行方向上间隔排布；所述第一类子像素列包括沿列方向交错排布的多个第一类子像素，所述第二类子像素列包括沿所述列方向交错排布的多个第二类子像素；所述第一类子像素的透过率大于所述第二类子像素的透过率；

多个触控电极；

多条触控信号线，每个所述触控电极和至少一条所述触控信号线电连接，每条所述触控信号线包括多个直线部和多个折线部，相邻的两个所述直线部通过所述折线部连接，所述直线部与位于同一行所述子像素内的所述条形电极的长轴互相平行，所述折线部的延长线与所述条形电极的长轴相交，所述折线部在所述基板上的正投影与所述扫描线在所述基板上的正投影交叠且所述折线部与所述扫描线不垂直。

第二方面，本发明提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板和显示装置，由多个子像素构成多个第一类子像素列和多个第二类子像素列，第一类子像素列和第二类子像素列在行方向上间隔排布。第一类子像素列包括沿列方向交错排布的多个第一类子像素，第二类子像素列包括沿列方向交错排布的多个第二类子像素，且第一类子像素的透过率大于第二类子像素的透过率。通过设置构成第一类子像素列和第二类子像素列的子像素在列方向交错排布，进而使每条触控信号线均包括多个直线部和多个折线部，相邻的两个直线部通过折线部连接。且直线部与位于同一行子像素内的条形电极的长轴互相平行，折线部的延长线与条形电极的长轴相交。折线部在基板上的正投影与扫描线在基板上的正投影交叠，且折线部与扫描线不垂直。本发明实施例提供的阵列基板和显示装置通过使构成第一类子像素列和第二类子像素列的子像素在列方向交错排布，使每条触控信号线均包括多个直线部和多个折线部，避免了现有技术中触控信号线在与扫描线相交位置处出现拐角幅度严重不均一现象，且触控信号线的折线部均距离像素电极上下端部较远，进而触控信号线在传输信号时，其自身的电场对液晶偏转的干扰作用均较弱，解决了阵列基板和显示装置中某一区域出现严重的按压不均(trace mura)现象，提升了显示效果，同时也减少了触控信号线的电阻以及寄生电容，提升了触控精度，降低了触控不良发生的几率。

附图说明

图1为一种应用伪双畴技术的阵列基板俯示意视图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图3为图2中子像素结构放大示意图；

图4为图2中区域A的放大示意图；

图5为图2中的区域B的放大示意图；

图6为本发明实施例提供的一种子像素排布示意图；

图7为本发明实施例提供的另一种阵列基板俯视示意图；

图8为图7中沿AA’方向的剖面示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板俯视示意图；

图10为图9中区域D的放大示意图；

图11为图9中沿BB’方向的剖面示意图；

图12为本发明实施例提供的一种显示装置示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。贯穿本说明书中，相同或相似的附图标号代表相同或相似的结构、元件或流程。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

目前，在IPS技术和FFS技术中普遍采用伪双畴技术，图1为一种应用伪双畴技术的阵列基板俯视示意图，在阵列基板上形成有数据线11和扫描线12，且由数据线11和扫描线12限定出多个子像素13，并在每个子像素13上设置有像素电极14。利用该伪双畴技术，能够提供比单畴技术更宽的视角，满足用户日益提高的显示品质要求。

但是，该伪双畴技术也存在一定的缺陷，例如，对于位于上下两个部分像素电极交界处的液晶分子，例如，参考图1中像素电极14的14D1部分与14D2部分和14D3部分与14D4对应的液晶分子，其受到的上下两部分像素电极14的作用会相互抵消，使存在于此处的液晶分子不能朝任何方向旋转，只能保持在原地不动，出现黑色畴线现象。当装置受到外力按压作用时，位于上下两个部分像素电极14交界处的液晶分子出现紊乱排列，并带动周边的液晶分子，使之趋向于与位于上下两个部分像素电极14交界处的液晶分子相同的排列，导致黑色畴线的区域增大，也即出现按压不均(trace mura)现象，进而影响液晶显示装置的显示效果。而且，在外力按压作用撤销时，由于位于上下两个部分像素电极14交界处的液晶分子的排列不一致，导致此处液晶分子的恢复方向出现冲突，恢复的速度变慢，甚至部分液晶分子不能恢复到原来的状态，出现按压不均现象不消失的问题。

由于W子像素的面积通常是小于R、G、B子像素的面积，根据图1所示的像素排布，会导致触控信号线16在与扫描线12相交位置处出现拐角幅度严重不均一现象，触控信号线16和触控电极17电连接并向触控电极17传输信号。例如，A’区域内触控信号线16A的拐角幅度就明显小于B’区域内触控信号线16B的拐角幅度。由于触控信号线16在传输信号时，其自身的产生的电场也会干扰液晶分子的旋转，区域B’内的触控信号线16B由于拐角幅度大，因此距离像素电极14的14D3部分和14D4部分更近，进而触控信号线16B对区域B’内的液晶分子的干扰作用更大，区域B’相较于区域A’内的按压不均(trace mura)现象明显加重，严重影响了显示效果。

本发明实施例提供了一种应用伪双畴结构的阵列基板，且阵列基板的多个子像素构成多个第一类子像素列和多个第二类子像素列，第一类子像素列和第二类子像素列在行方向上间隔排布，第一类子像素列包括沿列方向交错排布的多个第一类子像素，第二类子像素列包括沿列方向交错排布的多个第二类子像素，第一类子像素的透过率大于所述第二类子像素的透过率。按照此种子像素排列构造可以较容易从驱动上调节和控制子像素透过率，更好提升显示装置的透过率。

阵列基板还包括多个触控电极和多条触控信号线，每个触控电极和至少一条所述触控信号线电连接，触控信号线向电连接的触控电极传输信号。由于构成第一类子像素列的第一类子像素沿列方向交错排布且构成第二类子像素列的第二类子像素均沿列方向交错排布，使得每条触控信号线包括多个直线部和多个折线部，相邻的两个直线部通过折线部连接。且直线部与位于同一行子像素内的条形电极的长轴互相平行，折线部的延长线与条形电极的长轴相交，折线部在基板上的正投影与扫描线在基板上的正投影交叠且折线部与扫描线不垂直。本发明实施通过特定的子像素排布方式，使每条触控信号线包括直线部和折线部，且通过对直线部和折线部具体设置位置和排布方式的限定，避免了图1所示的应用伪双畴技术的阵列基板俯示意视图中触控信号线在与扫描线相交位置处出现的拐角幅度严重不均一现象，且本发明实施例中的触控信号线的折线部均距离像素电极上下端部较远，触控信号线在传输信号时，其自身产生的电场对液晶偏转的干扰作用均较弱，解决了阵列基板和显示装置中某一区域出现严重的按压不均(trace mura)现象，提升了显示效果同时也减少了触控信号线的电阻以及寄生电容，提升了触控精度，降低了触控不良发生的几率。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图，图3为图2中子像素结构放大示意图，结合图2和图3，阵列基板包括基板1，在基板1上设置有多条扫描线120和多条数据线110，多条扫描线120和多条数据线110交叉形成多个子像素130，并在每个子像素130上设置有像素电极140和薄膜晶体管150，其中薄膜晶体管150的栅极与扫描线120连接，薄膜晶体管150的源极和漏极分别与数据线110和像素电极140连接。且像素电极140包括多个条形电极1401，其中同一行子像素130内的条形电极1401的长轴Z互相平行，任意相邻两行子像素130内的条形电极1401的长轴Z延长线相交，即构成伪双畴结构，利用该伪双畴结构，能够提供比单畴技术更宽的视角，满足用户日益提高的显示品质要求。需要说明的是，本发明实施例对条形电极1401的具体形状不进行限定，本发明实施例以条形电极端部有拐角为例，如图2中的140D1、140D2、140D3和140D3，当然，本发明实施例的像素电极的端部还可以没有拐角，也可以为其他形状的拐角。

图4为图2中区域A的放大示意图，结合参考图2和图4，子像素130包括多个第一类子像素列L1和多个第二类子像素列L2，第一类子像素列L1和第二类子像素列L2在行方向上间隔排布。第一类子像素列L1包括沿列方向交错排布的多个第一类子像素130A，第二类子像素列L2包括沿列方向交错排布的多个第二类子像素130B。本发明实施例中的交错排布是指在列方向上，第一类子像素列L1和第二类子像素列L2任意相邻的两个子像素130包括的像素电极140，在列方向上是不对齐的，即在行方向上，像素电极140最外侧的部分是不对齐的，有偏移距离。以图2中区域A中的两行两列子像素130为例，结合参考图4，其中，位于同一列的两个子像素130分别包括像素电极140A、140A’和140B、140B’，像素电极140包括多个条形电极1401。在行方向上，像素电极140A和140A’最外侧的条形电极1401最外侧的部分是不对齐的，偏移距离分别为D1和D2；像素电极140B和140B’最外侧的条形像素电极1401最外侧的部分也是不对齐的，偏移距离分别为D3和D4。本发明实施例中的第一类子像素列L1包括的多个第一类子像素130A在列方向上都是交错排布的，第二类子像素列L2包括的多个第二类子像素130B在列方向上也都是交错排布的。

第一类子像素130A的透过率大于第二类子像素130B的透过率。需要说明的是，如上所述的透过率较大的第一类子像素130A是指：光线透过率较高，能提供较大的发光亮度的子像素。示例性的，当阵列基板包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素时，白色子像素的光线透过率要大于其他子像素的光线透过率。具体的，相较于仅包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的传统的显示装置来说，若两种显示装置需要显示同一亮度的画面，白色子像素能够提供传统的显示装置中红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素同时亮的那一部分亮度，因而白色子像素对阵列基板发光亮度的贡献值较大。

而对于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素来说，红光的光子频率范围为3.9～4.8Hz，绿光的光子频率范围为5.2～6.1Hz，蓝光的光子频率范围为6.1～6.7Hz，人眼能够感知为绿光的光子频率范围最大，即人眼对绿光的敏感度较高。因此，相对于红色子像素和蓝色子像素来说，绿色子像素发出的能够被人眼感知到的光线的量最大，即相当于绿色子像素的光线透过率最高，一般绿色子像素能够贡献70％左右像素亮度。

通常来说，当显示装置包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素时，在显示装置正常显示画面时，白色子像素和绿色子像素能够贡献80％以上的像素亮度。因此，相较于红色子像素和蓝色子像素，白色子像素和绿色子像素均属于第一类子像素130A。

需要说明的是，白色子像素属于高亮子像素，而黄色子像素也属于高亮子像素。与白色子像素类似，黄色子像素的光线透过率也是大于其他子像素的光线透过率的。因此，当显示装置中包括黄色子像素时，黄色子像素通常也属于第一类子像素130A。

当然，可以理解的是，不同子像素的透过率都是不同的，因此，无论阵列基板包括何种类型的子像素，都可以根据每种子像素的透过率划分出第一类子像素130A和第二类子像素130B。

图5为图2中的区域B的放大示意图，结合参考图2和图5，阵列基板还包括多个触控电极170和多条触控信号线160，每个触控电极170和至少一条触控信号线170电连接，图2示意性的，每个触控电极170和两条触控信号线170电连接。每条触控信号线170包括多个直线部和多个折线部，结合参考图5，直线部为160A和160B，折线部为160Z，直线部160A和160B与位于同一行子像素130内的条形电极1401的长轴Z互相平行，且相邻的两个直线部160A和160B通过折线部160Z连接，折线部160Z的延长线Y与条形电极1401的长轴Z相交，折线部160Z在基板1上的正投影与扫描线120在基板1上的正投影交叠，进而提高开口率。同时折线部160Z与扫描线120不垂直，即折线部160Z与扫描线120的夹角α不为90°，这样保证触控信号线160的折线部160Z不会与部分临近的像素电极140的端部距离过近，与部分临近的像素电极140的端部距离过远。如图5所示，折线部160Z与扫描线120的夹角α不为90°，折线部160Z与临近的像素电极140的端部140D1、140D2的距离和与140D3和140D4的距离相比，基本相同。若折线部160Z与扫描线120的夹角为90°，则折线部160Z与像素电极140的端部140D1和140D2的距离和与140D3和140D4的距离相比，相差较大。且折线部160Z与像素电极140的端部140D1和140D2距离过近，触控信号线160在传输信号时，其自身产生的电场对像素电极140的端部140D1和140D2的电场干扰作用很强，像素电极140的端部140D1和140D2对应的液晶分子的偏转会受到严重影响，阵列基板中该区域仍会出现严重的按压不均(trace mura)现象。而本发明实施例通过限定折线部160Z的延长线Y与条形电极1401的长轴Z相交，折线部160Z在基板1上的正投影与扫描线120在基板1上的正投影交叠，同时折线部160Z与扫描线120不垂直，不仅提高了阵列基板的开口率，还避免了阵列基板某一区域出现严重的按压不均现象。

图6为本发明实施例提供的一种子像素排布示意图，多个子像素130包括多个第一像素单元行H1和多个第二像素单元行H2，第一像素单元行H1包括多个在行方向上重复排列的第一像素单元H11，第二像素单元行H2包括多个在行方向上重复排列的第二像素单元H21。第一像素单元行H1和第二像素单元行H2在列方向上间隔排布。

第一像素单元H11包括沿行方向上依次排列的红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B和高亮子像素W,。

第二像素单元H21包括沿行方向上依次排列的蓝色子像素B、高亮子像素W、红色子像素R和绿色子像素G。需要说明的是，第一像素单元H11和第二像素单元H21包括的高亮子像素还可为黄色子像素。

绿色子像素G和高亮子像素W在列方向上构成第一类子像素列L1，红色子像素R和蓝色子像素B在列方向上构成第二类子像素列L2。

红色子像素R、蓝色子像素B和绿色子像素G在行方向上的宽度相等，高亮子像素W在行方向上的宽度小于红色子像素R在行方向上的宽度，即如图6所示，Db＝Dr＝Dg>Dw。以高亮子像素W为白色子像素为例，由于白色子像素的光线透过率较高，因而在一个第一像素单元H11或一个第二像素单元H21中，就会有较多的白光射出，这时就会导致画面的色彩饱和度的降低。而通过降低白色子像素在行方向上的宽度，可以降低白色子像素的开口区面积，进而降低白光对色彩饱和度的影响，提高饱和度。本发明实施例中的绿色子像素G在行方向上的宽度也可以小于红色子像素R、蓝色子像素B在行方向上的宽度，且绿色子像素G在行方向上的宽度大于高亮子像素W在行方向上的宽度，即Db＝Dr>Dg>Dw。

其中，第二像素单元中的蓝色子像素相对于第二像素单元相邻的第一像素单元中的红色子像素在行方向上偏移，偏移方向为第二像素单元中的蓝色子像素指向高亮子像素的方向。图6所示的C区域中的第二像素单元H21中的蓝色子像素B相对于第二像素单元H21相邻的第一像素单元H11中的红色子像素R在行方向上偏移，偏移方向为第二像素单元H21中的蓝色子像素B指向高亮子像素W的方向X1，偏移距离为D5。即相对于图1所示的应用伪双畴技术的阵列基板俯示意视图，第二像素单元行H2相对于第一像素单元行H1向行方向X1偏移。若相对于图1所示的应用伪双畴技术的阵列基板俯示意视图，第二像素单元行H2相对于第一像素单元行H1向行方向X1的相反方向偏移，会加重触控信号线拐角幅度不均一性，从而加重按压不均现象。

发明人发现，基于显示装置内各个结构的相对位置关系，数据线与栅线、触控电极、触控信号线等多个结构之间都会产生耦合电容，而耦合电容会对数据线上传输的数据信号造成信号衰减。以液晶显示装置为例，发明人经过进一步研究发现，在一定的工艺条件下，在由数据线和两条栅线交叠所限定的单位面积内，数据线和其中一条栅线之间产生的耦合电容C1＝1.73E-15，数据线和另一条栅线之间产生的耦合电容C2＝1.72E-15，数据线和像素电极之间产生的耦合电容C3＝8.41E-16，数据线和触控信号线之间产生的耦合电容C4＝4.93E-15，数据线和触控电极之间产生的耦合电容C5＝5.15E-15。可见，相较于其他结构，数据线和触控信号线之间产生的耦合电容最大，即触控信号线对数据线上传输的数据信号的影响最大。并且，根据公式

可以得出，数据线和触控信号线之间产生的耦合电容占数据线产生的全部的耦合电容的40％左右。

本发明提供一实施例，数据信号线包括第一数据信号线和第二数据信号线，其中，第一数据信号线向第一类子像素传输数据信号，第二数据信号线向第二类子像素传输数据信号。触控信号线包括第一触控信号线和第二触控信号线，其中，第一触控信号线和第一数据信号线在阵列基板的正投影交叠；第二触控信号线和第二数据信号线在阵列基板的正投影交叠。第一触控信号线的折线部与第一数据信号线的交叠面积小于第二触控信号线的折线部与第二数据信号线的交叠面积。

由于第一类子像素的透过率大于第二类子像素的透过率，因而，第一类子像素的发光亮度出现偏差对整个画面发光亮度的影响，要大于第二类子像素的发光亮度出现偏差对整个画面发光亮度的影响。基于此，在本实施例中，在设置触控信号线时，通过使第一触控信号线的折线部与第一数据信号线的交叠面积小于第二触控信号线的折线部与第二数据信号线的交叠面积，从而使第一触控信号线的折线部和第一数据线之间的耦合电容低于第二触控信号线的折线部和第一数据线之间的耦合电容。这样设置，不仅在一定程度上降低了由耦合电容导致的第一数据线上传输的数据信号的衰减，进而改善第一类子像素的发光亮度的偏移量，提高显示质量。而且更为重要的是，可以降低第一触控信号线在传输信号时，其折线部产生的电场对第一类子像素包括的像素电极端部对应的液晶分子的偏转，进而对减弱第一类子像素在阵列基板上出现的按压不均现象对显示效果的影响，提高显示质量。使第一触控信号线的折线部与第一数据信号线的交叠面积小于第二触控信号线的折线部与所述第二数据信号线的交叠面积的方法有多种。本发明实施例主要以以下两种方法为例进行介绍。

第一种方法：

可选的，图7为本发明实施例提供的另一种阵列基板俯视示意图，图8为图7中沿AA’方向的剖面示意图，结合参考图7和图8，数据信号线111包括第一数据信号线1111和第二数据信号线1112，其中，第一数据信号线1111向第一类子像素131A传输数据信号，第二数据信号线1112向第二类子像素131B传输数据信号。其中，第一类子像素131A在列方向上构成第一类子像素列L1，第二类子像素131B在列方向上构成第二类子像素列L2，第一类子像素131A的透过率大于第二类子像素131B的透过率。

触控信号线161包括第一触控信号线1611和第二触控信号线1612，其中，第一触控信号线1611和第一数据信号线1111在阵列基板的正投影交叠；第二触控信号线1612和第二数据信号线1112在阵列基板的正投影交叠。

第一触控信号线1611的折线部1611Z沿行方向的宽度L2小于第二触控信号线1612的折线部1612Z沿行方向的宽度L1。第一触控信号线1611的折线部1611Z与第一数据信号线1111的交叠面积小于第二触控信号线1612的折线部1612Z与第二数据信号线1112的交叠面积。

第二种方法:

和方法一中相同的技术特征在此不再赘述，不同的地方是方法二通过对折线部的拐角进行设置来改变触控信号线的折线部与数据信号线的交叠面积，使第一触控信号线的折线部与第一数据信号线的交叠面积小于第二触控信号线的折线部与第二数据信号线的交叠面积。在方法二中，每个折线部对应一个第一折线部和一个第二折线部，第一折线部和第二折线部形成一夹角。第一触控信号线的第一折线部和第二折线部形成的夹角为第一夹角，第二触控信号线的第一折线部和第二折线部形成的夹角为第二夹角，第一夹角和第二夹角均为钝角且第一夹角小于第二夹角。触控信号线的第一折线部和第二折线部形成的夹角大小会通过影响折线部与对应的数据信号线在行方向上的距离，进而影响触控信号线的折线部与数据信号线的交叠面积，影响折线部与数据信号线的耦合电容，影响数据信号线上的信号衰减。并且与触控信号线的第一折线部和第二折线部形成的夹角大小还会通过影响折线部与像素电极端部在行方向上的距离，进而对像素电极端部对应的液晶分子的偏转产生影响。当第一折线部和第二折线部形成的夹角为锐角时，折线部会距离某一子像素的像素电极端部过近，进而加重该区域按压不均(trace mura)现象，使显示效果较差。当第一折线部和第二折线部的夹角为直角时，在制作过程容易造成第一折线部和第二折线部的断裂。当第一折线部和第二折线部的夹角均为钝角时，折线部不仅不易断裂，而且不会出现折线部在行方向上距离某一子像素的像素电极的端部过近的现象，也就不会出现阵列基板某一区域出现严重的按压不均(trace mura)现象。

可选的，图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板俯视示意图，图10为图9中区域D的放大示意图，图11为图9中沿BB’方向的剖面示意图，结合参考图9、图10和图11，第一触控信号线1621的折线部1621Z包括第一折线部1621Z1和第二折线部1621Z2，第一折线部1621Z1和第二折线部1621Z2形成的夹角为第一夹角β1，第二触控信号线1622的折线部1622Z包括第一折线部1622Z1和第二折线部1622Z2，第一折线部1622Z1和第二折线部1622Z2形成的夹角为第二夹角β2，第一夹角β1和第二夹角β2均为钝角。且第一夹角β1小于第二夹角β2，即第一触控信号线1621的折线部1621Z与第一数据信号线1121在行方向上距离L3大于第二触控信号线1622的折线部1622Z与第二数据信号线1122在行方向上距离L4，进而第一触控信号线1621的折线部1621Z与第一数据信号线1121的交叠面积小于第二触控信号线1622的折线部1622Z与第二数据信号线1122的交叠面积。

当然，本发明实施例还可以将第一种方法和第二种方法结合起来，即第一触控信号线的折线部在行方向上宽度小于第二触控信号线的折线部在行方向上的宽度，且第一触控信号线的第一折线部和第二折线部形成的第一夹角小于第二触控信号线的第一折线部和第二折线部形成的第二夹角。

可选的，在本发明提供的再一实施例中，每条触控信号线的折线部与其相邻的直线部的夹角为钝角。参考图1示意出的触控信号线16，其中触控信号线16A只有直线部没有折线部，触控信号线16B有直线部和折线部，且直线部和相邻的折线部的夹角不都为钝角，例如图1所示的触控信号线16B的直线部和折线部形成的夹角b为锐角。触控信号线能起到一定的屏蔽数据线产生的电场的作用，进而能够解决数据线的电压波动引起的漏光以及画面显示效果差的问题，提高显示效果。发明人根据多次实验分析，当触控信号线的直线部和相邻的折线部的夹角为锐角或直角时，触控信号线的折线部拐的幅度较大，因此需要更多的BM去遮盖触控信号线，影响显示装置的开口率。并且显示装置处于黑画面时，由于显示装置中的正面和背面的偏光片是90度垂直的，由底部偏光片滤过的光线没有办法通过顶部的偏光片。但是如果折线部的夹角为锐角或直角时，即折线部拐的幅度较大时，偏振光的偏振方向由于反射改变了方向，造成散射，部分分量可以通过顶部的偏光片造成漏光。

具体的，以图5为例进行说明，触控信号线160包括的相邻的两个直线部160A和160B通过折线部160Z连接，且直线部160A与折线部160Z形成的夹角γ1和直线部160B与折线部160Z形成的夹角γ2均为钝角，即将每条触控信号线的折线部的拐的角度做一下调整，使得每条触控信号线的折线部与相邻的直线部的夹角都为钝角，与触控信号线的折线部与相邻的直线部的夹角为锐角或直角相比，漏光现象会减弱。

可选的，在本发明提供的又一实施例中每条触控信号线的折线部与其相邻的直线部的夹角大于等于160°。可选的，继续参考图5，直线部160A与折线部160Z形成的夹角γ1和直线部160B与折线部160Z形成的夹角γ2可相等，且均为160°；也可以不相同，夹角γ1为165°，夹角γ2为170°，本发明实施例不对此进行限定。折线部与其相邻的直线部的夹角为较大的钝角时，防漏光效果更好。

可选的，在本发明提供的再一实施例中，每条触控信号线的折线部与其相邻的直线部的夹角为大于等于175°。发明人通过多次实验，发现当触控信号线的折线部与其相邻的直线部的夹角为175°时，即触控信号线的折线部与相邻的直线部的夹角基本上为平角180°时，就可以尽可能避免散射，避免漏光。会反射也是镜面反射，不会大幅度的改变原先光的偏振方向。

可选的，本发明提供的又一实施例中，触控电极呈阵列排布，即触控电极呈M行N列排布，其中M、N均为大于等于2的正整数。触控电极复用为公共电极，位于同一行的触控电极中，每个触控电极电连接的触控信号线的条数比值范围为3/4—4/3。与每个触控电极电连接的触控信号线的条数会影响触控信号线整体的电阻阻值，进而影响触控信号线传输信号的衰减程度，可能会造成显示跳变的分屏现象，例如，位于同一行的触控电极中，当有的触控电极电连接1条触控信号线，有的触控电极电连接2条触控信号线时，发明人通过实验发现，会出现分屏现象，此时触控信号线条数的比值是0.5～2；当有的触控电极电连接2条触控信号线，有的触控电极电连接3条触控信号线时，发明人通过实验发现，也会出现分屏现象，此时触控信号线条数的比值是2/3～3/2；当有的触控电极电连接3条触控信号线，有的触控电极电连接4条触控信号线时，发明人通过实验发现，分屏现象减弱，此时触控信号线条数的比值是3/4～4/3，进一步的，当位于同一行的触控电极中，每个触控电极电连接的触控信号线的条数越多且比值范围在3/4—4/3之间时，每个触控电极电连接的触控信号线的阻值基本上相同，降低了分屏的风险。

可选的，在上述实施例的基础上，本发明提供的另一实施例中，与同一行触控电极电连接的任意两条触控信号线的长度之间的比值范围是0.9-1.1。参考图1中所示的应用伪双畴技术的阵列基板俯示意视图中的触控信号线16，由于图1中的W子像素的面积通常是小于R、G、B子像素的面积，根据图1所示的子像素排布，会导致触控信号线16在与扫描线12相交位置处出现拐角幅度严重不均一现象，例如，A’区域内触控信号线16A的拐角幅度就明显小于B’区域内触控信号线16B的拐角幅度，进而触控信号线16A的长度就明显小于触控信号线16B的长度，即与同一触控电极17电连接的触控信号线16A和触控信号线16B的长度相差较大。进而使得触控信号线16A上传输信号衰减的情况与触控信号线16B上传输信号衰减情况严重不均一，会出现与同一触控电极17电连接的左右相邻的触控信号线16A和触控信号线16B上的负载不同，当触控电极17复用为公共电极，在显示阶段，触控信号线16A和触控信号线16B向同一电连接的触控电极17传输公共信号时，会由于触控信号线16A上传输信号衰减的情况与触控信号线16B衰减的情况不同，出现显示不均匀现象，显示效果差。同理，与同一触控电极电连接的触控信号线长度相差较大时，与同一行触控电极电连接的触控信号线的长度相差也会较大，显示效果也较差。

本发明实施例通过使每一触控信号线均包括多个直线部和折线部，保证与同一行触控电极电连接的每条触控信号线的长度基本相同，即也保证了与同一触控电极电连接的每条触控信号线长度基本相同，进而较好的避免图1所示阵列基板出现的显示不均匀现象。由于工艺上会造成一定误差，与同一行触控电极17电连接的任意两条触控信号线16的长度之间的比值范围为0.9-1.1时，也能较好的避免上述显示不均匀现象。

可选的，与同一行公共电极电连接的任意两条触控信号线的长度之间的比值为1。

位于同一行的触控电极中，每个触控电极电连接的触控信号线的条数比值范围在3/4—4/3之间，且与同一行触控电极电连接的任意两条触控信号线的长度之间的比值范围为0.9-1.1时，人眼几乎观察不到显示分屏现象，且显示均匀现象，显示效果显著提高。

需要说明的是，本发明实施例中的触控电极可为位于同一层的呈阵列排布的多个自容式触控电极块。每一触控电极块分别与例如零势能点大地构成电容，当手指触摸到或者靠近阵列基板或显示装置时，位于触摸位置处的电容值会增加，进而在进行触摸检测时，可以通过检测相应的电容值的变化，来确定触摸点的位置。本发明实施例提供的阵列基板和显示装置在触控阶段，由于每条触控触控信号线都有直线部和折现部，避免了图1所示的触控信号线拐角幅度和长度不均一，不仅提高了触控信号均一性，而且还减少了触控信号线的电阻以及寄生电容，提升了触控精度，降低了触控不良发生的几率。

本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上任一实施例所述的阵列基板。其中，阵列基板的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。该显示装置可以为手机、平板电脑、笔记本、POS机以及车载电脑等显示终端。图12为本发明实施例提供的一种显示装置示意图，在一些可选的实施例中，本发明提供的显示装置100可如图12所示的手机。

通过上述实施例可知，本发明实施例提供的阵列基板及显示装置，达到了如下的有益效果：

本发明实施例提供的阵列基板和显示装置采用能够提供比单畴技术更宽的视角的伪双畴结构，且本发明实施例提供的阵列基板和显示装置中的每条触控信号线包括直线部和折线部，且通过对直线部和折线部的排布以及结构的限定，避免了图1所示的应用伪双畴技术的阵列基板俯示意视图中触控信号线在与扫描线相交位置处出现拐角幅度严重不均一现象，且触控信号线的折线部均距离像素电极上下端部较远，触控信号线在传输信号时，其自身的电场对液晶偏转的干扰作用均较弱，解决了阵列基板和显示装置中某一区域出现严重的按压不均(trace mura)现象，提升了显示效果，同时也减少了触控信号线的电阻以及寄生电容，提升了触控精度，降低了触控不良发生的几率。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板，设置在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，其中，所述多条扫描线和所述多条数据线交叉形成多个子像素；

设置在所述子像素内的像素电极，所述像素电极包括多个条形电极，其中同一行所述子像素内的所述条形电极的长轴互相平行，任意相邻两行所述子像素内的所述条形电极的长轴延长线相交；

所述多个子像素包括多个第一类子像素列和多个第二类子像素列，所述第一类子像素列和所述第二类子像素列在行方向上间隔排布；所述第一类子像素列包括沿列方向交错排布的多个第一类子像素，所述第二类子像素列包括沿所述列方向交错排布的多个第二类子像素；所述第一类子像素的透过率大于所述第二类子像素的透过率；

多个触控电极；

多条触控信号线，每个所述触控电极和至少一条所述触控信号线电连接，每条所述触控信号线包括多个直线部和多个折线部，相邻的两个所述直线部通过所述折线部连接，所述直线部与位于同一行所述子像素内的所述条形电极的长轴互相平行，所述折线部的延长线与所述条形电极的长轴相交，所述折线部在所述基板上的正投影与所述扫描线在所述基板上的正投影交叠且所述折线部与所述扫描线不垂直，所述折线部与所述扫描线的夹角α不为90°。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个子像素包括：

多个第一像素单元行和多个第二像素单元行，所述第一像素单元行包括多个在行方向上重复排列的第一像素单元，所述第二像素单元行包括多个在行方向上重复排列的第二像素单元；所述第一像素单元行和所述第二像素单元行在列方向上间隔排布；

所述第一像素单元包括沿行方向依次排列的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和高亮子像素；

所述第二像素单元包括沿行方向依次排列的蓝色子像素、高亮子像素、红色子像素和绿色子像素；

所述绿色子像素和所述高亮子像素在列方向上构成所述第一类子像素列，所述红色子像素和所述蓝色子像素在列方向上构成所述第二类子像素列；

所述红色子像素、所述蓝色子像素和所述绿色子像素在所述行方向上的宽度相等，所述高亮子像素在行方向上的宽度小于所述红色子像素在行方向上的宽度；

其中，所述第二像素单元中的所述蓝色子像素相对于所述第二像素单元相邻的所述第一像素单元中的所述红色子像素在行方向上偏移，偏移方向为所述第二像素单元中的所述蓝色子像素指向所述高亮子像素的方向。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

数据信号线包括第一数据信号线和第二数据信号线，其中，所述第一数据信号线向所述第一类子像素传输数据信号，所述第二数据信号线向所述第二类子像素传输数据信号；

所述触控信号线包括第一触控信号线和第二触控信号线，其中，所述第一触控信号线和所述第一数据信号线在阵列基板的正投影交叠；所述第二触控信号线和所述第二数据信号线在阵列基板的正投影交叠；

所述第一触控信号线的所述折线部与所述第一数据信号线的交叠面积小于所述第二触控信号线的所述折线部与所述第二数据信号线的交叠面积。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一触控信号线的折线部沿行方向的宽度小于所述第二触控信号线的折线部沿行方向的宽度。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

每个所述折线部对应一个第一折线部和一个第二折线部，所述第一折线部和所述第二折线部形成一夹角；

所述第一触控信号线的折线部形成的所述夹角为第一夹角，所述第二触控信号线的折线部形成的所述夹角为第二夹角，所述第一夹角和所述第二夹角均为钝角，

所述第一夹角小于所述第二夹角。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每条所述触控信号线的折线部与其相邻的直线部的夹角为钝角。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，每条所述触控信号线的折线部与其相邻的直线部的夹角大于等于160°。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，每条所述触控信号线的折线部与其相邻的直线部的夹角大于等于175°。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述触控电极呈阵列排布且所述触控电极复用为公共电极，位于同一行的所述触控电极中，每个所述触控电极电连接的所述触控信号线的条数比值范围为3/4—4/3。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，

与同一行所述触控电极电连接的任意两条所述触控信号线的长度之间的比值范围是0.9-1.1。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，

与同一行所述公共电极电连接的任意两条所述触控信号线的长度之间的比值为1。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-11任一所述的阵列基板。

Images