KR20220118081A - 터치 센서 - Google Patents

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KR20220118081A
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sensing electrode
electrode
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KR1020210021752A
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권도형
이철훈
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

터치 센서는 기판 상에 제1 방향으로 형성된 제1 감지 전극부와 기판 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성된 제2 감지 전극부를 포함한다. 제1 감지 전극부와 제2 감지 전극부를 구성하는 단위투명전극의 경계부에는 복수의 미세식각패턴이 형성되어 있다. 단위투명전극은 다각형의 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 갖고, 인접하는 단위투명전극은 서로 전기적으로 연결되어 있다. 제1 또는 제2 감지 전극부를 2개 이상의 영역으로 분리하는 분절패턴을 포함한다.

Description

터치 센서{Touch Sensor}
본 발명은 터치 센서에 관한 것으로, 감지 전극에 형성되는 분리 구동용 분절 패턴이 시인되는 것을 차단 내지 최소화할 수 있는 터치 센서에 관한 것이다.
터치 센서는 사용자의 터치 동작을 감지하는 감지 전극을 포함한다. 감지 전극은 서로 교차되게 배열되는 다수의 감지 전극부(감지셀)를 포함할 수 있다. 감지 전극은 감지 전극부가 존재하는 감지 영역과 감지 전극부가 존재하지 않는 셀간 영역으로 구분될 수 있다.
감지 영역과 셀간 영역은 투과율, 반사율 등의 광학 특성이 서로 달라, 감지 영역과 셀간 영역이 구별되면서 사용자에게 불필요하게 시인되는 문제가 발생하고 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 한국특허등록 제10-1952770호(터치 센서)는 감지 전극부에 미세 패턴을 형성하여 감지 영역과 셀간 영역의 광학 특성 차이를 최소화하고, 이를 통해 감지 영역이 사용자에 불필요하게 시인되는 것을 차단 내지 최소화하는 방법을 제시하고 있다.
한편, 대면적 터치 센서의 경우, 터치 센서를 분할 구동하는 방식을 취하고 있는데, 이 때 감지 전극부는 분할 구동되는 제1 영역과 제2 영역으로 분리되고, 분할되는 제1,2 영역의 경계에는 감지 전극부에 상하로 관통하여 감지 전극부를 물리적 및 전기적으로 분리하는 분절 패턴이 형성되어 있다.
도 1a,1b는 분절 패턴을 라인 형태로 구성한 종래의 터치 센서를 도시하는 평면도와 사시도이다.
도 1a,1b에 도시한 바와 같이, 분할 구동되는 종래의 터치 센서는 감지 전극부(10)를 제1 영역(A11)과 제2 영역(A12)으로 분할하는 분절 패턴(P1)을 라인 형태의 일체형 분절 식각부(SH1)로 구성하고 있다. 그런데, 이러한 라인 형태의 분절 패턴(P1)은 특정 패턴을 갖는 감지 전극부(10), 예를 들어 패턴 식각부(PH)로 경계부를 형성하는 미세식각패턴을 테셀레이션(tessellation) 구조로 배열한 감지 전극부와 시각적으로 구분되면서 라인 형태의 분절 패턴(P1)이 사용자에게 시인되는 문제가 발생할 수 있다.
[선행기술문헌]
1. 한국특허공개 제10-2014-0051649호(메탈 메쉬형 터치 스크린 패널)
2. 한국특허등록 제10-1952770호(터치 센서)
본 발명은 이러한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로,
첫째, 대면적 터치센서에서 분할 구동을 위해 형성되는 분절 패턴이 쉽게 시인되는 것을 차단 내지 최소화하고,
둘째, 대면적 터치센서를 제조할 때 이용되는 분할 스티치(stitch) 노광 방식을 용이하게 적용할 수 있는, 터치 센서를 제공하고자 한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 터치 센서는 기판 상에 제1 방향으로 형성된 제1 감지 전극부와 기판 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성된 제2 감지 전극부를 포함한다. 제1 감지 전극부와 제2 감지 전극부를 구성하는 단위투명전극의 경계부에는 복수의 미세식각패턴이 형성되어 있다. 단위투명전극은 다각형의 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 갖고, 인접하는 단위투명전극은 서로 전기적으로 연결되어 있다. 본 발명의 터치 센서는 제1 또는 제2 감지 전극부를 2개 이상의 영역으로 분리하는 분절패턴을 포함한다.
본 발명의 터치 센서에서, 분절패턴은 단위투명전극의 경계부를 따라 섬 형태로 식각될 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 분절패턴은 미세식각패턴의 폭과 동일하거나 큰 폭으로 형성될 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 분절패턴은 제1 또는 제2 감지 전극부를 상하로 분리할 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 분절패턴은 제1 또는 제2 감지 전극부를 좌우로 분리할 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 분절패턴은 미세식각패턴과 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 분절패턴은 1개 이상의 라인으로 형성될 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 분절패턴은 미세식각패턴과 동일한 공간주파수를 가질 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 제1 감지 전극부를 사이에 두고 인접해 있는 2개의 제2 감지 전극부를 연결하는 브리지 전극부를 포함할 수 있다. 제1 감지 전극부와 제2 감지 전극부 사이에는 전극 간 더미가 형성되어 있으며, 전극 간 더미는 단위투명전극과 동일한 형상을 갖되, 단위투명전극과 전기적으로 절연되어 있다. 미세식각패턴으로 구분되는 복수의 단위투명전극은 테셀레이션(tessellation) 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 제1 감지 전극부가 형성된 기판 상에 형성된 절연층을 포함할 수 있다. 제2 감지 전극부는 절연층 상에 형성될 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 곡선은 사인곡선(sine curve), 코사인곡선(cosine curve), 원뿔곡선(conic section), 현수선(catenary), 추적선(curve of pursuit), 사이클로이드(cycloid), 트로코이드(trochoid), 심장형(cardioid) 중에서 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 곡선은 다각형의 꼭지점을 연속으로 연결하는 곡선이거나, 다각형의 꼭지점을 불연속으로 연결하여 부분적으로 형성된 곡선일 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 단위투명전극의 경계부는 육각형의 6개의 꼭지점 중에서 인접하는 두 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 단위투명전극의 경계부는 격자 구조로 배열된 사각형의 4개의 꼭지점 중에서 인접하는 두 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 단위투명전극의 경계부는 지그재그 구조로 배열된 사각형의 4개의 꼭지점 중에서 인접하는 두 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 단위투명전극의 경계부는 마름모의 4개의 꼭지점 중에서 인접하는 두 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 단위투명전극의 피치는 100㎛ - 500㎛일 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 미세식각패턴의 폭은 5㎛ - 20㎛일 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 인접하는 단위투명전극을 연결하는 연결부의 폭은 20㎛ - 60㎛일 수 있다.
본 발명의 터치 센서에서, 제1 감지 전극부와 제2 감지 전극부 사이에 미세식각패턴과 동일한 공간주파수를 갖는 복수의 더미패턴을 삽입하여 터치센서 전면에 동일한 고주파 성분을 배치함으로써, 터치센서 전면에 배치된 동일한 고주파 성분에 의해 터치센서 패턴이 시인되지 않게 할 수 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 터치 센서는 예를 들어 대면적 터치 센서에서 터치 센서를 다수의 영역으로 분할 구동하기 위해 분절 패턴을 감지 전극부에 형성할 때, 단위투명전극의 경계부를 형성하는 미세식각패턴과 동일한 형태로 배열시킴으로써, 분절 패턴이 시인되는 것을 차단 내지 최소화할 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 감지 전극부의 미세식각패턴과 분할 구동용 분절 패턴을 동일 패턴 및 동일 공간주파수로 형성함으로써, 대면적 터치 센서를 형성할 때 이용하는 분할 스티치(stitch) 노광 방식을 적용하기가 용이하다.
또한, 본 발명의 터치 센서는, 터치 센서를 디스플레이 패널에 접합하는 경우, 디스플레이 패널의 픽셀 어레이(Pixel Array)와 터치센서의 픽셀 어레이의 간섭에 의한 광학적인 간섭 무늬가 모아레(Moire) 형태로 발현되어 영상 장치의 광학 품질을 저하시키는 문제가 해소되는 효과가 있다.
도 1a,1b는 분절 패턴을 라인 형태로 구성한 종래의 터치 센서의 평면도와 사시도이다.
도 2a,2b는 분절 패턴을 섬 형태로 이격시켜 구성하는 본 발명에 따른 터치 센서의 평면도와 사시도이다.
도 3a,3b는 분절 패턴을 섬 형태로 이격시켜 구성한 따른 터치 센서의 변형 형태를 도시하는 평면도와 사시도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
선행기술문헌으로 제시한 한국특허등록 제10-1952770호(터치 센서)는 본 발명과 동일 출원인에 의해 출원 등록된 건으로, 본 발명과 충돌되지 않는 범위에서 한국특허등록 제10-1952770호의 설명을 본 발명의 일부로 포함한다.
도 2a,2b는 분절 패턴을 섬 형태로 이격시켜 구성하는 본 발명에 따른 터치 센서의 평면도와 사시도이다.
도 2a,2b에 도시한 바와 같이, 본 발명의 터치 센서는 기판(200), 감지 전극 등을 포함할 수 있다.
기판(200)은 감지 전극의 기재(base)로서, 예를들어 시클로올레핀폴리머(cyclo-olefin polymer: COP), 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르설폰 등으로 구성할 수 있다.
기판(200)은, 전사방식으로 터치 센서를 제조하는 경우에는, 분리층, 보호층, 또는 분리층과 보호층의 적층체일 수 있다.
분리층은 고분자 유기막, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스타일렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene) 등으로 구성할 수 있다.
보호층은 유기 절연막 또는 무기 절연막 중 적어도 하나를 포함하며, 코팅/경화 또는 증착을 통해 형성할 수 있다.
감지 전극은 기판(200) 상에 예를 들어 가로, 세로로 규칙적으로 배열되어 연결되는 다수의 감지 전극부(100)를 포함할 수 있다. 여기서, 감지 전극부(100)는 감지셀과 동일한 의미로 사용한다. 감지 전극부(100)는 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형 등 다양한 형상을 가질 수 있는데, 도 2a,2b에서는 그러한 감지 전극부(100)의 일부를 도시하고 있다.
감지 전극부(100)는 투명 산화물, 도전 금속 등으로 구성할 수 있는데, 투명 산화물로는 예를 들어 인듐아연산화물(IZO), 알루미늄아연산화물(AZO), 알루미늄산화물(Al2O3) 등의 도전성 산화물로 구성할 수 있고, 그 밖에 인듐아연주석산화물(IZTO), 인듐산화물(InOx), 주석산화물(SnOx), 카드뮴주석산화물(CTO), 갈륨-도핑아연산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO), 인듐갈륨산화물(IGO) 등이 있다. 도전 금속은 금, 은, 구리 등을 포함할 수 있다.
감지 전극부(100)는 다수의 패턴 식각부(PH)와 다수의 분절 식각부(SH2)를 구비할 수 있다.
패턴 식각부(PH)는 감지 영역과 셀간 영역이 시각적으로 구분되어 시인되는 것을 차단 내지 최소화하기 위한 것으로, 감지 전극부(100)의 일부를 상하로 관통하면서 제거하여 특정의 배열 패턴을 형성할 수 있다. 패턴 식각부(PH)의 배열 패턴은 동일 형태의 미세식각패턴을 형성할 수 있다. 여기서, 미세식각패턴으로 둘러싸여지는 영역은 단위투명전극을 구성할 수 있다. 단위투명전극은 소위 테셀레이션(tessellation) 구조를 형성하면서 배열될 수 있다.
패턴 식각부(PH)는 인접하는 패턴 식각부(PH)와 연계하면서 미세식각패턴을 형성하는데, 미세식각패턴은 다각 형태, 예를 들어 사각형, 오각형, 육각형, 마름모 등의 형태를 이룰 수 있다.
패턴 식각부(PH)는 미세식각패턴에서 다각형 꼭지점을 연결하는 둘레를 곡선 형태, 예를 들어 사인 곡선(sine curve), 코사인 곡선(cosine curve), 원뿔 곡선(conic section), 현수선(catenary), 추적선(curve of pursuit), 사이클로이드(cycloid), 트로코이드(trochoid), 심장형(cardioid) 등의 형상으로 구성할 수 있다.
사각 형태의 미세식각패턴을 형성하는 과정을 보면, 먼저 감지 전극부(100)에 가상의 미세 사각형을 상정하고, 인접하는 두 꼭지점을 정현파로 가상 연결할 수 있다. 이 과정은 4개의 꼭지점에 대해 반복 수행되며, 결과적으로 하나의 가상 사각형을 기준으로 4개 정현파가 이어진 가상 곡선, 즉 둘레가 생성될 수 있다.
이후, 4개 정현파가 이어진 곡선의 일부를 각각 에칭하여 제거하면, 하나의 미세식각패턴이 형성될 수 있다. 미세식각패턴은 예를 들어 100-500㎛의 피치(전체 폭)를 가질 수 있고, 패턴 식각부(PH)의 폭은 5-20㎛로 구성할 수 있다.
이러한 과정을 감지 전극부(100) 전체에 걸쳐 수행하면, 다수의 미세식각패턴이 테셀레이션(tessellation) 구조로 배열되는 감지 전극부(100)가 형성될 수 있다. 여기서, 미세식각패턴은 단위투명전극의 둘레를 따라 일부를 제거하는 형태를 띄므로, 미세식각패턴의 나머지 영역은 서로 전기적으로 연결되어 있어 인접하는 단위투명전극과는 일체형의 감지 영역을 형성하게 된다.
이러한 구성을 통해, 감지 전극부(100)는 감지 전극부(100)에 의해 유발되는 공간주파수의 저주파 성분이 고주파 성분으로 변환되어 사용자의 눈에 시인되기 어려워지고, 나아가 패턴 식각부(PH)로 인해 감지 전극부(100)의 광투과율이 증가하여 터치 센서의 전체 광투과율도 높아질 수 있다.
분절 식각부(SH2)는 감지 전극부(100)를 제1 영역(A21)과 제2 영역(A22)으로 분할 구동하기 위해 형성하는 것으로, 하나의 감지 전극부(100)에서 보면, 도 2a,2b에 도시한 바와 같이, 감지 전극부(100)를 구성하는 투명 산화물을 제1 영역(A21)과 제2 영역(A22)의 경계를 따라 제거하여 감지 전극부(100)를 물리적 및 전기적으로 분리할 수 있다.
분절 식각부(SH2)는 제1 영역(A21)과 제2 영역(A22)의 경계에서 단위투명전극의 둘레를 따라 감지 전극부(100)의 미관통 영역을 상하로 관통하면서 패턴 식각부(PH)와 연통할 수 있다. 예를 들어, 단위투명전극이 다각형으로 구성되고 패턴 식각부(PH)가 다각형의 꼭지점을 연결하는 둘레를 따라 이격 형성되는 경우, 분절 식각부(SH2)는 단위투명전극의 꼭지점과 패턴 식각부(PH) 사이에 위치할 수 있다. 이와 같이, 분절 식각부(SH2)는 섬 형태로 이격 형성될 수 있다.
이러한 섬 배열의 분절 식각부(SH2)를 갖는 분절 패턴은 미세식각패턴과 동일 형태로 배열되어 동일 공간주파수를 형성하며, 그 결과 분절 패턴(P2)이 감지 영역, 셀간 영역 등과 구별되어 시인되는 것이 차단 내지 최소화될 수 있으며, 나아가 분절 식각부(SH2)로 인해 감지 전극부(100)의 광투과율이 증가하여 터치 센서의 전체 광투과율까지 높아질 수 있다.
분절 식각부(SH2)는 그 위치, 예를 들어 꼭지점 영역, 꼭지점 사이의 둘레 등에 따라 형상을 달리할 수 있다.
분절 식각부(SH2)는 그 폭을 패턴 식각부(PH)의 폭과 동일하게 구성하는 것이 바람직하다. 다만, 터치 센서를 대면적으로 구성하는 경우에는 보통 분할 노광 마스크를 사용하여 분할 스티치 노광을 실시하는데, 이 때 순차 노광에 따른 공차 등을 고려하여 노광 마스크에서 분절 식각부(SH2)의 폭을 패턴 식각부(PH)의 폭보다 크게 형성할 수 있고, 이 경우 완성된 터치 센서에서는 분절 식각부(SH2)의 폭이 패턴 식각부(PH)의 폭보다 넓게 형성되는 경우가 생길 수 있다.
위에서 설명한 분절 패턴(P2)은 패턴 식각부(PH)를 형성하는 공정에서 동시에 형성할 수 있다.
도 2a,2b에서, 감지 전극부(100)의 상면, 패턴 식각부(PH), 분절 식각부(SH2)에는 절연층 또는 패시베이션층이 형성될 수 있다.
절연층 또는 패시베이션층은 감지 전극부(100)를 절연 보호하는 것으로, 절연체인 경화성 프리폴리머, 경화성 폴리머, 가소성 폴리머에서 선택되는 하나 이상의 물질로 구성할 수 있다.
절연층 또는 패시베이션층은 필름화가 가능한 바니쉬(varnish) 타입의 재료를 사용할 수도 있는데, 바니쉬 타입의 재료로는 폴리다이메틸실록산(PDMS: polydimethylsiloxane), 폴리오가노실록산(POS: polyorganosiloxane) 등의 폴리실리콘계 또는 폴리이미드계 또는 스판덱스 등의 폴리우레탄계 등이 있다. 이러한 바니쉬 타입의 재료들은 연성 절연물로서 터치 패널의 연신성을 높이고 다이나믹 폴딩 능력을 높일 수 있다.
도 2a,2b에 도시한 바와 같이, 제1 영역(A21)과 제2 영역(A22) 사이에는 패턴 식각부(PH)와 분절 식각부(SH2)의 형성으로 인해 감지 영역으로 기능하지 않는 영역, 즉 더미 영역(D1)이 형성될 수 있다.
도 3a,3b는 분절 패턴을 섬 형태로 이격시켜 구성한 터치 센서의 변형 형태를 도시하는 평면도와 사시도이다.
도 3a,3b에 도시한 바와 같이, 분절 패턴(P3)을 넓게, 즉 2개 이상의 라인(배열)으로 형성할 수도 있는데, 이 경우 제1 영역(A31)과 제2 영역(A32) 사이에서 패턴 식각부(PH)와 분절 식각부(SH3)에 의해 형성되는 더미 영역(D2)이 더 넓은 폭으로 형성될 수 있다.
한편, 위의 설명에서는, 분절 패턴(P2,P3)을 단위투명전극의 경계부를 따라 형성하면서 기판을 좌/우로 분리하는 경우를 예시하였으나, 기판을 상/하로 분리하는 형태에서도 활용될 수 있다.
위에서 설명한 터치 센서는 감지 전극부를 사이에 두고 인접하는 2개의 감지 전극부를 연결하는 브리지 전극부를 포함할 수 있다.
위에서 설명한 터치 센서는 감지 전극부 사이에 전극 간 더미를 형성할 수 있다. 전극 간 더미는 단위투명전극과 동일한 형상을 갖되, 단위투명전극과 전기적으로 절연되게 구성할 수 있다. 전극 간 더미는 단위투명전극과 동일한 공간주파수를 갖는 더미 패턴을 삽입하여 터치센서 전면에 동일한 고주파 성분을 배치함으로써, 터치센서 전면에 배치된 동일한 고주파 성분에 의해 터치센서 패턴이 시인되지 않게 할 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 감지 전극부를 상하로 배치할 수도 있는데, 이 경우에는 상하 감지 전극부 사이에 절연층을 형성할 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 인접하는 단위투명전극을 연결하는 연결부의 폭을 20㎛ - 60㎛로 구성할 수 있다. 이와 같이 구성하면, 인접하는 단위투명전극을 연결하는 과정에서 발생할 수도 있는 저항 상승을 방지하는 동시에 연결부에 의한 시인성 저하를 방지할 수 있다.
이상, 본 발명을 여러 실시예로서 설명하였는데, 이들은 본 발명을 예증하기 위한 것이다. 통상의 기술자라면 이러한 실시예를 다른 형태로 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 본 발명의 권리범위는 아래의 특허청구범위에 의해 정해지므로, 그러한 변형이나 수정이 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.
10,100,300 : 감지 전극부 20,200,400 : 기판
PH : 패턴 식각부 P1 : 종래의 분절 패턴
P2,P3 : 본 발명의 분절 패턴 SH1 : 종래의 분절 식각부
SH2,SH3 : 본 발명의 분절 식각부

Claims (20)

  1. 기판 상에 제1 방향으로 형성된 제1 감지 전극부;
    상기 기판 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성된 제2 감지 전극부를 포함하고,
    상기 제1 감지 전극부와 상기 제2 감지 전극부를 구성하는 단위투명전극의 경계부에는 복수의 미세식각패턴이 형성되어 있고,
    상기 단위투명전극은 다각형의 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 갖고, 인접하는 단위투명전극은 서로 전기적으로 연결되어 있고,
    상기 제1 또는 제2 감지 전극부를 2개 이상의 영역으로 분리하는 분절패턴을 포함하는, 터치 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분절패턴은
    상기 단위투명전극의 경계부를 따라 섬 형태로 식각되는, 터치 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 분절패턴은
    상기 미세식각패턴의 폭과 동일하거나 큰 폭으로 형성되는, 터치 센서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 분절패턴은
    상기 제1 또는 제2 감지 전극부를 상하로 분리하는, 터치 센서.
  5. 제1항에 있어서, 상기 분절패턴은
    상기 제1 또는 제2 감지 전극부를 좌우로 분리하는, 터치 센서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 분절패턴은
    상기 미세식각패턴과 동일한 공정에서 형성되는, 터치 센서.
  7. 제1항에 있어서, 상기 분절패턴은
    1개 이상의 라인으로 형성되는, 터치 센서.
  8. 제1항에 있어서, 상기 분절패턴은
    상기 미세식각패턴과 동일한 공간주파수를 갖는, 터치 센서.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극부를 사이에 두고 인접해 있는 2개의 제2 감지 전극부를 연결하는 브리지 전극부를 포함하고,
    상기 제1 감지 전극부와 상기 제2 감지 전극부 사이에는 전극 간 더미가 형성되어 있으며, 상기 전극 간 더미는 상기 단위투명전극과 동일한 형상을 갖되, 상기 단위투명전극과 전기적으로 절연되어 있고,
    상기 미세식각패턴으로 구분되는 복수의 단위투명전극은 테셀레이션(tessellation) 구조를 갖는, 터치 센서.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극부가 형성된 기판 상에 형성된 절연층을 포함하고,
    상기 제2 감지 전극부는 상기 절연층 상에 형성되는, 터치 센서.
  11. 제1항에 있어서, 상기 곡선은
    사인곡선(sine curve), 코사인곡선(cosine curve), 원뿔곡선(conic section), 현수선(catenary), 추적선(curve of pursuit), 사이클로이드(cycloid), 트로코이드(trochoid), 심장형(cardioid) 중에서 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 터치 센서.
  12. 제1항에 있어서, 상기 곡선은
    상기 다각형의 꼭지점을 연속으로 연결하는 곡선이거나, 상기 다각형의 꼭지점을 불연속으로 연결하여 부분적으로 형성된 곡선인, 터치 센서.
  13. 제1항에 있어서, 상기 단위투명전극의 경계부는
    육각형의 6개의 꼭지점 중에서 인접하는 두 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 갖는, 터치 센서.
  14. 제1항에 있어서, 상기 단위투명전극의 경계부는
    격자 구조로 배열된 사각형의 4개의 꼭지점 중에서 인접하는 두 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 갖는, 터치 센서.
  15. 제1항에 있어서, 상기 단위투명전극의 경계부는
    지그재그 구조로 배열된 사각형의 4개의 꼭지점 중에서 인접하는 두 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 갖는, 터치 센서.
  16. 제1항에 있어서, 상기 단위투명전극의 경계부는
    마름모의 4개의 꼭지점 중에서 인접하는 두 꼭지점을 연결하는 곡선의 일부가 제거된 형상을 갖는, 터치 센서.
  17. 제1항에 있어서, 상기 단위투명전극의 피치는
    100㎛ - 500㎛인, 터치 센서.
  18. 제1항에 있어서, 상기 미세식각패턴의 폭은
    5㎛ - 20㎛인, 터치 센서.
  19. 제1항에 있어서, 인접하는 단위투명전극을 연결하는 연결부의 폭은
    20㎛ - 60㎛인, 터치 센서.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극부와 상기 제2 감지 전극부 사이에 상기 미세식각패턴과 동일한 공간주파수를 갖는 복수의 더미패턴을 삽입하여 터치센서 전면에 동일한 고주파 성분을 배치함으로써, 터치센서 전면에 배치된 동일한 고주파 성분에 의해 터치센서 패턴이 시인되지 않는, 터치 센서.
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