CN117311536A - 触控显示结构及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控显示结构及显示装置，用于优化显示装置的触控效果和显示效果。其中，触控显示结构包括发光基板和设置在发光基板至少一侧的触控结构。触控结构中，同一第一触控通道中相邻两个第一子触控通道电连接。同一第二触控通道中相邻两个第二子触控通道电连接。触控结构包括多条金属线，多条金属线相互交叉形成多个金属网格。发光基板包括多个子像素。至少两个子像素的发光区在参考面上的正投影，位于同一个金属网格在参考面上的正投影范围内。前述触控显示结构可以在提高触控结构的光透过率，优化显示装置的显示效果的同时，还能降低触控结构的电阻，保证显示装置的触控效果。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其是涉及一种触控显示结构及显示装置。
背景技术
随着电子产品的不断发展，具有触控功能和显示功能的显示装置，可以实现简易灵活的人机交互，因而得到广泛应用。
AMOLED(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置可以实现全面屏、窄边框、高分辨率、卷曲穿戴、折叠等，成为显示技术领域的重要发展方向。
发明内容
本公开的实施例提供一种触控显示结构及显示装置，旨在增加触控结构的光透过率，避免触控结构遮挡发光基板的发光路径，从而提高显示装置的显示效果；同时，降低触控结构的电阻，避免电阻过高导致触控结构的触控效果下降。
为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种触控显示结构，包括发光基板和设置在所述发光基板至少一侧的触控结构。
所述触控结构包括沿第一方向延伸的多个第一触控通道，和沿第二方向延伸的多个第二触控通道。所述第一方向和所述第二方向相互交叉。所述多个第一触控通道和所述多个第二触控通道之间相互绝缘。
其中，至少一个第一触控通道包括相邻的多个第一子触控通道，第一子触控通道包括沿所述第一方向排列且依次电连接的多个第一触控电极；同一所述第一触控通道中，相邻两个所述第一子触控通道电连接。和/或，
至少一个所述第二触控通道包括相邻的多个第二子触控通道，第二子触控通道包括沿所述第二方向排列且依次电连接的多个第二触控电极；同一所述第二触控通道中，相邻两个所述第二子触控通道电连接。
所述触控结构包括多条金属线，所述多条金属线相互交叉形成多个金属网格。
所述发光基板包括多个子像素，每个子像素包括发光区；至少两个所述子像素的发光区在参考面上的正投影，位于同一个所述金属网格在所述参考面上的正投影范围内；所述参考面为所述发光基板所在的平面。
在一些实施例中，沿所述第二方向，同一所述第一触控通道中，相邻两个第一子触控通道中的第一触控电极一一对应设置；至少一对对应设置的第一触控电极之间电连接。
在一些实施例中，所述第一触控通道还包括第一连接部，至少一对对应设置的第一触控电极之间通过所述第一连接部电连接；所述第一连接部大致沿所述第二方向延伸。
在一些实施例中，沿所述第一方向，同一所述第二触控通道中，相邻两个第二子触控通道中的第二触控电极一一对应设置；至少一对对应设置的第二触控电极之间电连接。
在一些实施例中，所述第二触控通道还包括第二连接部，至少一对对应设置的第二触控电极之间通过所述第二连接部电连接；所述第二连接部大致沿所述第一方向延伸。
在一些实施例中，所述第一触控通道包括多个第一连接部，所述第二触控通道包括多个第二连接部，至少一个第一连接部和至少一个第二连接部相交叉。
在一些实施例中，所述触控结构包括层叠设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层。所述绝缘层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述绝缘层中设有过孔。所述第一触控电极和所述第二触控电极位于所述第一导电层。
其中，所述第一连接部位于所述第一导电层，所述第二连接部位于所述第二导电层，所述第二连接部通过所述过孔与相应的第二触控电极电连接。或者，
所述第二连接部位于所述第一导电层，所述第一连接部位于所述第二导电层，所述第一连接部通过所述过孔与相应的第一触控电极电连接。
在一些实施例中，所述第一触控通道还包括第三连接部，沿所述第一方向，任意相邻两个第一触控电极之间通过所述第三连接部电连接。所述第二触控通道还包括第四连接部，沿所述第二方向，任意相邻两个第二触控电极之间通过所述第四连接部电连接。
在一些实施例中，所述第一触控电极和所述第二触控电极均大致为菱形电极。所述第一触控通道位于沿所述第一方向延伸的第一矩形区域，所述第二触控通道位于沿所述第二方向延伸的第二矩形区域，所述第一矩形区域和所述第二矩形区域相交叉的矩形区域为触控单元区域。
所述第三连接部和所述第四连接部相交叉，形成第一连接结构。所述触控单元区域内设有至少两个所述第一连接结构。
在一些实施例中，所述第一触控通道包括第一连接部，且所述第二触控通道包括第二连接部。所述第一连接部和所述第二连接部相交叉，形成第二连接结构。所述触控单元区域内设有至少一个所述第二连接结构。
在一些实施例中，所述触控单元区域内包括至少一个所述第一触控电极；和/或，所述触控单元区域内包括至少一个所述第二触控电极。
在一些实施例中，所述触控单元区域内包括位于同一个第一子触控通道中且相邻设置的两个第一触控电极，以及位于同一个第二子触控通道中且相邻设置的两个第二触控电极；其中，所述两个第一触控电极中，每个第一触控电极均分别与所述两个第二触控电极相邻设置。
在一些实施例中，所述第一触控电极、所述第二触控电极、所述第三连接部和所述第四连接部均由多个所述金属网格形成。
在所述第一触控通道包括第一连接部，和/或，所述第二触控通道包括第二连接部的情况下，所述第一连接部和/或所述第二连接部由多个所述金属网格形成。在一些实施例中，所述发光基板包括多个像素单元，每个像素单元包括能够发射不同颜色光的多个子像素。
所述像素单元的多个子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于至少一个所述金属网格在所述参考面上的正投影范围内；且，所述像素单元的多个子像素中，至少有两个子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内。
在一些实施例中，所述像素单元包括一个能够发射红色光的子像素、一个能够发射蓝色光的子像素以及两个能够发射绿色光的子像素。所述像素单元中全部子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内。
在一些实施例中，所述多个子像素采用GGRB排列方式。
在一些实施例中，所述像素单元包括一个能够发射红色光的子像素、一个能够发射蓝色光的子像素以及一个能够发射绿色光的子像素。
所述像素单元中全部子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内；或者，
所述像素单元中，能够发射红色光的子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内，能够发射蓝色光的子像素的发光区和能够发射绿色光的子像素的发光区在所述参考面上的正投影，均位于另一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内。
在一些实施例中，所述多个子像素采用Real RGB排列方式。
在一些实施例中，所述多个金属网格包括多个第一子网格组和多个第二子网格组，所述第一子网格组和所述第二子网格组交替设置；所述第一子网格组包括至少一个第一子网格，所述第二子网格包括至少一个第二子网格。
其中，所述像素单元的多个子像素中的部分子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述第一子网格在所述参考面的正投影的范围内；所述像素单元中全部子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述第二子网格在所述参考面的正投影的范围内。
在一些实施例中，所述金属线呈直线延伸，所述多条金属线相互交叉形成的金属网格呈矩形。和/或，所述金属线呈折线延伸，所述多条金属线相互交叉形成的所述金属网格呈多边形。
在一些实施例中，至少一对相邻设置的子像素的发光区之间，对应设置多条金属线，且所述多条金属线之间相互电连接。
在一些实施例中，所述发光基板包括沿所述第一方向延伸的多条第一信号线，所述金属线在所述参考面上的正投影，与至少一条第一信号线在所述参考面上的正投影至少部分重叠；和/或，所述发光基板还包括沿所述第二方向延伸的多条第二信号线，所述金属线在所述参考面上的正投影，与至少一条第二信号线在所述参考面上的正投影至少部分重叠。
在一些实施例中，所述第一信号线包括使能信号线、扫描信号线或初始化信号线中的至少一者；所述第二信号线包括数据线或电源线中的至少一者。
另一方面，提供一种显示装置，包括前述任一项实施例所述的触控显示结构。
本公开的实施例所提供的一种触控显示结构及显示装置，具有如下有益效果：
通过在至少一个触控通道内设置相邻的多个子触控通道，并设置同一触控通道中的多个子触控通道之间电连接，使得在不改变触控结构的触控通道数量，避免增加触控芯片负载的情况下，增加触控通道中的触控电极的数量，从而可以增加触控结构整屏中，用于使相邻触控电极之间电连接的连接结构的数量。通过增加连接结构的数量，可以降低触控结构的整体电阻，保证在去除部分金属线，提高触控结构的光透过率后，触控结构的电阻仍然维持在可以满足正常触控功能的范围内，同时满足对触控结构的较高光透过率和较好触控效果的需求。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例提供的显示装置的俯视图；
图2为根据一些实施例提供的发光基板的一种俯视图；
图3为根据一些实施例提供的发光基板的另一种俯视图；
图4为根据一些实施例提供的发光基板的另一种俯视图；
图5为沿图1中的剖面线A-A’的截面图；
图6为根据一些实施例提供的触控显示结构的一种俯视图；
图7为图6中虚线框B所在区域对应的结构放大图；
图8为图7中虚线框C所在区域对应的一种结构放大图；
图9为图7中虚线框C所在区域对应的另一种结构放大图；
图10为图6中虚线框D所在区域对应的一种结构放大图；
图11为图6中虚线框D所在区域对应的另一种结构放大图；
图12为图6中虚线框D所在区域对应的另一种结构放大图；
图13为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图14为图10中虚线框E所在区域对应的一种结构放大图；
图15为沿图14中的剖面线F-F’的一种截面图；
图16为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图17为图10中虚线框G所在区域对应的结构放大图；
图18为图11中虚线框H所在区域对应的结构放大图；
图19为图12中虚线框I所在区域对应的结构放大图；
图20为沿图19中的剖面线J-J’的截面图；
图21为图14中虚线框K所在区域对应的结构放大图；
图22为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图23为图10中虚线框E所在区域对应的另一种结构放大图；
图24为沿图14中的剖面线F-F’的另一种截面图；
图25为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图26为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图27为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图28为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图29为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图30为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图31为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图；
图32为根据一些实施例提供的触控显示结构的另一种俯视图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“电连接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“电连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
在本公开的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
图1为本公开的一些实施例提供的显示装置1000的俯视图。该显示装置1000可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论是文字的还是图像的任何装置。更明确地说，预期实施例可实施在多种电子装置中，或与多种电子装置关联，多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(Personal DigitalAssistant，简称PDA)、虚拟现实(Virtual Reality，简称VR)显示器、手持式或便携式计算机、全球定位系统(Global Positioning System，简称GPS)接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。
如图1所示，该显示装置1000可以包括触控显示结构100。
该触控显示结构100可以为液晶显示面板(Liquid Crystal Display，简称LCD)；该触控显示结构100也可以为电致发光显示面板或光致发光显示面板。在该触控显示结构100为电致发光显示面板的情况下，电致发光显示面板可以为有机电致发光(OrganicLight-Emitting Diode，简称OLED)显示面板或量子点电致发光(Quantum Dot LightEmitting Diode，简称QLED)显示面板。在该触控显示结构100为光致发光显示面板的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示面板。
示例性地，该显示装置1000还可以包括电路板、柔性线路板或驱动芯片等。
该触控显示结构100具有出光侧和背光侧，出光侧是指触控显示结构100用于显示图像的一侧，背光侧是指触控显示结构100背离出光侧的一侧。
示例性地，驱动芯片位于触控显示结构100的背光侧，且与触控显示结构100电连接；柔性线路板位于触控显示结构100的背光侧，且与触控显示结构100电连接。电路板、驱动芯片和柔性线路板用于向触控显示结构100提供显示画面所需的数据信号。
示例性地，该显示装置1000还可以包括前框和后壳。前框设于触控显示结构100的显示侧(进行发光显示的一侧)，且围绕触控显示结构100设置。后壳设于触控显示结构100的非显示侧(与显示侧相对的一侧)，后壳与前框组装，实现对触控显示结构100的防护以及固定。
触控显示结构包括发光基板和触控结构。其中，触控结构设置在发光基板的出光侧(即发光基板的光线射出的一侧)，因此触控结构的光透过率会影响发光基板的出光效率，触控结构的光透过率越高，发光基板发出的光线的传播效果越好，则触控显示结构的显示效果就越好。此外，随着屏下光学器件(例如屏下指纹传感器)技术的发展，为了提高屏下光学器件对屏幕上的接触物(例如手指)的反射光的感应灵敏度，对设于发光基板的出光侧的触控结构的光透过率要求越来越高。
为解决上述技术问题，本公开实施例提供了一种触控显示结构100。
该触控显示结构100包括发光基板20和设置在发光基板20至少一侧的触控结构10(参阅图5)。
示例性地，发光基板20可以包括出光侧和背光侧。出光侧为发光基板20发出光线的一侧，背光侧为背离出光侧的一侧。触控结构10设于发光基板20的出光侧(参阅图5)。
示例性地，该触控结构10可以单独制作在一块基底上，然后再与基底一起叠加在发光基板20上，也可以将触控结构10直接制作在发光基板20上。
如图2～图4所示，发光基板20中包括多个子像素P。
示例性地，每个子像素P可以发射蓝色光、绿色光、红色光或白色光中的一种。
例如，多个子像素P可以包括第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3，其中，第一子像素P1、第二子像素P2以及第三子像素P3分别发射不同颜色的光。例如，第一子像素P1可以发射红色光，第二子像素P2可以发射绿色光，第三子像素P3可以发射蓝色光。
示例性地，多个子像素P可以按照不同的排列方式设置。
例如，参阅图2，多个子像素P呈Real RGB排列。多个子像素P划分为多个第一像素列S1和多个第二像素列S2，第一像素列S1和第二像素列S2均沿第二方向Y延伸，多个第一像素列S1和多个第二像素列S2沿第一方向X交替设置。
第一像素列S1包括沿第二方向Y交替设置的多个第一子像素P1和多个第三子像素P3，第二像素列S2包括沿第二方向Y依次设置的多个第二子像素P2。
例如，参阅图3，多个子像素P呈钻石排列。多个子像素P中，第一子像素P1和第二子像素P2沿着第二方向Y交替排列设置，且第一子像素P1和第二子像素P2同样沿着第一方向X交替排列设置；第三子像素P3沿着第一方向X和第二方向Y阵列分布。
示例性地，钻石排列的多个子像素P中，子像素P呈矩形，且矩形的一条对角线沿第一方向X延伸，另一条对角线沿第二方向Y延伸。
示例性地，钻石排列的多个子像素P中，子像素P大致呈矩形，例如，矩形的四个角为弧形角。
示例性地，钻石排列的多个子像素P中，至少一种类型的子像素P大致呈扇形。
例如，参阅图4，多个子像素P呈GGRB排列。多个子像素P划分为多个像素组S3，多个像素组S3沿着第一方向X和第二方向Y呈阵列分布。
每个像素组S3中均包括一个第三像素组P3’，第三像素组P3’中包括沿第一方向X排列的两个第三子像素P3。每个像素组S3中还包括一个第二子像素P2和一个第一子像素P1，第三像素组P3’、第二子像素P2和第一子像素P1沿着第二方向Y依次排列。
前述第一方向X和第二方向Y相交叉。例如，第一方向X与第二方向Y可以相互垂直。
需要说明的是，第一方向X可以是显示装置1000的横向，第二方向Y可以是显示装置1000的纵向；或者，第一方向X可以是多个子像素P阵列式排列中的行方向，第二方向Y可以是多个子像素P阵列式排列中的列方向。
本公开的多个附图中仅以第一方向X为行方向，第二方向Y为列方向为例进行示意。在本公开的实施例中，通过将附图进行一定角度(例如30度、45度或90度等)的旋转所得到的技术方案亦在本公开的保护范围之内。
图5示出了图1中沿剖面线A-A’的截面图。如图5所示，发光基板20包括衬底21，以及层叠设置于衬底21上的像素电路层22和发光器件层23。
其中，衬底21可为单层结构，也可为多层结构。例如，该衬底21可包括依次层叠设置的柔性基层和缓冲层。又例如，衬底21可包括交替设置的多个柔性基层和缓冲层。其中，柔性基层的材料可包括聚酰亚胺，缓冲层的材料可包括氮化硅和/或氧化硅，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果。
像素电路层22包括依次层叠设置在衬底21上的有源层201、第一栅绝缘层202、第一栅导电层203、第二栅绝缘层204、第二栅导电层205、层间介质层206、第一源漏导电层207、钝化层208、第一平坦化层209、第二源漏导电层210、第二平坦化层211。
可选地，源漏导电层可以只有一层(例如只有第一源漏导电层207或只有第二源漏导电层210)，相应地，平坦化层也可以只有一层(例如只有第一平坦化层209或只有第二平坦化层211)。
像素电路层22设置有多个薄膜晶体管TFT和多个电容结构Cst。每个子像素P对应包括至少一个薄膜晶体管TFT和至少一个电容结构Cst。图5中仅示例性示出了其中两个薄膜晶体管TFT和对应的两个电容结构Cst。
其中，薄膜晶体管TFT包括栅极Ta、源极Tb、漏极Tc以及有源层图案Td。源极Tb、漏极Tc和有源层图案Td电接触。
该有源层图案Td被配置为在栅极Ta的控制下形成沟道，使得与有源层图案Td连接的源极Tb和漏极Tc之间导通，从而打开薄膜晶体管TFT。示例性地，薄膜晶体管TFT还包括位于栅极Ta所在膜层和有源层图案Td所在膜层之间的第一栅绝缘层202的部分。
需要说明的是，各薄膜晶体管TFT的控制极为晶体管的栅极Ta，第一极为薄膜晶体管TFT的源极Tb和漏极Tc中一者，第二极为薄膜晶体管TFT的源极Tb和漏极Tc中另一者。由于薄膜晶体管TFT的源极Tb和漏极Tc在结构上可以是对称的，所以其源极Tb和漏极Tc在结构上可以是没有区别的。
电容结构Cst包括第一极板Cst1和第二极板Cst2，其中，第一极板Cst1位于第一栅导电层203，第二极板Cst2位于第二栅导电层205。
发光器件层23包括依次层叠设置在像素电路层22远离衬底21一侧的阳极层301、像素界定层302、发光功能层303以及阴极层304。
发光器件层23设置有多个发光器件L。发光器件L包括位于阳极层301的阳极L1、位于阴极层304的阴极L2以及位于发光功能层303的发光图案L3。
其中，位于阳极层301的阳极L1被配置为传输高电平电压(例如电源电压信号VDD)，位于阴极层304的阴极L2被配置为传输低电平电压(例如阴极电压信号VSS)。在阳极L1和阴极L2形成的电场下，发光图案L3可以实现发光。
示例性地，发光功能层303除包括发光图案L3外，还可以包括电子传输层(election transporting layer，简称ETL)、电子注入层(election injection layer，简称EIL)、空穴传输层(hole transporting layer，简称HTL)以及空穴注入层(holeinjection layer，简称HIL)中的一层或多层。
示例性地，阳极L1可与薄膜晶体管TFT的源极Tb或漏极Tc电连接，从而使得发光器件L在薄膜晶体管TFT的控制下实现发光。
如图5所示，像素界定层302开设有多个开口K，发光图案L3至少部分位于开口K内，发光图案L3发出的光通过开口K发射至外界。
如图5所示，每个子像素P包括发光区K’。其中，发光区K’即为开口K所界定的区域，也即，发光区K’为子像素P的有效发光区域。
示例性地，如图5所示，像素界定层302和阴极层304之间还可设置有支撑层305，该支撑层305可起到支撑保护膜层的作用，以避免保护膜层与阳极层301或其他走线接触而导致阳极层301或其他走线断裂。
示例性地，如图5所示，发光基板20还包括设于发光器件L远离衬底21一侧的封装层24。封装层24可以包括远离衬底21依次层叠设置的第一封装子层、第二封装子层和第三封装子层。示例性地，第一封装子层和第三封装子层的材料包括无机材料，第二封装子层的材料包括有机材料。第一封装子层和第三封装子层具有阻隔水汽和氧气的作用，而第二封装子层具有一定的柔性和吸收水汽的作用等。
如图6所示，触控结构10包括多个第一触控电极Tx和多个第二触控电极Rx。
如图7所示，触控结构10包括多条金属线GL，多条金属线GL相互交叉形成多个金属网格G。
示例性地，如图7所示，在触控结构10中，触控电极采用金属网格结构(即包括多个金属网格G)，相比于采用ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)形成面状电极作为触控电极，金属网格结构的触控电极的电阻小、灵敏度较高，能够提高触控结构10的触控灵敏度。且采用金属网格结构的触控电极机械强度高，能减小触控结构10的重量，在触控结构10应用于显示装置1000中时，能够实现显示装置1000的轻薄化。
需要说明的是，上述金属网格结构的触控电极包括，触控结构10中的各第一触控电极Tx和各第二触控电极Rx。
示例性地，如图7所示，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx采用金属网格结构。第一触控电极Tx和第二触控电极Rx的金属网格G可以设置于同一膜层中，第一触控电极Tx的金属网格G与第二触控电极Rx的金属网格G断开，从而使得第一触控电极Tx和第二触控电极Rx相互绝缘。
需要说明的是，图7中金属网格G做不同的图案填充，是为了区分不同的触控电极，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx的金属网格G可以采用相同材料，采用相同的工艺制程形成。
示例性地，如图7所示，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx的形状为菱形或大致为菱形。其中，“大致为菱形”是指，触控电极(即第一触控电极Tx和第二触控电极Rx)的形状整体上呈菱形形状，但是并不局限为标准的菱形，例如触控电极的边界允许是非直线形的(例如锯齿形)，又如在后面的实施例中，所涉及的触控电极的形状整体呈菱形，但是其边界呈锯齿形。
并且，本公开实施例中第一触控电极Tx和第二触控电极Rx的电极图案形状不限于菱形或大致的菱形，例如还可以为矩形、长条形等。
示例性地，根据金属线GL的交叉方式的不同，金属网格G的形状可以大致呈六边形、矩形或不规则多边形。
如图5所示，触控结构10设于发光基板20的一侧。
如图8所示，至少两个子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个金属网格G在参考面N上的正投影范围内。
其中，参考面N为发光基板20所在的平面。或者，该参考面N可以为平行于发光基板20的平面。
示例性地，金属线GL避开子像素P的发光区K’设置，即，金属线GL在参考面N上的正投影，与子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影相互错开。从而可以避免触控结构10的金属线GL对子像素P发出的光线造成遮挡，导致光线传输效率下降的情况。
如图9所示，在相关技术中，一个子像素P’的发光区K”在参考面N’上的正投影，位于一个金属网格G’在参考面N’上的正投影范围内。即，一个金属网格G’对应一个子像素P’。参阅图9，金属线GL’分布密度较大，触控结构10’的光透过率较低，触控显示结构的显示效果较差。
触控结构10的光透过率与金属线GL的分布密度相关，即，在单位面积内，金属线GL的分布数量越多，金属网格G的面积越小，则触控结构10的光透过率越低。在本公开实施例提供的触控结构10中，通过设置至少两个子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个金属网格G在参考面N上的正投影范围内，降低金属线GL的分布密度，扩大金属网格G的面积，从而提高触控结构10的光透过率，优化触控显示结构100的显示效果。
示例性地，可以通过去除部分金属线GL，实现降低金属线GL的分布密度，扩大金属网格G的面积的目的。
然而，经本公开发明人研究发现，在去除部分金属线GL，降低金属线GL的分布密度，扩大金属网格G的面积后，虽然触控结构10的光透过率得到较大的提升，但相应地，触控结构10的电阻急剧升高，从而导致触控结构10的触控灵敏度受到极大的影响，影响触控效果。
为解决该技术问题，在本公开实施例提供的触控显示结构100中，如图6所示，该触控结构10包括沿第一方向X延伸的多个第一触控通道1，和沿第二方向Y延伸的多个第二触控通道2。
第一方向X和第二方向Y相交叉。例如，第一方向X与第二方向Y可以相互垂直。
需要说明的是，前述“第一触控通道1”为，触控结构10中，相互电连接的，且同时传输相同触控信号的多个第一触控电极Tx所组成的通道；前述“第二触控通道2”为，触控结构10中，相互电连接的，且同时传输相同触控信号的多个第二触控电极Rx所组成的通道。
如图6所示，每个触控通道(包括第一触控通道1和第二触控通道2)均分别连接至少一条触控线M，多个触控通道连接的触控线M汇集至绑定区V，并最终电连接至触控处理器(图中未示出)，触控处理器通过触控线M向触控通道传输触控信号，实现触控结构10的触控效果。
如图10所示，至少一个第一触控通道1包括相邻的多个第一子触控通道1a。例如，参阅图10，一个第一触控通道1中包括相邻的两个第一子触控通道1a，一个第二触控通道2中包括一个第二子触控通道2a。
如图11所示，至少一个第二触控通道2包括相邻的多个第二子触控通道2a。例如，参阅图11，一个第一触控通道1中包括一个第一子触控通道1a，一个第二触控通道2中包括相邻的两个第二子触控通道2a。
如图12所示，至少一个第一触控通道1包括相邻的多个第一子触控通道1a，且至少一个第二触控通道2包括相邻的多个第二子触控通道2a。例如，参阅图12，一个第一触控通道1中包括相邻的两个第一子触控通道1a，一个第二触控通道2中包括相邻的两个第二子触控通道2a。
在前述实施方式的基础上，在同一第一触控通道1中，相邻两个第一子触控通道1a电连接；同一第二触控通道2中，相邻两个第二子触控通道2a电连接。
示例性地，如图6、图10和图12所示，同一第一触控通道1中，分属于不同且相邻的两个第一子触控通道1a中的两个第一触控电极Tx之间电连接，从而实现同一第一触控通道1中相邻两个第一子触控通道1a电连接的目的，从而使得同一第一触控通道1中的多个第一子触控通道1a均传输相同的触控信号。
示例性地，如图13所示，同一第一触控通道1中，相邻两个第一子触控通道1a，可以通过不同的子触控线M’与同一条触控线M电连接，从而实现同一第一触控通道1中的多个第一子触控通道1a传输相同的触控信号的目的。
示例性地，如图6、图11和图12所示，同一第一触控通道1中，分属于不同且相邻的两个第二子触控通道2a中的两个第二触控电极Rx之间电连接，从而实现同一第二触控通道2中相邻两个第二子触控通道2a电连接的目的，使得同一第一触控通道1中的多个第一子触控通道1a传输相同的触控信号。
示例性地，如图13所示，同一第二触控通道2中，相邻两个第二子触控通道2a，可以通过不同的子触控线M’与同一条触控线M电连接，从而实现同一第二触控通道2中的多个第二子触控通道2a传输相同的触控信号的目的。
如图10～图12所示，前述第一子触控通道1a包括沿第一方向X排列且依次电连接的多个第一触控电极Tx，第二子触控通道2a包括沿第二方向Y排列且依次电连接的多个第二触控电极Rx。
多个第一触控通道1和多个第二触控通道2之间相互绝缘。且多个第一触控通道1和多个第二触控通道2之间相互交叉，从而使得第一触控电极Tx和第二触控电极Rx交替设置。
示例性地，如图10～图12所示，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx交替设置，相邻的不同触控电极之间(即第一触控电极Tx和第二触控电极Rx之间)绝缘且能够产生互容，这些触控电极在被触摸后互容值会发生变化，可以通过侦测互容值，确定互容值在触摸前后的变化量，进行触摸位置的判断，实现触控结构10的触控效果。
示例性地，参阅图7，通过将第一触控电极Tx的金属网格G与第二触控电极Rx的金属网格G断开，从而使得第一触控电极Tx和第二触控电极Rx相互绝缘。
基于上述实施方式，为了实现同一第一子触控通道1a中相邻的第一触控电极Tx之间电连接，同一第二子触控通道2a中相邻的第二触控电极Rx之间电连接，且使第一触控电极Tx和第二触控电极Rx相互绝缘的效果，在第一触控通道1和第二触控通道2的交叉位置处，至少一对触控电极(第一触控电极Tx或第二触控电极Rx)之间通过连接结构(即相互交叉且相互绝缘的结构)实现电连接。
例如，参阅图14，沿第一方向X排列且相邻的两个第一触控电极Tx之间通过第三连接部B3电连接，沿第二方向Y排列且相邻的两个第二触控电极Rx之间通过第四连接部B4电连接。相互交叉设置的第三连接部B3和第四连接部B4之间相互绝缘，从而实现第一触控电极Tx和第二触控电极Rx之间的相互绝缘。
示例性地，如图15所示，触控结构10包括层叠设置的第一导电层10A、绝缘层10B和第二导电层10C，绝缘层10B位于第一导电层10A和第二导电层10C之间。
其中，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx设于同一层(例如同时设于第一导电层10A或同时设于第二导电层10B)，第三连接部B3和第四连接部B4分设于不同的膜层，且第三连接部B3所在膜层(例如第一导电层10A)和第四连接部B4所在膜层(例如第二导电层10C)之间通过绝缘层10B实现绝缘，从而使第三连接部B3和第四连接部B4之间相互绝缘。
经本公开发明人研究发现，在触控结构10中，相较于触控电极(包括第一触控电极Tx和第二触控电极Rx)所在位置，连接结构(例如第三连接部B3和第四连接部B4)所在位置处存在两层导电金属。连接结构的数量越多，则对应的双层导电金属越多，可以使得触控结构10的电阻越低。
在相关技术中，如图16所示，每个触控通道(第一触控通道1’或第二触控通道2’)中均仅设置一个子触控通道(第一子触控通道1a’或第二子触控通道2a’)。参阅图16可知，在第一触控通道1’和第二触控通道2’交叉后，触控结构10’整屏中形成的连接结构数量较少。
本公开实施例提供的触控结构10中，通过在至少一个触控通道(包括第一触控通道1和第二触控通道2)内设置相邻的多个子触控通道(包括第一子触控通道1a和第二子触控通道2a)，并设置同一触控通道中的多个子触控通道之间电连接，使得在不改变触控结构10的触控通道数量，避免增加触控芯片负载的情况下，增加触控通道中的触控电极(包括第一触控电极Tx和第二触控电极Rx)的数量，从而可以增加触控结构10整屏中，用于使相邻触控电极之间电连接的连接结构(例如第三连接部B3和第四连接部B4)的数量。通过增加用于使相邻触控电极之间电连接的连接结构的数量，可以降低触控结构10的整体电阻，保证在去除部分金属线GL，提高触控结构10的光透过率后，触控结构10的电阻仍然维持在可以满足正常触控功能的范围内，优化触控结构10的触控效果。
在一些实施例中，如图10和图12所示，沿第二方向Y，同一第一触控通道1中，相邻两个第一子触控通道1a中的第一触控电极Tx一一对应设置。参阅图12，第一触控通道1中包括两个相邻设置的第一子触控通道1a，在同一第一触控通道1中分属于不同的第一子触控通道1a，且在第二方向Y相邻设置的两个第一触控电极Tx之间一一对应设置。
参阅图12，至少一对对应设置的第一触控电极Tx之间电连接。其中，“至少一对对应设置的第一触控电极Tx”为，在同一第一触控通道1中分属于不同的第一子触控通道1a，且在第二方向Y上相邻设置的两个第一触控电极Tx。
通过设置至少一对对应设置的第一触控电极Tx之间电连接，使得位于同一第一触控通道1中的多个第一子触控通道1a之间电连接，从而使得位于同一第一触控通道1中的多个第一子触控通道1a传输相同的触控信号，避免增加触控通道的数量，从而避免提高触控芯片的负载。
示例性地，同一第一触控通道1中，仅有一对对应设置的第一触控电极Tx之间电连接。或者，示例性地，同一第一触控通道1中，部分对应设置的第一触控电极Tx之间电连接，部分对应设置的第一触控电极Tx之间断开。或者，示例性地，同一第一触控通道1中，每一对对应设置的第一触控电极Tx之间电连接。
对应设置的第一触控电极Tx之间通过连接部电连接，通过控制电连接且对应设置的第一触控电极Tx对的数量，即，控制使对应设置的第一触控电极Tx之间电连接的连接部的数量，可以控制触控结构10的电阻大小，连接部越多，触控结构10中的导电金属越多，则触控结构10的电阻越小。
在示例性实施例中，如图17所示，第一触控通道1还包括第一连接部B1，至少一对对应设置的第一触控电极Tx之间通过第一连接部B1电连接。第一连接部B1大致沿第二方向Y延伸。
示例性地，第一触控电极Tx可以与第一连接部B1一体设置。
示例性地，同一第一触控通道1中，可以包括至少一个第一连接部B1，第一连接部B1使位于同一第一触控通道1中的多个第一子触控通道1a之间电连接，从而使得位于同一第一触控通道1中的多个第一子触控通道1a传输相同的触控信号。通过控制第一连接部B1的数量，可以控制触控结构10的电阻大小，第一连接部B1的数量越多，触控结构10的电阻越小。
在一些实施例中，如图11和图12所示，沿第一方向X，同一第二触控通道2中，相邻两个第二子触控通道2a中的第二触控电极Rx一一对应设置。参阅图12，第二触控通道2中包括两个相邻设置的第二子触控通道2a，在同一第一触控通道2中分属于不同的第一子触控通道2a，且在第一方向X上相邻设置的两个第二触控电极Rx之间一一对应设置。
至少一对对应设置的第二触控电极Rx之间电连接。其中，“至少一对对应设置的第二触控电极Rx”为，在同一第二触控通道2中分属于不同的第二子触控通道2a，且在第一方向X上相邻设置的两个第二触控电极Rx。
通过设置至少一对对应设置的第二触控电极Rx之间电连接，使得位于同一第二触控通道2中的多个第二子触控通道2a之间电连接，从而使得位于同一第二触控通道2中的多个第二子触控通道2a传输相同的触控信号，避免增加触控通道的数量，从而避免提高触控芯片的负载。
示例性地，同一第二触控通道2中，仅有一对对应设置的第二触控电极Rx之间电连接。或者，示例性地，同一第二触控通道2中，部分对应设置的第二触控电极Rx之间电连接，部分对应设置的第二触控电极Rx之间断开。或者，示例性地，同一第二触控通道2中，每一对对应设置的第二触控电极Rx之间电连接。
对应设置的第二触控电极Rx之间通过连接部电连接，通过控制电连接且对应设置的第二触控电极Rx对的数量，即，控制使对应设置的第二触控电极Rx之间电连接的连接部的数量，可以控制触控结构10的电阻大小，连接部越多，触控结构10中的导电金属越多，则触控结构10的电阻越小。
在示例性实施例中，如图18所示，第二触控通道2还包括第二连接部B2，至少一对对应设置的第二触控电极Rx之间通过第二连接部B2电连接。第二连接部B2大致沿第一方向X延伸。
示例性地，第二触控电极Rx可以与第二连接部B2一体设置。
示例性地，同一第二触控通道2中，可以包括至少一个第二连接部B2，第二连接部B2使位于同一第二触控通道2中的多个第二子触控通道2a之间电连接，从而使得位于同一第二触控通道2中的多个第二子触控通道2a传输相同的触控信号。通过控制第二连接部B2的数量，可以控制触控结构10的电阻大小，第二连接部B2的数量越多，触控结构10的电阻越小。
在一些实施例中，第一触控通道1中包括多个第一子触控通道1a，且第二触控通道2中包括多个第二子触控通道2a。例如，参阅图12，第一触控通道1中包括两个第一子触控通道1a，且第二触控通道2中包括两个第二子触控通道2a。
在此基础上，参阅图19，至少一个第一连接部B1和至少一个第二连接部B2相交叉。第一连接部B1和第二连接部B2之间相互绝缘。
通过控制第一连接部B1和第二连接部B2的数量，可以控制触控结构10的电阻大小，第一连接部B1和第二连接部B2的数量越多，触控结构10的电阻越小。
在一些实施例中，如图15和图20所示，触控结构10包括层叠设置的第一导电层10A、绝缘层10B和第二导电层10C，绝缘层10B位于第一导电层10A和第二导电层10C之间。
第一触控电极Tx和第二触控电极Rx位于第一导电层10A。
在示例性实施例中，参阅图14，第一触控通道1包括第三连接部B3，沿第一方向X，任意相邻两个第一触控电极Tx之间通过第三连接部B3电连接。第二触控通道2还包括第四连接部B4，沿第二方向Y，任意相邻两个第二触控电极Rx之间通过第四连接部B4电连接。第三连接部B3与第四连接部B4相交叉。
在第三连接部B3与第四连接部B4的交叉位置处，利用绝缘层10B将第三连接部B3与第四连接部B4隔开，从而在实现同一触控通道中的触控电极电连接的同时，避免在交叉位置处发生电导通，导致第一触控电极Tx和第二触控电极Rx上传输的触控信号发生串扰的问题。
示例性地，如图15所示，第三连接部B3位于第一导电层10A，第四连接部B4位于第二导电层10C。
其中，第三连接部B3与第一触控电极Tx一体设置。绝缘层10B中设有过孔H，第四连接部B4通过过孔H与第二触控电极Rx电连接。
示例性地，第三连接部B3还可以位于第二导电层10C，相应地第四连接部B4位于第一导电层10A。
其中，第四连接部B4与第二触控电极Rx一体设置。绝缘层10B中设有过孔H，第三连接部B3通过过孔H与第一触控电极Tx电连接。
参阅图10、图11和图12所示，触控结构10中第三连接部B3和第四连接部B4所组成的连接结构的数量相较于相关技术中的连接结构的数量多，可以有效地降低触控结构10的电阻。
在示例性实施例中，参阅图19，第一触控通道1包括多个第一连接部B1，同一第一触控通道1中，沿第二方向Y相邻两个第一触控电极Tx之间通过第一连接部B1电连接。第二触控通道2还包括第二连接部B2，同一第二触控通道2中，沿第一方向X相邻两个第二触控电极Rx之间通过第二连接部B2电连接。
参阅图19，至少一个第一连接部B1和至少一个第二连接部B2相交叉。
在第一连接部B1与第二连接部B2的交叉位置处，利用绝缘层10B将第一连接部B1与第二连接部B2隔开，从而在实现同一触控通道中的触控电极电连接的同时，避免在交叉位置处发生电导通，导致第一触控电极Tx和第二触控电极Rx上传输的触控信号发生串扰的问题。
示例性地，如图20所示，第一连接部B1位于第一导电层10A，第二连接部B2位于第二导电层10C。
其中，第一连接部B1与第一触控电极Tx一体设置。绝缘层10B中设有过孔H，第二连接部B2通过过孔H与第二触控电极Rx电连接。
示例性地，第一连接部B1也可以位于第二导电层10C，相应地第二连接部B2位于第一导电层10A。
其中，第二连接部B2与第二触控电极Rx一体设置。绝缘层10B中设有过孔H，第一连接部B1通过过孔H与第一触控电极Tx电连接。
参阅图10、图11和图12所示，触控结构10中第一连接部B1和第二连接部B2所组成的连接结构的数量相较于相关技术中的来连接结构的数量多，可以有效地降低触控结构10的电阻。
示例性地，在第一连接部B1与第二连接部B2之间没有交叉的位置处，第一连接部B1可以设置在第一导电层10A或第二导电层10C的任意一层，第二连接部B2可以设置在第一导电层10A或第二导电层10C的任意一层。
示例性地，相对于前述第二导电层10C，前述第一导电层10A可以靠近发光基板设置，或者可以远离发光基板设置，本公开实施例对此不进行限定。
在一些实施例中，如图10～图12所示，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx均大致为菱形电极。即，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx的形状大致为菱形。
示例性地，菱形触控电极(包括第一触控电极Tx和第二触控电极Rx)的两条对角线分别沿着第一方向X和第二方向Y延伸。
示例性地，至少一个第一触控电极Tx的四条边分别与四个第二触控电极Rx的边相邻且相互平行。
第一触控通道1位于沿第一方向X延伸的第一矩形区域，第二触控通道2位于沿第二方向Y延伸的第二矩形区域。
需要说明的是，前述“第一矩形区域”为第一触控通道1中第一触控电极Tx所在的区域，具体的，第一矩形区域为，能够囊括同一个第一触控通道1中全部第一触控电极Tx的面积最小的矩形区域。前述“第二矩形区域”为第二触控通道2中第二触控电极Rx所在的区域，具体的，第二矩形区域为，能够囊括同一个第二触控通道2中全部第二触控电极Rx的面积最小的矩形区域。
如图10～图12所示，第一矩形区域和第二矩形区域相交叉的矩形区域为触控单元区域J。
需要说明的是，该触控单元区域J为触控结构10的触控点，当手指触摸该触控单元区域J时，触控电极会发生互容值的变化，从而检测到手指的触摸位置，实现触控结构10的触控效果。
示例性地，触控结构10中包括沿第一方向X和第二方向Y阵列分布的多个触控单元区域J。
示例性地，每个触控单元区域J内的多个第一触控电极Tx传输相同的触控信号，每个触控单元区域J内的多个第二触控电极Rx传输相同的触控信号。
在示例性实施例中，如图10～图12所示，第三连接部B3和第四连接部B4相交叉，形成第一连接结构M1。触控单元区域J内设有至少两个第一连接结构M1。
示例性地，如图10所示，一个第一触控通道1中包括相邻的两个第一子触控通道1a，一个第二触控通道2中包括一个第二子触控通道2a。其中，触控单元区域J内包括沿第二方向Y排列的两个第一连接结构M1。
示例性地，如图11所示，一个第一触控通道1中包括一个第一子触控通道1a，一个第二触控通道2中包括相邻的两个第二子触控通道2a。其中，触控单元区域J内包括沿第一方向X排列的两个第一连接结构M1。
示例性地，如图12所示，一个第一触控通道1中包括相邻的两个第一子触控通道1a，一个第二触控通道2中包括相邻的两个第二子触控通道2a。其中，触控单元区域J内包括沿第一方向X和第二方向Y阵列分布的四个第一连接结构M1。
如图16所示，在相关技术中，触控结构10’中的触控单元区域J’内仅设置一个第一连接结构M1’。
第一连接结构M1的数量越多，触控结构10中的导电金属越多，则触控结构10的电阻越小。
本公开实施例提供的触控结构10，通过在至少一个触控通道(包括第一触控通道1和第二触控通道2)中设置多个子触控通道(包括第一子触控通道1a和第二子触控通道2a)，并设置同一触控通道中，相邻两个子触控通道电连接，使得一个触控单元区域J内设有至少两个第一连接结构M1，从而增加了触控结构10中的导电金属的数量，减小了触控结构10的整体电阻，保证在去除部分金属线GL，提高触控结构10的光透过率后，触控结构10的电阻仍然维持在可以满足正常触控功能的范围内，优化触控结构10的触控效果。
在示例性实施例中，如图12所示，一个第一触控通道1中包括相邻的两个第一子触控通道1a，一个第二触控通道2中包括相邻的两个第二子触控通道2a。其中，第一触控通道1包括第一连接部B1，且第二触控通道2包括第二连接部B2。第一连接部B1和第二连接部B2相交叉，形成第二连接结构M2。触控单元区域J内设有至少一个第二连接结构M2。
本公开实施例提供的触控结构10，通过在第一触控通道1中设置多个第一子触控通道1a，在第二触控通道2中设置多个第二子触控通道2a，并设置同一触控通道(包括第一触控通道1和第二触控通道2)中，分属于不同子触控通道(包括第一子触控通道1a和第二子触控通道2a)的相邻且相对应的触控电极(包括第一触控电极Tx和第二触控电极Rx)电连接，使得一个触控单元区域J内可以设有至少一个第二连接结构M2，从而进一步增加了触控结构10中的导电金属的数量，减小了触控结构10的整体电阻，保证在去除部分金属线GL，提高触控结构10的光透过率后，触控结构10的电阻仍然维持在可以满足正常触控功能的范围内，优化触控结构10的触控效果。
在一些实施例中，如图10～图12所示，触控单元区域J内包括至少一个第一触控电极Tx；和/或，触控单元区域J内包括至少一个第二触控电极Rx。
示例性地，如图10所示，触控单元区域J内包括一个完整的第二触控电极Rx，以及与该第二触控电极Rx电连接且相对的两个第一连接结构M1，以及分别与该两个第一连接结构M1电连接的两组电极图案。其中，每组电极图案包括围绕第一连接结构M1依次设置的半个第一触控电极Tx图案、半个第二触控电极Rx图案以及半个第一触控电极Tx图案。
示例性地，如图11所示，触控单元区域J内包括一个完整的第一触控电极Tx，以及与该第一触控电极Tx电连接且相对的两个第一连接结构M1，以及分别与该两个第一连接结构M1电连接的两组电极图案。其中，每组电极图案包括围绕第一连接结构M1依次设置的半个第二触控电极Rx图案、半个第一触控电极Tx图案以及半个第二触控电极Rx图案。
示例性地，触控单元区域J内包括位于同一个第一子触控通道1a中且相邻设置的两个第一触控电极Tx，以及位于同一个第二子触控通道2a中且相邻设置的两个第二触控电极Rx。其中，两个第一触控电极Tx中，每个第一触控电极Tx均分别与两个第二触控电极Rx相邻设置。
例如，如图12所示，该触控单元区域J内包括一个第二连接结构M2，以及围绕该第二连接结构M2设置的两个完整的第一触控电极Tx和两个完整的第二触控电极Rx，该两个第一触控电极Tx相对设置，该两个第二触控电极Rx相对设置，触控单元区域J内还包括围绕该第二连接结构M2设置的四个第一连接结构M1，以及分别与该四个第一连接结构M1电连接的四组电极图案。其中，每组电极图案包括围绕第一连接结构M1依次设置的半个第一触控电极Tx图案以及半个第二触控电极Rx图案。
在一些实施例中，如图6和图16可知，本公开一些实施例提供的触控结构10中的触控电极(包括第一触控电极Tx和第二触控电极Rx)的面积(参阅图6)，大致为相关技术中的触控电极的面积(参阅图16)的0.25倍，但本公开一些实施例提供的触控结构10中的触控单元区域J的面积(参阅图6)，与相关技术中的触控单元区域J’的面积(参阅图16)大致相等。即，本公开一些实施例提供的触控结构10中，虽然由于增加连接结构(包括第一连接结构M1和第二连接结构M2)的数量，减小了触控电极的尺寸，但触控结构10的触控单元区域J的尺寸和数量大致保持不变，即，使得触控结构10的触控点保持不变。因此，本公开提供的实施例可以在大致保持原有触控点分布情况的同时，减小触控结构10电阻，提高触控灵敏度，优化触控效果。
在一些实施例中，如图21所示，第一触控电极Tx、第二触控电极Rx、第三连接部B3和第四连接部B4均为金属网格结构(即包括多个金属网格G)。在第一触控通道1包括第一连接部B1，和/或，第二触控通道2包括第二连接部B2的情况下，第一连接部B1和/或第二连接部B2为金属网格结构。
即，第一触控电极Tx、第二触控电极Rx、第一连接部B1、第二连接部B2、第三连接部B3和第四连接部B4均可以包括多条金属线GL，多条金属线GL相互交叉形成金属网格G。从而可以在保证触控信号顺利导通的情况下，通过金属网格G可以提高触控结构10的光透过率，从而提高显示装置1000的显示效果。
在一些实施例中，如图22所示，至少一对相邻设置的子像素P的发光区K’之间，对应设置多条金属线GL，且多条金属线GL之间相互电连接。
示例性地，如图22所示，相邻设置的子像素P的发光区K’之间，对应设置两条金属线GL，且该两条金属线GL之间相互电连接。即，形成金属网格G的金属线GL采用绕线方式布置，通过绕线设计，可以在不影响发光基板20的发光效果的情况下，进一步增加金属线GL的数量，从而降低触控结构10的电阻，优化触控效果。
示例性地，如图23所示，第一连接部B1、第二连接部B2、第三连接部B3和第四连接部B4中的至少一者可以采用绕线方式布置金属线GL，可以进一步增加金属线GL的数量，从而降低触控结构10的电阻，优化触控效果。
在一些实施例中，如图24所示，第一触控电极Tx、第二触控电极Rx、第一连接部B1、第二连接部B2、第三连接部B3和第四连接部B4中的至少一者的金属线GL可以采用双层结构。
例如，参阅图24，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx采用双层结构，即，第一触控电极Tx和第二触控电极Rx均包括第一导电线X1和第二导电线X2，第一导电线X1和第二导电线X2分设于第一导电层10A和第二导电层10C，第一导电线X1和第二导电线X2重叠，且，第一导电线X1和第二导电线X2之间通过贯穿绝缘层10B的过孔Hx电连接。
通过设置双层结构的金属线GL，可以进一步增加金属线GL的数量，从而降低触控结构10的电阻，优化触控效果。
在前述多个实施例的基础上，可以通过金属网格G不同的分布方式，实现对触控结构10的光透过率的提升。
在一些实施例中，发光基板20包括多个像素单元S，每个像素单元S包括能够发射不同颜色光的多个子像素P。
示例性地，如图2、图25和图26所示，一个像素单元S中包括一个第一子像素P1、一个第二子像素P2和一个第三子像素P3。多个像素单元S沿第一方向X和第二方向Y呈阵列分布。
示例性地，如图3和图27所示，一个像素单元S中包括一个第一子像素P1、两个第二子像素P2和一个第三子像素P3，该两个第二子像素P2沿第一方向X依次排列，且该两个第二子像素P2分设于该第一子像素P1和该第三子像素P3的连线的两侧。多个像素单元S沿平行于发光基板20的对角线的方向呈阵列分布。
示例性地，如图4和图28所示，一个像素单元S中包括一个第一子像素P1、两个第二子像素P2和一个第三子像素P3，该两个第二子像素P2沿第二方向Y依次排列。
在前述像素单元S的多个分布方式的基础上，像素单元S的多个子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于至少一个金属网格G在参考面N上的正投影范围内。且，像素单元S的多个子像素P中，至少有两个子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个金属网格G在参考面N的正投影的范围内。
即，一个像素单元S可以对应至少一个金属网格G，且，该至少一个金属网格G中的一个金属网格G对应至少两个子像素P。
通过设置一个像素单元S对应至少一个金属网格G，且，该至少一个金属网格G中的一个金属网格G对应至少两个子像素P，可以保证一个金属网格G可以供至少两个子像素P的光线射出，相较于相关技术中一个金属网格G对应一个子像素P的情况，本公开实施例提供的触控显示结构100中触控结构10的金属网格G的面积较大，则触控结构10的光透过率较高，可以提高触控显示结构100的显示效果，同时，触控结构10的电阻较小，可以同时满足触控结构10的光透过效果和触控效果。
示例性地，在像素单元S包括一个能够发射红色光的子像素P、一个能够发射蓝色光的子像素P以及一个能够发射绿色光的子像素P的情况下，像素单元S中全部子像素P的发光区K’在N参考面上的正投影，位于同一个金属网格G在参考面N的正投影的范围内。
例如，参阅图25，多个子像素P呈Real RGB排列。一个像素单元S的多个子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个金属网格G在参考面N上的正投影范围内。
即，一个金属网格G内可以对应设置三个子像素P，保证一个金属网格G可以供三个子像素P的光线射出，相较于相关技术中一个金属网格G对应一个子像素P的情况，本公开实施例提供的触控显示结构100中触控结构10的金属网格G的面积较大，则触控结构10的光透过率较高，可以提高触控显示结构100的显示效果。
示例性地，在像素单元S包括一个能够发射红色光的子像素P、一个能够发射蓝色光的子像素P以及一个能够发射绿色光的子像素P的情况下，像素单元S中，能够发射红色光的子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于一个金属网格G在参考面N的正投影的范围内，能够发射蓝色光的子像素P的发光区K’和能够发射绿色光的子像素P的发光区K’在参考面上的正投影，均位于另一个金属网格G在参考面N的正投影的范围内。
例如，参阅图26，多个子像素P呈Real RGB排列。一个像素单元S的多个子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于两个金属网格G在参考面N上的正投影范围内，该像素单元S的多个子像素P中，第一子像素P1的发光区K’和第三子像素P3的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个金属网格G在参考面N的正投影的范围内，第二子像素P2的发光区K’在参考面N上的正投影，位于另一个金属网格G在参考面N的正投影的范围内。
即，在一个像素单元S对应的两个金属网格G内，其中一个金属网格G内对应设置一个子像素P(例如第二子像素P2)，另一个金属网格G内对应设置两个子像素P(例如第一子像素P1和第三子像素P3)。可以保证至少一个金属网格G可以供两个子像素P的光线射出，相较于相关技术中一个金属网格G对应一个子像素P的情况，本公开实施例提供的触控显示结构100中触控结构10的金属网格G的面积较大，则触控结构10的光透过率较高，可以提高触控显示结构100的显示效果。
本公开发明人对本公开实施例提供的触控结构10进行了模拟分析，分析结果如下：
在每个金属网格G对应一个子像素P的情况下，触控结构10的开口率大约为10.8％，或者，金属线GL的占比大致为10％～20％。
在一个像素单元S对应的两个金属网格G中，其中一个金属网格G内对应设置一个子像素P，另一个金属网格G内对应设置两个子像素P的情况下，触控结构10的开口率可以达到15.5％，或者，金属线GL的占比大致为10％～15％。
在一个金属网格G对应设置三个子像素P的情况下，触控结构10的开口率可以达到19.2％，或者，金属线GL的占比大致为5％～15％。
在一个金属网格G对应设置三个以上子像素P的情况下，触控结构10的金属线GL的占比大致为0％～5％。
其中，“触控结构10的开口率”为，金属网格G的面积相对于触控结构10整体面积的占比。
基于上述分析结果可知，通过设置一个金属网格G对应至少两个子像素P，可以使得触控结构10的光透过率得到明显提升，有效提高触控显示结构100的显示效果。
在此基础上，为了更为直观地呈现前述触控结构10对触控显示结构100显示效果的优化，本公开发明人对触控显示结构100进行了模拟分析，在本次模拟分析中，除触控结构10的开口率不同以外，触控显示结构100的其他结构，例如偏光片、光学胶或玻璃盖板等结构的材质、型号以及堆叠结构等条件均相同。分析结果如下：
在每个金属网格G对应一个子像素P的情况下，触控显示结构100的屏幕光透过率大约为2.0％。
在一个像素单元S对应的两个金属网格G中，其中一个金属网格G内对应设置一个子像素P，另一个金属网格G内对应设置两个子像素P的情况下，触控显示结构100的屏幕光透过率大约为2.9％。
在一个金属网格G对应设置三个子像素P的情况下，触控显示结构100的屏幕光透过率大约为3.6％。
基于上述分析结果可知，通过设置一个金属网格G对应至少两个子像素P，有效提升了触控显示结构100的屏幕光透过率，从而优化了触控显示结构100的显示效果。
示例性地，在像素单元S包括一个能够发射红色光的子像素P、一个能够发射蓝色光的子像素P以及两个能够发射绿色光的子像素P的情况下，像素单元S中全部子像素P的发光区K’在所述参考面N上的正投影，位于同一个金属网格G在参考面N的正投影的范围内。
例如，参阅图27和图28，多个子像素P呈钻石排列或GGRB排列。一个像素单元S的多个子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于一个金属网格G在参考面N上的正投影范围内。
即，一个金属网格G内可以对应设置四个子像素P，保证一个金属网格G可以供四个子像素P的光线射出，相较于相关技术中一个金属网格G对应一个子像素P的情况，本公开实施例提供的触控显示结构100中触控结构10的金属网格G的面积较大，则触控结构10的光透过率较高，可以提高触控显示结构100的显示效果。
在一些实施例中，如图29所示，多个金属网格G包括多个第一子网格组Ga和多个第二子网格组Gb，第一子网格组Ga和第二子网格组Gb交替设置；第一子网格组Ga包括至少一个第一子网格G1，第二子网格组Gb包括至少一个第二子网格G2。
其中，像素单元S的多个子像素P中的部分子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个第一子网格G1在参考面的正投影的范围内；另一个像素单元S中全部子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个第二子网格G2在参考面N的正投影的范围内。
示例性地，如图29所示，多个子像素P呈Real-RGB排列。
第一子网格组Ga和第二子网格组Gb沿第一方向X和第二方向Y交替设置，第一子网格组Ga包括三个第一子网格G1，第二子网格组Gb包括一个第二子网格G2。
其中，同一个第一子网格组Ga中的三个第一子网格G1，均与同一个像素单元S中的三个子像素P的发光区K’一一对应设置，第二子网格G2与另一个像素单元S中的全部子像素P的发光区K’对应设置。
示例性地，如图30所示，多个金属网格G还包括多个第三子网格组Gc。第一子网格组Ga、第三子网格组Gc和第二子网格组Gb交替设置。第三子网格组Gc包括至少一个第三子网格G3。
其中，像素单元S的多个子像素P中的部分子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个第一子网格G1在参考面的正投影的范围内；像素单元S的多个子像素P中的另外部分(除前述部分子像素P以外)子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个第三子网格G3在参考面的正投影的范围内；另一个像素单元S中全部子像素P的发光区K’在参考面N上的正投影，位于同一个第二子网格G2在参考面N的正投影的范围内。
示例性地，如图30所示，多个子像素P呈Real-RGB排列。
第一子网格组Ga、第三子网格组Gc和第二子网格组Gb沿第一方向X和第二方向Y交替设置。第一子网格组Ga包括三个第一子网格G1，且该三个第一子网格G1沿第二方向Y依次排列；第三子网格组Gc包括三个第三子网格G3，且该三个第三子网格G3沿第二方向Y依次排列；第二子网格组Gb包括三个第二子网格G2，且该三个第二子网格G2沿第二方向Y依次排列。
其中，同一个像素单元S的三个子像素P中，其中一个子像素P的发光区K’与一个第一子网格G1对应设置，另外两个子像素P的发光区K’同时与一个第三子网格G3对应设置，另一个像素单元S中的全部子像素P的发光区K’与一个第二子网格G2对应设置。
通过使第一子网格组Ga和第二子网格组Gb交替设置，或者使第一子网格组Ga、第三子网格组Gc和第二子网格组Gb交替设置，可以灵活地控制不同位置处的金属线GL的分布密度，从而可以在对光透过率需求较高的位置处适应性地降低金属线GL的分布密度，使得设计上更具灵活性。
例如，可以在光学指纹传感器对应的触控结构10的位置处设置较多的第二子网格G2，从而提高该位置处触控结构10的光透过率，优化光学指纹传感器的感应灵敏度。
基于前述实施例，在一个金属网格G对应设置一个子像素P、一个金属网格G对应设置两个子像素P、一个金属网格G对应设置三个子像素P或一个金属网格G对应设置三个以上子像素P等多种设计方式相互组合的情况下，触控结构10的金属线GL的占比大致为0％～20％。
在一些实施例中，还可以通过减小金属线GL的宽度，扩大金属网格G的面积，从而提高触控结构10的光透过率。
在一些实施例中，如图22、图23和图24所示，金属线GL可以沿直线延伸。
在一些实施例中，如图25所示，金属线GL可以呈折线延伸。
在一些实施例中，如图22、图23和图24所示，金属网格G的形状可以为形状规则的矩形。
在一些实施例中，如图25所示，金属网格G的形状也可以为多边形。
在一些实施例中，如图22～图25所示，金属线GL沿着子像素P的发光区K’的边界延伸，且金属线GL位于相邻的子像素P的发光区K’之间，即，使得金属网格G与子像素P的发光区K’对应，避免金属线GL遮挡子像素P的发光路径，提高子像素P的发光效率，从而提升触控显示结构100的显示效果。
在一些实施例中，如图31所示，发光基板20包括沿第一方向X延伸的多条第一信号线Q1，金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第一信号线Q1在参考面N上的正投影至少部分重叠。
示例性地，金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第一信号线Q1在参考面N上的正投影的重合率大于50％。
在一些实施例中，参阅图5，发光基板20包括依次层叠设置的衬底21、有源层201、第一栅绝缘层202、第一栅导电层203、第二栅绝缘层204、第二栅导电层205、层间介质层206、第一源漏导电层207、钝化层208、第一平坦化层209、第二源漏导电层210。
参阅图31和图32，通过将前述多个膜层中的图案一层一层刻蚀叠加，可以在每个子像素P中形成多个薄膜晶体管TFT。例如，参阅图31和图32，一个子像素P内可以形成第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7。
其中，第一信号线Q1可以设置于第一栅导电层203或第二栅导电层205中的至少一层。
示例性地，如图31所示，前述多条第一信号线Q1可以包括使能信号线Q11。金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条使能信号线Q11在参考面N上的正投影至少部分重叠。
参阅图31，该使能信号线Q11设于第一栅导电层203。该使能信号线Q11与有源层201的交叠部分形成第五晶体管T5的栅极和第六晶体管T6的栅极，从而向第五晶体管T5和第六晶体管T6提供使能信号。
示例性地，如图31所示，前述多条第一信号线Q1还可以包括扫描信号线Q12。金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条扫描信号线Q12在参考面N上的正投影至少部分重叠。
参阅图31，该扫描信号线Q12设于第一栅导电层203。
如图31所示，可选地，扫描信号线Q12可以包括第一扫描信号线Q121、第二扫描信号线Q122以及第三扫描信号线Q123。
其中，第一扫描信号线Q121与有源层201的交叠部分形成第一晶体管T1的栅极，从而向第一晶体管T1提供复位信号。
第二扫描信号线Q122与有源层201的交叠部分形成第二晶体管T2的栅极和第四晶体管T4的栅极，从而向第二晶体管T2和第四晶体管T4提供第一扫描信号。
第三扫描信号线Q123与有源层201的交叠部分形成第七晶体管T7的栅极，从而向第七晶体管T7提供第二扫描信号。
金属线GL在参考面N上的正投影，可以与第一扫描信号线Q121、第二扫描信号线Q122或第三扫描信号线Q123中的至少一者在参考面N上的正投影至少部分重叠。例如，参阅图31，金属线GL在参考面N上的正投影，与第一扫描信号线Q121在参考面N上的正投影至少部分重叠。
示例性地，如图32所示，前述多条第一信号线Q1还可以包括初始化信号线Q13。金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条初始化信号线Q13在参考面N上的正投影至少部分重叠。
参阅图32，该初始化信号线Q13设于第二栅导电层205。
如图32所示，可选地，初始化信号线Q13可以包括第一初始化信号线Q131和第二初始化信号线Q132。
其中，第一初始化信号线Q131被配置为与第一晶体管T1电连接，向第一晶体管T1提供第一初始化信号。
第二初始化信号线Q132被配置为与第七晶体管T7电连接，向第七晶体管T7提供第二初始化信号。
金属线GL在参考面N上的正投影，可以与第一初始化信号线Q131或第二初始化信号线Q132中的至少一者在参考面N上的正投影至少部分重叠。例如，参阅图32，金属线GL在参考面N上的正投影，与第二初始化信号线Q132在参考面N上的正投影至少部分重叠。
通过设置金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第一信号线Q1在参考面N上的正投影至少部分重叠，可以通过发光基板20中的第一信号线Q1对触控结构10中沿第一方向X延伸的金属线GL的位置进行限定，避免沿第一方向X延伸的金属线GL遮挡子像素P的发光路径，提高子像素P的发光效率，从而提升触控显示结构100的显示效果。
尤其在触控显示结构100设置屏下光学器件，例如设置屏下光学指纹传感器的实施例中，手指触摸屏幕后，手指的反射光需要依次经过触控结构10和发光基板20，才能将指纹信息传输至位于发光基板20远离触控结构10一侧的光学指纹传感器，实现指纹检测。
通过在设有屏下光学器件的区域，设置金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第一信号线Q1在参考面N上的正投影至少部分重叠，可以减少设有屏下光学器件的区域中，沿第一方向X延伸的走线(包括金属线GL和第一信号线Q1)的分布密度，避免沿第一方向X延伸的走线遮挡反射光的传输路径，有效提高设有屏下光学器件的区域的光透过率，从而提高光学器件的实现效果。
在一些实施例中，如图31和图32所示，发光基板20还包括沿第二方向Y延伸的多条第二信号线Q2，金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第二信号线Q2在参考面N上的正投影至少部分重叠。
示例性地，金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第二信号线Q2在参考面N上的正投影的重合率大于50％。
在一些实施例中，第二信号线Q2可以设置于第一源漏导电层207或第二源漏导电层210中的至少一层。
示例性地，参阅图31，前述多条第二信号线Q2包括电源信号线Q21。电源信号线Q21设于第二源漏导电层210。
电源信号线Q21沿第二方向Y延伸，其被配置为向子像素P提供电源信号，从而实现对子像素P的发光控制。
参阅图31，金属线GL在参考面N上的正投影，与电源信号线Q21在参考面N上的正投影至少部分重叠。
示例性地，参阅图32，前述多条第二信号线Q2包括数据信号线Q22。数据信号线Q22设于第二源漏导电层210。
数据信号线Q22沿第二方向Y延伸，其被配置为向子像素P提供数据信号，从而实现对子像素P的发光控制。
参阅图32，金属线GL在参考面N上的正投影，与数据信号线Q22在参考面N上的正投影至少部分重叠。
通过设置金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第二信号线Q2在参考面N上的正投影至少部分重叠，可以通过发光基板20中的第二信号线Q2对触控结构10中沿第二方向Y延伸的金属线GL的位置进行限定，避免沿第二方向Y延伸的金属线GL遮挡子像素P的发光路径，提高子像素P的发光效率，从而提升触控显示结构100的显示效果。
尤其在触控显示结构100设置屏下光学器件，例如设置屏下光学指纹传感器的实施例中，通过在设有屏下光学器件的区域，设置金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第二信号线Q2在参考面N上的正投影至少部分重叠，可以减少设有屏下光学器件的区域中，沿第二方向Y延伸的走线(包括金属线GL和第二信号线Q2)的分布密度，避免沿第二方向Y延伸的走线遮挡反射光的传输路径，有效提高设有屏下光学器件的区域的光透过率，从而提高光学器件的实现效果。
在一些实施例中，如图31和图32所示，沿第一方向X延伸金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第一信号线Q1在参考面N上的正投影至少部分重叠，沿第二方向Y延伸金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第二信号线Q2在参考面N上的正投影至少部分重叠。
通过设置沿第一方向X延伸的金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第二信号线Q2在参考面N上的正投影至少部分重叠，沿第二方向Y延伸金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第二信号线Q2在参考面N上的正投影至少部分重叠，即，使金属网格G的金属线GL与发光基板20中的信号线(包括第一信号线Q1和第二信号线Q2)重叠，从而可以通过发光基板20中的信号线对触控结构10中的金属网格G的位置进行限定，避免金属网格G遮挡子像素P的发光路径，提高子像素P的发光效率，从而提升触控显示结构100的显示效果。
尤其在触控显示结构100设置屏下光学器件，例如设置屏下光学指纹传感器的实施例中，通过在设有屏下光学器件的区域，设置沿第一方向X延伸的金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第二信号线Q2在参考面N上的正投影至少部分重叠，沿第二方向Y延伸金属线GL在参考面N上的正投影，与至少一条第二信号线Q2在参考面N上的正投影至少部分重叠，可以减少设有屏下光学器件的区域中的走线(包括金属线GL和第一信号线Q1、第二信号线Q2)的分布密度，避免走线遮挡反射光的传输路径，有效提高设有屏下光学器件的区域的光透过率，从而提高光学器件的实现效果。
本公开发明人对本公开一些实施例提供的触控显示结构100进行了触控效果的分析。
实验组：本公开实施例提供的触控结构10的一个金属网格G对应三个子像素P，且，该触控结构10中，一个第一触控通道1中包括相邻的两个第一子触控通道1a，一个第二触控通道2中包括相邻的两个第二子触控通道2a，即，触控单元区域J内设有四个第一连接结构M1。
对照组：在相关技术中，触控结构的一个金属网格对应一个子像素，且每个触控通道内仅包括一个子触控通道。
分析结果如下：
表1
| 对照组 | 实验组 | 变化率 | |
| 初始互容值(pF) | 1.08 | 0.91 | -15.74％ |
| 触摸互容值(pF) | 1.01 | 0.80 | -20.79％ |
| 互容值的变化量(pF) | 0.07 | 0.11 | +57.14％ |
| 互容值变化量的占比 | 6.48％ | 12.09％ | |
| 第一触控电极的自容值(pF) | 10.90 | 10.21 | -6.33％ |
| 第二触控电极的自容值(pF) | 13.35 | 11.22 | -15.96％ |
| 第一触控电极的电阻(Ω) | 15.51 | 21.46 | +38.36％ |
| 第二触控电极的电阻(Ω) | 14.43 | 21.90 | +51.76％ |
其中，“初始互容值”为，手指没有触摸屏幕时，触控结构10的互容值。“触摸互容值”为，手指触碰屏幕进行触控时，触控结构10的互容值。“互容值的变化量”为初始互容值与触摸互容值的差值。“互容值变化量的占比”为互容值的变化量相对于初始互容值的占比。
互容值变化量的占比越高，则说明手指触碰屏幕时触控结构10的感应能力越强，即，说明触控结构10的触控灵敏度越高，触控效果越好。
通过表1可知，本公开实施例提供的触控显示结构100中，触控结构10的电阻仅有小范围的提升，而触控结构10的互容值变化量的占比相对于相关技术中的触控结构提高了将近一倍，即触控灵敏度得到了很大的提升，
综上所述，本公开实施例提供的触控显示结构100，可以在提高触控结构10的光透过率的同时(即一个金属网格G对应至少两个子像素P)，将触控结构10的电阻维持在可以实现正常触控效果的水平内，同时兼顾了显示效果和触控效果。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (24)
1.一种触控显示结构，其特征在于，包括：发光基板和设置在所述发光基板至少一侧的触控结构；
所述触控结构包括沿第一方向延伸的多个第一触控通道，和沿第二方向延伸的多个第二触控通道，所述第一方向和所述第二方向相互交叉；所述多个第一触控通道和所述多个第二触控通道之间相互绝缘；
其中，至少一个第一触控通道包括相邻的多个第一子触控通道，第一子触控通道包括沿所述第一方向排列且依次电连接的多个第一触控电极；同一所述第一触控通道中，相邻两个所述第一子触控通道电连接；和/或，
至少一个所述第二触控通道包括相邻的多个第二子触控通道，第二子触控通道包括沿所述第二方向排列且依次电连接的多个第二触控电极；同一所述第二触控通道中，相邻两个所述第二子触控通道电连接；
所述触控结构包括多条金属线，所述多条金属线相互交叉形成多个金属网格；
所述发光基板包括多个子像素，每个子像素包括发光区；至少两个所述子像素的发光区在参考面上的正投影，位于同一个所述金属网格在所述参考面上的正投影范围内；所述参考面为所述发光基板所在的平面。
2.根据权利要求1所述的触控显示结构，其特征在于，沿所述第二方向，同一所述第一触控通道中，相邻两个第一子触控通道中的第一触控电极一一对应设置；至少一对对应设置的第一触控电极之间电连接。
3.根据权利要求2所述的触控显示结构，其特征在于，所述第一触控通道还包括第一连接部，至少一对对应设置的第一触控电极之间通过所述第一连接部电连接；所述第一连接部大致沿所述第二方向延伸。
4.根据权利要求1所述的触控显示结构，其特征在于，沿所述第一方向，同一所述第二触控通道中，相邻两个第二子触控通道中的第二触控电极一一对应设置；至少一对对应设置的第二触控电极之间电连接。
5.根据权利要求4所述的触控显示结构，其特征在于，所述第二触控通道还包括第二连接部，至少一对对应设置的第二触控电极之间通过所述第二连接部电连接；所述第二连接部大致沿所述第一方向延伸。
6.根据权利要求1所述的触控显示结构，其特征在于，所述第一触控通道包括多个第一连接部，所述第二触控通道包括多个第二连接部，至少一个第一连接部和至少一个第二连接部相交叉。
7.根据权利要求6所述的触控显示结构，其特征在于，包括层叠设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层，所述绝缘层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述绝缘层中设有过孔；
所述第一触控电极和所述第二触控电极位于所述第一导电层；
所述第一连接部位于所述第一导电层，所述第二连接部位于所述第二导电层，所述第二连接部通过所述过孔与相应的第二触控电极电连接；或者，
所述第二连接部位于所述第一导电层，所述第一连接部位于所述第二导电层，所述第一连接部通过所述过孔与相应的第一触控电极电连接。
8.根据权利要求1所述的触控显示结构，其特征在于，所述第一触控通道还包括第三连接部，沿所述第一方向，任意相邻两个第一触控电极之间通过所述第三连接部电连接；
所述第二触控通道还包括第四连接部，沿所述第二方向，任意相邻两个第二触控电极之间通过所述第四连接部电连接。
9.根据权利要求8所述的触控显示结构，其特征在于，所述第一触控电极和所述第二触控电极均大致为菱形电极；
所述第一触控通道位于沿所述第一方向延伸的第一矩形区域，所述第二触控通道位于沿所述第二方向延伸的第二矩形区域，所述第一矩形区域和所述第二矩形区域相交叉的矩形区域为触控单元区域；
所述第三连接部和所述第四连接部相交叉，形成第一连接结构；
所述触控单元区域内设有至少两个所述第一连接结构。
10.根据权利要求9所述的触控显示结构，其特征在于，所述第一触控通道包括第一连接部，且所述第二触控通道包括第二连接部；所述第一连接部和所述第二连接部相交叉，形成第二连接结构；
所述触控单元区域内设有至少一个所述第二连接结构。
11.根据权利要求10所述的触控显示结构，其特征在于，所述触控单元区域内包括至少一个所述第一触控电极；和/或，所述触控单元区域内包括至少一个所述第二触控电极。
12.根据权利要求11所述的触控显示结构，其特征在于，所述触控单元区域内包括位于同一个第一子触控通道中且相邻设置的两个第一触控电极，以及位于同一个第二子触控通道中且相邻设置的两个第二触控电极；
其中，所述两个第一触控电极中，每个第一触控电极均分别与所述两个第二触控电极相邻设置。
13.根据权利要求8所述的触控显示结构，其特征在于，所述第一触控电极、所述第二触控电极、所述第三连接部和所述第四连接部均由多个所述金属网格形成；
在所述第一触控通道包括第一连接部，和/或，所述第二触控通道包括第二连接部的情况下，所述第一连接部和/或所述第二连接部由多个所述金属网格形成。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的触控显示结构，其特征在于，所述发光基板包括多个像素单元，每个像素单元包括能够发射不同颜色光的多个子像素；
所述像素单元的多个子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于至少一个所述金属网格在所述参考面上的正投影范围内；且，所述像素单元的多个子像素中，至少有两个子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内。
15.根据权利要求14所述的触控显示结构，其特征在于，所述像素单元包括一个能够发射红色光的子像素、一个能够发射蓝色光的子像素以及两个能够发射绿色光的子像素；
所述像素单元中全部子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内。
16.根据权利要求15所述的触控显示结构，其特征在于，所述多个子像素采用GGRB排列方式。
17.根据权利要求14所述的触控显示结构，其特征在于，所述像素单元包括一个能够发射红色光的子像素、一个能够发射蓝色光的子像素以及一个能够发射绿色光的子像素；
所述像素单元中全部子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内；或者，
所述像素单元中，能够发射红色光的子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内，能够发射蓝色光的子像素的发光区和能够发射绿色光的子像素的发光区在所述参考面上的正投影，均位于另一个所述金属网格在所述参考面的正投影的范围内。
18.根据权利要求17所述的触控显示结构，其特征在于，所述多个子像素采用Real RGB排列方式。
19.根据权利要求1～13中任一项所述的触控显示结构，其特征在于，所述多个金属网格包括多个第一子网格组和多个第二子网格组，所述第一子网格组和所述第二子网格组交替设置；所述第一子网格组包括至少一个第一子网格，所述第二子网格包括至少一个第二子网格；
其中，所述像素单元的多个子像素中的部分子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述第一子网格在所述参考面的正投影的范围内；所述像素单元中全部子像素的发光区在所述参考面上的正投影，位于同一个所述第二子网格在所述参考面的正投影的范围内。
20.根据权利要求1所述的触控显示结构，其特征在于，所述金属线呈直线延伸，所述多条金属线相互交叉形成的金属网格呈矩形；和/或，
所述金属线呈折线延伸，所述多条金属线相互交叉形成的所述金属网格呈多边形。
21.根据权利要求1所述的触控显示结构，其特征在于，至少一对相邻设置的子像素的发光区之间，对应设置多条金属线，且所述多条金属线之间相互电连接。
22.根据权利要求1所述的触控显示结构，其特征在于，
所述发光基板包括沿所述第一方向延伸的多条第一信号线，所述金属线在所述参考面上的正投影，与至少一条第一信号线在所述参考面上的正投影至少部分重叠；和/或，
所述发光基板还包括沿所述第二方向延伸的多条第二信号线，所述金属线在所述参考面上的正投影，与至少一条第二信号线在所述参考面上的正投影至少部分重叠。
23.根据权利要求22所述的触控显示结构，其特征在于，所述第一信号线包括使能信号线、扫描信号线或初始化信号线中的至少一者；
所述第二信号线包括数据线或电源线中的至少一者。
24.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～23中任一项所述的触控显示结构。
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