CN108681170A - 一种显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示基板，所述显示基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多条数据线，所述显示基板还包括至少一个屏蔽电极，所述屏蔽电极和所述数据线位于不同层中，且所述数据线所在的层位于所述屏蔽电极所在的层和所述衬底基板之间，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的所述数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。本发明还提供了一种显示基板的制造方法以及一种包括所述显示基板的显示装置，所述显示基板通过在数据线的两侧形成屏蔽电极克服了数据向漏光。

Description

一种显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种显示基板及其制造方法以及一种显示装置。
背景技术
随着显示产品分辨率持续提高，液晶产品的像素开口率需要进一步提高，以应对市场需求。目前，提升液晶产品的像素开口率需要克服的最大困难是数据向漏光。
现有设计为避免数据向漏光，通常人们采用在显示基板上形成彩膜层。具体地，在显示基板上形成彩膜层时，将彩膜层的色阻块堆叠在数据线上，从而可以避免包括所述显示基板的显示装置进行显示时出现数据向漏光。但是，上述制造显示基板的工艺需要在显示基板生成线和彩膜基板生成线之间来回切换，导致生产效率和产品良率降低。
因此，如何设计一种显示基板及其制造方法，以使得所述显示基板能够防止数据向漏光，并提高所述显示基板的生产效率和产品良率成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板的制造方法、利用所述制造方法制造的显示基板以及包括所述显示基板的显示装置，所述显示基板通过在数据线的两侧形成屏蔽电极克服了数据向漏光。
为至少解决上述技术问题之一，作为本发明第一个方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多条数据线，其中，所述显示基板还包括至少一个屏蔽电极，所述屏蔽电极和所述数据线位于不同层中，且所述数据线所在的层位于所述屏蔽电极所在的层和所述衬底基板之间，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的所述数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。
优选地，所述显示基板还包括支撑条，所述支撑条位于所述数据线和所述屏蔽电极之间，且所述屏蔽电极的位置对应于所述支撑条的侧面。
优选地，所述显示基板还包括钝化层，其中，
所述支撑条的数量与所述数据线的数量相同，且多个所述支撑条与多个所述数据线一一对应，所述支撑条设置在所述数据线上，所述钝化层设置在所述支撑条背离所述数据线的一侧，所述屏蔽电极设置在所述钝化层上；或者，所述钝化层设置在所述数据线所在层与所述支撑条所在层之间。
优选地，每个所述支撑条对应两个屏蔽电极，所述两个屏蔽电极分别位于所述支撑条沿宽度方向的两侧。
优选地，所述显示基板包括源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述数据线同层设置，所述显示基板还包括支撑块，其中，
至少一个所述源极上设置有所述支撑块，和/或，至少一个所述漏极上设置有所述支撑块。
优选地，所述显示基板还包括与所述屏蔽电极同层设置的公共电极和与所述公共电极绝缘间隔的像素电极，所述公共电极包括电连接的公共电极条。
作为本发明的第二个方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示基板，其中，所述显示基板为本发明所提供的所述显示基板。
作为本发明的第三个方面，提供了一种显示基板的制造方法，其中，所述制造方法包括：
提供衬底基板；
形成包括多条数据线的图形；
形成包括至少一个屏蔽电极的图形，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。
优选地，所述制造方法包括在形成包括多条数据线的图形的步骤和形成包括至少一个屏蔽电极的图形的步骤之间进行的：
形成钝化层；
形成支撑物材料层；
对所述支撑物材料层进行曝光显影，形成初始支撑物材料层，所述初始支撑物材料层包括初始支撑条和辅助基体，所述初始支撑条位于所述数据线上方，所述辅助基体覆盖所述初始基板上除所述初始支撑条之外的部分，且所述初始支撑条的厚度大于所辅助基体的厚度；
对所述初始支撑物材料层进行灰化，以减薄所述初始支撑条获得支撑条，并去除所述辅助基体，其中，
所述屏蔽电极位于所述支撑条的宽度方向的两侧。
优选地，所述形成包括多条数据线图形层的步骤包括：
形成数据线金属层；
形成支撑物材料层；
对支撑物材料层进行曝光显影，形成掩膜图形，所述掩膜图形包括多个支撑条和多个支撑块；
对形成有所述掩膜图形的数据线金属层进行刻蚀，以获得多条数据线和多个源极、多个漏极，其中，所述数据线对应于所述支撑条，所述源极和所述漏极分别对应于支撑块；
所述制造方法还包括在形成包括所述数据线的图形的步骤和形成包括至少一个屏蔽电极的步骤之间进行的：
形成钝化层，其中，
所述屏蔽电极位于所述支撑条的宽度方向的两侧。
优选地，所述制造方法还包括与形成包括至少一个屏蔽电极的图形的步骤同步进行的形成公共电极的步骤，所述公共电极包括电连接的公共电极条，所述制造方法还包括：
形成包括像素电极的步骤。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1a至1e为本发明所提供的显示基板第一种实施方式的结构示意图；
图2a至2e为本发明所提供的显示基板第二种实施方式的结构示意图；
图3为本发明所提供的显示基板的制造方法第一种实施方式的流程图；
图4为本发明所提供的显示基板的制造方法第二种实施方式的流程图。
附图标记说明
101：衬底基板 102：像素电极
103：栅极 104：公共电极线
105：栅绝缘层 106：有源层
107：数据线 108：源极
109：漏极 110：钝化层
111：支撑条 112：屏蔽电极
113：第一过孔 114：第二过孔
115：支撑块 116：初始支撑条
117：辅助基体 118：公共电极条
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
作为本发明第一个方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多条数据线，其中，所述显示基板还包括至少一个屏蔽电极，所述屏蔽电极和所述数据线位于不同层中，且所述数据线所在的层位于所述屏蔽电极所在的层和所述衬底基板之间，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的所述数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。
如上所述，在本发明所提供的所述显示基板中，所述屏蔽电极与所述数据线位于不同层且绝缘间隔，以避免所述屏蔽电极与所述数据线短路。
所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，此处需要说明的是，所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影可以完全覆盖所述数据线，包括覆盖所述数据线的一侧边缘，或者，作为本发明一种优选地实施方式，如图1e和2e所示，屏蔽电极112在数据线107所在层的正投影覆盖数据线107的一侧边缘。
在上述实施方式中，当所述屏蔽电极接入恒定的电压信号时，会对与该屏蔽电极相对应的所述数据线进行屏蔽，具体地，该接入恒定的电压信号的所述屏蔽电极会屏蔽所述数据线的电场线，进而避免了数据线电场变化对液晶取向的影响，以实现防止数据向漏光，同时降低数据线负载。
需要说明的是，本发明对所述恒定的电压信号并不做特殊的限定，为了减少布线，所述恒定的电压信号可以为公共电极信号，通过公共电极线为所述屏蔽电极提供信号。当然，本发明并不限于此，也可以为所述屏蔽电极配置专门的恒定电压信号线。
如上所述，在本发明所提供的显示基板中，仅通过增设屏蔽电极的方式即可完成防止数据向漏光这一功能，在制造所述显示基板时，只需要通过制造一种显示基板的工艺生产线即可获得，不需要在两种不同的生产线之间进行切换(例如，不需要在阵列基板生产线和彩膜基板生产线之间切换)。下文中将对制造所述显示基板的工艺进行详细的描述，这里不再赘述。
在本发明中，所述显示基板还包括支撑条，所述支撑条位于所述数据线和所述屏蔽电极之间，且所述屏蔽电极的位置对应于所述支撑条的侧面。
如上所述，为便于理解所述支撑条、所述数据线以及所述屏蔽电极之间的位置关系，结合附图1e和2e进行描述，作为一种优选地实施方式，数据线107与屏蔽电极112绝缘间隔设置，而支撑条111就位于屏蔽电极112与数据线107之间，既起到绝缘间隔的作用，同时，如图1e所示，支撑条111又为屏蔽电极112提供了安装位置，即屏蔽电极112位于支撑条111的侧面。
需要说明的是，形成所述支撑条的材料可以是透明的，也可是黑色的。如果是透明的，则在制造所述显示基板时，需要在包括所述显示基板的显示装置中的对盒基板上设置黑矩阵；如果是黑色的，只需要设置与栅线以及薄膜晶体管对应的黑矩阵即可。
在本发明中，所述显示基板还包括钝化层，其中，所述支撑条的数量与所述数据线的数量相同，且多个所述支撑条与多个所述数据线一一对应，所述支撑条设置在所述数据线上，所述钝化层设置在所述支撑条背离所述数据线的一侧，所述屏蔽电极设置在所述钝化层上；或者，所述钝化层设置在所述数据线所在层与所述支撑条所在层之间。
如上所述，所述支撑条设置在所述数据线的上方能够在一定程度上遮挡所述数据线以防止数据向漏光，因此，本发明所提供的显示基板中，设置所述支撑条的数量与所述数据线的数量相同，且多个所述支撑条与多个所述数据线一一对应以实现上述效果。
进一步地，如上所述，本发明所提供的所述显示基板包括钝化层，作为一种优选地实施方式，如图1e所示，钝化层110设置在数据线107所在层与支撑条111所在层之间；作为另一种优选地实施方式，如图2e所示，钝化层110设置在支撑条111背离数据线107的一侧。上述两种实施方式中，容易理解的是，钝化层110用于对数据线107提供隔绝保护，防止数据线107与屏蔽电极112短路，并有效地防止数据线被氧化、腐蚀。
在本发明中，每个所述支撑条对应两个屏蔽电极，所述两个屏蔽电极分别位于所述支撑条沿宽度方向的两侧。
如上所述，所述支撑条与所述数据线一一对应，那么基于此，为每个所述支撑条配置两个屏蔽电极，并且两个屏蔽电极分别位于所述支撑条沿宽度方向的两侧，即可实现利用所述支撑条覆盖所述数据线顶部，并且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖所述数据线的一侧边缘，进而实现对数据线屏蔽，从而实现防止数据向漏光。
具体地，作为一种优选地实施方式，如图1e所示，屏蔽电极112位于支撑条111沿宽度方向的两侧，并且屏蔽电极112与支撑条111的侧面直接接触，即屏蔽电极112直接贴附在支撑条111的侧面。
作为另一种优选地实施方式，如图2e所示，屏蔽电极112与支撑条112的侧面对应，中间设置有钝化层110，即屏蔽电极112直接贴附在钝化层110上与支撑条112的侧面对应的位置。
在本发明中，所述显示基板包括源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述数据线同层设置，所述显示基板还包括支撑块，其中，至少一个所述源极上设置有所述支撑块，和/或，至少一个所述漏极上设置有所述支撑块。
如上所述，本发明所提供的显示基板中包括与所述数据线同层设置的所述源极和所述漏极，并且，至少在所述源极和所述漏极中一者上设置有所述支撑块。
需要解释的是，此处所述的“源极和漏极”是显示基板的薄膜晶体管中的源极和漏极。每个显示基板的显示区被划分为多个像素单元，每个像素单元内均设置有薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管都包括源极和漏极。
作为一种优选地实施方式，如图2e所示，在源极108、漏极109上均设置有支撑块115，并且，支撑块115与支撑条111同层设置，需要说明的是，在本实施方式中，支撑块115起到主隔垫物的作用，利用包括该支撑物115的显示基板与对盒基板进行组装以形成显示装置，则对盒基板上不需要单独设置主隔垫物，从而节约成本。同时，支撑条111起到了辅助隔垫物的作用。
在本发明中，所述显示基板还包括与所述屏蔽电极同层设置的公共电极和与所述公共电极绝缘间隔的像素电极，所述公共电极包括电连接的公共电极条。
如上所述，公共电极与所述像素电极绝缘间隔设置以形成高级超维场转换(ADS)模式，具体地，所述公共电极包括电连接的公共电极条，即所述公共电极为狭缝电极，所述像素电极为位于像素单元内的块状电极，所述公共电极条与所述像素电极之间形成边缘电场以驱动显示区内的液晶分子偏转。
所述显示基板还包括衬底基板、栅极、栅绝缘层以及有源层。
作为一种优选地实施方式，如图1e和2e所示，本发明所提供的是底栅型显示基板，其中，像素电极102位于栅极103与衬底基板101之间，公共电极条118位于像素电极102上方，且公共电极条118与像素电极102之间设置有栅绝缘层105和钝化层110，进而实现所述高级超维场转换(ADS)模式。此外，屏蔽电极112与公共电极条118同层设置，能够节约制造工艺流程。
所述显示基板还包括第一过孔和第二过孔，作为一种优选地实施方式，如图1e和2e所示，在第一过孔113和第二过孔114内形成有与所述公共电极条相同材质的连接部，所述连接部在第一过孔113内使得漏极109与像素电极102电连接，以实现薄膜晶体管能够为所述像素单元提供驱动信号，以使得所述像素单元能够正常显示。所述连接部在第二过孔114内连接公共电极条118与公共电极线104，以使得公共电极线104能够为公共电极条118提供公共电压信号。
作为本发明第二个方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示基板，其中，所述显示基板为本发明所提供的所述显示基板。
由于本发明所提供的显示基板能够实现防止数据向漏光(具体原理前面已经描述，在此不再赘述)，因此，包括本发明所提供的显示基板的所述显示装置亦能够实现避免数据向漏光，进而增大开口率，降低数据线负载。
所述显示装置为液晶显示装置，因此，所述显示装置还包括与所述显示基板对盒设置的对盒基板以及设置在所述显示基板和所述对盒基板之间的液晶材料层。
在显示基板的一种实施方式中，仅在数据线的上方设置了支撑条，为了维持包括这种形式的显示基板的显示装置的盒厚，优选地，还需要在对盒基板上设置隔垫物。相应地，所述支撑条可以用作辅助隔垫物。
作为本发明第三个方面，提供了一种显示基板的制造方法，其中，所述制造方法包括：
步骤一、提供衬底基板；
步骤二、形成包括多条数据线的图形；
步骤三、形成包括至少一个屏蔽电极的图形，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。
包括上述步骤的所述制造方法用于制造本发明所提供的显示基板，其中，所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，当所述屏蔽电极接入恒定的电压信号时，会对与该屏蔽电极相对应的所述数据线进行屏蔽，具体地，该接入恒定的电压信号的所述屏蔽电极会屏蔽所述数据线的电场线，进而避免了数据线电场变化对液晶取向的影响，以实现防止数据向漏光，同时降低数据线负载。
此外，本发明所提供的显示基板制造方法通过在数据线的两侧形成屏蔽电极克服了数据向漏光，不需要色阻块在数据线上堆叠，也就避免了制造显示基板的工艺需要在显示基板生产线和彩膜基板生产线之间来回切换，从而提高了所述显示基板的生产效率和产品良率。
进一步地，在本发明中，作为所述显示基板的制造方法第一种优选地实施方式，如图3所示，所述制造方法包括：
步骤S1、提供衬底基板；
步骤S2、形成包括像素电极的步骤；
步骤S3、形成包括多条数据线的图形；
步骤S4、形成钝化层；
步骤S5、形成支撑物材料层；
步骤S6、对所述支撑物材料层进行曝光显影，形成初始支撑物材料层，所述初始支撑物材料层包括初始支撑条和辅助基体，所述初始支撑条位于所述数据线上方，所述辅助基体覆盖所述初始基板上除所述初始支撑条之外的部分，且所述初始支撑条的厚度大于所辅助基体的厚度；
步骤S7、对所述初始支撑物材料层进行灰化，以减薄所述初始支撑条获得支撑条，并去除所述辅助基体；
步骤S8、形成包括至少一个屏蔽电极的图形，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。
如上所述，通过步骤S1至S8能够制造出如图1a至1e所示的结构，其中，所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，当所述屏蔽电极接入恒定的电压信号时，会对与该屏蔽电极相对应的所述数据线进行屏蔽，具体地，该接入恒定的电压信号的所述屏蔽电极会屏蔽所述数据线的电场线，进而避免了数据线电场变化对液晶取向的影响，以实现防止数据向漏光，同时降低数据线负载。
具体地，在执行步骤S1、步骤S2之后执行步骤S3之前，还包括在依次执行的形成栅极和公共电极线、形成栅绝缘层、形成有源层，以得到如图1a所示的结构，其中，栅极103与公共电极线104同层设置，通过一次掩膜、刻蚀工艺形成；在栅绝缘层105上对应栅极103的位置设置有源层106，像素电极102为块状电极。
在步骤S3中，在阵列基板上沉积金属层，在所述金属层上涂覆光刻胶，通过掩膜工艺对所述光刻胶曝光显影形成掩膜图形，之后，通过湿法刻蚀所述金属层，形成所述源极、漏极和数据线，进一步地，对所述有源层进行沟道刻蚀以形成沟道区。
在本实施方式中，执行步骤S3后能够得到如图1b所示的结构，所述该结构包括一条数据线107，一组源极108和漏极109，以及与该组源漏极对应的栅极103、有源层106。
基于上述步骤S3，在步骤S4中，在图1b所示的结构上形成所述钝化层，得到如图1c所示的结构，其中钝化层110覆盖数据线107、源极108以及漏极109。
进一步地，执行步骤S5和步骤S6，在图1c所示的结构上涂布支撑物材料以形成所述支撑物材料层，在所述支撑物材料层上涂覆光刻胶，通过半色调掩膜板(HTM)对所述光刻胶进行曝光形成掩膜图形，具体地，所述掩膜图形中，对应所述显示基板过孔区全曝光，对应数据线区域不曝光，其他区域灰阶曝光，之后通过所述掩膜图形对所述支撑物材料层执行灰化工艺，得到图1d所示的结构中所示的初始支撑物材料层，所述初始支撑物材料层包括初始支撑条116、辅助基体117。
需要说明的是，所述半色调掩膜板包括全透部和半透部，所述半透部的透光率从所述边缘至与所述全透部邻接的部分逐渐变化，利用该半色调掩膜板形成所述掩膜图形，基于该掩膜图形对所述支撑图形进行灰化得到梯形结构的所述初始支撑条。
执行步骤S6之后得到的所述结构中，所述初始支撑物材料层还包括初始过孔，进一步地，对所述初始过孔底部的所述钝化层、所述栅绝缘层进行刻蚀，以形成所述第一过孔和所述第二过孔。
执行步骤S7，对初始支撑物材料层进行减薄，具体地，通过灰化工艺将所述灰阶曝光区内的所述支撑物材料(即所述辅助基体)全部清除，得到如图1e所示的支撑条111，该支撑条111覆盖在数据线107上方。
基于步骤S7，在步骤S8中，在本实施方式中，如图1e所示，在图1e所示的结构上形成包括至少一个屏蔽电极的图形，所述包括至少一个屏蔽电极的图形中包括两个屏蔽电极112，屏蔽电极112位于支撑条111的侧面，此外，在执行步骤S8的同时还包括执行形成公共电极的步骤，所述公共电极包括多条间隔设置的公共电极条118，以及位于第一过孔113内的连接部、位于第二过孔114中的连接部，其中，屏蔽电极112与公共电极条118同层间隔设置，位于第一过孔113内的连接部用于使得漏极109与像素电极102电连接，位于第二过孔114中的连接部用于使得公共电极条与公共电极线电连接。
需要说明的是，多个公共电极条118构成狭缝电极，像素电极102为块状，公共电极条118与像素电极102之间绝缘间隔构成ADS模式，具体地，公共电极条118和像素电极102之间形成边缘电场以驱动像素单元内的液晶分子偏转。
在本实施方式中，由于屏蔽电极112位于支撑条111的侧面，因此屏蔽电极112接入公共电极信号可以对数据线107进行屏蔽，避免所述数据线的电场变化对液晶取向的影响，从而使得所述显示基板数据向不发生漏光。
需要解释的是，如图1e所示，支撑条111的横截面是梯形，沿支撑条111的厚度方向的上表面为顶面，与钝化层110连接的下表面为底面，连接支撑条111的顶面与底面的面即为所述侧面。
在本发明中，作为所述显示基板的制造方法第二种优选地实施方式，如图4所示，所述显示基板的制造方法包括：
步骤P1、提供衬底基板；
步骤P2、形成包括像素电极的步骤；
步骤P3、形成数据线金属层；
步骤P4、形成支撑物材料层；
步骤P5、对支撑物材料层进行曝光显影，形成掩膜图形，所述掩膜图形包括多个支撑条和多个支撑块；
步骤P6、对形成有所述掩膜图形的数据线金属层进行刻蚀，以获得多条数据线和多个源极、多个漏极，其中，所述数据线对应于所述支撑条，所述源极和所述漏极分别对应于支撑块；
步骤P7、形成钝化层；
步骤P8、形成包括至少一个屏蔽电极的图形，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。
如上所述，通过步骤P1至P8能够制造出如图2a至2e所示的结构，与所述显示基板的制造方法的第一种实施方式所制造的显示基板类似，利用本实施方式所制造的所述阵列基板，所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，当所述屏蔽电极接入恒定的电压信号时，会对与该屏蔽电极相对应的所述数据线进行屏蔽，具体地，该接入恒定的电压信号的所述屏蔽电极会屏蔽所述数据线的电场线，进而避免了数据线电场变化对液晶取向的影响，以实现防止数据向漏光，同时降低数据线负载。
在本发明中，对步骤P6的具体执行手段没有特殊的要求，例如，步骤P6中的刻蚀可以为湿刻。
在本实施方式中，得到如图2a所示的阵列基板的步骤(包括步骤P1、P2)与所述显示基板的制造方法第一种优选地实施方式相同，在此不再赘述。
执行步骤P3至步骤P6，如图2b所示，在栅绝缘层105沉积形成数据线金属层，在所述数据线金属层上形成所述支撑物材料层，并以所述支撑物材料作为光刻胶，通过半色调掩膜板对所述支撑物材料层进行显影曝光形成所述掩膜图形，如图2b所示，所述掩膜图形包括支撑条111和支撑块115，进一步地，基于所述掩膜图形对所述数据线金属层进行湿法刻蚀，如图2c所示，得到源极108、漏极109以及数据线107，进一步地，如图2d所示，对有源层106进行沟道刻蚀以形成沟道区。
进一步地，通过执行上述步骤P3至步骤P6，可以得到以图2d为例的结构，其中，支撑块115位于源极108、漏极109上方，支撑条111位于数据线107上，其中，数据线107以及支撑条111的横截面均为梯形。所述半色调掩膜板的工作原理在第一种实施方式中已经给出，在此不赘述。
需要说明的是，在基于所述掩膜图形对所述数据线金属层进行湿法刻蚀之前，需要对光刻胶(所述支撑物材料)进行热固化，刻蚀结束后，对所述光刻胶进行灰化减薄，以使得所述支撑块与所述支撑条的段差范围在0.2μm至0.6μm，其中，所述支撑块沿所述显示基板的厚度方向高于所述支撑条。
所述支撑块的作用如下：所述显示基板用于制造显示装置，所述显示装置包括对盒基板，通过所述显示基板与所述对盒基板对盒组装形成所述显示装置，所述支撑块设置于所述源极、漏极上能够对所述对盒基板进行支撑，以防止在所述显示装置发生形变时，所述对盒基板对薄膜晶体管以及液晶层挤压变形。
此外，上述步骤P4中，以所述支撑物材料层作为光刻胶，通过一次掩膜、刻蚀工艺，形成了如图2d所示的源极108、漏极109、数据线107，并同时形成了位于数据线107上的支撑条111以及位于源极108、漏极109上的支撑块115，节约了一次掩膜工艺(Mask)。
在如图2d所示的结构的基础上，顺序执行步骤P7至步骤P8，得到如图2e所示的显示基板，具体地，执行步骤P7，在图2e所示的结构上形成钝化层110，刻蚀钝化层110以及栅绝缘层105形成第一过孔113以及第二过孔114，最后执行步骤P8，形成包括至少一个屏蔽电极的图形，所述包括至少一个屏蔽电极的图形中包括两个屏蔽电极112，屏蔽电极112位于支撑条111的侧面，此外，在执行步骤S8的同时还包括执行形成公共电极的步骤，所述公共电极包括多条间隔设置的公共电极条118，以及位于第一过孔113内的连接部、位于第二过孔114中的连接部，其中，屏蔽电极112与公共电极条118同层间隔设置，位于第一过孔113内的连接部用于使得漏极109与像素电极102电连接，位于第二过孔114中的连接部用于使得公共电极条与公共电极线电连接。
屏蔽电极112在本实施方式中的作用以及原理与第一种实施方式相同，在此不再赘述。
所述显示基板的制造方法的第一种优选地实施方式与第二种优选地实施方式的区别在于：在第二种优选地实施方式中，直接以支撑物材料作为光刻胶经过曝光显影形成掩膜图形，进而对数据线金属层进行刻蚀，形成数据线、源极和漏极，同时所述掩膜图形包括作为支撑条、支撑块的部分，即通过一次掩膜工艺同时形成了数据线以及位于其上的支撑条，源极和漏极以及位于其上的支撑块。而在第一种优选地实施方式中，需要单独对数据线金属层进行掩膜、刻蚀以形成包括数据线、源极和漏极的图形，之后再单独进行支撑物材料层的掩膜、刻蚀以获得支撑条，并且在源极、漏极上不设置支撑块。因此，第二种优选地实施方式比第一种优选地实施方式节省了一次掩膜工艺。
除此之外，上述第二种优选地实施方式相较于第一种优选地实施方式改变了形成所述钝化层与形成所述支撑物材料层的顺序，具体地，执行如图3所示的第一种优选地实施方式，得到如图1e所示的显示基板，其中，钝化层110位于支撑条111的下方；执行如图4所示的第二种优选地实施方式，得到如图2e所示的显示基板，其中，钝化层110位于支撑条111的上方。
第二种优选地实施方式与第一种优选地实施方式相比，虽然制造得到的所述显示基板的所述支撑条与所述钝化层的层级结构不同，但是均保证了所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔，因此上述两种实施方式制造的所述显示基板均能实现防止数据向漏光。
此外，在上述两种优选地实施方式中，形成所述公共电极和所述像素电极的材料可以是氧化铟锡(ITO)。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种显示基板，所述显示基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多条数据线，其特征在于，所述显示基板还包括至少一个屏蔽电极，所述屏蔽电极和所述数据线位于不同层中，且所述数据线所在的层位于所述屏蔽电极所在的层和所述衬底基板之间，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的所述数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括支撑条，所述支撑条位于所述数据线和所述屏蔽电极之间，且所述屏蔽电极的位置对应于所述支撑条的侧面。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括钝化层，其中，
所述支撑条的数量与所述数据线的数量相同，且多个所述支撑条与多个所述数据线一一对应，所述支撑条设置在所述数据线上，所述钝化层设置在所述支撑条背离所述数据线的一侧，所述屏蔽电极设置在所述钝化层上；或者，所述钝化层设置在所述数据线所在层与所述支撑条所在层之间。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，每个所述支撑条对应两个屏蔽电极，所述两个屏蔽电极分别位于所述支撑条沿宽度方向的两侧。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述数据线同层设置，所述显示基板还包括支撑块，其中，
至少一个所述源极上设置有所述支撑块，和/或，至少一个所述漏极上设置有所述支撑块。
6.根据权利要求2至5中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述屏蔽电极同层设置的公共电极和与所述公共电极绝缘间隔的像素电极，所述公共电极包括电连接的公共电极条。
7.一种显示装置，所述显示装置包括显示基板，其特征在于，所述显示基板为权利要求1至6中任意一项所述的显示基板。
8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供衬底基板；
形成包括多条数据线的图形；
形成包括至少一个屏蔽电极的图形，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括在形成包括多条数据线的图形的步骤和形成包括至少一个屏蔽电极的图形的步骤之间进行的：
形成钝化层；
形成支撑物材料层；
对所述支撑物材料层进行曝光显影，形成初始支撑物材料层，所述初始支撑物材料层包括初始支撑条和辅助基体，所述初始支撑条位于所述数据线上方，所述辅助基体覆盖所述初始基板上除所述初始支撑条之外的部分，且所述初始支撑条的厚度大于所辅助基体的厚度；
对所述初始支撑物材料层进行灰化，以减薄所述初始支撑条获得支撑条，并去除所述辅助基体，其中，
所述屏蔽电极位于所述支撑条的宽度方向的两侧。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成包括多条数据线图形层的步骤包括：
形成数据线金属层；
形成支撑物材料层；
对支撑物材料层进行曝光显影，形成掩膜图形，所述掩膜图形包括多个支撑条和多个支撑块；
对形成有所述掩膜图形的数据线金属层进行刻蚀，以获得多条数据线和多个源极、多个漏极，其中，所述数据线对应于所述支撑条，所述源极和所述漏极分别对应于支撑块；
所述制造方法还包括在形成包括所述数据线的图形的步骤和形成包括至少一个屏蔽电极的步骤之间进行的：
形成钝化层，其中，
所述屏蔽电极位于所述支撑条的宽度方向的两侧。
11.根据权利要求8至10中任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括与形成包括至少一个屏蔽电极的图形的步骤同步进行的形成公共电极的步骤，所述公共电极包括电连接的公共电极条，所述制造方法还包括：
形成包括像素电极的步骤。
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