JP2022518086A

JP2022518086A - 自己容量式タッチディスプレイパネル

Info

Publication number: JP2022518086A
Application number: JP2021503532A
Authority: JP
Inventors: 碧陳
Original assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2019-12-26
Filing date: 2020-03-02
Publication date: 2022-03-14
Also published as: CN111176485A; WO2021128581A1; EP4083761A1; US11609663B2; KR20210086598A; EP4083761A4; US20210405784A1

Abstract

本発明は、自己容量式タッチディスプレイパネルを提供するものである。当該自己容量式タッチディスプレイパネルは、ディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネル上に設けられたタッチ層とを含む。前記タッチ層は順次、前記ディスプレイパネル上に設けられ、且つ複数本のタッチリード線を有するタッチリード線層と、第１絶縁層と、タッチ遮蔽層と、第２絶縁層と、アレイ配置されたセンサーパターンを有するタッチセンサー層とを含む。ここで、前記タッチセンサー層の前記センサーパターンは、前記タッチ遮蔽層を介して前記タッチリード線と対応するように接続されている。【選択図】図２

Description

本出願はディスプレイ技術の分野に関するものであり、具体的には自己容量式タッチディスプレイパネルに関するものである。

時代の発展に伴い、携帯電話は重要な電子製品として人々の生活と仕事に影響を及ぼすようになり、そのタッチディスプレイはヒューマン・マシン・インタラクションにおける重要な部分として不可欠であり、フレキシブルタッチディスプレイは将来の主流となる開発テーマとなりつつあり、より小さな曲げ半径を実現するために、フレキシブルタッチディスプレイでは、タッチディスプレイパネルをより軽量に且つ薄くする必要がある。

従来技術において、フレキシブルディスプレイタッチでは、パネルは通常ＡＭＯＬＥＤを採用し、ＡＭＯＬＥＤにおけるタッチ方式は相互容量式のタッチ方式であり、フレキシブル折り畳み式タッチディスプレイでは通常、薄いカバープレートを用いた設計が採用されており、その材料としては、透明なＰＩ(ポリイミド)又はフレキシブルガラス及びその組み合わせが選択され、カバープレートの厚さは５０μｍ～２００μｍであり、薄いカバープレートを用いた設計では、相互容量式タッチにおける多点ホバリングの問題を引き起こし、ユーザーによるタッチ体験が好ましくないものとなっていた。ＡＭＯＬＥＤｏｎｃｅｌｌタッチ方式において自己容量式を選択することで、多点ホバリングタッチの問題を効果的に解決することができるが、自己容量式タッチを用いた設計では以下のような問題がある。図１に示すように、自己容量式タッチを用いた設計では、ＦＰＣ(フレキシブル回路基板)側に近い近位端タッチパターンにおけるリード線の数が多すぎて、タッチ不感領域となる影響を及ぼしていた。

そのため、従来技術に存在していた、近位端タッチ性能が好ましくないという技術的課題を解決することのできる自己容量式タッチディスプレイパネルが早急に望まれている。

本発明の実施形態では、タッチセンサー層とタッチリード線層との間にタッチ遮蔽層を追加することにより、タッチ近位端と遠位端における自己容量タッチパターンの大きさが同一となり、近位端と遠位端におけるタッチ性能の一貫性が確保され、フレキシブルタッチディスプレイパネルのタッチ性能を向上させ得る自己容量式タッチディスプレイパネルを提供する。

第１の技術案として、本出願の実施形態では、自己容量式タッチディスプレイパネルを提供し、前記自己容量式タッチディスプレイパネルは、ディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネル上に設けられたタッチ層とを含み、
前記タッチ層は、前記ディスプレイパネル上に設けられ、且つ複数本のタッチリード線を有するタッチリード線層と、前記タッチリード線層上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられたタッチ遮蔽層と、前記タッチ遮蔽層上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設けられ、且つアレイ配置されたセンサーパターンを有するタッチセンサー層とを含み、
前記タッチセンサー層の前記センサーパターンは、前記タッチ遮蔽層を介して前記タッチリード線層の前記タッチリード線と対応するように接続されており、
前記タッチ遮蔽層は第１タッチ遮蔽層と第２タッチ遮蔽層とを含み、前記第２タッチ遮蔽層は前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に設けられ、
前記ディスプレイパネルは発光領域と非発光領域とを含み、前記非発光領域は、曲げ領域と、配線変更領域と、ボンディング領域とを含み、
前記タッチリード線層の前記タッチリード線は、前記曲げ領域が曲げられた後に前記配線変更領域に接続され、
前記配線変更領域は、前記曲げ領域の前記タッチリード線層から離れた側に設けられており、前記タッチリード線層の前記タッチリード線は、前記配線変更領域において、前記曲げ領域から前記ボンディング領域に配線変更され、
前記ボンディング領域は、前記配線変更領域の前記曲げ領域から離れた側に設けられている。

一部の実施形態において、前記第１絶縁層上に第１ビアホールが設けられ、前記第２絶縁層上に第２ビアホールが設けられ、前記第１タッチ遮蔽層は前記第１ビアホールと前記第２ビアホールとの間に設けられ、前記タッチセンサー層の前記センサーパターンは、前記第１タッチ遮蔽層を介して前記タッチリード線層の前記タッチリード線と対応するように接続されている。

一部の実施形態において、前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールは同軸であり、且つ前記第１ビアホールの開口幅は前記第２ビアホールの開口幅よりも小さい。

一部の実施形態において、前記ボンディング領域はタッチボンディング領域とディスプレイボンディング領域とを含み、前記タッチボンディング領域は複数のタッチボンディング端子を含み、前記ディスプレイボンディング領域は複数のディスプレイボンディング端子を含み、前記タッチリード線層の前記タッチリード線は前記タッチ端子に接続され、前記ディスプレイボンディング端子は、前記ディスプレイパネル上に設けられたディスプレイドライバに接続されている。

一部の実施形態において、前記配線変更領域は第１配線変更領域と第２配線変更領域とを含み、前記第１配線変更領域及び前記第２配線変更領域はそれぞれ少なくとも２つの直列接続されたＭＵＸ回路を含む。

一部の実施形態において、前記ＭＵＸ回路は、ＰＭＯＳ構造、ＮＭＯＳ構造、及びＣＭＯＳ構造のいずれかである。

一部の実施形態において、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の材料は、窒化シリコン及び酸化シリコンのいずれか、又はそれらの組成物である。

一部の実施形態において、前記タッチリード線層、前記タッチ遮蔽層及び前記タッチセンサー層の材料は、インジウムスズ酸化物、インジウムスズ酸化物と銀との組成物、又はインジウムスズ酸化物とアルミニウムとの組成物である。

第２の技術案として、本出願の実施形態では、他の自己容量式タッチディスプレイパネルをさらに提供し、前記自己容量式タッチディスプレイパネルは、ディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネル上に設けられたタッチ層とを含み、
前記タッチ層は、前記ディスプレイパネル上に設けられ、且つ複数本のタッチリード線を有するタッチリード線層と、前記タッチリード線層上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられたタッチ遮蔽層と、前記タッチ遮蔽層上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設けられ、且つアレイ配置されたセンサーパターンを有するタッチセンサー層とを含み、
前記タッチセンサー層の前記センサーパターンは、前記タッチ遮蔽層を介して前記タッチリード線層の前記タッチリード線と対応するように接続されている。

一部の実施形態において、前記タッチ遮蔽層は第１タッチ遮蔽層と第２タッチ遮蔽層とを含み、前記第２タッチ遮蔽層は前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に設けられている。

一部の実施形態において、前記ディスプレイパネルは発光領域と非発光領域とを含み、前記非発光領域は、曲げ領域と、配線変更領域と、ボンディング領域とを含み、
前記タッチリード線層の前記タッチリード線は、前記曲げ領域が曲げられた後に前記配線変更領域に接続され、
前記配線変更領域は、前記曲げ領域の前記タッチリード線層から離れた側に設けられており、前記タッチリード線層の前記タッチリード線は、前記配線変更領域において、前記曲げ領域から前記ボンディング領域に配線変更され、
前記ボンディング領域は、前記配線変更領域の前記曲げ領域から離れた側に設けられている。

一部の実施形態において、前記自己容量式タッチディスプレイパネルはさらに、前記ディスプレイパネルの上方に設けられ、且つ前記タッチ層の下方に位置する封止層を含む。

一部の実施形態において、前記自己容量式タッチディスプレイパネルはさらに、前記タッチ層の上方に設けられたタッチ保護絶縁層と、前記タッチ保護絶縁層の上方に設けられた偏光板と、前記偏光板の上方に設けられた保護カバープレートとを含む。

従来技術と比較して、本発明の実施形態では、タッチセンサー層とタッチリード線層との間にタッチ遮蔽層を追加することにより、タッチ近位端と遠位端における自己容量タッチパターンの大きさが同一となり、近位端と遠位端におけるタッチ性能の一貫性が確保され、フレキシブルタッチディスプレイパネルのタッチ性能を向上させることができる。加えて、本出願では、ディスプレイパネル上に配線変更領域を追加し、タッチリード線層のタッチリード線を配線変更領域で配線変更処理し、タッチセンサー層のセンサーパターンの数を変えずに、タッチボンディング端子に引き出すタッチリード線の数を削減することで、ディスプレイボンディング領域の位置を確保することができ、ｏｎｃｅｌｌで、ディスプレイボンディング領域とタッチボンディング領域とに区分けすることにより、タッチリード線とディスプレイリード線とが過度に密集することを回避し、以って信号干渉の発生を回避することができる。

従来技術におけるフレキシブルタッチディスプレイパネルに係る自己容量式タッチの設計図である。本発明の実施形態に係る自己容量式タッチディスプレイパネルの構造概略図である。本発明の実施形態に係る自己容量式タッチディスプレイパネルにおけるタッチリード線の概略図である。本発明の実施形態に係る自己容量式タッチディスプレイパネルにおけるビアホールの位置を示す概略図である。本発明の実施形態に係る自己容量式タッチディスプレイパネルにおけるディスプレイパネルの構造を示す概略図である。本発明の実施形態に係る自己容量式タッチディスプレイパネルにおけるＭＵＸ回路の原理を示す概略図である。

以下、本発明の実施形態に係る図面を参照して、本発明の実施形態における技術案についての明確、且つ完全な説明を行なう。明らかに、以下に記載の実施形態は本発明における一部の実施形態であるにすぎず、全ての実施形態ではない。本発明の実施形態に基づいて、本分野の技術者が如何なる創造的労力も費やさずに得られたその他のあらゆる実施形態は、いずれも本発明の保護範囲に属する。

本発明の説明における理解すべき点として、「中心」、「縦」、「横」、「長さ」、「幅」、「厚さ」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂部」、「底部」、「内側」、「外側」等の表現が示す向き又は位置関係は、図面に示す向き又は位置関係に基づくものであり、本発明に係る説明上の便宜及び簡素化を図るためのものであるにすぎず、所定の装置又は部材が特定の向きを有し、特定の向きにおいて構成され、操作されるべきことを示し又は暗示するものではないため、本発明を限定するものであると解釈されてはならない。また、「第１」、「第２」という表現は、説明目的にのみ供されるものであり、相対的な重要度を示し若しくは暗示し、又は所定の技術的特徴の数量を暗に示すものであると解釈されてはならない。このため、「第１」、「第２」で限定されている特徴は、明示的に又は暗に１つ以上の当該特徴を含むことがある。本発明に係る説明において、「複数」という表現は、特に明確且つ具体的な断りのない限り、２つ以上を意味する。

本出願では、「例示的」という表現を以って、「例として、実例として、又は説明用に用いられる」ことを表す。本出願において、「例示的」であると表現されている如何なる実施形態も、必ずしも他の実施形態よりも好ましく、又は優れているものであると解釈されるものではない。本分野における技術者のいずれもが本発明を実現し、且つ使用できるよう、以下の説明を行なう。以下の記載において、説明目的のための詳細が列挙されている。ここで理解すべき点として、本分野における通常の技術者であれば、これら特定の詳細を用いなくとも本発明を実現することができる。他の実施形態において、不必要な詳細により本発明の説明が曖昧になるのを回避するために、周知の構造及び工程については、その詳述を行なわないものとする。従って、本発明は、以下に示す実施形態に限定されるものではなく、本出願で開示されている原理及び特徴と合致する最も広い範囲と一致するものである。

本発明の実施形態では、自己容量式タッチディスプレイパネルを提供する。その詳細な説明を以下に行なう。

図２に示すように、図２は、本発明に係る自己容量式タッチディスプレイパネルを示す構造概略図である。当該自己容量式タッチディスプレイパネルは、下から上に向かって順次積層された、ディスプレイパネル１００と、封止層２００と、タッチ層３００と、タッチ保護絶縁層４００と、偏光板５００と、保護カバープレート６００とを含む。ディスプレイパネル１００は、ＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ－ｍａｔｒｉｘｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）であってもよく、即ち、アクティブマトリックス有機発光ダイオードであり、フレキシブルパネルである。封止層２００は、ディスプレイパネル１００を封止するためのものであり、ディスプレイパネル１００を保護する作用を有し、水蒸気や酸素等がディスプレイパネル１００を侵食するのを防ぐことができる。タッチ保護絶縁層４００は、タッチ層３００を保護するためのものである。偏光層５００は、自然光を偏光に変換するためのものである。カバープレート６００は、フレキシブルなカバープレートであり、且つ偏光層５００及びその下方にある全ての構造を保護するためのものである。カバープレート６００の材料としては、透明ＰＩ(ポリイミド)材料又はフレキシブルガラス及びその組み合わせであってもよい。

タッチ層３００は、封止層２００上に設けられ、且つ複数本のタッチリード線を有するタッチリード線層３０１と、タッチリード線層３０１上に設けられた第１絶縁層３０２と、第１絶縁層３０２上に設けられたタッチ遮蔽層３０３と、タッチ遮蔽層３０３上に設けられた第２絶縁層３０４と、第２絶縁層３０４上に設けられ、且つアレイ配置されたセンサーパターンを有するタッチセンサー層３０５とを含む。第１絶縁層３０２及び第２絶縁層３０４の材料は、窒化シリコン及び酸化シリコンのいずれか、又はそれらの組成物であり、以ってこれら絶縁層の水及び酸素の遮断性能、及び使用時の安全係数が向上する。タッチリード線層３０１、タッチ遮蔽層３０３及びタッチセンサー層３０５の材料は、インジウムスズ酸化物、インジウムスズ酸化物と銀との組成物、又はインジウムスズ酸化物とアルミニウムとの組成物である。

ここで、タッチセンサー層３０５のセンサーパターンは、タッチ遮蔽層３０３を介してタッチリード線層３０１のタッチリード線と対応するように接続されている。

さらに、図３に示すように、ディスプレイパネル１００は、発光領域１０１及び非発光領域１０２を含む。タッチセンサー層３０５は、自己容量式タッチ感知のためのいくつかのセンサーパターンを形成しており、当該複数のセンサーパターンはアレイ状に配置され、各々のセンサーパターンはその右下隅に設けられたビアホール領域Ａを介して、下方にある対応するタッチリード線層３０１の対応するタッチリード線にそれぞれ接続されており、タッチセンサー層３０５はタッチ遮蔽層３０３を介してタッチリード線層３０１に接続されている。これにより、ディスプレイパネル１００の発光領域１０１において、センサーパターンを等しい寸法及び間隔で配置することができ、通常自己容量式タッチ技術において存在するような不感領域はタッチ近位端側に存在せず、タッチ近位端側及び遠位端側において一貫したタッチ効果が得られる。

ここで理解すべき点として、タッチリード線の長さを短くするために、ビアホール領域Ａは通常、各々のセンサーパターンの下部に設けられ、左下隅又は右下隅のいずれに設けてもよく、限定されるものではない。

具体的には、図４に示すように、タッチ遮蔽層３０３は、第１タッチ遮蔽層３０３ｂと、第２タッチ遮蔽層３０３ａとを含む。第２タッチ遮蔽層３０３ａは、第１絶縁層３０２と第２絶縁層３０４との間に設けられ、且つ接地処理がされており、タッチリード線によるタッチセンサー層３０５への信号干渉を遮蔽するのに用いられ、以ってタッチ性能を向上させる。

ビアホール領域Ａの具体的な構造は以下の通りである。第１絶縁層３０２上に第１ビアホール３０２１が設けられ、第２絶縁層３０４上に第２ビアホール３０４１が設けられ、第１タッチ遮蔽層３０３ｂは第１ビアホール３０２１と第２ビアホール３０４１との間に設けられている。タッチセンサー層３０５のセンサーパターンは、第１タッチ遮蔽層３０３ｂを介してタッチリード線層３０１のタッチリード線と対応するように接続されている。

また、図４からわかるように、第１ビアホール３０２１及び第２ビアホール３０４１は同軸であり、且つ第１ビアホール３０４１の開口幅ｄ１は第２ビアホール３０４２の開口幅ｄ２よりも小さい。

また、図５に示すように、非発光領域１０２は、曲げ領域１１０と、配線変更領域１２０と、ボンディング領域１３０とを含む。

タッチリード線層３０１のタッチリード線は、曲げ領域１１０が曲げられた後に配線変更領域１２０に接続される。

配線変更領域１２０は、曲げ領域１１０のタッチリード線層３０１から離れた側に設けられており、タッチリード線層３０１のタッチリード線は、配線変更領域１２０において、曲げ領域１１０からボンディング領域１３０に配線変更される。

ボンディング領域１３０は、配線変更領域１２０の曲げ領域１１０から離れた側に設けられている。

本出願に係る一部の実施形態では、２つの曲げ領域を設け、それぞれ第１曲げ領域１１１及び第２曲げ領域１１２とし、当該第１曲げ領域１１１及び第２曲げ領域１１２は非発光領域１０２の両側に配置されている。ここで、タッチリード線層３０１のタッチリード線は２つのグループに分けられ、それぞれ第１曲げ領域１１１及び第２曲げ領域１１２に接続され、ディスプレイパネル１００の中央にスペースを残すことで、ディスプレイパネル１００上の表示領域及びタッチ領域間の信号干渉を回避し、以ってタッチ性能を確保することができる。

また、本出願では、２つの配線変更領域を設け、それぞれ第１配線変更領域１２１及び第２配線変更領域１２２とし、第１配線変更領域１２１及び第２配線変更領域１２２はそれぞれ第１曲げ領域１１１及び第２曲げ領域１１２に対応して接続されており、且つ当該第１配線変更領域１２１及び第２配線変更領域１２２はそれぞれ少なくとも２つの直列接続されたＭＵＸ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ、データセレクタ）回路を含み、これら２つの直列接続されたＭＵＸ回路はそれぞれＭＵＸ１及びＭＵＸ２である。

また、ボンディング領域１３０は、タッチボンディング領域１３１及びディスプレイボンディング領域１３２を含み、タッチボンディング領域１３１は複数のタッチボンディング端子１３１１を含み、ディスプレイボンディング領域１３２は複数のディスプレイボンディング端子１３２１を含む。

本出願に係る一部の実施形態では、２つのタッチボンディング領域を設け、それぞれ第１タッチボンディング領域１３０１及び第２タッチボンディング領域１３０２とし、第１タッチボンディング領域１３０１及び第２タッチボンディング領域１３０２はそれぞれ第１配線変更領域１２１及び第２配線変更領域１２２に対応して接続されており、且つ第１タッチボンディング領域１３０１及び第２タッチボンディング領域１３０２はそれぞれいくつかのタッチボンディング端子１３１１を含む。ここで、タッチリード線層３０１のタッチリード線はタッチ端子１３１１に接続され、ディスプレイボンディング端子１３２１は非発光領域１０２に設けられたディスプレイドライバ１４０に接続され、ディスプレイドライバ１４０の他端は発光領域１０１に接続されている。

また、図５からわかるように、第１タッチボンディング領域１３０１及び第２タッチボンディング領域１３０２はそれぞれ非発光領域１０２の両側にあり、ディスプレイボンディング領域１３２は非発光領域１０２の中央に設けられている。

なお、ＭＵＸ回路は、ＰＭＯＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅｃｈａｎｎｅｌＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、Ｐ型金属酸化物半導体）構造、ＮＭＯＳ（ＮｅｇａｔｉｖｅｃｈａｎｎｅｌＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、Ｎ型金属酸化物半導体）構造、及びＣＭＯＳ（ＣｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、相補型金属酸化物半導体）構造のいずれであってもよい。

具体的には、ＰＭＯＳ構造の４：１ＭＵＸ回路を例として、図６に示すように、当該ＭＵＸ回路は、２つのドレイン電極と、４つのゲート電極と、８つのソース電極と、８つのＰＭＯＳ構造とを含む。２つのドレイン電極はそれぞれＤ１及びＤ２であり、４つのゲート電極はそれぞれＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４であり、８つのソース電極はそれぞれＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７及びＳ８であり、８つのＰＭＯＳ構造はそれぞれＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７及びＴ８である。その具体的な原理として、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４でＴ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４のオン又はオフを制御することで、同一の期間内では、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４の４つのうちの１つのみがオンとなるように選択され、その他の３つはオフの状態にある。これにより、ドレイン電極Ｄ１がＳ１、Ｓ２、Ｓ３及びＳ４を順次駆動させ及び感知するように制御することができ、ドレイン電極Ｄ２がＳ５、Ｓ６、Ｓ７及びＳ８を順次駆動させ及び感知するように制御することができ、タッチリード線のチャネル数を従来の１/４まで削減することができる。

ここで理解すべき点として、ＭＵＸ回路は、２：１ＭＵＸ回路、３：１ＭＵＸ回路、４：１ＭＵＸ回路又は５：１ＭＵＸ回路のうちのいずれか又はその組み合わせであってもよく、１つの４：１ＭＵＸ回路と３：１ＭＵＸ回路とが直列接続されている場合、チャネル数を従来の１/１２まで削減することができるため、ｏｎｃｅｌｌ自己容量タッチボンディングの数を大幅に削減することができ、ディスプレイボンディング領域１３２が影響を受けないように十分なスペースが確保され、タッチ機能を確保した上でのディスプレイパネル１００による正常な発光を実現することができる。

以上が、本発明の提供する自己容量式フレキシブルタッチパネルについての詳細な説明である。ここで理解すべき点として、上記文章に記載の例示的な実施形態は単に説明的なものであるとみなされるべきであり、本発明の核心となる思想の理解を助けるためのものであり、本発明を限定するためのものではない。各例示的な実施形態における特徴又は態様の説明は通常、他の例示的な実施形態における同様の特徴又は態様に適用可能であるとみなされるべきである。例示的な実施形態を参照して本発明についての説明を行なったが、本分野における技術者であるならば、様々な変更及び改変を施すことも提案し得る。本発明は、特許請求の範囲内におけるこれら変更及び改変をも含むことを意図しており、本発明の趣旨及び原理の範囲内でもたらされた如何なる変更、同等の置換及び改善等も本発明の保護範囲に含まれるべきである。

Claims

自己容量式タッチディスプレイパネルであって、前記自己容量式タッチディスプレイパネルは、ディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネル上に設けられたタッチ層とを含み、
前記タッチ層は、前記ディスプレイパネル上に設けられ、且つ複数本のタッチリード線を有するタッチリード線層と、前記タッチリード線層上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられたタッチ遮蔽層と、前記タッチ遮蔽層上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設けられ、且つアレイ配置されたセンサーパターンを有するタッチセンサー層とを含み、
前記タッチセンサー層の前記センサーパターンは、前記タッチ遮蔽層を介して前記タッチリード線層の前記タッチリード線と対応するように接続されており、
前記タッチ遮蔽層は第１タッチ遮蔽層と第２タッチ遮蔽層とを含み、前記第２タッチ遮蔽層は前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に設けられ、
前記ディスプレイパネルは発光領域と非発光領域とを含み、前記非発光領域は、曲げ領域と、配線変更領域と、ボンディング領域とを含み、
前記タッチリード線層の前記タッチリード線は、前記曲げ領域が曲げられた後に前記配線変更領域に接続され、
前記配線変更領域は、前記曲げ領域の前記タッチリード線層から離れた側に設けられており、前記タッチリード線層の前記タッチリード線は、前記配線変更領域において、前記曲げ領域から前記ボンディング領域に配線変更され、
前記ボンディング領域は、前記配線変更領域の前記曲げ領域から離れた側に設けられていることを特徴とする自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記第１絶縁層上に第１ビアホールが設けられ、前記第２絶縁層上に第２ビアホールが設けられ、前記第１タッチ遮蔽層は前記第１ビアホールと前記第２ビアホールとの間に設けられ、前記タッチセンサー層の前記センサーパターンは、前記第１タッチ遮蔽層を介して前記タッチリード線層の前記タッチリード線と対応するように接続されていることを特徴とする請求項１に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールは同軸であり、且つ前記第１ビアホールの開口幅は前記第２ビアホールの開口幅よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記ボンディング領域はタッチボンディング領域とディスプレイボンディング領域とを含み、前記タッチボンディング領域は複数のタッチボンディング端子を含み、前記ディスプレイボンディング領域は複数のディスプレイボンディング端子を含み、前記タッチリード線層の前記タッチリード線は前記タッチ端子に接続され、前記ディスプレイボンディング端子は、前記ディスプレイパネル上に設けられたディスプレイドライバに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記配線変更領域は第１配線変更領域と第２配線変更領域とを含み、前記第１配線変更領域及び前記第２配線変更領域はそれぞれ少なくとも２つの直列接続されたＭＵＸ回路を含むことを特徴とする請求項４に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記ＭＵＸ回路は、ＰＭＯＳ構造、ＮＭＯＳ構造、及びＣＭＯＳ構造のいずれかであることを特徴とする請求項５に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の材料は、窒化シリコン及び酸化シリコンのいずれか、又はそれらの組成物であることを特徴とする請求項１に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記タッチリード線層、前記タッチ遮蔽層及び前記タッチセンサー層の材料は、インジウムスズ酸化物、インジウムスズ酸化物と銀との組成物、又はインジウムスズ酸化物とアルミニウムとの組成物であることを特徴とする請求項１に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
自己容量式タッチディスプレイパネルであって、前記自己容量式タッチディスプレイパネルは、ディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネル上に設けられたタッチ層とを含み、
前記タッチ層は、前記ディスプレイパネル上に設けられ、且つ複数本のタッチリード線を有するタッチリード線層と、前記タッチリード線層上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられたタッチ遮蔽層と、前記タッチ遮蔽層上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設けられ、且つアレイ配置されたセンサーパターンを有するタッチセンサー層とを含み、
前記タッチセンサー層の前記センサーパターンは、前記タッチ遮蔽層を介して前記タッチリード線層の前記タッチリード線と対応するように接続されていることを特徴とする自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記タッチ遮蔽層は第１タッチ遮蔽層と第２タッチ遮蔽層とを含み、前記第２タッチ遮蔽層は前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に設けられていることを特徴とする請求項９に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記第１絶縁層上に第１ビアホールが設けられ、前記第２絶縁層上に第２ビアホールが設けられ、前記第１タッチ遮蔽層は前記第１ビアホールと前記第２ビアホールとの間に設けられ、前記タッチセンサー層の前記センサーパターンは、前記第１タッチ遮蔽層を介して前記タッチリード線層の前記タッチリード線と対応するように接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールは同軸であり、且つ前記第１ビアホールの開口幅は前記第２ビアホールの開口幅よりも小さいことを特徴とする請求項１１に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記ディスプレイパネルは発光領域と非発光領域とを含み、前記非発光領域は、曲げ領域と、配線変更領域と、ボンディング領域とを含み、
前記タッチリード線層の前記タッチリード線は、前記曲げ領域が曲げられた後に前記配線変更領域に接続され、
前記配線変更領域は、前記曲げ領域の前記タッチリード線層から離れた側に設けられており、前記タッチリード線層の前記タッチリード線は、前記配線変更領域において、前記曲げ領域から前記ボンディング領域に配線変更され、
前記ボンディング領域は、前記配線変更領域の前記曲げ領域から離れた側に設けられていることを特徴とする請求項９に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記ボンディング領域はタッチボンディング領域とディスプレイボンディング領域とを含み、前記タッチボンディング領域は複数のタッチボンディング端子を含み、前記ディスプレイボンディング領域は複数のディスプレイボンディング端子を含み、前記タッチリード線層の前記タッチリード線は前記タッチ端子に接続され、前記ディスプレイボンディング端子は、前記ディスプレイパネル上に設けられたディスプレイドライバに接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記配線変更領域は第１配線変更領域と第２配線変更領域とを含み、前記第１配線変更領域及び前記第２配線変更領域はそれぞれ少なくとも２つの直列接続されたＭＵＸ回路を含むことを特徴とする請求項１４に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記ＭＵＸ回路は、ＰＭＯＳ構造、ＮＭＯＳ構造、及びＣＭＯＳ構造のいずれかであることを特徴とする請求項１５に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の材料は、窒化シリコン及び酸化シリコンのいずれか、又はそれらの組成物であることを特徴とする請求項９に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記タッチリード線層、前記タッチ遮蔽層及び前記タッチセンサー層の材料は、インジウムスズ酸化物、インジウムスズ酸化物と銀との組成物、又はインジウムスズ酸化物とアルミニウムとの組成物であることを特徴とする請求項９に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記ディスプレイパネルの上方に設けられ、且つ前記タッチ層の下方に位置する封止層をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。
前記タッチ層の上方に設けられたタッチ保護絶縁層と、前記タッチ保護絶縁層の上方に設けられた偏光板と、前記偏光板の上方に設けられた保護カバープレートとをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の自己容量式タッチディスプレイパネル。