CN108257980B - 一种阵列基板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,解决了现有技术中因两种类型的信号线同层设置导致显示面板的透过率降低的问题。所述阵列基板,包括在衬底上依次设置且通过绝缘层间隔开的第一信号线层、第二信号线层和透明导电层,所述第一信号线层包括多条第一信号线,所述第二信号线层包括多条第二信号线,所述透明导电层包含多个透明电极;所述第一信号线与位于其上方的所述第二信号线平行、且位于所述第一信号线正上方的第二信号线在所述衬底上的正投影与所述第一信号线在所述衬底上的正投影交叠;所述第一信号线在其宽度方向上设置有凸起;所述透明电极通过所述绝缘层上的过孔与位于其下方的所述凸起电连接。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,高开口率的显示产品备受人们的喜爱。现有技术中的显示产品,由于信号线种类较多,不可避免的会出现在某些亚像素区需要将两种类型的信号线同层设置的情况,一般这两种类型的信号线相互平行。
示例的,现有技术中的一种FIC(Full in cell,内嵌式触控)产品,其触控(Touch)信号是由与数据线同层设置的触控信号线来传输的,触控信号线与触控电极电连接。如图1所示的阵列基板上的数据线10和触控信号线20同层设置,为了避免信号发生串扰,数据线10和触控信号线20不能交叠。
这样一来,两条信号线以及两条信号线之间的间隙三者所占的面积大于一条信号线所占的面积,因此,产品的透过率会受到影响。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板、显示装置,解决了现有技术中因两种类型的信号线同层设置导致显示面板的透过率降低的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种阵列基板,包括在衬底上依次设置且通过绝缘层间隔开的第一信号线层、第二信号线层和透明导电层,所述第一信号线层包括多条第一信号线,所述第二信号线层包括多条第二信号线,所述透明导电层包含多个透明电极;所述第一信号线与位于其上方的所述第二信号线平行、且位于所述第一信号线正上方的第二信号线在所述衬底上的正投影与所述第一信号线在所述衬底上的正投影交叠;所述第一信号线在其宽度方向上设置有凸起;所述透明电极通过所述绝缘层上的过孔与位于其下方的所述凸起电连接。
可选的,所述第一信号线层还包括遮光图案。
可选的,位于所述第一信号线正上方的所述第二信号线在所述衬底上的正投影覆盖所述第一信号线在所述衬底上的正投影。
可选的,所述阵列基板还包括与所述第二信号线相交的第三信号线;位于同一亚像素区域中的薄膜晶体管远离所述第三信号线的边缘到所述第三信号线的距离大于等于所述凸起远离所述第三信号线的边缘到所述第三信号线的距离。
可选的,所述凸起设置在所述第一信号线的端部。
可选的,所述第二信号线为栅线、数据线、公共电极线中任意一种。
可选的,所述第一信号线的材料包括钼元素。
可选的,所述阵列基板包括绑定区,所述绑定区设置有与所述第一信号线电连接的引线以及设置在所述引线远离所述衬底一侧的导电辅助图案;所述导电辅助图案与所述阵列基板上的数据线同层设置。
基于上述,可选的,所述透明电极用作公共电极和触控电极。
第二方面,提供一种显示装置,包括第一方面所述的阵列基板。
本发明提供一种阵列基板、显示装置,通过将第一信号线设置在第二信号线的下方,通过凸起与透明电极电连接,与现有技术相比,凸起所占的面积远远小于一条信号线和信号线间隙所占面积之和。也就是说,本发明提供的第一信号线和第二信号线的设置方式,与现有技术相比,可明显提高产品的开口率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图;
图3为本发明实施例提供的一种第一信号线、第二信号线、透明电极的位置关系图;
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视图;
图5为本发明实施例提供的再一种阵列基板的俯视图;
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的侧视图;
图7为本发明实施例提供的一种阵列基板绑定区的结构示意图。
附图标记
10-第一信号线;11-凸起;12-遮光图案;13-引线;20-第二信号线;30-透明电极;40-第三信号线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
针对FIC的手机屏,由于其Touch(触控)功能的实现是基于阵列基板上的触控信号线来实现的;由于并排设置的触控信号线和数据线所占的面积远大于数据线所占的面积,对比normal(正常)产品(非触控产品),这样无形中就减少了panel(显示面板)的开口率,从而影响到产品的透过率,这样的设计不利于高透过率产品的要求,就拿FHD(高透过率)产品来说,数据线的线宽为4.5um,normal产品的开口率为56%;FIC产品,其他设计都不变的情况下,开口率为53.3%,透过率为5.6%。其开口率约有3%的提升空间。
本发明实施例提供一种阵列基板,如图2所示,包括在衬底上依次设置且通过绝缘层(图2中未示出)间隔开的第一信号线层、第二信号线层和透明导电层,第一信号线层包括多条第一信号线10,第二信号线层包括多条第二信号线20,透明导电层包含多个透明电极30;第一信号线10与位于其正上方的第二信号线20平行、且位于第一信号线10上方的第二信号线20在衬底上的正投影与第一信号线10在衬底上的正投影交叠;第一信号线10在其宽度方向上设置有凸起11;如图3所示,多个透明电极30通过绝缘层上的过孔与多个凸起11分别电连接。
本发明中为了便于示意,图2中的视角是在衬底所在侧,即由第一数据线10向透明电极30俯视,衬底在俯视图的最上层。
需要说明的是,第一,第一信号线层和第二信号线层之间的绝缘层,第二信号线层和透明导电层之间的绝缘层至少为一层,也可以是多层。
第二,如图2和图4所示,第一信号线层中的多条第一信号线10可以平行,也可以不平行;第二信号线层中的多条第二信号线20可以平行,也可以不平行;但第一信号线10与位于其正上方的第二信号线20平行。此处的上方是根据阵列基板上各层的形成顺序来确定的,先形成第一信号线层再形成第二信号线层,因此第二信号线层在第一信号线层上方。此处的正上方是指与阵列基板的厚度方向平行的方向上。
其中,第一信号线10的条数和第二信号线20的条数可以相同,也可以不同,如图2和图4所示,第一信号线10仅与位于其上方的第二信号线20平行,且仅被位于其上方的第二信号线20覆盖。第二信号线20的宽度可以大于、等于、小于第一信号线10的宽度。
此处,第二信号线20在衬底上的正投影与第一信号线10在衬底上的正投影交叠,可以是完全交叠(覆盖),也可以是部分交叠。
此外,多条第一信号线10是指多条同一种类型的信号线,用于实现相同的功能;多条第二信号线20也是指多条同一种类型的信号线,用于实现相同的功能。
第二信号线层中的多条第二信号线20的宽度可以相同,也可以不同。示例的,位于第一信号线10上方的那部分第二信号线20的宽度相同,其他位置的第二信号线20的宽度相同。或者示例的,第二信号线层中的多条第二信号线20的宽度相同。
第三,透明导电层中的多个透明电极30之间断开,不对透明电极30的形状进行限定,可以是块状、条状或其他封闭图形。
第四,如图2所示,第一信号线10在其宽度方向上设置有凸起11,也就是说,首先,凸起11设置在第一信号线10的侧面,其次,凸起11是朝向第一信号线10的宽度方向上的。当然,若凸起11与第一信号线10通过同一次构图工艺形成,那么凸起11的厚度与第一信号线11的厚度相同。
其中,本领域技术人员应该明白,因为第一信号线10被第二信号线20遮挡,因此设置凸起11使透明电极30通过凸起11与第一信号线10连通,因此,如果不考虑其他因素,凸起11无需设置的很大。
此外,为使信号正常传输,不被串扰,凸起11必然不应被阵列基板上其他导电结构覆盖。
第五,透明电极30和凸起11之间的绝缘层有多层,每层绝缘层上的过孔之间是相通的,透明电极30与位于其下方的凸起11通过上述过孔电连接。透明电极30仅与位于其下方的凸起11电连接,与其他凸起11不连接。
本领域技术人员应该明白,如图5所示,第一信号线10的条数应大于等于透明电极30的个数,以确保每个透明电极30都能接收到第一信号线10传输的信号。
此外,一条第一信号线10上至少设置有一个凸起11,为了确保连接效果,一条第一信号线10上也可以设置有多个凸起11。当然,优选的,同一条第一信号线10上的多个凸起11设置在第一信号线10的同一侧。
本发明实施例提供的阵列基板,通过将第一信号线10设置在第二信号线20的下方,通过凸起11与透明电极30电连接,与现有技术相比,凸起11所占的面积远远小于一条信号线和信号线间隙所占面积之和。也就是说,本发明提供的第一信号线10和第二信号线20的设置方式,与现有技术相比,可明显提高产品的开口率。
可选的,如图6所示,第一信号线层还包括遮光图案12。
其中,不对遮光图案12的具体形状进行限定。
如图6中的(a)和(b)所示,遮光图案12和第一信号线10同层设置,即,两者通过同一次构图工艺形成。
图6中以第二信号线20为数据线进行示意,图6中的(a)示意了一种双栅型薄膜晶体管(虚线框中),但本发明实施例不对薄膜晶体管的类型进行限定。
其中,根据半导体有源层材料的不同,薄膜晶体管可以为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅(P-Si)薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管等。在此基础上,所述薄膜晶体管还可以为交错型、反交错型、共面型、或反共面型等。
如图6所示,本发明中的Touch hole(触控孔)由遮光图案40所在层的第一信号线10与透明电极30搭接形成,此时数据线仅起显示信号传输的作用,从下连接有源层(P-Si),从上连接像素电极,并与像素电极(P-ITO)搭接形成用于显示的信号传输孔。
本发明实施例提供将第一信号线10和遮光图案12同层设置,不仅可以降低阵列基板的厚度,还可以节省工序,提高生产效率。
为使开口率尽可能的增大,本发明实施例优选的,如图2所示,位于第一信号线10正上方的第二信号线20在衬底上的正投影覆盖第一信号线10在衬底上的正投影。
当然,本领域技术人员应该明白,第一信号线10上的凸起11是用来与透明电极30电连接的,因此,第二信号线20在衬底上的正投影可以和凸起11在衬底上的正投影有交叠,但必然不会覆盖凸起11在衬底上的正投影。
优选的,如图2所示,所述阵列基板还包括与第二信号线20相交的第三信号线40,位于同一亚像素区域中的薄膜晶体管远离第三信号线40的边缘到第三信号线40的距离h1大于等于凸起11远离第三信号线40的边缘到第三信号线40的距离h2。
也就是说,凸起11尽量靠近第三信号线40设置。
如图2所示,以第一信号线10为触控信号线,第二信号线20为数据线,第三信号线40为栅线进行示意。凸起11与透明电极30的连接孔Touch hole在panel上的相对位置为在用于遮挡Gate(栅)金属线的BM(black matrix,黑矩阵)上,不需要专门设计BM来遮挡Touchhole和凸起11,同时触控信号线在数据线(SD)的下方,共用用于遮挡SD的BM,这样的设计不会损失额外的panel透过率,使得FIC产品达到与normal产品一样的透过率。
本发明实施例通过使位于同一亚像素区域中的薄膜晶体管远离第三信号线40的边缘到第三信号线40的距离h1大于等于凸起11远离第三信号线40的边缘到第三信号线40的距离h2,使得覆盖薄膜晶体管的黑矩阵同样能够覆盖凸起11,降低工艺难度。
此外,通过将凸起11尽量靠近第三信号线40设置,可以增大像素开口区的面积,进一步提高产品的开口率。
为了避免资源浪费,本发明实施例优选的,如图2所示,凸起11设置在第一信号线10的端部。
可选的,第一信号线10和第二信号线20互为栅线和公共电极线,第三信号线40为数据线。
可选的,第一信号线10和第二信号线20互为栅线和触控信号线(与触控电极连接),第三信号线40为数据线。
可选的,第一信号线10和第二信号线20互为数据线和触控信号线,第三信号线40为栅线。
当然,本发明实施例提供的阵列基板中,公共电极线可以分时复用,即作为公共电极线由作为触控信号线。也可以是阵列基板中即包括公共电极线又包括触控信号线。
优选的,第一信号线10的材料包括钼元素(MO)。
通过使第一信号线10的材料包括MO,这样一来,就无需担心Bonding PIN(绑定引脚)位置处的膜层接触问题。其中Bonding PIN是指阵列基板上与IC(Integrated Circuit,集成电路)接触位置的信号的PIN(引脚)。
优选的,如图7所示,阵列基板包括绑定区,绑定区设置有与第一信号线10电连接的引线13以及设置在引线13远离衬底一侧的导电辅助图案40;导电辅助图案40与阵列基板上的数据线同层设置。
本领域技术人员应该明白,导电辅助图案40虽然与数据线同层设置,但两者是断开的,在引线13上方设置导电辅助图案40只是为了便于引脚的压合。
图7中还示意了布线区(Fanout)的膜层结构,Fanout布线区就是指显示面板中的信号输入的区域,信号线需要绑定IC和FPC(Flexible Printed Circuit,柔性电路板)来完成对显示面板信号的输入,绑定区是Bonding IC的位置。一般LTPS(低温多晶硅,LowTemperature Poly-silicon))工艺中,第一信号线10、遮光图案12和栅线的材料相同。
阵列基板的一帧画面显示时间包括显示时间段和触控时间段,为了使阵列基板轻薄化,本发明实施例优选的透明电极在显示时间段用作公共电极,在触控时间段用作触控电极。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述阵列基板。
其中,此处的显示装置可以是显示面板,也可以是包含显示面板的显示装置。
上述显示装置具体可以是OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光二极管)显示器、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。
本发明提供的显示装置包括上述阵列基板,其有益效果与阵列基板的有益效果相同,此处不再赘述。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括在衬底上依次设置且通过绝缘层间隔开的第一信号线层、第二信号线层和透明导电层,所述第一信号线层包括多条第一信号线,所述第二信号线层包括多条第二信号线,所述透明导电层包含多个透明电极;
所述第一信号线与位于其上方的所述第二信号线平行、且位于所述第一信号线正上方的第二信号线在所述衬底上的正投影与所述第一信号线在所述衬底上的正投影交叠;
所述第一信号线在其宽度方向上设置有凸起;
所述透明电极通过所述绝缘层上的过孔与位于其下方的所述凸起电连接;
所述第一信号线层还包括遮光图案;
位于所述第一信号线正上方的所述第二信号线在所述衬底上的正投影覆盖所述第一信号线在所述衬底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括与所述第二信号线相交的第三信号线;
位于同一亚像素区域中的薄膜晶体管远离所述第三信号线的边缘到所述第三信号线的距离大于等于所述凸起远离所述第三信号线的边缘到所述第三信号线的距离。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述凸起设置在所述第一信号线的端部。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二信号线为栅线、数据线、公共电极线中任意一种。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号线的材料包括钼元素。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括绑定区,所述绑定区设置有与所述第一信号线电连接的引线以及设置在所述引线远离所述衬底一侧的导电辅助图案;
所述导电辅助图案与所述阵列基板上的数据线同层设置。
7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述透明电极用作公共电极和触控电极。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
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US11727859B2 (en) | 2018-10-25 | 2023-08-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display device |
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CN110070801B (zh) * | 2019-04-30 | 2023-04-18 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110189627B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-12-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110444125B (zh) * | 2019-06-25 | 2022-03-08 | 荣耀终端有限公司 | 显示屏、终端 |
CN111834376B (zh) * | 2019-12-16 | 2024-01-19 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN111599823B (zh) * | 2020-05-29 | 2024-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
CN112860117B (zh) * | 2021-03-05 | 2024-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、触控显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012141846A (ja) * | 2011-01-04 | 2012-07-26 | Fujitsu Component Ltd | タッチパネル |
KR20130033829A (ko) * | 2011-09-27 | 2013-04-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치와 이의 제조방법 |
CN104765502A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控显示面板及其制备方法、控制方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI447495B (zh) * | 2010-02-12 | 2014-08-01 | Japan Display West Inc | 具有減少撓曲電效應的液晶顯示器 |
CN105607369B (zh) * | 2016-01-05 | 2019-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
CN206209236U (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
CN206557510U (zh) * | 2017-03-07 | 2017-10-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置 |
-
2018
- 2018-01-22 CN CN201810059826.3A patent/CN108257980B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012141846A (ja) * | 2011-01-04 | 2012-07-26 | Fujitsu Component Ltd | タッチパネル |
KR20130033829A (ko) * | 2011-09-27 | 2013-04-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치와 이의 제조방법 |
CN104765502A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控显示面板及其制备方法、控制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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