CN112859463A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置,包括:第一衬底基板;多条扫描信号线,位于第一衬底基板的一侧;多条数据信号线,位于扫描信号线背离第一衬底基板的一侧;第一屏蔽部,位于数据信号线背离扫描信号线的一侧;第一屏蔽部为条状结构;各子像素单元中,数据信号线的两侧均分别设置一个第一屏蔽部。第一屏蔽部加载稳定的信号,这样数据信号线在向子像素单元区域产生电场线时,会被第一屏蔽部屏蔽,从而改善数据信号线上的信号对子像素单元边缘区域的有效电场的影响,由此可以使得覆盖数据信号线的黑矩阵的宽度减小,增大子像素单元的开口面积,提升透过率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
液晶显示面板作为目前主流的显示屏,具有耗电量低、体积小、辐射低等优势。
目前常用水平电场模式的液晶显示面板包括平面转换(In-Plane Switching,简称IPS)模式液晶显示面板及高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)模式液晶显示面板。
其中,ADS型显示模式由于其宽视角,高分辨率、低功耗等特点广泛应用于显示领域。目前大尺寸及超大尺寸显示装置为了达到高透过率的效果,将像素电极覆盖到数据信号线的范围之内,但与此同时会造成数据信号线的寄生电容成2-3倍数量级增加,直接导致驱动无法正常工作。
发明内容
本发明提供一种显示面板及显示装置,用于提升子像素单元的透过率。
本发明提供一种显示面板,包括:
第一衬底基板;
多条扫描信号线,位于所述第一衬底基板的一侧;所述多条扫描信号线沿第一方向延伸,沿第二方向排列,所述第一方向和所述第二方向交叉;
多条数据信号线,位于所述扫描信号线背离所述第一衬底基板的一侧;所述多条数据信号线沿所述第二方向延伸,沿所述第一方向排列;所述多条扫描信号线和所述多条数据信号线划分出多个子像素单元;
第一屏蔽部,位于所述数据信号线背离所述扫描信号线的一侧;所述第一屏蔽部为条状结构,所述第一屏蔽部沿所述第二方向延伸;
各所述子像素单元中,所述数据信号线沿所述第一方向的两侧均分别设置一个所述第一屏蔽部。
本发明一些实施例中,所述显示面板包括:
栅极金属层,位于所述第一衬底基板之上;所述栅极金属层包括所述多条扫描信号线和多条公共电极信号线的图形;
栅极绝缘层,位于所述栅极金属层背离所述第一衬底基板的一侧;
源漏金属层,位于所述栅极绝缘层背离所述栅极金属层的一侧,所述源漏金属层包括所述多条数据信号线的图形;
钝化层,位于所述源漏金属层背离所述栅极绝缘层的一侧;
有机膜层,位于所述钝化层背离所述源漏金属层的一侧;
所述第一屏蔽部位于所述有机膜层背离所述钝化层一侧的表面。
本发明一些实施例中,所述显示面板还包括:像素电极和公共电极;
所述像素电极与所述栅极金属层同层设置,所述像素电极的图形与所述栅极金属层的图形互不交叠;或者,所述像素电极与所述源漏金属层同层设置;
所述公共电极位于所述有机膜层背离所述钝化层一侧的表面。
本发明一些实施例中,所述公共电极为梳状电极,所述梳状电极的延伸方向为所述第二方向;
第一屏蔽部与所述公共电极相互连接;
所述第一屏蔽部施加的信号与所述公共电极施加的信号相同。
本发明一些实施例中,所述显示面板还包括:
第二屏蔽部,位于所述数据信号线背离所述第一屏蔽部的一侧;所述第二屏蔽部为条状结构,所述第二屏蔽部沿所述第二方向延伸;
各所述子像素单元中,所述数据信号线沿所述第一方向的两侧均分别设置一个所述第二屏蔽部。
本发明一些实施例中,所述第二屏蔽部与所述栅极金属层同层设置;所述第二屏蔽部与所述公共电极信号线相互连接;
所述第一屏蔽部与所述第二屏蔽部施加的信号与所述公共电极施加的信号相同。
本发明一些实施例中,所述有机膜层覆盖所述数据信号线的区域为第一区域,所述有机膜层除所述第一区域以外的区域为第二区域,所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度;
所述有机膜层在所述第一区域和所述第二区域的交界位置设置为斜面,所述第一屏蔽部设置于所述斜面上。
本发明一些实施例中,所述第一屏蔽部在所述第一衬底基板的正投影与所述数据信号线在所述第一衬底基板的正投影互不重叠。
本发明一些实施例中,所述第二屏蔽部在所述第一衬底基板的正投影与所述数据信号线在所述第一衬底基板的正投影互不重叠。
本发明一些实施例中,所述钝化层的厚度为1000。
本发明一些实施例中,所述像素电极为块状电极。
本发明一些实施例中,所述显示面板还包括:
第二衬底基板,与所述第一衬底基板相对设置;
彩膜层,位于所述第二衬底基板面向所述第一衬底基板的一侧;
液晶层,位于所述第一衬底基板与所述第二衬底基板之间。
本发明一些实施例中,所述液晶层采用正性液晶或负性液晶。
本发明还提供一种显示装置,包括上述任一显示面板。
本发明提供的显示面板及显示装置,包括:第一衬底基板;多条扫描信号线,位于第一衬底基板的一侧;多条扫描信号线沿第一方向延伸,沿第二方向排列,第一方向和第二方向交叉;多条数据信号线,位于扫描信号线背离第一衬底基板的一侧;多条数据信号线沿第二方向延伸,沿第一方向排列;多条扫描信号线和多条数据信号线划分出多个子像素单元;第一屏蔽部,位于数据信号线背离扫描信号线的一侧;第一屏蔽部为条状结构,第一屏蔽部沿第二方向延伸;各子像素单元中,数据信号线沿第一方向的两侧均分别设置一个第一屏蔽部。第一屏蔽部加载稳定的信号,这样数据信号线在向子像素单元区域产生电场线时,会被第一屏蔽部屏蔽,从而改善数据信号线上的信号对子像素单元边缘区域的有效电场的影响,由此可以使得覆盖数据信号线的黑矩阵的宽度减小,增大子像素单元的开口面积,提升透过率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示面板的平面结构示意图之一;
图2为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之一;
图3为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之二;
图4为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之三;
图5为本发明实施例提供的显示面板平面结构示意图之二;
图6为本发明实施例提供的子像素单元的平面结构示意图;
图7为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之四。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明更全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词,均是以附图为例进行的说明,但根据需要也可以做出改变,所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
液晶显示器主要由背光模组和液晶显示面板构成。液晶显示面板本身不发光,需要依靠背光模组提供的光源实现亮度显示。
液晶显示器的显像原理,是将液晶置于两片导电玻璃之间,靠两个电极间电场的驱动,引起液晶分子扭曲的电场效应,以控制背光源透射或遮蔽功能,从而将影像显示出来。若加上彩色滤光片,则可显示彩色影像。
目前常用水平电场模式的液晶显示面板包括平面转换(In-Plane Switching,简称IPS)模式液晶显示面板及高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)模式液晶显示面板。
ADS显示面板包括阵列基板、对向基板,以及位于两者之间的液晶层。当显示面板未施加电压时,液晶分子在盒内平行分布,光线无法通过而显示为“黑态”,而当显示面板施加电压时,在阵列基板电场的驱动下,液晶横向转动,从而使得光线可以通过而显示为“白态”。
目前的ADS模式液晶显示面板常采用横向狭缝电极设置,不可避免像素中心交叠区域产生暗场,并且横向狭缝电极配合负性液晶使用时效果并不理想。
在显示半白半黑的画面时,数据信号线为高电平,黑画面区域就会因高电平信号的干扰发生漏光,因此目前的ADS面板中需要将黑矩阵进行加宽,以避免上述的漏光问题,但这样的设计会损失像素开口区域,导致透光率降低。
有鉴于此,本发明实施例提供的一种显示面板,图1为本发明实施例提供的显示面板的平面结构示意图之一。
参照图1,显示面板包括:第一衬底基板100、多条扫描信号线21、多个数据信号线31。
扫描信号线21位于第一衬底基板100的一侧,扫描信号线21沿第一方向x延伸,沿第二方向y排列。其中,第一方向x和第二方向y交叉。
在具体实施时,第一方向x可以为子像素单元行的方向,第二方向y可以为子像素单元列的方向,第一方向x和第二方向y相互垂直。
多条数据信号线31位于扫描信号线21背离第一衬底基板100的一侧,数据信号线31沿第二方向y延伸,沿第一方向x排列。
多条扫描信号线21和多条数据信号线31划分出多个子像素单元。
子像素单元内设置有像素电极和公共电极,像素电极和公共电极之间产生的电场为控制液晶的有效电场。但是由于数据信号线31在传输信号时,会干扰子像素单元边缘区域的有效电场,因此会将覆盖数据信号线的黑矩阵加宽,造成开口区域的减小。
本发明实施例在数据信号线31背离扫描信号线的一侧设置第一屏蔽部s1,如图1所示,第一屏蔽部s1沿第二方向y延伸,与数据信号线31的延伸方向相同。在每个子像素单元中,在数据信号线31沿第一方向x的两侧均分别设置一个第一屏蔽部。
在具体实施时,第一屏蔽部s1可以加载稳定的信号,这样数据信号线31在向子像素单元区域产生电场线时,会被第一屏蔽部s1屏蔽,从而改善数据信号线31上的信号对子像素单元边缘区域的有效电场的影响,由此可以使得覆盖数据信号线31的黑矩阵的宽度减小,增大子像素单元的开口面积,提升透过率。
图2为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之一。
参照图3,本发明实施例提供的显示面板包括:第一衬底基板100、栅极金属层200、栅极绝缘层400、源漏金属层300、钝化层500、有机膜层600、公共电极Ec和像素电极Ep。
栅极金属层200位于第一衬底基板100之上。栅极金属层包括栅极、多条扫描信号线和多条公共电极信号线的图形。栅极金属层200可以采用单层或多层金属的叠层结构,在此不做限定。
栅极绝缘层400位于栅极金属层200背离第一衬底基板100的一侧,栅极绝缘层400用于对栅极金属层200的图像进行绝缘保护,以在其上方形成其它金属层的图形。栅极绝缘层400的材料可以采用氧化硅、氮化硅等,在此不做限定。
在形成栅极绝缘层400之后,可以在栅极绝缘层400之上形成有源层的图形。有源层为用于制作薄膜晶体管的一个功能性膜层,有源层包括通过掺杂N型离子或P型离子而形成的源极区域和漏极区域,在源极区域和漏极区域之间的区域是不进行掺杂的沟道区。而后在有源层之上形成一层层间绝缘层,再在其之上形成其它金属层的图形。
源漏金属层300位于栅极绝缘层400背离栅极金属层200的一侧,具体可以形成在上述的层间绝缘层之上。源漏金属层300包括多条数据信号线31的图形;除此之外,源漏金属层300还包括源极和漏极(图中未示出)的图形。源漏金属层300可以采用单层或多层金属的叠层结构,在此不做限定。
其中、栅极、有源层、源极和漏极构成薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)器件结构。
钝化层500位于源漏金属层300背离栅极绝缘层400的一侧。钝化层500作为有源层的保护层防止有源层污染或其他物质侵蚀。钝化层500的材料可以采用氧化硅,厚度为1000埃左右。
有机膜层600位于钝化层500背离源漏金属层300的一侧。在形成较薄的钝化层500之后,涂布约2μm~3μm的有机膜层。
在本发明实施例中,上述有机膜层600采用的材料具有类似负性光刻胶的性质。本发明实施例还会采用半色调掩膜板对上述有机膜层600进行曝光,其中,如图2所示,将有机膜层600划分为两个区域,覆盖数据信号线31的区域为第一区域A,除第一区域A以外的区域为第二区域B。
对于第一区域A,掩膜板完全透光,因此第一区域A的有机膜层的曝光量充足,形成的厚度较厚,约为2μm~3μm;对于第二区域B,掩膜板部分透光,因此第二区域B的有机膜层的曝光被一定程度地限制,形成的厚度较薄,约8000埃左右。
在进行有机膜层的曝光时,形成有效过孔,为进行钝化层500的刻蚀准备条件,形成的过孔用于导通公共电极与公共电极线,以及导通像素电极与TFT器件。
将公共电极Ec设置于有机膜层600背离钝化层500一侧的表面,第一屏蔽部s1与公共电极Ec同层设置。
像素电极Ep位于公共电极Ec的下方,如图2所示,可以将像素电极Ep与栅极金属层200同层设置,但是像素电极Ep的图形以及栅极金属层200的图形需要采用两次构图工艺进行制作,且像素电极Ep的图形与栅极金属层200的图形互不交叠,即不存在电连接关系。
图3为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之二。
在另一种可实施的方式中,如图3所示,还可以将像素电极Ep与源漏金属层300同层设置,像素电极Ep的图形以及源漏金属层300的图形需要采用两次构图工艺进行制作,像素电极Ep可以直接与源漏金属层300中的源极进行搭接,实现两者之间的电连接关系。
在具体实施时,公共电极Ec和像素电极Ep均可以采用氧化铟锡等透明导电材料进行制作。其中,像素电极Ep可以采用块状电极,公共电极Ec采用梳状电极,且梳状电极的延伸方向与第一屏蔽部s1的延伸方向相同,均沿着第二方向y进行延伸。第一屏蔽部s1与公共电极Ec采用相同的材料进行制作,采用同一次构图工艺形成,且第一屏蔽部s1与公共电极Ec之间连接,均加载公共电极信号。
如图2和图3所示,上述第一区域A和第二区域B的厚度差异,使得第一区域A和第二区域B之间的交界位置形成具有一定坡度的斜面,第一屏蔽部s1设置于数据信号线31两侧的斜面上,数据信号线31产生的电场线会沿着数据信号线31的表面辐射状向外发散,倾斜角度设置的第一屏蔽部s1能够屏蔽水平以及斜向传输的电场线,起到数据信号线对第二区域B内的液晶干扰最小的程度。
与此同时,将公共电极Ec和像素电极Ep设置于上述第二区域B内,由于公共电极Ec和像素电极Ep所在的第二区域B的有机膜层600的厚度较小,因此,可以一定程度地降低用于驱动公共电极Ec和像素电极Ep的驱动电压,而在数据信号线31所在的第一区域A的有机膜层600的厚度较大,一方面可以使得数据信号线31上方的有机膜层600较为平坦,有利于在其上方设置隔垫物;另一方面可以起到增大数据信号线31与上方导电膜层之间的距离,以降低数据信号线31与其它导电膜层之间的耦合作用,有利于减小数据信号线31的负载。
由于本发明实施例采用在制作较薄的钝化层500之后,在其表面制作介电常数较小的有机膜层600的工艺,可以使得公共电极Ec与像素电极Ep之间的存储电容降低,与现有技术中制作较厚钝化层的方案相比,本发明实施例提供的上述显示面板的存储电容可以大幅降低。例如,现有技术中的显示面板中钝化层的厚度为4000埃以上,其存储电容为Apf,采用本发明实施例提供的上述显示面板,将钝化层减小为1000埃左右,再在其上形成8000埃左右的有机膜层之后,其存储电容可以降低约为1/2A pf,即存储电容减半的效果。
由于存储电容减半,因此TFT器件不再需要较大的尺寸就可以完成驱动,那么TFT器件的尺寸减小大约一半,使得扫描信号线21的负载电容C能够得到降低,那么在保持原有充电情况下,扫描信号线21的负载电阻R可适当进行增大,即缩减线宽,确保与之前相当的RC网络延迟。同样地,数据信号线31的负载电容C的降低使得其负载电阻R可以适当增大,由此也可以适当地减小数据信号线31的宽度。而数据信号线31和扫描信号线21的宽度减小之后,可以有效的提升子像素单元的开口面积,使得透过率进一步提升。
图4为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之三。
如图3和图4所示,本发明实施例提供的上述显示面板,还包括:位于数据信号线31背离第一屏蔽部s1一侧的第二屏蔽部s2;第二屏蔽部s2也可以设置为条状结构,第二屏蔽部s2沿第二方向y延伸。在每个子像素单元中,数据信号线31沿第一方向x的两侧均分别设置一个第二屏蔽部s2。
具体地,第二屏蔽部s2可以与栅极金属层200同层设置;第二屏蔽部s2可以与栅极金属层200采用同一次构图工艺进行制作,且在设计栅极金属层200的图形时,可以使第二屏蔽部s2与公共电极信号线进行连接,从而使得第二屏蔽部s2加载公共电极的信号。
如图3所示,像素电极Ep可以与源漏金属层300同层设置,此时像素电极Ep与第二屏蔽部s2位于不同层;或者,如图4所示,像素电极Ep也可以与栅极金属层200同层设置,此时像素电极Ep与第二屏蔽部s2位于同层,两者之间互不接触。
图5为本发明实施例提供的显示面板平面结构示意图之二。
参照图5,第一屏蔽部与第二屏蔽部施加的信号与公共电极施加的信号相同。
公共电极信号线22与扫描信号线21均沿第一方向x延伸,沿第二方向y排列,公共电极信号线22与扫描信号线21沿第二方向y交替排列,这样对于每个子像素单元相邻的数据信号线31平说,在其上方的两侧设置有第一屏蔽部s1,在其下方的两侧设置有第二屏蔽部s2,且第一屏蔽部s1和第二屏蔽部s2均加载公共电极相同的信号,那么第一屏蔽部s1和第二屏蔽部s2构成屏蔽电场,位于屏蔽电场内的数据信号线31的电场线可被该区域引导方向,从而屏蔽数据信号线31对子像素单元有效电场的影响。
图6为本发明实施例提供的子像素单元的平面结构示意图。
参照图5和图6可以看出,第一屏蔽部s1在第一衬底基板100的正投影与数据信号线31在第一衬底基板100的正投影互不重叠。同时,第二屏蔽部s2在第一衬底基板100的正投影与数据信号线31在第一衬底基板100的正投影互不重叠。避免第一屏蔽部s1、第二屏蔽部s2与数据信号线31之间的重叠,可以避免数据信号线31与第一屏蔽部s1、第二屏蔽部s2之间形成寄生电容,从而可以避免数据信号线31的负载增大。
图7为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之四。
参照图7,本发明实施例提供的显示面板还包括:第二衬底基板700、彩膜层800和液晶层900。
第二衬底基板700与第一衬底基板100相对设置。
彩膜层800位于第二衬底基板700面向第一衬底基板100的一侧。彩膜层800包括多个彩膜单元,彩膜单元与子像素单元一一对应设置。各彩膜单元可以滤出不同颜色的光。
液晶层900位于第一衬底基板100与第二衬底基板700之间。
由于本发明实施例提供的上述显示面板中,公共电极Ec采用梳状电极,且与数据信号线31的延伸方向相同,即竖向延伸,因此可以避免横向延伸的电极在子像素单元的中心位置形成的暗场。与此同时,竖向延伸的梳状电极即可以配合正性液晶使用,也可以配合负性液晶,均可以达到优良的显示效果。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种包括上述任一显示面板的显示装置,由于该显示装置解决问题的原理与上述显示面板相似,因此该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施,重复之处不再赘述。
本发明实施提供的显示面板及显示装置,包括:第一衬底基板;多条扫描信号线,位于第一衬底基板的一侧;多条扫描信号线沿第一方向延伸,沿第二方向排列,第一方向和第二方向交叉;多条数据信号线,位于扫描信号线背离第一衬底基板的一侧;多条数据信号线沿第二方向延伸,沿第一方向排列;多条扫描信号线和多条数据信号线划分出多个子像素单元;第一屏蔽部,位于数据信号线背离扫描信号线的一侧;第一屏蔽部为条状结构,第一屏蔽部沿第二方向延伸;各子像素单元中,数据信号线沿第一方向的两侧均分别设置一个第一屏蔽部。第一屏蔽部加载稳定的信号,这样数据信号线在向子像素单元区域产生电场线时,会被第一屏蔽部屏蔽,从而改善数据信号线上的信号对子像素单元边缘区域的有效电场的影响,由此可以使得覆盖数据信号线的黑矩阵的宽度减小,增大子像素单元的开口面积,提升透过率。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (15)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
第一衬底基板;
多条扫描信号线,位于所述第一衬底基板的一侧;所述多条扫描信号线沿第一方向延伸,沿第二方向排列,所述第一方向和所述第二方向交叉;
多条数据信号线,位于所述扫描信号线背离所述第一衬底基板的一侧;所述多条数据信号线沿所述第二方向延伸,沿所述第一方向排列;所述多条扫描信号线和所述多条数据信号线划分出多个子像素单元;
第一屏蔽部,位于所述数据信号线背离所述扫描信号线的一侧;所述第一屏蔽部为条状结构,所述第一屏蔽部沿所述第二方向延伸;
各所述子像素单元中,所述数据信号线沿所述第一方向的两侧均分别设置一个所述第一屏蔽部。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
栅极金属层,位于所述第一衬底基板之上;所述栅极金属层包括所述多条扫描信号线和多条公共电极信号线的图形;
栅极绝缘层,位于所述栅极金属层背离所述第一衬底基板的一侧;
源漏金属层,位于所述栅极绝缘层背离所述栅极金属层的一侧,所述源漏金属层包括所述多条数据信号线的图形;
钝化层,位于所述源漏金属层背离所述栅极绝缘层的一侧;
有机膜层,位于所述钝化层背离所述源漏金属层的一侧;
所述第一屏蔽部位于所述有机膜层背离所述钝化层一侧的表面。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:像素电极和公共电极;
所述像素电极与所述栅极金属层同层设置,所述像素电极的图形与所述栅极金属层的图形互不交叠;或者,所述像素电极与所述源漏金属层同层设置;
所述公共电极位于所述有机膜层背离所述钝化层一侧的表面。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述公共电极为梳状电极,所述梳状电极的延伸方向为所述第二方向;
第一屏蔽部与所述公共电极相互连接;
所述第一屏蔽部施加的信号与所述公共电极施加的信号相同。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二屏蔽部,位于所述数据信号线背离所述第一屏蔽部的一侧;所述第二屏蔽部为条状结构,所述第二屏蔽部沿所述第二方向延伸;
各所述子像素单元中,所述数据信号线沿所述第一方向的两侧均分别设置一个所述第二屏蔽部。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二屏蔽部与所述栅极金属层同层设置;所述第二屏蔽部与所述公共电极信号线相互连接;
所述第一屏蔽部与所述第二屏蔽部施加的信号与所述公共电极施加的信号相同。
7.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述有机膜层覆盖所述数据信号线的区域为第一区域,所述有机膜层除所述第一区域以外的区域为第二区域,所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度;
所述有机膜层在所述第一区域和所述第二区域的交界位置设置为斜面,所述第一屏蔽部设置于所述斜面上。
9.如权利要求1-8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一屏蔽部在所述第一衬底基板的正投影与所述数据信号线在所述第一衬底基板的正投影互不重叠。
10.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二屏蔽部在所述第一衬底基板的正投影与所述数据信号线在所述第一衬底基板的正投影互不重叠。
12.如权利要求2-8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极为块状电极。
13.如权利要求1-8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二衬底基板,与所述第一衬底基板相对设置;
彩膜层,位于所述第二衬底基板面向所述第一衬底基板的一侧;
液晶层,位于所述第一衬底基板与所述第二衬底基板之间。
14.如权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述液晶层采用正性液晶或负性液晶。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-14任一项所述的显示面板。
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