JP2023541724A - タッチ構造及びタッチ表示パネル、電子装置 - Google Patents

タッチ構造及びタッチ表示パネル、電子装置 Download PDF

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Abstract

タッチ構造、タッチ表示パネル及び電子装置を提供する。該タッチ構造は第１方向に沿って延在する第１タッチ電極と、第２方向に沿って延在する第２タッチ電極とを含み、該第１タッチ電極は第１電極本体部及び第１接続部を含み、該第１電極本体部は第１導電層に位置し、該第１接続部は第２導電層に位置し、該第２タッチ電極は該第１導電層に位置する第２電極本体部及び第２接続部を含み、該第１接続部と該第２接続部は該第１導電層に垂直な方向において重なり、該第１導電層は複数の第１金属線により形成される複数の第１金属メッシュを含み、該第２導電層は複数の第２金属線を含み、該タッチ構造は該第２導電層に位置する仮想電極をさらに含み、該仮想電極は該第１接続部及び第２接続部のうちの少なくとも１つに結合される。該タッチ構造はタッチ感度を効果的に向上させることができる。【選択図】図３Ａ

Description

（関連出願の相互参照）
本願は、２０２０年９月２１日に提出した中国特許出願第２０２０１０９９１７９３．３号の優先権を主張し、ここで、上記中国特許出願に開示されている全内容が本願の一部として援用される。
本開示の実施例はタッチ構造及びタッチ表示パネル、電子装置に関する。
近年、携帯しやすく、操作しやすいなどの目的を実現するために、多くの電子製品は従来のキーボード又はマウスの代わりにタッチパネルを入力機器として使用している。これらの統合タッチパネルを入力機器とする電子装置の中で、タッチ及び表示機能を同時に持つタッチ表示装置は現在注目されている製品の１つである。タッチ機能を実現するためのタッチ電極構造の設置はユーザーエクスペリエンスを左右する重要な要素である。
本開示の少なくとも１つの実施例は第１タッチ電極及び第２タッチ電極を含むタッチ構造を提供する。前記第１タッチ電極は第１方向に沿って延在し、前記第２タッチ電極は第２方向に沿って延在し、前記第１方向と前記第２方向は異なり、前記第１タッチ電極は前記第１方向に沿って順に配置される複数の第１電極本体部と、隣接する２つの第１電極本体部を電気的に接続する第１接続部とを含み、前記複数の第１電極本体部は第１導電層に位置し、前記第１接続部は前記第１導電層と異なる第２導電層に位置し、前記第２タッチ電極は前記第２方向に沿って順に配置される第２電極本体部と、隣接する２つの第２電極本体部を電気的に接続する第２接続部とを含み、前記複数の第２電極本体部と前記第２接続部はいずれも前記第１導電層に位置し、前記第１導電層と前記第２導電層は絶縁層により絶縁されており、前記第１接続部と前記第２接続部は前記第１導電層に垂直な方向において重なり、前記第１導電層は複数の第１金属線により形成される複数の第１金属メッシュを含み、前記複数の第１電極本体部のそれぞれ、前記複数の第２電極本体部のそれぞれ及び前記第２接続部はそれぞれ複数の第１金属メッシュを含み、前記第２導電層は複数の第２金属線を含み、前記タッチ構造は前記第２導電層に位置する仮想電極をさらに含み、前記仮想電極は前記第１タッチ電極及び前記第２タッチ電極といずれも絶縁されており、前記仮想電極は前記第１接続部及び前記第２接続部のうちの少なくとも１つに結合されるように構成される。
いくつかの例では、前記仮想電極の面積はＳ１であり、前記仮想電極の前記第１導電層での射影と前記第１導電層における第１金属線とにより定義されたいずれか１つのメッシュの網孔の面積はＳ２であり、 ａ＜Ｓ１／Ｓ２＜ｂ を満たし、ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである。
いくつかの例では、少なくとも１つの第１金属線の延在方向は前記仮想電極の延在方向と同じであり、且つ、前記第１導電層に垂直な方向において、前記仮想電極は前記少なくとも１つの第１金属線と重なる。
いくつかの例では、前記仮想電極は矩形であり、前記仮想電極の長さと幅はそれぞれＸＤとＹＤであり、前記いずれか１つのメッシュの網孔は矩形であり、前記網孔の長さと幅はそれぞれＸとＹであり、 ａ＜（ＸＤ×ＹＤ）／（Ｘ×Ｙ）＜ｂ を満たし、ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである。
いくつかの例では、前記仮想電極は互いに接続されるｎ個の矩形を含み、前記ｎ個の矩形の長さはそれぞれＸ１、Ｘ２…Ｘｎであり、幅はいずれもＹＤであり、ｎは１より大きい整数であり、前記いずれか１つのメッシュの網孔は矩形であり、前記網孔の長さと幅はそれぞれＸとＹであり、 ａ＜（ＸＤ×ＹＤ）／（Ｘ×Ｙ）＜ｂ を満たし、ここで、ＸＤ＝Ｘ１＋Ｘ２＋…＋Ｘｎであり、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである。
いくつかの例では、前記仮想電極と前記第１接続部はそれぞれ少なくとも１つの第２金属線を含み、前記第１接続部は少なくとも１つの第１接続線を含み、各第１接続線は少なくとも１つの第２金属線を含み、且つ前記絶縁層におけるビアによって前記隣接する２つの第１電極本体部に電気的に接続される。
いくつかの例では、各前記第１接続線はそれぞれ前記第１導電層に垂直な方向において、前記第２接続部における同じ延在方向の１つの第１金属線と重なる。
いくつかの例では、前記第１接続部は複数の第１接続線を含み、前記仮想電極は前記複数の第１接続線のうちのいずれか２つの間に位置する。
いくつかの例では、前記仮想電極の前記第１導電層での正射影と前記第２接続部は少なくとも部分的に重なる。
いくつかの例では、前記仮想電極における少なくとも１つの第２金属線のそれぞれは前記第１導電層に垂直な方向において、前記第２接続部における同じ延在方向の１つの第１金属線と重なる。
いくつかの例では、前記第２接続部における前記仮想電極と重なる第１金属線は、隣接する第１電極本体部における第１金属線と、隙間により絶縁されており、前記仮想電極はさらに前記隙間を覆って、前記第１導電層に垂直な方向において前記隣接する第１電極本体部における第１金属線と重なる。
いくつかの例では、前記タッチ構造は複数の前記仮想電極を含み、前記第１接続部は前記第１方向に沿って延在する複数の第１接続線を含み、前記複数の仮想電極と前記複数の第１接続線は前記第２方向において交互に配列されている。
いくつかの例では、前記仮想電極は互いに接続される複数の第２金属線を含み、前記複数の第２金属線は同一直線上にあり、前記複数の第２金属線はそれぞれ第３方向に沿って延在し、前記仮想電極は隣接する２つの第２金属線の接続点から第４方向に沿って延在する分岐部をさらに含み、前記分岐部と前記第２接続部における前記第４方向に沿って延在する第１金属線は前記第１導電層に垂直な方向において重なり、前記第４方向が前記第３方向と異なる。
いくつかの例では、前記仮想電極は互いに接続される複数の第２金属線を含み、前記複数の第２金属線のうちの隣接する２つの第２金属線はそれぞれ異なる直線上にある。
いくつかの例では、前記仮想電極は互いに接続される複数の第２金属線を含み、前記複数の第２金属線のそれぞれは前記第２接続部における１つの第１金属メッシュに対応し、且つ対応する前記１つの第１金属メッシュにおける同じ延在方向の第１金属線と重なり、前記仮想電極の面積はＳ１であり、前記仮想電極の複数の第２金属線に対応するいずれか１つの第１金属メッシュの網孔の面積はＳ２であり、 ａ＜Ｓ１／Ｓ２＜ｂ を満たし、ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである。
いくつかの例では、前記仮想電極と前記隣接する２つの第１電極本体部のうちの少なくとも１つは前記第１導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。
いくつかの例では、前記仮想電極と前記隣接する２つの第２電極本体部のうちの少なくとも１つは前記第１導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。
いくつかの例では、前記タッチ構造は折り曲げ可能エリアを含み、前記第１接続部は前記折り曲げ可能エリアに位置する折り曲げ部を含み、前記折り曲げ部は少なくとも１つの第２金属線を含み、前記少なくとも１つの第２金属線に孔が設置され、前記孔径は前記第２金属線の線幅の２５％～９０％である。
いくつかの例では、前記第１接続部は複数の第２金属線を接続して形成した多角形を含み、前記多角形の少なくとも一部は前記折り曲げ部とされ、前記複数の第２金属線はそれぞれ前記第１導電層に垂直な方向において前記複数の第１金属線と重なる。
いくつかの例では、前記第１接続部はそれぞれ前記多角形の複数の頂点に接続される複数の第２金属メッシュをさらに含み、前記複数の第２金属メッシュはそれぞれ前記第１導電層に垂直な方向において前記第２接続部における複数の第１金属メッシュと重なり、前記絶縁層における対応する各第２金属メッシュの頂点にいずれもビアが設置され、前記第２金属メッシュにおける第２金属線は前記ビアによって前記第１接続部に隣接する第１電極本体部に電気的に接続される。
本開示の少なくとも１つの実施例はさらにタッチ表示パネルを提供するものであり、ベース基板、表示構造及び以上に記載のタッチ構造を含み、前記表示構造と前記タッチ構造は前記ベース基板に積層設置される。
いくつかの例では、前記表示構造は画素画定層と、アレイ状に配列される複数のサブ画素とを含み、前記複数のサブ画素のそれぞれは発光素子と、前記発光素子を駆動する画素回路とを含み、前記発光素子は第１電極、発光層及び第２電極を含み、前記発光層は前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、前記第１電極は前記第２電極の前記ベース基板に近い側に位置し、前記画素画定層は前記発光素子の第１電極を露出させる開口を含み、それにより前記サブ画素の画素開口エリアを定義し、前記複数の第１金属線と前記複数の第２金属線の前記ベース基板での正射影はいずれも前記複数のサブ画素の複数の画素開口エリアの前記ベース基板での正射影の外に位置する。
いくつかの例では、各第１金属メッシュの網孔の前記ベース基板での正射影は少なくとも１つの画素開口エリアの前記ベース基板での正射影を覆う。
いくつかの例では、前記画素回路は蓄積コンデンサを含み、前記仮想電極と蓄積コンデンサの少なくとも１つの蓄積電極は少なくとも部分的に重なる。
いくつかの例では、前記発光素子の第１電極は前記画素回路に電気的に接続され、前記仮想電極、前記発光素子の第１電極、前記蓄積電極はベース基板に垂直な方向において互いに重なる。
いくつかの例では、前記表示構造は前記画素画定層の前記ベース基板から離れた側に設置されるスペーサをさらに含み、前記仮想電極と前記スペーサは前記ベース基板に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。
いくつかの例では、前記仮想電極と前記第１接続部は第２金属線における断口により絶縁されており、前記断口は前記第２金属線を第１部分及び第２部分に分離し、前記第１部分は前記仮想電極に属し、前記第２部分は前記第１接続部に属し、前記第２金属線の平均長さＸＤ、平均幅ＹＤ、前記断口の寸法ＸＤＧａｐ、隣接する画素開口エリアの間隔ＳＧａｐは、 ０＜ＹＤ／ＳＧａｐ＜０．２ 、 ０．１＜ＸＤＧａｐ／Ｘ＜０．５ を満たす。
いくつかの例では、前記第１電極本体部と隣接する第２タッチ電極は第１金属線における断口により絶縁されており、前記断口は前記第１金属線を第１部分及び第２部分に分離し、前記第１部分は前記第１電極本体部に属し、前記第２部分は前記第２タッチ電極に属し、前記第１金属線の平均長さＸＤ、平均幅ＹＤ、前記断口の寸法ＸＤＧａｐ、隣接する画素開口エリアの間隔ＳＧａｐは ０＜ＹＤ／ＳＧａｐ＜０．２ 、 ０．１＜ＸＤＧａｐ／Ｘ＜０．５ を満たす。
いくつかの例では、前記複数のサブ画素は第１サブ画素を含み、前記第１サブ画素は第１色の光を発するように構成され、前記第１サブ画素の発光素子の発光層の前記ベース基板での正射影の面積はＳ３であり、前記第１サブ画素の画素開口エリアの前記ベース基板での正射影は前記複数の第１金属メッシュにおける１つの網孔の前記ベース基板での正射影内に位置し、前記第１金属メッシュの網孔の面積はＳ４である。
いくつかの例では、前記第１サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、 ０＜Ｓ４／Ｓ３＜０．８ であり、
前記第１サブ画素が青色サブ画素である場合、 ０．９＜Ｓ４／Ｓ３＜１ である。
いくつかの例では、前記第１サブ画素の発光素子の発光層の前記ベース基板での正射影は矩形であり、長さＸＦＭＭ及び幅ＹＦＭＭを有し、前記第１金属メッシュの網孔は長さＸ及び幅Ｙを有し、前記第１サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、 ０＜Ｘ／ＸＦＭＭ＜０．９ 、 ０＜（Ｘ×Ｙ）／（ＸＦＭＭ×ＹＦＭＭ）＜０．８ を満たし、前記第１サブ画素が青色サブ画素である場合、 ０．９５＜Ｘ／ＸＦＭＭ＜１ 、 ０．９＜（Ｘ×Ｙ）／（ＸＦＭＭ×ＹＦＭＭ）＜１ を満たす。
いくつかの例では、前記発光素子の第１電極は本体部及び延在部を含み、前記本体部と前記発光素子の属するサブ画素の画素開口エリアは前記ベース基板に垂直な方向において重なり、前記延在部と前記サブ画素の画素開口エリアは前記ベース基板に垂直な方向において重なっておらず、且つ前記延在部は前記サブ画素の画素回路に電気的に接続される。
いくつかの例では、前記複数のサブ画素は第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は異なる色の光を発するように構成され、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素の画素開口エリアの面積は順に減少する。
いくつかの例では、前記第１サブ画素の発光素子の第１電極の延在部と前記第１導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第１重なり面積を有し、前記第２サブ画素の発光素子の第１電極の延在部と前記第１導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第２重なり面積を有し、前記第３サブ画素の発光素子の第１電極の延在部と前記第１導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第３重なり面積を有し、前記第３重なり面積は前記第１重なり面積及び前記第２重なり面積のうちの少なくとも１つより大きい。
本開示の少なくとも１つの実施例は以上に記載のタッチ構造又はタッチ表示パネルを含む電子装置をさらに提供する。
本開示の実施例の技術案をさらに明確に説明するために、以下、実施例又は関連技術の説明に必要な図面について簡単に説明するが、明らかなように、下記に記載の図面は本開示のいくつかの実施例に係るものに過ぎず、本開示に対し制限するものではない。
相互静電容量式タッチ構造の原理図 相互静電容量式タッチ構造の原理図 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の模式図１ 本開示の実施例によるタッチ構造の原理図 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の模式図２ 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の模式図２ 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の模式図２ 本開示の他の実施例によるタッチ構造の模式図 本開示の他の実施例によるタッチ構造の模式図 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の断面図 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の断面図 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の断面図 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の模式図３ 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の模式図４ 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の模式図５ 図７の部分拡大模式図 図７の部分拡大模式図 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の模式図６ 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチパネルの模式図 本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ表示パネルの模式図 図１１Ａの断面線ＩＩＩ－ＩＩＩ′に沿う断面図 図１１Ａの部分拡大模式図 図１２Ａの断面線ＩＶ－ＩＶ′に沿う断面図 本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図 本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図 本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図 本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図 本開示の別の実施例によるタッチ表示パネルの模式図 本開示の別の実施例によるタッチ表示パネルの模式図 本開示の少なくとも１つの実施例によるファインメタルマスクの模式図 本開示の少なくとも１つの実施例によるファインメタルマスクの模式図 本開示の少なくとも１つの実施例による電子装置の模式図
以下、図面を参照して、本開示の実施例の技術案を明確且つ完全に説明し、図面に示され且つ以下の説明において詳しく説明される制限的ではない例示的な実施例を参照して、本開示の例示的な実施例及びそれらの複数の特徴や有利な細部をさらに網羅的に説明する。なお、図に示される特徴は必ずしも実際の縮尺で描かれたものであるとは限らない。本開示では、本開示の例示的な実施例を明確にするために、既知の材料、コンポーネント及びプロセス技術の説明は省略する。与えられた例は本開示の例示的な実施例の実施を理解しやすくし、さらに当業者が例示的な実施例を実施できるようにすることだけを意図している。従って、これらの例は本開示の実施例の範囲を制限するものであると理解されるべきではない。
特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解される一般的な意味を有すると理解すべきである。本開示に使用される「第１」、「第２」及び類似の用語はいかなる順序、数又は重要性を示すものでもなく、異なる構成部分を区別するものに過ぎない。「含む」又は「包含」等の類似の用語とは該用語の前に出現する素子又は物品が該用語の後で列挙した素子又は物品及びその同等物を含むが、他の素子又は物品を排除しないことを意味する。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を示すためのものに過ぎず、説明対象の絶対位置が変化すると、該相対位置関係も対応して変化する。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示パネルは自己発光で、コントラストが高く、消費電力が少なく、視野角が広く、応答速度が速く、フレキシブルパネルに使用でき、使用温度範囲が広く、製造しやすいという特徴を有し、将来性が期待される。ユーザーの多様化ニーズを満たすために、表示パネルにおいて複数の機能、例えばタッチ機能、指紋認識機能等が統合され、重要な意味を有する。例えば、ＯＬＥＤ表示パネルにおいてオンセル（ｏｎ－ｃｅｌｌ）タッチ構造を形成することは実現方式の１つであり、該方式はタッチ構造をＯＬＥＤ表示パネルのパッケージ膜に形成することにより、表示パネルのタッチ機能を実現する。
例えば、相互静電容量式タッチ構造は複数のタッチ電極を含み、該複数のタッチ電極は異なる方向において延在するタッチ駆動電極及びタッチ感知電極を含み、タッチ駆動電極Ｔｘとタッチ感知電極Ｒｘは互いに交差する箇所でタッチ検知のための相互コンデンサを形成する。タッチ駆動電極Ｔｘは励起信号（タッチ駆動信号）を入力することに用いられ、タッチ感知電極Ｒｘはタッチ検知信号を出力することに用いられる。例えば、縦方向において延在するタッチ駆動電極に励起信号を入力し、例えば横方向において延在するタッチ感知電極からタッチ検知信号を受信することにより、横方向及び縦方向の電極結合点（例えば、交差点）の容量値の大きさを示す検出信号を取得することができる。指がタッチパネル（例えば、カバーガラス）に触れるとき、タッチ点近傍のタッチ駆動電極とタッチ感知電極との結合に影響を与え、それによりこの２つの電極の交差点での相互コンデンサの容量を変化させ、これにより、タッチ検知信号が変化する。タッチ検知信号に基づくタッチパネルの２次元容量変化量のデータに基づいて、タッチ点の座標を計算することができる。
図１Ａ及び図１Ｂは相互静電容量式タッチ構造の原理図である。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、タッチ駆動回路１３０の駆動によって、タッチ駆動電極Ｔｘにタッチ駆動信号が印加され、これにより、電界線Ｅを生成し、該電界線Ｅがタッチ感知電極Ｒｘにより受信されて参照容量Ｃ０を形成する。指がタッチパネル１１０に触れるとき、人体が導体であるため、タッチ駆動電極Ｔｘにより生成された一部の電界線Ｅは指にガイドされて指容量（Ｆｉｎｇｅｒ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を形成し、タッチ感知電極Ｒｘにより受信された電界線Ｅを減少させ、従って、タッチ駆動電極Ｔｘとタッチ感知電極Ｒｘとの間の容量値が減少する。タッチ駆動回路１３０はタッチ感知電極ＲＸによって上記容量値の大きさを取得して、参照容量Ｃ０と比較することにより容量値変化量ΔＣを取得し、該容量値変化量ΔＣのデータ及び各タッチコンデンサの位置座標に基づいて、タッチ点の座標を計算することができる。
いくつかのタッチ表示装置において、タッチ電極が表示効果を損なうことを回避するように、透明な金属酸化物材料、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）でタッチ検知のためのタッチ電極を形成する。しかし、インジウムは希少金属であり、入手されにくく且つ高価であるため、市場上の競争に不利になる。また、酸化インジウムスズはさらに、黄化されやすく、破損されやすく、可とう性がなく、抵抗値が高いという問題を有する。従って、近年、導電性細い配線により形成された金属メッシュ（ｍｅｔａｌ ｍｅｓｈ）でタッチ電極を形成することが開発されている。該金属メッシュは比較的低い抵抗を有するだけでなく、さらに良好な延性及び柔軟性を有し、タッチ電極の耐折り曲げ性及び加工性を向上させることができ、フレキシブル電子用途に適用される。
発明者は、金属メッシュの金属線の抵抗がより低く、わずかに変化する容量に対して、より敏感であることを見出した。従って、金属メッシュにより形成されたタッチ駆動電極Ｔｘとタッチ感知電極Ｒｘはそれらの交差箇所でコンデンサを形成するとき、該コンデンサを流れる瞬時電流が比較的大きく（金属線の抵抗損失が小さいため）、それに対して、指容量（Ｆｉｎｇｅｒ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）による電流変化の占有する比率が比較的小さいため、参照容量Ｃ０に対する指のタッチによる容量変化量ΔＣの占有比率が比較的小さく、それによりタッチ構造の検出感度及び検出効果を損なってしまう。
タッチ駆動電極Ｔｘとタッチ感知電極Ｒｘとの間の結合容量は主にそれらの交差箇所で結合されることで形成されるため、本開示の少なくとも１つの実施例はタッチ構造を提供するものであり、該タッチ構造はタッチ駆動電極とタッチ感知電極との交差箇所又は近傍に仮想電極が設置され、該仮想電極はタッチ駆動電極Ｔｘとタッチ感知電極Ｒｘとの交差部分（即ち、接続部又はブリッジ部）に結合されるように構成され、それにより該タッチ駆動電極Ｔｘから該タッチ感知電極Ｒｘに到達する電界線Ｅを減少することができ、例えば、該仮想電極は該タッチ駆動電極Ｔｘにより生じた一部の電界線を阻止し又は引き出すことができ、これにより、該タッチ感知電極Ｒｘが受信した電界線を減少させる。そうすると、該タッチ駆動電極Ｔｘとタッチ感知電極Ｒｘとの間の参照容量Ｃ０を低減することができ、これにより、該参照容量Ｃ０に対する指のタッチによる容量変化量ΔＣの占有比率を増大させることができ、それにより該タッチ構造の検出感度及び検出効果を向上させる。例えば、該仮想電極と該ブリッジ部は該タッチ駆動電極Ｔｘ又は該タッチ感知電極Ｒｘに垂直な方向において重なり、該仮想電極と該ブリッジ部は縦方向の電界線により互いに結合され、又は、該仮想電極と該ブリッジ部は該タッチ駆動電極Ｔｘ又は該タッチ感知電極Ｒｘに垂直な方向において重なっておらず、該仮想電極と該ブリッジ部は横方向の電界線により互いに結合される。
また、該仮想電極と該第１タッチ電極の第１接続部は同一層に絶縁して設置され、同一パターニングプロセスにおいて形成されてもよく、且つさらなるプロセスを追加する必要がない。
図２Ａは本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ構造の構造模式図である。図２Ａに示すように、該タッチ電極構造は第１方向Ｄ１に沿って延在する複数の第１タッチ電極２１０（Ｔ１～Ｔｎ）と、第２方向Ｄ２に沿って延在する複数の第２タッチ電極２２０（Ｒ１～Ｒｎ）とを含む。例えば、該第１タッチ電極２１０は、例えば駆動回路（例えば、駆動ＩＣ）からのタッチ駆動信号を受信するタッチ駆動電極であり、第２タッチ電極２２０は、例えば駆動回路に戻るタッチ検知信号を伝送するタッチ感知電極である。しかし、本開示の実施例はこれを制限しない。他の例では、第１タッチ電極２１０はタッチ感知電極であってもよく、第２タッチ電極２２０はタッチ駆動電極である。
該第１タッチ電極２１０は該第１方向Ｄ１に沿って順に配置される複数の第１電極本体部２１１と、隣接する２つの第１電極本体部２１１を電気的に接続する第１接続部２１２とを含み、これにより、複数の第１接続部２１２は複数の第１電極本体部２１１を第１方向Ｄ１に沿って順に直列接続する。該第２タッチ電極２２０は該第２方向Ｄ２に沿って順に配置される第２電極本体部２２１と、隣接する２つの第２電極本体部２２１を電気的に接続する第２接続部２２２とを含み、これにより、複数の第２接続部２２２は複数の第２電極本体部２２１を第１方向Ｄ１に沿って順に直列接続する。図２Ａに示すように、各第１電極本体部２１１及び第２電極本体部２２１の本体の輪郭はいずれも菱形である。他の例では、該第１電極本体部２１１と第２電極本体部２２１は他の形状、例えば三角形、矩形、帯状等の形状であってもよい。例えば、本開示の実施例の第１接続部２１２と第２接続部２２２は第１タッチ電極２１０と第２タッチ電極２２０がベース基板に垂直な方向、又は該第１タッチ電極２１０の位置する導電層に垂直な方向において互いに重なる部分又は範囲であってもよい。
各第１タッチ電極２１０と各第２タッチ電極２２０は互いに絶縁して交差して、交差箇所で複数のタッチユニット２００を形成し、該複数のタッチユニット２００は検出領域において例えばアレイ状に配列され、これにより、例えば２つの座標により位置決めを行うことができ、各タッチユニット２００は交差箇所で接続される２つの第１電極本体部２１１のそれぞれの一部と、該交差箇所で接続される２つの第２電極本体部２２１のそれぞれの少なくとも一部とを含む。
図２Ａでは、右側に１つのタッチユニット２００の拡大模式図を示す。図示のように、各タッチユニット２００は互いに隣接する２つの第１電極本体部２１１のそれぞれの半分領域と、互いに隣接する２つの第２電極本体部２２１のそれぞれの半分領域とを含み、即ち、均等に１つの第１電極本体部２１１の領域及び１つの第２電極本体部２２１の領域を含み、各タッチユニット２００の第１電極本体部２１１と第２電極本体部２２１との合流点（即ち、第１接続部と第２接続部との交差箇所）は座標を計算するための基準点を形成する。指がタッチパネルに触れるとき、タッチ点近傍の第１タッチ電極と第２タッチ電極との結合に影響を与え、それによりこの２つの電極間の相互容量を変化させる。生じたタッチ検知信号はタッチパネルの容量変化量ΔＣに基づいて変化し、これにより、該基準点に基づいて各タッチ点の座標を計算することができる。例えば、各タッチユニット２００の面積は人の指がタッチパネルに接触する面積に相当し、該タッチユニットの面積が大きすぎると、パネルにタッチ盲点があり、該タッチユニットの面積が小さすぎると、誤タッチ信号が生成される。
各タッチユニット２００の平均辺長はＰであり、該タッチ構造のピッチ（Ｐｉｔｃｈ）と称される。例えば、該ピッチＰの大きさの範囲は３．７ｍｍ～５ｍｍであり、例えば約４ｍｍであり、それは普通の人の指がタッチパネルに接触する平均直径が約４ｍｍ程度であるためである。例えば、該ピッチの大きさは各第１電極本体部２１１の平均辺長及び各第２電極本体部２２１の平均辺長と同じであり、隣接する第１電極本体部２１１の中心距離、隣接する第２電極本体部２２１の中心距離とも同じである。図３Ａは該タッチ構造の該第１タッチ電極と第２タッチ電極との合流点での拡大模式図であり、図３Ｂに第１導電層２０１を示し、図３Ｃに第２導電層２０２を示す。該第１導電層２０１は複数の第１金属線２１により形成される複数の第１金属メッシュ２１３を含み、複数の第１電極本体部２１１のそれぞれ、複数の第２電極本体部２２１のそれぞれ及び該第２接続部２２２はそれぞれ複数の第１金属メッシュ２１３を含む。該第２導電層２０２は複数の第２金属線２２を含む。明確のために、図３Ａでは、より太いラインで第２導電層における第２金属線を示すが、本開示を制限するものではなく、第２金属線の平均線幅は第１金属線の平均線幅より大きく、第１金属線の平均線幅より小さく、又は第１金属線の平均線幅に等しくてもよい。以下の各実施例はそれと同じであり、ここで詳細な説明は省略する。
図３Ｂでは、破線で第１電極本体部２１１と第２タッチ電極２２０との隙間を示し、以下の実施例はそれと同じであり、ここで詳細な説明は省略する。第１電極本体部２１１における第１金属線と第２タッチ電極２２０における第１金属線は第１金属線における断口２６０により互いに絶縁されており、該断口は位置する第１金属線２６０を互いに絶縁される２つの部分に分離し、該２つの部分はそれぞれ第１電極本体部２１１及び第２タッチ電極２２０に属する。
図３Ａ～図３Ｃを参照すれば、該複数の第１電極本体部２１１、複数の第２電極本体部２２１及び第２接続部２２２は第１導電層２０１に位置し、該第１接続部２１２は第２導電層２０２に位置する。該第１導電層２０１と該第２導電層２０２は絶縁層２０３により隔てられ、第１接続部２１２は絶縁層２０３におけるビア２４０によって隣接する第１電極本体部２１１に電気的に接続される。
例えば、該第１導電層２０１、絶縁層２０３及び第２導電層２０２は基板３０に順に設置される。例えば、該基板３０はフレキシブル基板又は剛性基板であってもよい。例えば、該基板３０は１つの表示パネルであってもよく、又は１つの表示パネルに含まれる平面構造、例えば表示側の基板であり、該基板に他の構造、回路又は機能モジュールがさらに形成されてもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。該基板３０は該タッチ構造２０を形成するベースを提供し、本開示の実施例は基板の具体的な構造を制限しない。
図４Ａは図３Ａの断面線Ｉ－Ｉ′に沿う断面図であり、図４Ｂは図３Ａの断面線ＩＩ－ＩＩ′に沿う断面図である。図４Ａ～図４Ｂに示すように、該第１導電層２０１は第２導電層２０２より該基板３０に近い。該第１導電層２０１は該タッチ構造２０におけるほとんどの構造を含むため、該第１導電層２０１を該基板３０に近く設置することにより、第２導電層２０２におけるパターンが該第１導電層２０１の平坦度を損なうことを回避することができ、第１導電層２０１における電極構造の品質を向上させる。他の例では、該第２導電層２０２を基板３０に近く設置してもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。
図３Ａ及び図４Ａを参照すれば、該第１接続部２１２と該第２接続部２２２はタッチ検出のための参照容量Ｃ０を形成するように、第１導電層２０１に垂直な方向において重なる。
該第１金属メッシュ２１３の形状は例えば矩形であり、該矩形の２つの辺はそれぞれ第３方向及び第４方向に沿って延在し、該第３方向と第４方向はそれぞれ第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と同じであってもよく、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２といずれも異なってもよい。本開示はこれを制限しない。以下、該第３方向と第４方向は第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と同じである場合を例として説明する。
図３Ａ及び図４Ｂを参照すれば、該タッチ構造２０は該第２導電層２０２に位置する仮想電極２３０をさらに含み、該仮想電極２３０は隣接する２つの第１電極本体部２１１の間に位置し、且つ該第１タッチ電極２１０及び該第２タッチ電極２２０といずれも絶縁されている。
図２Ｂは本開示の実施例によるタッチ構造の原理図である。図２Ｂに示すように、第１タッチ電極と第２タッチ電極との交差箇所又は近傍（例えば、第１接続部２１２と第２接続部２２２との間）に該仮想電極２３０を設置することにより、該第１接続部２１２が発する電界線の一部は該仮想電極２３０により受信され、それにより該仮想電極は例えば第１接続部２１２との効果的な結合を形成することができ、第１接続部２１２と第２接続部２２２との間の結合容量Ｃｂを低減し、それにより第１タッチ電極と第２タッチ電極との間の参照容量を低減する。本開示の実施例は該仮想電極の具体的な位置を制限せず、該仮想電極は第１タッチ電極と第２タッチ電極との交差箇所に位置してもよく、交差箇所近傍に位置してもよく、該仮想電極は該第１接続部２１２及び第２接続部２２２のうちの少なくとも１つとの結合を形成し、第１接続部２１２と第２接続部２２２との間の結合容量Ｃｂを効果的に低減すればよい。例えば、第１接続部２１２と第２接続部２２２との交差箇所又は近傍において、該仮想電極２３０は第１接続部２１２の内部に位置し第１導電層に垂直な方向において第２接続部２２２と重なってもよく、該仮想電極２３０は第１接続部の外部に位置してもよく（即ち、該第１接続部と重なっていない）、例えば、第１導電層に垂直な方向において該第１接続部２１２に隣接する２つの第１本体部２１１のうちの少なくとも１つと重なり、又は第１導電層に垂直な方向において該第１接続部に隣接する２つの第２本体部２２２のうちの少なくとも１つと重なる。例えば、仮想電極２３０が第１接続部の外部に位置してもよい場合、第１接続部での金属線がより密集することを回避することができ、プロセス難度を低減する。
本開示の実施例は仮想電極の具体的な位置を制限せず、該仮想電極は該第１接続部及び該第２接続部のうちの少なくとも１つとの結合を形成すればよい（例えば、電界により結合される）。このような設置によって、仮想電極の位置をより柔軟にし、設置しやすくする。
例えば、少なくとも１つの第１金属線２３１の延在方向と仮想電極の延在方向は同じであり、且つ、該第１導電層２０１に垂直な方向において、該仮想電極は該少なくとも１つの第１金属線２３１と重なる。
例えば、該仮想電極２３０は１つ又は複数の第２金属線２３２を含み、該仮想電極２３０における各第２金属線２３２はいずれも、第１導電層２０１に垂直な方向において１つの同じ延在方向の第１金属線２３１と重なる。
例えば、該仮想電極２３０と該第１接続部２１２はそれぞれ少なくとも１つの第２金属線２２を含み、該仮想電極２３０の該第１導電層２０１での正射影と該第２接続部２２２は少なくとも部分的に重なる。このような設置は該仮想電極２３０を第１接続部２１２と第２接続部２２２との合流箇所又は近傍に位置させ、それにより該仮想電極２３０は第１タッチ電極２１０と第２タッチ電極２２０との間の結合電界及び結合容量（即ち、参照容量Ｃ０）を効果的に減少させることができ、該タッチ構造の検出感度及び検出効果を向上させる。例えば、該仮想電極２３０はフローティング電極であり、即ち、いかなる電気信号を読み込まない。
例えば、該第１接続部２１２は互いに分離する複数の接続線を含んでもよく、又は互いに接続される複数の接続線からなる多角形を含み、第１方向Ｄ１における隣接する２つの第１電極本体部を電気的に接続すればよく、本開示の実施例は該第１接続部２１２の具体的なパターンを制限しない。
例えば、図３Ａ及び図４Ａに示すように、該第１接続部２１２は第３方向に沿って延在する少なくとも１つの第１接続線２１５を含み、該第１接続線２１５は少なくとも１つの第２金属線２２を含み、且つ絶縁層２０３におけるビア２４０によって隣接する２つの第１電極本体部２１１に電気的に接続される。以下、該第３方向及び第１方向Ｄ１を例として説明するが、これは本開示の実施例を制限するものではない。他の例では、該第３方向及び以下の第４方向は第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２といずれも異なってもよい。別の例では、該仮想電極と該第１接続線はそれぞれ折れ線形状であってもよい。本開示の実施例はこれを制限しない。
例えば、該第１接続部２１２における各第２金属線２２と第２接続部２２２における第１方向Ｄ１に沿って延在する第１金属線２１は第１導電層２０１に垂直な方向において重なる。例えば、基板３０が１つの表示パネルである場合、このような設置は表示パネルの表示光に対するタッチ構造中の金属線の遮蔽をできる限り低減し、表示パネルの開口率を増大させることができる。
なお、本開示の少なくともいくつかの実施例では、第１金属線とは第１金属メッシュの隣接する２つの頂点の間に接続される金属線を指し、即ち各第１金属線は第１金属メッシュの１つの辺に対応し、第２金属線とは第１導電層に垂直な方向において第１金属メッシュの１つの辺（即ち、１つの第１金属線）と重なる第２導電層における金属線部を指し、即ち各第２金属線は１つの第１金属線に対応する。以下の各実施例はこれと同じであり、ここで詳細な説明は省略する。
例えば、該第１金属メッシュ２１３の形状は矩形であり、他の例では、該第１金属メッシュ２１３の形状はさらに他の四角形（例えば、菱形）又は他の多角形（例えば、五角形、六角形等）であってもよく、別の実施例では、該第１金属メッシュ２１３はさらに折れ線又は円弧線（例えば、円形、半円形又は楕円形）を含んでもよい。本開示の実施例は第１金属メッシュ２１３の形状を制限せず、その形状は実際の必要に応じて設計されてもよい。例えば、該タッチ構造２０はタッチ表示パネルに適用されるとき、該第１金属メッシュはその対応するサブ画素の画素開口エリアの形状にマッチングすればよい。同様に、該第１金属線２１と第２金属線２２は折れ線又は円弧又はその対応するサブ画素の画素開口エリアの形状にマッチングする任意の曲線を含んでもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。以下、該第１金属メッシュが矩形である場合を例として本開示の実施例について説明し、該第１金属メッシュを形成する第１金属線はそれぞれ第３方向及び第４方向に沿って延在し、該第３方向と第４方向はそれぞれ第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と同じであってもよく、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２といずれも異なってもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。
例えば、該仮想電極２３０は該第１接続線の延在方向と同じく、且つ、第１導電層２０１に垂直な方向において第２接続部２２２における同じ延在方向の第１金属線２１と重なる。例えば、仮想電極２３０は互いに接続される複数の第２金属線２２を含み、該複数の第２金属線２２はそれぞれ第１導電層２０１に垂直な方向において第２接続部２２２における複数の第１金属線２１と重なる。図３Ａ及び図４Ｂに示すように、各第２金属線２２はそれぞれ該第２接続部２２２における１つの第１金属メッシュ２１３に対応し、該第２金属線２２は対応する第１金属メッシュ２１３における同じ延在方向の第１金属線と重なる。例えば、該仮想電極２３０と該第１接続線はいずれも第１方向に沿って延在する。他の例では、該仮想電極及び該第１接続線の延在方向は第１金属線の延在方向が変化するにつれて適応的に変化し、それにより第２金属線と第１金属線ができる限り重なるように確保する。
例えば、該仮想電極２３０は該第１接続部２１２における２つの第１接続線２１５の間に位置する。しかし、本開示の実施例はこれを制限せず、他の例では、該仮想電極２３０は第１接続部２１２外に位置してもよい。
図３Ａ及び図４Ｂに示すように、第２接続部２２２における第１金属線２１は、隣接する第１電極本体部２１１における第１金属線２１と、隙間２５０により絶縁されており、該仮想電極２３０に該隙間２５０の少なくとも一部が露出する。他の例では、図４Ｃに示すように、該仮想電極はさらに該隙間２５０を覆い、第１導電層２０１に垂直な方向において該隣接する第１電極本体部２１１における第１金属線２１と重なる。
例えば、該タッチ構造２０は複数の仮想電極２３０を含んでもよく、該複数の仮想電極２３０は第３方向に沿って延在し、複数の仮想電極２３０と複数の第１接続線２１５は第４方向において交互に配列されている。例えば、該仮想電極２３０と隣接する第１接続線２１５との間隔は１つの第１金属メッシュ２１３の辺長に対応する。例えば、該第３方向は第１方向Ｄ１と同じであり、第４方向は第２方向Ｄ２と同じであるが、これは本開示の実施例を制限するものではない。
図３Ｄ及び図３Ｅは本開示の他の実施例によるタッチ構造の模式図である。図３Ｄに示すように、該仮想電極２３０と第２本体部２２２は第１導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。例えば、該仮想電極は該第２本体部における同じ延在方向の第１金属線と重なる。例えば、該仮想電極２３０は第１方向に沿って延在し、且つ第１導電層での正射影と第１接続部における該仮想電極に最も近い第１金属線との間に多くとも４行の金属メッシュが存在し、それにより該仮想電極が第１接続部及び／又は第２接続部に効果的に結合されるように確保する。
図３Ｅに示すように、該仮想電極２３０と第１本体部２１１は第１導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。例えば、該仮想電極は該第１本体部における同じ延在方向の第１金属線と重なる。例えば、該仮想電極２３０は第２方向に沿って延在し、且つ第１導電層での正射影と第２接続部における該仮想電極に最も近い第１金属線との間に多くとも３列の金属メッシュが存在し、それにより該仮想電極が第１接続部及び／又は第２接続部に効果的に結合されるように確保する。他の例では、図５に示すように、仮想電極２３０は第４方向に沿って延在し、該第４方向は第３方向と異なる。例えば、該第３方向は第１方向と同じであり、第４方向は第２方向と同じであるが、これは本開示の実施例を制限するものではない。図５に示すように、該仮想電極２３０は第１導電層２０３に垂直な方向において、第２接続部２２２における同じ延在方向の第１金属線２１と重なる。例えば、該仮想電極は隣接する第１接続線２１５の間に位置してもよく、且つ絶縁のために該隣接する第１接続線２１５と間隔を置いて設置される。
別の例では、該仮想電極２３０は第１方向Ｄ１に沿って延在する第２金属線２２と、第２方向Ｄ２に沿って延在する第２金属線２２とをさらに同時に含んでもよく、例えば、該仮想電極における第１方向Ｄ１に沿って延在する第２金属線２２と第２方向Ｄ２に沿って延在する第２金属線２２はそれぞれ第１導電層２０１に垂直な方向において、第２接続部２２２における第１方向Ｄ１に沿って延在する第１金属線２１、第２方向Ｄ２に沿って延在する第１金属線２１と重なる。このような設置は有効な空間内で仮想電極の面積を増大することができ、それにより第１タッチ電極２１０と第２タッチ電極２２０との間の電界線に対してより良い遮蔽作用を果たし、参照容量Ｃ０を更に低減し、これにより、タッチ感度を向上させる。例えば、該仮想電極はＬ型又は十字型であり、本開示の実施例はこれを制限しない。
図６は本開示の他の実施例によるタッチ構造の模式図である。図６に示すように、仮想電極２３０は互いに接続され且つ第１方向Ｄ１に沿って延在する複数の第２金属線２２を含み、各第２金属線２２はそれぞれ第２接続部２２２における１つの第１金属メッシュ２１３に対応し、該第２金属線２２は対応する第１金属メッシュ２１３における第１方向Ｄ１に沿って延在する第１金属線２１と重なる。
図６では、右側に該仮想電極の拡大模式図を示し、図示のように、該仮想電極２３０における第１方向Ｄ１に沿って延在する複数の第２金属線２２は同一直線上にある。該仮想電極２３０は隣接する２つの第２金属線２２の接続点から第２方向Ｄ２に沿って延在する分岐部２３１をさらに含み、該分岐部２３１は該第１導電層２０１に垂直な方向において、該第２接続部２２２における第２方向Ｄ２に沿って延在する第１金属線２１と重なる。例えば、第１導電層２０１に垂直な方向において、各接続点はそれぞれ第１金属メッシュの頂点と重なる。例えば、第２方向Ｄ２において、該分岐部２３１の長さは対応する第１金属メッシュ２１３の辺長より小さく、それにより第１接続線２１４と間隔を置いて絶縁されている。
このような設置は有効な空間内で仮想電極の面積を増大することができ、それにより第１タッチ電極２１０と第２タッチ電極２２０との間の電界線に対してより良い遮蔽作用を果たし、参照容量Ｃ０を更に低減し、これにより、タッチ感度を向上させる。
例えば、図６に示すように、該仮想電極２３０は隣接する第１電極本体部２１１と第２接続部２２２との間の隙間を覆い、該第１電極本体部２１１における第１金属線２１と重なるように第１方向Ｄ１において延在する。
図７は本開示の別の実施例によるタッチ構造の模式図である。図６に示される実施例との相違点は、図６に示される仮想電極２３０における第１方向Ｄ１に沿って延在する複数の第２金属線２２のうち隣接する２つの第２金属線２２が同一直線上ではなく、即ちそれぞれ異なる直線上にあることである。例えば、該仮想電極２３０は折れ線状である。例えば、該仮想電極２３０に対応する、第１方向Ｄ１において順に接続される複数の第１金属メッシュ２１３のサイズは同じではなく、例えば、第２方向Ｄ２における寸法が同じではなく、又は該複数の第１金属メッシュ２１３の配列にずれが存在し、これらはいずれも該複数の第１金属メッシュ２１３の隣接する頂点が一点に合流しないことを引き起こし、従って、該複数の第１金属メッシュの輪郭は折れ線状である。それに対応して、第１導電層２０３に垂直な方向において該複数の第１金属メッシュの輪郭と重なるように、該仮想電極２３０も折れ線状である。例えば、該第１接続部２１２における第１接続線２１５も折れ線状である。
例えば、仮想電極２３０の面積はＳ１であり、該仮想電極２３０の該第１導電層での射影と該第１導電層における第１金属線２１とにより定義されたいずれか１つのメッシュの網孔の面積はＳ２であって、 ａ＜Ｓ１／Ｓ２＜ｂ を満たし、
ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである。例えば、０．１＜ａ＜０．２、０．１２＜ｂ＜０．２４であり、ａ＜ｂである。
ここのメッシュは仮想電極と第１導電層における第１金属線２１とにより定義されたものであり、該第１導電層には該仮想電極と重なる第１金属線２１が存在してもよく、又は該仮想電極と重なる第１金属線２１が存在しなくてもよく、本開示の実施例はこれを制限せず、即ち、該メッシュは第１金属線２１を接続して形成した実際に存在するメッシュであってもよく、仮想電極の第１導電層での射影と第１導電層における第１金属線とにより定義された仮想メッシュであってもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。
例えば、図３Ａ及び図３Ｃに示すように、仮想電極２３０は矩形であり、該矩形の長さと幅はそれぞれＸＤとＹＤであり、該仮想電極２３０の第１導電層での射影と第１導電層における第１金属線とにより定義されたいずれか１つのメッシュの網孔の面積はＳ２であり、図３Ａに示すように、該仮想電極２３０の第１導電層での射影と第１導電層における第１金属線はＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つのメッシュを定義し、従って、Ｓ２は該４つのメッシュのうちのいずれか１つの網孔の面積であってもよい。該メッシュの網孔は矩形であり、該網孔の長さと幅はそれぞれＸとＹであり、 ａ＜（ＸＤ×ＹＤ）／（Ｘ×Ｙ）＜ｂ を満たし、
ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂであり、例えば、０．１＜ａ＜０．２、０．１２＜ｂ＜０．２４であり、ａ＜ｂである。
他の例では、該仮想電極２３０は互いに接続されるｎ個の矩形を含み、該ｎ個の矩形の長さはそれぞれＸ１、Ｘ２…Ｘｎであり、幅はいずれもＹＤであり、ｎは１より大きい整数であり、メッシュの網孔は矩形であり、該網孔の長さと幅はそれぞれＸとＹであり、 ａ＜（ＸＤ×ＹＤ）／（Ｘ×Ｙ）＜ｂ を満たし、
ここで、ＸＤ＝Ｘ１＋Ｘ２＋…＋Ｘｎであり、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである。例えば、０．１＜ａ＜０．２、０．１２＜ｂ＜０．２４であり、ａ＜ｂである。
図８Ａは図７における領域Ａの拡大模式図である。図７及び図８Ａに示すように、該仮想電極２３０は互いに接続される３つの第２金属線２２を含み、該仮想電極２３０の面積は該３つの第２金属線２２の総面積にほぼ等しくてもよく、該３つの第２金属線２２の長さはそれぞれＸ１、Ｘ２及びＸ３であり、各第２金属線２２の幅はＹＤである。ここで、第２金属線２２とは第２導電層における１つの第１金属メッシュの１つの辺に平行し且つ重なる導線範囲を指し、各第２金属線２２の長さ範囲は該第１金属メッシュに対応し、該第２金属線の長さとはその延在方向に沿う寸法を指し、幅とはその延在方向に直交する方向に沿う寸法を指す。各第２金属線２２に対応する第１金属メッシュ２１３の網孔は矩形であり、該矩形の長さと幅はそれぞれＸとＹである。従って、上記Ｓ１＝ＸＤ＊ＹＤ、ＸＤ＝Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３、Ｓ２＝Ｘ＊Ｙであり、且つ、 ａ＜（ＸＤ×ＹＤ）／（Ｘ×Ｙ）＜ｂ を満たし、
ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、例えば、０．１＜ａ＜０．２、０．１２＜ｂ＜０．２４であり、ａ＜ｂである。
例えば、該仮想電極２３０における複数の第２金属線２２に対応するいずれか１つの第１金属メッシュの網孔の面積はＳ２であり、 ａ＜Ｓ１／Ｓ２＜ｂ を満たし、
ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、例えば、０．１＜ａ＜０．２、０．１２＜ｂ＜０．２４であり、ａ＜ｂである。第２金属線２２が第１金属メッシュ２１３に対応することとは、該第２金属線２２が第１導電層２０１に垂直な方向において該第１金属メッシュ２１３における該第１金属線２１に平行する第１金属線２１と重なることを意味する。ここのＳ１とは仮想電極２３０の総面積を指し、Ｓ２とは第１導電層２０１に垂直な方向において該仮想電極２３０と重なるいずれか１つの第１金属メッシュ２１３の面積を指す。本実施例では、仮想電極の下方に第１金属線が存在し、該仮想電極と該第１導電層における第１金属線とにより定義されたメッシュは該仮想電極に対応する第１金属メッシュとして見なされてもよい。
図８Ｂに該領域Ａにおける第１導電層のパターンを示す。図８Ａ～図８Ｂには隣接する第１接続線２１５及び仮想電極２３０、並びにそれらの間に位置する第１金属メッシュ２１３を示す。該仮想電極２３０は３つの第２金属線２２を含み、延在範囲は同一行に位置する隣接する３つの第１金属メッシュ２１３に対応する。該３つの第１金属メッシュ２１３のサイズは互いに異なり、隣接する金属メッシュの頂点が重なっていない。該３つの第１金属メッシュ２１３は互いに絶縁され且つ第１方向Ｄ１において順に配列される３つの部分を含み、中間の部分は第２接続部２２２に属し、両側の部分はそれぞれ該第２接続部２２２に隣接し且つ絶縁される第１電極本体部２１１に属する。該第２接続部２２２はそれぞれ第１金属線２１における断口２６０によって該第１電極本体部２１１と間隔を置いて絶縁されている。ここで、各第２金属線２２とは第２導電層における１つの第１金属メッシュの１つの辺に平行し且つ重なる導線範囲を指し、該第２金属線２２の長さ範囲は該第１金属メッシュに対応する。
図８Ａ～図８Ｂに示すように、該仮想電極２３０は互いに接続される複数の矩形構造を含み、該仮想電極２３０の面積は該３つの第２金属線２２の総面積にほぼ等しくてもよく、該３つの第２金属線２２の長さはそれぞれＸ１、Ｘ２及びＸ３であり、各第２金属線２２の幅はＹＤである。ここで、第２金属線２２とは第２導電層における１つの第１金属メッシュの１つの辺に平行し且つ重なる導線範囲を指し、該第２金属線２２の長さ範囲は該第１金属メッシュに対応し、該第２金属線の長さとはその延在方向に沿う寸法を指し、幅とはその延在方向に直交する方向に沿う寸法を指す。各第２金属線２２に対応する第１金属メッシュ２１３の網孔は矩形であり、該矩形の長さと幅はそれぞれＸとＹである。従って、上記Ｓ１＝ＸＤ＊ＹＤ、ＸＤ＝Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３、Ｓ２＝Ｘ＊Ｙであり、且つ、 ａ＜（ＸＤ×ＹＤ）／（Ｘ×Ｙ）＜ｂ を満たし、
ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、例えば、０．１＜ａ＜０．２、０．１２＜ｂ＜０．２４であり、ａ＜ｂである。
以上は該第１金属メッシュが矩形である場合を例として説明したが、該第１金属メッシュが他の形状である場合、上記関係を満たすために、その網孔の面積を対応して計算して対応する設計を行うことができる。
なお、ここの第１金属メッシュは完全なメッシュではない可能性があり、その少なくとも１つの辺上の第１金属線に断口が存在する可能性があり、このような場合、該第１金属メッシュの網孔の面積とは該第１金属メッシュの各辺により定義された完全なメッシュの網孔の面積を指す。
該タッチ構造は表示装置に適用されるとき、上記設計によって、タッチ検出の感度を向上させるとともに、表示装置の開口率を向上させることにも役立ち、以下にこれを詳しく説明する。
図９は本開示の別の実施例によるタッチ構造の模式図である。例えば、該タッチ構造は折り曲げ可能エリア２８１を含み、該折り曲げ可能エリア２８１は例えば使用時に折り曲げられる領域である。該第１接続部２１２は該折り曲げ可能エリア２８１に位置する折り曲げ部２７１を含み、該折り曲げ部は少なくとも１つの第２金属線２２を含み、該少なくとも１つの第２金属線に孔２７０が設置され、その孔径は位置する第２金属線２２の線幅の２５％～９０％である。該孔は貫通孔である。
例えば、該仮想電極２３０に孔２３２が設置されてもよく、その孔径は例えば位置する第２金属線２２の線幅の２５％～９０％である。該孔は貫通孔である。
折り曲げ可能エリア２８１に位置する第２金属線２２に貫通孔を設置することにより、折り曲げ過程で該第２金属線２２が受けた応力を効果的に解放することができ、それにより該タッチ構造の耐折り曲げ性を向上させる。
例えば、図９に示すように、該第１接続部２１２は複数の第２金属線２２を接続して形成した多角形を含み、該多角形の少なくとも一部は該折り曲げ部２７１とされ、複数の第２金属線２２はそれぞれ第１導電層２０１に垂直な方向において複数の第１金属線２１と重なる。
例えば、該第１接続部はそれぞれ該多角形の複数の頂点に接続される複数の第２金属メッシュ２７２をさらに含み、複数の第２金属メッシュ２７２はそれぞれ前記第１導電層に垂直な方向において該第２接続部２２２における複数の第１金属メッシュと重なる。
例えば、絶縁層２０３における対応する各第２金属メッシュ２７２の頂点にはいずれもビア２４０が設置され、該第２金属メッシュ２７２における第２金属線２２は該ビア２４０によって該第１接続部２１２に隣接する第１電極本体部２１１に電気的に接続される。
例えば、図９に示すように、該第１接続部２１２に含まれる多角形は矩形であり、該矩形の４つの頂点にそれぞれ１つの第２金属メッシュ２７２が接続される。該第２金属メッシュ２７２は矩形であり、該第２金属メッシュ２７２の４つの頂点はそれぞれ第１金属メッシュ２１３の４つの頂点と重なり、第１接続部２１２と第１電極本体部２１１を電気的に接続するように、該第２金属メッシュ２７２の４つの頂点にそれぞれ１つのビア２４０が設置される。
このような設置によって、第１接続部２１２及び第１電極本体部２１１の接続ビアの数を増加させることができ、第１接続部２１２の耐折り曲げ性を向上させる。
例えば、各第２金属メッシュ２７２の少なくとも１つの頂点は折り曲げ可能エリア２８１外の非折り曲げエリアに位置する。例えば、各第２金属メッシュ２７２はいずれも非折り曲げエリアに位置する。
本開示の実施例は上記タッチ構造２０を含むタッチパネルをさらに提供する。図１０は本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチパネルの模式図である。図１０に示すように、該タッチパネル４０はタッチエリア３０１と、該タッチエリア３０１外に位置する非タッチエリア３０２とを含み、該タッチ構造２０は該タッチエリア３０１に位置する。例えば、該第１タッチ電極２１０は該矩形の長さ方向に沿って延在し、該第２タッチ電極２２０は該矩形の幅方向に沿って延在する。明確のために、図中には該第１タッチ電極及び第２タッチ電極の構造を詳しく示さない。
例えば、図１０に示すように、該タッチパネル４０は該非タッチエリア３０２に位置する複数の信号線４５０をさらに含む。各第１タッチ電極２１０と各第２タッチ電極２２０はそれぞれ１つの信号線４５０に電気的に接続され、且つ該信号線によってタッチコントローラ又はタッチ集積回路（図示せず）に接続される。例えば、第１タッチ電極２１０はタッチ駆動電極であり、第２タッチ電極２２０はタッチ感知電極であるが、本開示の実施例はこれを制限しない。
該タッチ集積回路は例えばタッチチップであり、該タッチパネル４０における第１タッチ電極２１０にタッチ駆動信号を提供して該第２タッチ電極２２０からタッチ検知信号を受信し、該タッチ検知信号を処理することに用いられ、例えば、タッチセンシング機能を実現するように、処理されたデータ／信号をシステムコントローラに提供する。
例えば、図１０に示すように、該複数の信号線４５０の該タッチ集積回路に接続される一端はいずれも該タッチエリア３０１の同一側（例えば、図１０の下側）に配置されてもよく、そうすると、該タッチ集積回路との接続を容易に実現することができる。
例えば、図１０に示すように、第１タッチ電極２１０は第２タッチ電極２２０より長く、負荷がより大きいので、信号伝送速度を向上させるために、１つの第１タッチ電極２１０の両端にそれぞれ１つの信号線４５０を設置することができ、動作時に該タッチ集積回路は同時に２つの信号線４５０によって１つの第１タッチ電極２１０にタッチ駆動信号を双方向に入力し（デュアルパス駆動）、第１タッチ電極２１０における信号を読み込む速度を向上させ、それにより検出速度を向上させることができる。
例えば、該第１導電層２０１又は第２導電層２０２の材料はアルミニウム、モリブデン、銅、銀等の金属材料又はこれらの金属材料の合金材料、例えば銀パラジウム銅合金（ＡＰＣ）材料を含む。
例えば、第１金属線２１又は第２金属線２２の平均線幅は３マイクロメートルである。例えば、金属線における断口２６０の幅（位置する金属線の長さ方向に沿う寸法）は５．２マイクロメートルである。
例えば、該絶縁層２０３の材料は無機絶縁材料であってもよく、例えば、該無機絶縁材料は透明材料である。例えば、該無機絶縁材料は酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等のシリコンの酸化物、シリコンの窒化物又はシリコンの窒素酸化物、又は酸化アルミニウム、窒化チタン等の金属窒素酸化物含有絶縁材料である。
例えば、該絶縁層２０３の材料は良好な耐折り曲げ性を得るように、有機絶縁材料であってもよい。例えば、該有機絶縁材料は透明材料である。例えば、該有機絶縁材料はＯＣＡ光学用接着剤である。例えば、該有機絶縁材料はポリイミド（ＰＩ）、アクリル酸エステル、エポキシ樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等を含んでもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例は上記いずれか１つの実施例によるタッチ構造２０を含むタッチ表示パネルをさらに提供する。
図１１Ａは本開示の少なくとも１つの実施例によるタッチ表示パネルの構造模式図であり、図１１Ｂは図１１Ａの断面線ＩＩＩ－ＩＩＩ′に沿う断面図である。
図１１Ａ～図１１Ｂを参照すれば、該タッチ表示パネル６０はベース基板１０１と、該ベース基板１０１に積層設置される表示構造５０及びタッチ構造２０とを含み、タッチ構造２０は表示構造５０上に位置し、且つ使用過程においてユーザー側により近い。
例えば、該タッチ表示パネルはＯＬＥＤ表示パネルであり、表示構造５０はアレイ状に配列される複数のサブ画素を含む。例えば、該複数のサブ画素は赤色サブ画素（Ｒ）、緑色サブ画素（Ｇ）及び青色サブ画素（Ｂ）を含む。各サブ画素は発光素子５１を含む。該表示構造は画素画定層５４をさらに含み、該画素画定層は各発光素子５１を露出させる第１電極の開口を含み、それにより各発光素子の位置するサブ画素の画素開口エリア５４０を定義する。該発光素子５１は例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。
本開示の実施例はサブ画素の配列方式を制限せず、図１１Ａでは帯状（Ｓｔｒｉｐｅ）画素配列方式で例示的に説明し、他の例では、該サブ画素はさらにモザイク（Ｍｏｓａｉｃ）配列方式、Ｄｅｌｔａ配列方式、Ｐｅｎｔｉｌｅ及び他の画素レンダリング方式（Ｓｕｂ－Ｐｉｘｅｌ Ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ、ＳＰＲ）で配列されてもよい。
図１１Ａには矩形枠で各サブ画素の画素開口エリア５４０を模式的に示す。しかし、本開示の実施例は画素開口エリアの形状を制限せず、他の例では、該画素開口エリア５４０の平面形状はさらに他の多角形（菱形、五角形、六角形等）又は他の形状であってもよい。
複数の第１金属線２１と複数の第２金属線２２のベース基板１０１での正射影はいずれも複数のサブ画素の複数の画素開口エリア５４０のベース基板１０１での正射影の外に位置し、即ち画素開口エリアの間の画素分離エリア５４１のベース基板１０１での正射影内に位置し、該画素分離エリア５４１は該画素画定層５４の非開口エリアである。該画素分離エリア５４１は複数のサブ画素の画素開口エリアを分離し、各サブ画素の発光層を分離し、クロスカラーを防止することに用いられる。
例えば、該金属メッシュにより形成されるタッチ電極を表示パネルに統合するとき、金属線が光を遮蔽して、画素開口率が低下することを回避するように、金属メッシュにおける金属線は表示パネルの画素開口エリア外に設置される必要がある。例えば、金属メッシュにおける金属線は画素開口エリアの間の画素分離エリアに対応して設置される。例えば、各第１金属メッシュ２１３の網孔のベース基板１０１での正射影は少なくとも１つの画素開口エリア５４０の正射影を覆う。例えば、第１金属メッシュ２１３の網孔は各サブ画素の発光素子の画素開口エリア５４０を露出させるように、画素開口エリアに１対１で対応して設置される。他の例では、少なくとも１つの第１金属メッシュ２１３の網孔は少なくとも２つのサブ画素の画素開口エリアを覆う。本開示の実施例はこれを制限しない。
例えば、該表示構造５０はスペーサ層（ｓｐａｃｅｒ ｌａｙｅｒ）５５をさらに含み、該スペーサ層５５は蒸着によって有機発光層５１３を形成する際に蒸着マスクを支えることに用いられてもよく、それにより画素画定層５４と蒸着マスクを分離して画素画定層５４を保護し、スペーサ層５５はさらに隣接する有機発光層をさらに分離する役割を果たすことができる。スペーサ層５５は一般的に間隔を置いて設置される複数のスペーサ５５０を含み、スペーサ５５０の形状は一般的に矩形、柱状、球状、半球状であるが、それらに限らない。
例えば、該画素画定層５４とスペーサ層５５はそれぞれ１μｍ～５μｍ厚さのポリイミド（ＰＩ）又はアクリル（ＰＭＭＡ）等の材料であってもよい。
例えば、図１１Ｂに示すように、仮想電極２３０とスペーサ５５０はベース基板１０１に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。このような設置はタッチ表示パネルの開口率をさらに向上させることができる。
各サブ画素は発光素子５１と、該発光素子５１を駆動して発光させる画素駆動回路とを含む。本開示の実施例は画素駆動回路のタイプ及び具体的な構成を制限せず、例えば、該画素駆動回路は電流駆動型であってもよく、電圧駆動型であってもよく、２Ｔ１Ｃ（即ち、２つのトランジスタ及び１つのコンデンサ、該２つのトランジスタは駆動トランジスタ及びデータ書込みトランジスタを含む）駆動回路であってもよく、２Ｔ１Ｃのほか、さらに補償回路（補償トランジスタ）、発光制御回路（発光制御トランジスタ）、リセット回路（リセットトランジスタ）等を含む駆動回路であってもよい。
明確のために、図１１Ｂには該画素駆動回路における該発光素子５１に直接電気的に接続される第１トランジスタ５３のみを示し、該第１トランジスタ５３は駆動トランジスタであってもよく、飽和状態において動作し、発光素子５１の発光を駆動する電流の大きさを制御するように構成される。例えば、該第１トランジスタ５３は発光制御トランジスタであってもよく、発光素子５１の発光を駆動する電流が流れるかどうかを制御することに用いられる。本開示の実施例は第１トランジスタの具体的なタイプを制限しない。
例えば、発光素子５１は有機発光ダイオードであり、第１電極５１１、発光層５１３及び第２電極５１２を含む。第１電極５１１と第２電極５１２のうちの一方は陽極であり、他方は陰極であり、例えば、第１電極５１１は陽極であり、第２電極５１２は陰極である。例えば、発光層２３３は有機発光層又は量子ドット発光層である。例えば、発光素子５１は発光層５１３のほか、さらに正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の補助機能層を含んでもよい。例えば、発光素子５１はトップエミッション構造であり、第１電極５１１は反射性を有するが、第２電極５１２は透過性又は半透過性を有する。例えば、第１電極５１１は高仕事関数の材料であり、陽極として機能し、例えばＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ積層構造であり、第２電極５１２は低仕事関数の材料であり、陰極として機能し、例えば半透過性金属又は金属合金材料であり、例えばＡｇ／Ｍｇ合金材料である。
例えば、該発光層５１３は一重項状態の蛍光有機発光材料、又は三重項状態の燐光有機発光材料であってもよい。燐光有機発光材料は一般的に発光層と電子輸送層との間に正孔阻止層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＨＢＬ）を追加する必要があり、又は、発光層と正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）との間に電子阻止層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＢＬ）を追加し、従って、一重項状態の励起子と比べて、三重項状態の励起子は耐用年数がより長く、拡散長さがより長い。
図１１Ｂに示すように、該画素画定層５４、スペーサ層５５は順に該発光素子５１の第１電極５１１に設置される。発光素子５１の第１電極５１１の少なくとも一部を含むように画素画定層５４に開口を形成し、該サブ画素の有効発光領域、即ち画素開口エリア５４０を形成するように発光層５１３は画素画定層５４の開口に形成される。
第１トランジスタ５３はゲート５３１、ゲート絶縁層５３２、活性層５３３、第１極５３４及び第２極５３５を含み、該第２極５３５は絶縁層９０におけるビア９１によって発光素子５１の第１電極５１１に電気的に接続され、該絶縁層９０は例えば平坦化層である。本開示の実施例は第１トランジスタ５３のタイプ、材料、構造を制限せず、例えば、トップゲート型、ボトムゲート型等であってもよく、第１トランジスタ５３の活性層５３３はアモルファスシリコン、多結晶シリコン（低温多結晶シリコン及び高温多結晶シリコン）、酸化物半導体（例えば、酸化インジウムガリウムスズ（ＩＧＺＯ））等であってもよく、且つ第１トランジスタ５３はＮ型又はＰ型であってもよい。
本開示の実施例に採用されるトランジスタはいずれも薄膜トランジスタ又は電界効果トランジスタ又は他の同じ特性のスイッチングデバイスであってもよく、本開示の実施例はいずれも薄膜トランジスタを例として説明する。ここで採用されるトランジスタのソース、ドレインは構造的に対称であってもよく、従って、そのソース、ドレインは構造的に同じであってもよい。本開示の実施例では、トランジスタのゲート以外の両極を区別するために、そのうちの一方の極が第１極であり、他方の極が第２極であると直接説明される。
例えば、図１１Ｂに示すように、該表示構造５０は該発光素子５１と該タッチ構造２０との間に位置するパッケージ層５６をさらに含み、該パッケージ層５６は、外部の湿気や酸素が該発光素子及び駆動回路に侵入して、例えば発光素子５１等のデバイスが破損することを防止するように、発光素子５１をシールするように構成される。例えば、パッケージ層５６は単層構造又は多層構造であってもよく、例えば、有機薄膜、無機薄膜を含み、又は有機薄膜と無機薄膜を交互に積層してなる多層構造を含む。
図１１Ｂに示すように、該タッチ表示パネル６０は表示構造５０とタッチ構造２０との間に位置するバッファ層２０４をさらに含む。例えば、該バッファ層２０４は該パッケージ層５６上に形成され、タッチ構造２０と表示構造５０との接着力を向上させることに用いられる。例えば、該バッファ層２０４は無機絶縁層であり、例えば、該バッファ層２０４の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素又はシリコンの窒素酸化物であってもよい。例えば、該バッファ層２０４は酸化ケイ素層と窒化ケイ素層を交互に積層してなる構造を含んでもよい。
例えば、該ベース基板１０１はガラス基板、シリコン基板又はフレキシブル基板であってもよく、例えば、優れた耐熱性及び耐久性を有する塑性材料、例えばポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタル酸グリコールエステル（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリアクリル酸エステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレングリコールテレフタル酸エステル（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、三酢酸セルロース（ＴＡＣ）、シクロアルケン重合体（ＣＯＰ）及びシクロアルケン共重合体（ＣＯＣ）等で形成されてもよい。
図１２Ａは図１１ＡにおけるＤ領域の拡大模式図であり、図１２Ｂは図１２Ａの断面線ＩＶ－ＩＶ′に沿う断面図である。
図１１Ａ及び図１２Ａを参照すれば、図１２Ａには各サブ画素の発光層の境界線ＬＧ、ＬＲ、ＬＢを示し、例えば、図１２Ａに示すように、該境界線のベース基板での正射影は第１金属線２１又は第２金属線２２のベース基板での正射影内に位置する。
図１２Ａ～図１２Ｂを参照すれば、該表示構造５０は順にベース基板１０１に設置される半導体パターン層１０２、第１導電性パターン層５０１、第２導電性パターン層５０２、第３導電性パターン層５０３、第４導電性パターン層５０４を含む。
例えば、該半導体パターン層１０２は画素回路における各トランジスタの活性層を含んでもよく、該活性層は例えばトランジスタのチャネルエリア及び導体化されたソースドレイン接触エリアを含んでもよい。
例えば、該第１導電性パターン層５０１は画素回路における各トランジスタのゲートと、該ゲートに接続されるいくつかの走査制御線（例えば、発光制御信号線、リセット制御信号線等）とを含んでもよい。
例えば、該第２導電性パターン層５０２は電源線、容量電極及びリセット電圧線等を含んでもよい。
例えば、該第３導電性パターン層５０３はデータ線、電源線等を含んでもよい。該第３導電性パターン層５０３はさらにいくつかの接続電極を含んでもよい。
例えば、該第４導電性パターン層５０４は各サブ画素の発光素子の第１電極５１１を含んでもよい。
例えば、各サブ画素の画素回路は蓄積コンデンサ５７をさらに含み、該蓄積コンデンサ５７は例えば駆動トランジスタに電気的に接続され、且つデータ信号及び駆動トランジスタの閾値電圧の関連情報を蓄積するように構成され、それにより駆動トランジスタの閾値補償を実現する。例えば、該蓄積コンデンサ５７は互いに正対する第１容量電極５７１及び第２容量電極５７２を含み、例えば、該第１容量電極５７１と第２容量電極５７２はそれぞれ第２導電性パターン層５０２と第１導電性パターン層５０１内に位置する。
例えば、各サブ画素の画素回路は駆動トランジスタ（図示せず）をさらに含み、該駆動トランジスタは発光素子を流れる駆動電流を制御するように構成される。例えば、該第２容量電極５７２は同時に該駆動トランジスタのゲートとして機能する。
例えば、図１２Ｂに示すように、発光素子５１の第１電極５１１は絶縁層９０におけるビア９１によって第１トランジスタ５３の第２極５３５に電気的に接続される。仮想電極２３０、発光素子５１の第１電極５１１、第１容量電極５７１はベース基板１０１に垂直な方向において互いに重なる。このような設置は表示パネルの開口率をできる限り向上させることができる。
図１２Ｃは本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図である。図１２Ｃに示すように、各サブ画素は第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、該第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素はそれぞれ異なる色の光を発する。該第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の画素開口エリア５４０の面積は順に減少する。例えば、該第１サブ画素は青色サブ画素（Ｂ）であり、第２サブ画素は赤色サブ画素（Ｒ）であり、第３サブ画素は緑色サブ画素（Ｇ）である。これは、緑色発光材料の発光効率が比較的高く、開口エリアの面積がより小さく設定されてもよいが、青色発光材料の耐用年数が最も短く、従って、より大きな発光面積で表示基板の発光安定性を向上させる必要があるためである。
例えば、各サブ画素の発光素子の第１電極は本体部５１１ａ及び延在部５１１ｂを含み、本体部５１１ａは主に発光層を駆動して発光させることに用いられ、本体部５１１ａはベース基板に垂直な方向において、該発光素子の属するサブ画素の画素開口エリア４５０と重なる。図１２Ｃに示すように、該発光素子の第１電極の本体部５１１ａのベース基板での正射影は該発光素子の属するサブ画素の画素開口エリア４５０の前記ベース基板での正射影を覆う。例えば、該第１電極の本体部５１１ａの平面形状は多角形であり、例えば、四角形（例えば、矩形）、五角形又は六角形等である。
例えば、延在部５１１ｂはビア９１によって画素回路に電気的に接続されることに用いられる（図１２Ｂ参照）。該延在部５１１ｂとサブ画素の画素開口エリアはベース基板に垂直な方向において重なっておらず、それによりビア９１が発光層の平坦度を損なって色かぶり等の問題が発生することを回避する。
例えば、図１２Ｃに示すように、該第１サブ画素の発光素子の第１電極の延在部５１１ａと該第２サブ画素の発光素子の第１電極の延在部５１１ｂはいずれも第１方向Ｄ１に沿って延在し、該第３サブ画素の発光素子の第１電極の延在部５１１ｂは第２方向Ｄ２に沿って延在する。
図１２Ｃに示すように、第１サブ画素の発光素子の第１電極の延在部５１１ｂと第１導電層２０１は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第１重なり面積Ｍ１を有し、第２サブ画素の発光素子の第１電極の延在部５１１ｂと第１導電層２０１はベース基板に垂直な方向において重なり、第２重なり面積Ｍ２を有し、第３サブ画素の発光素子の第１電極の延在部と第１導電層２０１はベース基板に垂直な方向において重なり、第３重なり面積Ｍ３を有する。このような設置は表示パネルの開口率をできる限り向上させることができる。
例えば、該第３重なり面積Ｍ３は第１重なり面積Ｍ１及び第２重なり面積Ｍ２のうちの少なくとも１つより大きい。例えば、該第１重なり面積Ｍ１、第２重なり面積Ｍ２、第３重なり面積Ｍ３は順に増大する。図１２Ｃに示すように、該第３重なり面積Ｍ３は第１重なり面積Ｍ１より大きく、且つ第２重なり面積Ｍ２より大きい。
例えば、発光素子の第１電極の延在部（非発光領域）は外部環境光又は発光層の発する光を隣接するサブ画素の画素開口エリアに反射しやすく、それによりクロストーク発光又は低い光混合効果の問題が発生し、従って、第１導電層における第１金属線を設置して各画素の発光素子の第１電極の延在部を遮蔽することにより、発光干渉及び低い光混合効果の問題を回避することができる。緑色発光材料の発光効率が比較的高いため、緑色サブ画素（即ち、第３サブ画素）の発光素子の第１電極の延在部が遮蔽される面積をより大きく設定することにより、上記問題をさらに改善することに役立つ。
例えば、図１２Ｃに示すように、該第３サブ画素の発光素子の第１電極の延在部５１１ｂは２つの第１金属線２０１の交差箇所と重なる。
図１３Ａは本開示の別の実施例によるタッチ表示パネルの構造模式図であり、図１３Ｂは図１３Ａにおける領域Ｅの拡大模式図であり、図１３Ｃは該領域Ｅにおける第１導電層のパターンである。図１３Ａ～図１３Ｃには隣接する第１接続線２１５、仮想電極２３０及びそれらの間に位置する第１金属メッシュ２１３を示す。例えば、該第１接続線２１５と該仮想電極２３０との間には同一行に位置する隣接する３つの第１金属メッシュ２１３が介在する。例えば、該３つの第１金属メッシュ２１３はそれぞれ赤色サブ画素（Ｒ）、緑色サブ画素（Ｇ）及び青色サブ画素（Ｂ）に対応して設置される。例えば、緑色サブ画素の画素開口エリアの面積は最も小さく、青色サブ画素の開口エリアの面積は最も大きい。それに対応して、該３つの第１金属メッシュ２１３のサイズは互いに異なり、隣接する第１金属メッシュの頂点は重なっていない。
図１３Ｃに示すように、該３つの第１金属メッシュ２１３は互いに絶縁され且つ第１方向Ｄ１において順に配列される３つの部分を含み、中間の部分は第２接続部２２２に属し、両側の部分はそれぞれ該第２接続部２２２に隣接し且つ絶縁される第１電極本体部２１１に属する。該第２接続部２２２はそれぞれ第１金属線２１における断口２６０によって該第１電極本体部２１１と間隔を置いて絶縁される。
図１３Ａ～図１３Ｃに示すように、該仮想電極２３０は３つの第１金属メッシュ２１３にそれぞれ対応する３つの第２金属線２２を含む。図８Ａ～図８Ｂを参照すれば、該仮想電極２３０の面積は該３つの第２金属線２２の総面積にほぼ等しくてもよく、該３つの第２金属線２２の長さはそれぞれＸ１、Ｘ２、Ｘ３であり、各第２金属線２２の幅はＹＤである。各第２金属線２２に対応する第１金属メッシュ２１３の網孔は矩形であり、該網孔の長さと幅はそれぞれＸとＹである。従って、上記Ｓ１＝ＸＤ＊ＹＤ、Ｓ２＝Ｘ＊Ｙであり、且つ、 ａ＜（ＸＤ×ＹＤ）／（Ｘ×Ｙ）＜ｂ を満たし、
ここで０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、例えば、０．１＜ａ＜０．２、０．１２＜ｂ＜０．２４であり、ａ＜ｂである。
本開示の実施例は仮想電極２３０の形状を制限せず、仮想電極２３０の形状が変化する場合、該仮想電極２３０の総面積を対応して計算することができる。例えば、図３Ａに示すように、該仮想電極２３０における複数の第２金属線２２は同一直線上にあり、該仮想電極２３０は矩形であり、該仮想電極２３０の長さと幅はそれぞれＸＤとＹＤであり、従って、該仮想電極２３０の面積Ｓ１＝ＸＤ＊ＹＤである。
表１には異なる寸法を有する第１金属メッシュのタッチ表示パネルのテストデータを示す。該実験において、仮想電極２３０の形状は矩形であり、長さと幅はそれぞれＸＤとＹＤである。例えば、組１～組４において、第２金属線の平均幅ＹＤは３マイクロメートルであり、比較組において、第２金属線の平均幅ＹＤは５マイクロメートルである。第２金属線の平均長さＸＤはその対応する該第１金属メッシュ２１３の網孔の長さＸと同じである。
Figure 2023541724000002
例えば、発光材料の耐用年数等の要素を考慮して、緑色サブ画素の画素開口エリアの面積は最も小さく、青色サブ画素の開口エリアの面積は最も大きいことに対応して、緑色サブ画素に対応する金属メッシュの網孔の面積は最も小さく、青色サブ画素に対応する金属メッシュの網孔の面積は最も大きい。
表１から分かるように、比較組と比べて、上記関係式を満たす組１～組４に対応するタッチ表示パネルは、より高い開口率及びより低い参照容量Ｃ０を有し、それにより該タッチ表示パネルは開口率を向上させるとともに、タッチ感度を向上させる。
以上は該第１金属メッシュと仮想電極がいずれも矩形である場合を例として説明したが、該第１金属メッシュと仮想電極が他の形状である場合、上記関係を満たすように、その網孔の面積及び仮想電極の面積を対応して計算して、対応する設計を行うことができる。
なお、ここの第１金属メッシュは完全なメッシュではない可能性があり、その少なくとも１つの辺上の第１金属線に断口が存在する可能性があり、このような場合、該第１金属メッシュの網孔の面積とは該第１金属メッシュの各辺により定義された完全なメッシュの網孔の面積を指す。
ある程度で、第１金属メッシュの網孔の面積が大きければ大きいほど、画素開口エリアへの影響が小さくなり、タッチ感度が低くなり、仮想電極の面積が大きければ大きいほど、画素開口エリアへの影響が大きくなり、タッチ感度が高くなる。上記設置によって、タッチ検出の感度を向上させるとともに、表示パネルの開口率を向上させることにも役立つ。
図１４Ａは本開示の別の実施例によるタッチ表示パネルの構造模式図であり、図１４Ｂは図１４Ａにおける領域Ｆの拡大模式図である。
図１４Ａ～図１４Ｂに示すように、仮想電極２３０と前記第１接続部２１２は第２金属線２２における断口２６０により絶縁されており、該断口２６０は該第２金属線２２を第１部分及び第２部分に分離し、該第１部分は該仮想電極２３０に属し、該第２部分は該第１接続部２１２に属する。
例えば、各第１金属メッシュ２１３の複数の辺は対応する画素開口エリアの輪郭の複数の辺にそれぞれ平行する。
例えば、隣接する２つの画素開口エリアの互いに近い２つの辺は互いに平行し、且つそれらの間に１つの第１金属線２１が設置され、隣接する２つの画素開口エリアの互いに近い２つの辺のベース基板１０１での正射影はいずれも該第１金属線２１のベース基板１０１での正射影に平行し、且つ該第１金属線２１のベース基板１０１での正射影との間隔も同じであり、即ち、隣接する２つの画素開口エリアの間の第１金属線２１は該２つの画素開口エリアの隙間の中間位置にあり、該第１金属線２１と該２つの画素開口エリアとの最小距離（該画素開口エリアの該第１金属線に最も近い辺との距離）は同じである。
このような設置は該第１金属線とその両側の２つの画素開口エリアのうちのいずれか１つとの距離が小さすぎるため、該画素開口エリアの光線に悪影響を与えることを回避することができ、また、このような設置は該第１金属線が該２つの画素開口エリアの光線に与えた影響を同様にし、それにより表示の均一性を向上させる。
説明の都合上、隣接する２つの画素開口エリアの互いに平行し且つ近い２つの辺のベース基板１０１での正射影の間の距離は該隣接する２つの画素開口エリアの間隔（ＰＤＬ ＧＡＰ）と称される。
例えば、図１４Ｂに示すように、該第２金属線２２の平均幅ＹＤ、該断口２６０の寸法（即ち、該断口の位置する金属線の延在方向に沿う寸法）ＸＤＧａｐ、隣接する画素開口エリアの間隔ＳＧａｐは、 ０＜ＹＤ／ＳＧａｐ＜０．２ を満たし、
ここの隣接する画素開口エリアの間隔は直接隣接するいずれか２つの画素開口エリアの間の間隔である。ある程度で、第２金属線２２の平均幅ＹＤが大きければ大きいほど、仮想電極の面積は大きくなり、画素開口エリアへの影響は大きくなり、タッチ感度は高くなり、隣接する画素開口エリアの間隔ＳＧａｐが大きければ大きいほど、金属線が画素開口エリアに与えた影響は小さくなり、タッチ感度は低くなる。上記設置によって、タッチ検出の感度を向上させるとともに、表示パネルの開口率を向上させることにも役立つ。
例えば、該第２金属線２２の平均長さＸＤとその中に位置する断口２６０の寸法（即ち、該断口の位置する該第２金属線の延在方向に沿う寸法）ＸＤＧａｐは、 ０．１＜ＸＤＧａｐ／Ｘ＜０．５ を満たす。
断口２６０の寸法の減少は第１接続部２１２の面積又は仮想電極２３０の面積を増大することに役立ち、タッチ感度を向上させることにも役立つが、断口２６０の寸法が小さすぎると、第１接続部２１２と仮想電極２３０が短絡するリスクがある。上記設置によって、プロセスの歩留まりを確保する上で、タッチ感度を向上させることもできる。
上記関係式は第１金属線２１における断口にも適用される。図１４Ｂに示すように、第１電極本体部２１１は第１金属線２１における断口２８０によって、隣接する第２タッチ電極２２０、例えば第２電極本体部２２１又は第２接続部２２２と絶縁されている。該断口２８０は第１金属線２１を第１部分及び第２部分に分離し、第１部分は該第１電極本体部に属し、第２部分は該第２電極本体部又は第２接続部に属する。第１金属線の平均長さＸＤ、平均幅ＹＤ、断口２８０の寸法ＸＤＧａｐ、隣接する画素開口エリアの間隔ＳＧａｐは、 ０＜ＹＤ／ＳＧａｐ＜０．２ 、 ０．１＜ＸＤＧａｐ／Ｘ＜０．５ を満たす。
本開示の少なくとも１つの実施例はさらにファインメタルマスクを提供するものであり、本開示のいずれか１つの実施例によるタッチ表示パネルを製造することに用いられる。該ファインメタルマスクはマスク孔を含み、該マスク孔は該表示構造における第１サブ画素の画素開口エリアを露出させることに用いられ、それにより該第１サブ画素の発光素子の発光層を形成し、該マスク孔の面積はＳ３である。該第１サブ画素の画素開口エリアのベース基板での正射影はその対応する１つの第１金属メッシュの網孔の前記ベース基板での正射影内に位置し、該第１金属メッシュの網孔の面積はＳ４である。蒸着過程において、該ファインメタルマスクのマスク孔から対応する画素開口エリアが露出し、該マスク孔によって該対応する画素開口エリアに発光材料を堆積させる。
例えば、該ファインメタルマスクの線幅は該第１金属線の線幅より大きい。該第１サブ画素に対応するマスク孔の面積は該第１サブ画素に対応する第１金属メッシュの網孔の面積より大きい。例えば、該第１サブ画素に対応するマスク孔のベース基板での正射影は該第１金属メッシュの網孔の正射影を覆う。
例えば、図１１Ｂを参照すれば、該第１金属メッシュにおける第１金属線２１と該第１金属メッシュに対応する第１サブ画素の発光層５１３はベース基板１０１に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。
このような設置によって、該第１金属線２１と該画素開口エリア４５０は十分な距離を維持する上で、該画素開口エリア４５０のエッジの光漏れ現象を緩和し、隣接する画素同士の色混合、クロスカラーを回避することもできる。
例えば、該第１サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、 ０＜Ｓ４／Ｓ３＜０．８ を満たす。
例えば、該第１サブ画素が青色サブ画素である場合、 ０．９＜Ｓ４／Ｓ３＜１ を満たす。
ここの第１サブ画素とは表示構造における同一色の光を発するサブ画素を指し、例えば、赤色サブ画素、緑色サブ画素又は青色サブ画素である。同一色のサブ画素の発光層は同一マスクで形成される。
第１金属メッシュの網孔が大きければ大きいほど、金属線が画素開口エリアに与えた影響は小さくなり、タッチ感度は低くなる。
例えば、青色サブ画素の画素開口エリアの面積が比較的大きいため、その対応する第１金属メッシュの網孔をより大きくする必要があり、それにより金属線が画素開口エリアの光線に悪影響を与えることを回避し、例えば、青色サブ画素に対応する画素開口エリアの面積はその対応する第１金属メッシュの網孔の面積に相当する。
例えば、赤色及び青色サブ画素の開口エリアの面積が比較的小さいため、その対応する第１金属メッシュの網孔をより小さくすることができ、それによりタッチ感度を向上させる。
上記設置によって、タッチ検出の感度を向上させるとともに、表示パネルの開口率を向上させることにも役立つ。
以下、図１１Ａに示されるタッチ表示パネルにおける発光層を形成する場合を例として本開示の実施例によるファインメタルマスクについて説明する。
図１５Ａは本開示の少なくとも１つの実施例によるファインメタルマスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ、ＦＭＭ）の構造模式図である。説明しやすくするために、該ファインメタルマスク７０を図１１Ａに示されるタッチ表示パネルに対応付けて示して説明する。図１５Ｂは図１５Ａの部分拡大模式図である。
例えば、図１５Ａ～図１５Ｂに示すように、該ファインメタルマスク７０のマスク孔７００は矩形であり、長さＸＦＭＭ及び幅ＹＦＭＭを有し、その対応する第１金属メッシュ２１３の網孔は矩形であり、長さＸ及び幅Ｙを有する。ここで、マスク孔７００とその対応する第１金属メッシュ２１３の網孔はいずれも同様の画素開口エリアを覆う（同様の画素開口エリアに対応する）。
例えば、図１５Ａに示すように、該第１サブ画素は緑色サブ画素であり、該ファインメタルマスク７０は図１１Ａに示されるタッチ表示パネルにおける緑色サブ画素の発光層を形成することに用いられる。
例えば、該マスク孔７００の長さＸＦＭＭと該マスク孔７００に対応する第１金属メッシュ２１３の網孔の長さＸは、 ０＜Ｘ／ＸＦＭＭ＜０．９ を満たす。
例えば、該マスク孔７００の面積は Ｓ３＝ＸＦＭＭ×ＹＦＭＭ であり、該マスク孔７００に対応する第１金属メッシュ２１３の網孔の面積は Ｓ４＝Ｘ×Ｙ であり、 ０＜（Ｘ×Ｙ）／（ＸＦＭＭ×ＹＦＭＭ）＜０．８ を満たす。
該マスク孔７００の面積はその対応する第１金属メッシュ２１３の網孔の面積より大きい。例えば、該第１金属メッシュ２１３の網孔のベース基板１０１での正射影は該マスク孔７００のベース基板１０１での正射影内に位置する。例えば、図１５Ｂに示すように、該マスク孔７００の輪郭のベース基板１０１での正射影は対応する第１金属メッシュ２１３の辺上の第１金属線２１のベース基板１０１での正射影に位置する。
例えば、該第１サブ画素が赤色サブ画素である場合、 ０＜Ｘ／ＸＦＭＭ＜０．９ 、 ０＜（Ｘ×Ｙ）／（ＸＦＭＭ×ＹＦＭＭ）＜０．８ を満たす。
例えば、該第１サブ画素が青色サブ画素である場合、 ０．９５＜Ｘ／ＸＦＭＭ＜１ 、 ０．９＜（Ｘ×Ｙ）／（ＸＦＭＭ×ＹＦＭＭ）＜１ を満たす。
このような場合、例えば、該マスク孔７００の面積はその対応する第１金属メッシュ２１３の網孔の面積より小さい。例えば、該第１金属メッシュ２１３の網孔のベース基板１０１での正射影は該マスク孔７００のベース基板１０１での正射影を覆う。
表２には異なる寸法を有する第１金属メッシュのタッチ表示パネルのテストデータを示す。各寸法の単位はいずれもマイクロメートルである。各組のデータには異なる色の画素開口エリアに対応する第１金属メッシュの網孔及び対応するマスク孔の寸法を示す。
Figure 2023541724000003
表２から分かるように、比較組と比べて、上記関係式を満たす組１～組４に対応するタッチ表示パネルは、より高い開口率及びより低い参照容量Ｃ０を有し、それにより該タッチ表示パネルは開口率を向上させるとともに、タッチ感度を向上させる。
例えば、発光素子の発光層のベース基板での正射影の形状はその対応するマスク孔の形状と同じであると見なされてもよく、即ち、該発光層と該マスク孔は一致する平面輪郭を有する。従って、第１サブ画素の発光素子の発光層のベース基板での正射影の面積はＳ３であり、即ち、上記説明におけるＳ３は対応する第１サブ画素の発光素子の発光層のベース基板での正射影の面積と理解されてもよく、ここで詳細な説明は省略する。
本開示の実施例はさらに電子装置を提供するものであり、該電子装置は上記タッチ構造２０、上記タッチパネル４０又は上記タッチ表示パネル６０を含む。例えば、該電子装置はタッチ機能が統合されるタッチ表示装置であり、該タッチ表示装置はディスプレイ、ＯＬＥＤパネル、ＯＬＥＤテレビ、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ等の表示機能及びタッチ機能を持ついかなる製品又は部材であってもよい。
図１６は本開示の実施例による電子装置の模式図である。例えば、該電子装置９００はタッチ表示装置であり、該タッチ表示装置はタッチパネル４０及び表示パネル８０を含み、表示パネル８０とタッチパネル４０は積層設置される。表示パネル８１は表示エリア８０１及び非表示エリア８０２を含む。例えば、表示エリア８０１とタッチパネル４０のタッチエリア３０１は互いに揃い、それにより互いに対応し、非表示エリア８０２とタッチパネル４０の非タッチエリア３０２は互いに揃い、それにより互いに対応する。表示パネル８０とタッチパネル４０は互いに例えば接着剤で固定され、又は一体に形成され、即ち、タッチパネル４０におけるタッチ構造２０は表示パネル８０を基板として表示パネル８１上に直接形成される。
以上の説明は本開示の例示的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲を制限するためのものではなく、本開示の保護範囲は添付の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (35)

  1. タッチ構造であって、
    第１タッチ電極及び第２タッチ電極を含み、
    前記第１タッチ電極は第１方向に沿って延在し、前記第２タッチ電極は第２方向に沿って延在し、前記第１方向と前記第２方向は異なり、
    前記第１タッチ電極は前記第１方向に沿って順に配置される複数の第１電極本体部と、隣接する２つの第１電極本体部を電気的に接続する第１接続部とを含み、前記複数の第１電極本体部は第１導電層に位置し、前記第１接続部は前記第１導電層と異なる第２導電層に位置し、
    前記第２タッチ電極は前記第２方向に沿って順に配置される第２電極本体部と、隣接する２つの第２電極本体部を電気的に接続する第２接続部とを含み、前記複数の第２電極本体部と前記第２接続部はいずれも前記第１導電層に位置し、
    前記第１導電層と前記第２導電層は絶縁層により絶縁されており、前記第１接続部と前記第２接続部は前記第１導電層に垂直な方向において重なり、
    前記第１導電層は複数の第１金属線により形成される複数の第１金属メッシュを含み、前記複数の第１電極本体部のそれぞれ、前記複数の第２電極本体部のそれぞれ及び前記第２接続部はそれぞれ前記複数の第１金属メッシュを含み、
    前記第２導電層は複数の第２金属線を含み、
    前記タッチ構造は前記第２導電層に位置する仮想電極をさらに含み、前記仮想電極は前記第１タッチ電極及び前記第２タッチ電極といずれも絶縁されており、
    前記仮想電極は前記第１接続部及び前記第２接続部のうちの少なくとも１つに結合されるように構成される、
    タッチ構造。
  2. 前記仮想電極の面積はＳ１であり、前記仮想電極の前記第１導電層での射影と前記第１導電層における第１金属線とにより定義されたいずれか１つのメッシュの網孔の面積はＳ２であり、
    ａ＜Ｓ１／Ｓ２＜ｂ
    を満たし、
    ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである、
    請求項１に記載のタッチ構造。
  3. 少なくとも１つの第１金属線の延在方向は前記仮想電極の延在方向と同じであり、且つ、前記第１導電層に垂直な方向において、前記仮想電極は前記少なくとも１つの第１金属線と重なる、
    請求項１又は２に記載のタッチ構造。
  4. 前記仮想電極は矩形であり、前記仮想電極の長さと幅はそれぞれＸＤとＹＤであり、
    前記いずれか１つのメッシュの網孔は矩形であり、前記網孔の長さと幅はそれぞれＸとＹであり、
    ａ＜（ＸＤ×ＹＤ）／（Ｘ×Ｙ）＜ｂ
    を満たし、
    ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである、
    請求項２に記載のタッチ構造。
  5. 前記仮想電極は互いに接続されるｎ個の矩形を含み、前記ｎ個の矩形の長さはそれぞれＸ１、Ｘ２…Ｘｎであり、幅はいずれもＹＤであり、ｎが１より大きい整数であり、
    前記いずれか１つのメッシュの網孔は矩形であり、前記網孔の長さと幅はそれぞれＸとＹであり、
    ａ＜（ＸＤ×ＹＤ）／（Ｘ×Ｙ）＜ｂ
    を満たし、
    ここで、ＸＤ＝Ｘ１＋Ｘ２＋…＋Ｘｎであり、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである、
    請求項２又は４に記載のタッチ構造。
  6. 前記仮想電極と前記第１接続部はそれぞれ少なくとも１つの第２金属線を含み、
    前記第１接続部は少なくとも１つの第１接続線を含み、
    各第１接続線は少なくとも１つの第２金属線を含み、且つ前記絶縁層におけるビアによって、前記隣接する２つの第１電極本体部に電気的に接続される、
    請求項１～５のいずれか１項に記載のタッチ構造。
  7. 各前記第１接続線はそれぞれ前記第１導電層に垂直な方向において、前記第２接続部における同じ延在方向の１つの第１金属線と重なる、
    請求項６に記載のタッチ構造。
  8. 前記第１接続部は複数の第１接続線を含み、
    前記仮想電極は前記複数の第１接続線のうちのいずれか２つの間に位置する、
    請求項６又は７に記載のタッチ構造。
  9. 前記仮想電極の前記第１導電層での正射影と前記第２接続部は少なくとも部分的に重なる、
    請求項６～８のいずれか１項に記載のタッチ構造。
  10. 前記仮想電極における少なくとも１つの第２金属線のそれぞれは前記第１導電層に垂直な方向において、前記第２接続部における同じ延在方向の１つの第１金属線と重なる、
    請求項６～９のいずれか１項に記載のタッチ構造。
  11. 前記第２接続部における前記仮想電極と重なる第１金属線は、隣接する第１電極本体部における第１金属線と、隙間により絶縁されており、
    前記仮想電極はさらに前記隙間を覆い、前記第１導電層に垂直な方向において前記隣接する第１電極本体部における第１金属線と重なる、
    請求項１０に記載のタッチ構造。
  12. 前記タッチ構造は複数の前記仮想電極を含み、
    前記第１接続部は前記第１方向に沿って延在する複数の第１接続線を含み、
    前記複数の仮想電極と前記複数の第１接続線は前記第２方向において交互に配列されている、
    請求項６～１１のいずれか１項に記載のタッチ構造。
  13. 前記仮想電極は互いに接続される複数の第２金属線を含み、前記複数の第２金属線は同一直線上にあり、
    前記複数の第２金属線はそれぞれ第３方向に沿って延在し、前記仮想電極は隣接する２つの第２金属線の接続点から第４方向に沿って延在する分岐部をさらに含み、前記分岐部は前記第１導電層に垂直な方向において前記第２接続部における前記第４方向に沿って延在する第１金属線と重なり、前記第４方向が前記第３方向と異なる、
    請求項６～１２のいずれか１項に記載のタッチ構造。
  14. 前記仮想電極は互いに接続される複数の第２金属線を含み、
    前記複数の第２金属線のうちの隣接する２つの第２金属線はそれぞれ異なる直線上にある、
    請求項１３に記載のタッチ構造。
  15. 前記仮想電極は互いに接続される複数の第２金属線を含み、
    前記複数の第２金属線のそれぞれは前記第２接続部における１つの第１金属メッシュに対応し、且つ対応する前記１つの第１金属メッシュにおける同じ延在方向の第１金属線と重なり、前記仮想電極の面積はＳ１であり、
    前記仮想電極の複数の第２金属線に対応するいずれか１つの第１金属メッシュの網孔の面積はＳ２であり、
    ａ＜Ｓ１／Ｓ２＜ｂ
    を満たし、
    ここで、０．０５＜ａ＜０．２、０．１＜ｂ＜０．３であり、ａ＜ｂである、
    請求項１３又は１４に記載のタッチ構造。
  16. 前記仮想電極と前記隣接する２つの第１電極本体部のうちの少なくとも１つは前記第１導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる、
    請求項６～１５のいずれか１項に記載のタッチ構造。
  17. 前記仮想電極と前記隣接する２つの第２電極本体部のうちの少なくとも１つは前記第１導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる、
    請求項６～１６のいずれか１項に記載のタッチ構造。
  18. 前記タッチ構造は折り曲げ可能エリアを含み、前記第１接続部は前記折り曲げ可能エリアに位置する折り曲げ部を含み、前記折り曲げ部は少なくとも１つの第２金属線を含み、前記少なくとも１つの第２金属線に孔が設置され、前記孔径は前記第２金属線の線幅の２５％～９０％である、
    請求項１～１７のいずれか１項に記載のタッチ構造。
  19. 前記第１接続部は複数の第２金属線を接続して形成した多角形を含み、前記多角形の少なくとも一部は前記折り曲げ部とされ、
    前記複数の第２金属線はそれぞれ前記第１導電層に垂直な方向において前記複数の第１金属線と重なる、
    請求項１８に記載のタッチ構造。
  20. 前記第１接続部はそれぞれ前記多角形の複数の頂点に接続される複数の第２金属メッシュをさらに含み、
    前記複数の第２金属メッシュはそれぞれ前記第１導電層に垂直な方向において前記第２接続部における複数の第１金属メッシュと重なり、
    前記絶縁層における対応する各第２金属メッシュの頂点にいずれもビアが設置され、前記第２金属メッシュにおける第２金属線は前記ビアによって前記第１接続部に隣接する第１電極本体部に電気的に接続される、
    請求項１９に記載のタッチ構造。
  21. タッチ表示パネルであって、
    ベース基板と、
    表示構造と、
    請求項１～２０のいずれか１項に記載のタッチ構造と、を含み、
    前記表示構造と前記タッチ構造は前記ベース基板に積層設置される、
    タッチ表示パネル。
  22. 前記表示構造は画素画定層と、アレイ状に配列される複数のサブ画素とを含み、
    前記複数のサブ画素のそれぞれは発光素子と、前記発光素子を駆動する画素回路とを含み、前記発光素子は第１電極、発光層及び第２電極を含み、前記発光層は前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、前記第１電極は前記第２電極の前記ベース基板に近い側に位置し、
    前記画素画定層は前記発光素子の第１電極を露出させる開口を含み、それにより前記サブ画素の画素開口エリアを定義し、
    前記複数の第１金属線と前記複数の第２金属線の前記ベース基板での正射影はいずれも前記複数のサブ画素の複数の画素開口エリアの前記ベース基板での正射影の外に位置する、
    請求項２１に記載のタッチ表示パネル。
  23. 各第１金属メッシュの網孔の前記ベース基板での正射影は少なくとも１つの画素開口エリアの前記ベース基板での正射影を覆う、
    請求項２２に記載のタッチ表示パネル。
  24. 前記画素回路は蓄積コンデンサを含み、前記仮想電極と蓄積コンデンサの少なくとも１つの蓄積電極は少なくとも部分的に重なる、
    請求項２２又は２３に記載のタッチ表示パネル。
  25. 前記発光素子の第１電極は前記画素回路に電気的に接続され、
    前記仮想電極、前記発光素子の第１電極、前記蓄積電極はベース基板に垂直な方向において互いに重なる、
    請求項２４に記載のタッチ表示パネル。
  26. 前記表示構造は前記画素画定層の前記ベース基板から離れた側に設置されるスペーサをさらに含み、
    前記仮想電極と前記スペーサは前記ベース基板に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる、
    請求項２２～２５のいずれか１項に記載のタッチ表示パネル。
  27. 前記仮想電極と前記第１接続部は第２金属線における断口により絶縁されており、
    前記断口は前記第２金属線を第１部分及び第２部分に分離し、前記第１部分は前記仮想電極に属し、前記第２部分は前記第１接続部に属し、
    前記第２金属線の平均長さＸＤ、平均幅ＹＤ、前記断口の寸法ＸＤＧａｐ、隣接する画素開口エリアの間隔ＳＧａｐは、
    ０＜ＹＤ／ＳＧａｐ＜０．２、
    ０．１＜ＸＤＧａｐ／Ｘ＜０．５
    を満たす、
    請求項２２～２６のいずれか１項に記載のタッチ表示パネル。
  28. 前記第１電極本体部と、隣接する第２タッチ電極は第１金属線における断口により絶縁されており、
    前記断口は前記第１金属線を第１部分及び第２部分に分離し、前記第１部分は前記第１電極本体部に属し、前記第２部分は前記第２タッチ電極に属し、
    前記第１金属線の平均長さＸＤ、平均幅ＹＤ、前記断口の寸法ＸＤＧａｐ、隣接する画素開口エリアの間隔ＳＧａｐは、
    ０＜ＹＤ／ＳＧａｐ＜０．２、
    ０．１＜ＸＤＧａｐ／Ｘ＜０．５
    を満たす、
    請求項２２～２７のいずれか１項に記載のタッチ表示パネル。
  29. 前記複数のサブ画素は第１サブ画素を含み、前記第１サブ画素は第１色の光を発するように構成され、前記第１サブ画素の発光素子の発光層の前記ベース基板での正射影の面積はＳ３であり、
    前記第１サブ画素の画素開口エリアの前記ベース基板での正射影は前記複数の第１金属メッシュにおける１つの網孔の前記ベース基板での正射影内に位置し、前記第１金属メッシュの網孔の面積はＳ４である、
    請求項２２～２８のいずれか１項に記載のタッチ表示パネル。
  30. 前記第１サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、
    ０＜Ｓ４／Ｓ３＜０．８
    であり、
    前記第１サブ画素が青色サブ画素である場合、
    ０．９＜Ｓ４／Ｓ３＜１
    である、
    請求項２９に記載のタッチ表示パネル。
  31. 前記第１サブ画素の発光素子の発光層の前記ベース基板での正射影は矩形であり、長さＸＦＭＭ及び幅ＹＦＭＭを有し、
    前記第１金属メッシュの網孔は長さＸ及び幅Ｙを有し、
    前記第１サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、
    ０＜Ｘ／ＸＦＭＭ＜０．９、
    ０＜（Ｘ×Ｙ）／（ＸＦＭＭ×ＹＦＭＭ）＜０．８
    を満たし、
    前記第１サブ画素が青色サブ画素である場合、
    ０．９５＜Ｘ／ＸＦＭＭ＜１、
    ０．９＜（Ｘ×Ｙ）／（ＸＦＭＭ×ＹＦＭＭ）＜１
    を満たす、
    請求項３０に記載のタッチ表示パネル。
  32. 前記発光素子の第１電極は本体部及び延在部を含み、
    前記本体部と前記発光素子の属するサブ画素の画素開口エリアは前記ベース基板に垂直な方向において重なり、前記延在部と前記サブ画素の画素開口エリアは前記ベース基板に垂直な方向において重なっておらず、且つ前記延在部は前記サブ画素の画素回路に電気的に接続される、
    請求項２２～３１のいずれか１項に記載のタッチ表示パネル。
  33. 前記複数のサブ画素は第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は異なる色の光を発するように構成され、
    前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素の画素開口エリアの面積は順に減少する、
    請求項３２に記載のタッチ表示パネル。
  34. 前記第１サブ画素の発光素子の第１電極の延在部と前記第１導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第１重なり面積を有し、
    前記第２サブ画素の発光素子の第１電極の延在部と前記第１導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第２重なり面積を有し、
    前記第３サブ画素の発光素子の第１電極の延在部と前記第１導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第３重なり面積を有し、
    前記第３重なり面積は前記第１重なり面積及び前記第２重なり面積のうちの少なくとも１つより大きい、
    請求項３３に記載のタッチ表示パネル。
  35. 請求項１～２０のいずれか１項に記載のタッチ構造又は請求項２１～３４のいずれか１項に記載のタッチ表示パネルを含む、
    電子装置。
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