JP6205985B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本技術は、先端に磁石を有するペンを用いて表示面に描画することの可能な表示装置に関する。
従来から、先端に磁石を有するペンを用いて表示面に描画することの可能な表示装置が知られている。この表示装置では、例えば、白色顔料および磁性粒子が分散された分散媒を内包した複数のマイクロカプセルが表示面に配置されており、ペン先の磁石から発せられる磁界によって磁性粒子が表示面に引き寄せられることにより描画がなされる。このようにして描画された画像は、例えば、磁石を裏面に沿ってスライドさせることにより消去される。
特開２００３−１９５３６５号公報
しかし、このような消去方法では、全面を一度に消去できず、しかも、消去残しが生じやすいという問題があった。また、特許文献１には、Ｎ極およびＳ極が表示面と平行な方向に向けられた磁石を表示面から所定の距離に置くことにより、描画された画像を部分的に消去することが開示されている。しかし、この方法では、マイクロカプセルを通過する磁力線が表示面と平行となっているので、消去残しが生じやすいという問題があった。
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、全面を一度に消去することができ、しかも、消去残しが生じ難い表示装置を提供することにある。
本技術の第１および第２の表示装置は、離間して互いに対向配置された一対の基板と、一対の基板の間隙に配置された表示層と、表示層に電界を印加する電極と、先端に磁石を有するペンとを備えている。表示層は、磁界および電界の変化に応じて表示を変えるようになっている。本技術の第１および第２の表示装置において、表示層は、分散媒と、分散媒中に設けられた複数の第１要素および複数の第２要素とを有している。
本技術の第１の表示装置において、第１要素は、磁性体、または磁性体を含むものであり、第２要素は、非磁性体、または非磁性体を含むものであり、第１要素および第２要素の双方が帯電しており、第１要素および第２要素の帯電の正負が互いに異なっている。
本技術の第２の表示装置において、第１要素は、磁性体、または磁性体を含むものであり、第２要素は、非磁性体、または非磁性体を含むものであり、第１要素が帯電しており、第２要素は、繊維状構造体である。
本技術の第１および第２の表示装置では、ペンから入力される磁界や、電極から入力される電界に起因して、表示層の表示が変化する。そのため、表示層の表示を消去する際に、電極から入力される電界を利用することができる。
本技術の第１および第２の表示装置によれば、表示層の表示を消去する際に、電極から入力される電界を利用することができるようにしたので、全面を一度に消去することができ、しかも、磁界を利用した消去の場合よりも、消去残しを生じ難くすることができる。
本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の断面構成の一例を表す図である。 図１の電極の斜視構成の一例を表す図である。 図１の電極の斜視構成の一例を表す図である。 図１の電極の斜視構成の一例を表す図である。 図１の表示画素の断面構成の一例を表す図である。 磁界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１の表示層の作用の一例を表す図である。 本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の断面構成の一例を表す図である。 図１０の表示画素の、ＸＺ面と平行な面での断面構成の一例を表す図である。 図１０の表示画素の、ＸＹ面と平行な面での断面構成の一例を表す図である。 図１０の表示画素の、ＸＹ面と平行な面での断面構成の一変形例を表す図である。 本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の断面構成の一例を表す図である。 図１４の表示画素の、ＸＺ面と平行な面での断面構成の一例を表す図である。 図１５の表示画素の、Ａ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表す図である。 図１５の表示画素の、Ｂ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表す図である。 図１５の表示画素の、Ｂ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表す図である。 磁界が入力されたときの図１４の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１４の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１４の表示層の作用の一例を表す図である。 電界が入力されたときの図１４の表示層の作用の一例を表す図である。 図１５の表示画素の、Ａ−Ａ矢視方向の断面構成の一変形例を表す図である。 図１５の表示画素の、Ｂ−Ｂ矢視方向の断面構成の一変形例を表す図である。 図１５の表示画素の、Ｂ−Ｂ矢視方向の断面構成の一変形例を表す図である。 本技術の第４の実施の形態に係る表示装置の断面構成の一例を表す図である。 図２４のセンサ装置および駆動部の構成の一例を表す図である。 図２４の表示装置の表示面にペンを接触させたときの表示パネルおよびセンサ装置の断面構成の一例を簡略化して表す図である。 図２４の表示装置の表示面にペンを押圧したときの表示パネルおよびセンサ装置の断面構成の一例を簡略化して表す図である。 図２４のセンサ装置および駆動部の構成の一変形例を表す図である。
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．第１の実施の形態
表示層にマイクロカプセルを設けた例
２．第２の実施の形態
表示層にスペーサを設けた例
３．第２の実施の形態の変形例
スペーサを柱形状にした例
４．第３の実施の形態
表示層に繊維状構造体を設けた例
５．第３の実施の形態の変形例
スペーサを柱形状にした例
６．第４の実施の形態
表示パネルの背面にセンサ装置を設けた例
＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る表示装置１の断面構成の一例を表すものである。表示装置１は、例えば、表示パネル１０、駆動部２０およびペン３０を備えている。表示パネル１０は、磁界および電界の変化に応じて表示を変えるものである。駆動部２０は、表示パネル１０に対して電圧を印加することにより表示パネル１０の表示を変化させるものである。ペン３０は、表示パネル１０に対して磁界を印加することにより表示パネル１０の表示を変化させるものである。
（ペン３０）
ペン３０は、例えば、表示パネル１０の表示面１０Ａに接触させたり、表示面１０Ａを押圧したりすることにより、表示面１０Ａに描画するものである。ペン３０は、例えば、棒状の把持部３１と、把持部３１の先端に固定された磁石３２とを有している。把持部３１は、表示装置１のユーザがペン３０を使う際に手でつかむ部分である。磁石３２は、把持部３１の延在方向と同一の方向に延在する棒形状となっている。磁石３２の長手方向の一端がＮ極となっており、磁石３２の長手方向の他端がＳ極となっている。従って、磁石３２は、ペン３０を表示パネル１０の表示面１０Ａに立てたとき、磁石３２から発せられる磁界Ｈ（磁力線）が後述の表示層１３を表示層１３の厚さ方向（図中のＺ軸方向）に通過するようになっている。ペン先端の磁束密度は、５０Ｇ〜２０００Ｇ程度となっていることが好ましく、２００Ｇ〜１０００Ｇとなっていることがより好ましい。ペン３０は、ペン先端に、磁力線の広がりを防ぐ部材を有していてもよい。そのような部材は、例えば、ペン先端の外周（磁石３２のうちペン先端側の端部の側面全体）を覆うように設けられている。磁力線の広がりを防ぐ部材としては、例えば、比透磁率の高い材料（例えば、パーマロイ、軟鉄など）が挙げられる。また、上記の部材は、磁石３２の側面全体を覆うように設けられていてもよい。このようにした場合には、上記の部材がヨークとして働き、ペン先端の磁束密度を高くすることができる。
（表示パネル１０）
表示パネル１０は、例えば、下側基板１１、下側電極１２、表示層１３、上側電極１４および上側基板１５を有している。下側基板１１および上側基板１５は、下側電極１２、表示層１３および上側電極１４を支持するものであり、離間して互いに対向配置されている。表示層１３は、磁界および電界の変化に応じて表示を変えるものであり、下側基板１１および上側基板１５の間隙に配置されている。上側電極１４および下側電極１２は、表示層１３に電界を印加するものであり、表示層１３を間にして互いに対向するように配置されている。下側電極１２は、下側基板１１寄りに配置されており、上側電極１４は、上側基板１５寄りに配置されている。
下側基板１１は、例えば、無機材料またはプラスチック材料からなっている。無機材料としては、例えば、ガラス、石英、シリコン、またはガリウム砒素が挙げられる。プラスチック材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、またはポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）が挙げられる。下側基板１１は、ウェハなどの剛性の高いものであってもよく、薄層ガラスやフィルムなど可撓性を有するものであってもよい。上側基板１５は、例えば、下側基板１１の材料として例示された上記の材料からなっている。
下側電極１２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体からなる。下側電極１２は、例えば、上で例示した金属元素の単体のうち少なくとも１つを含む合金（例えばステンレス鋼（ＳＵＳ））からなっていてもよい。下側電極１２は、例えば、光透過性の導電材料（透明電極材料）により構成されていてもよい。透明電極材料としては、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化アンチモン−酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、またはアルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）が挙げられる。下側電極１２は、例えば、光透過性を有しており、例えば、ナノメタルワイヤ、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、またはメタル細線により構成されていてもよい。上側電極１４は、例えば、下側電極１２の材料として例示された上記の材料からなっている。
下側基板１１および上側基板１５のうち、少なくとも上側基板１５が、光透過性を有している。さらに、下側電極１２および上側電極１４のうち、少なくとも上側電極１４が、光透過性を有している。下側基板１１、下側電極１２、上側電極１４および上側基板１５が、全て、光透過性を有している場合、表示装置１の上側基板１５側の表面（上面）だけでなく、表示装置１の下側基板１１側の表面（下面）までもが、表示面１０Ａとして使用可能となる。なお、下側電極１２および下側基板１１のうち、少なくとも下側電極１２が光吸収性を有していてもよい。この場合には、高いコントラストが得られる。また、下側電極１２および下側基板１１のうち、少なくとも下側電極１２が、光反射性の材料で構成されていてもよい。この場合には、高い輝度が得られる。
図２、図３および図４は、下側電極１２および上側電極１４の斜視構成の一例を表すものである。下側電極１２および上側電極１４は、例えば、図２に示したように、表示面１０Ａと対向する領域全体に広がるシート状電極となっている。この場合、駆動部２０は、例えば、下側電極１２および上側電極１４に対して電圧を印加することにより、表示層１３の表示の全体を一度に変化させる（例えば消去する）ようになっている。
下側電極１２が、例えば、図３に示したように、第１方向（図中ではＸ方向）に延在する複数の部分電極１２Ａを含んで構成されていてもよい。さらに、上側電極１４が、例えば、図３に示したように、第１方向と交差（例えば直交）する第２方向（図中ではＹ方向）に延在する複数の部分電極１４Ａを含んで構成されていてもよい。この場合、駆動部２０は、例えば、下側電極１２および上側電極１４を単純マトリクス駆動することにより、表示層１３の表示の全体または一部を変化させる（例えば消去する）ようになっている。このとき、表示層１３のうち、部分電極１２Ａと部分電極１４Ａとが互いに対向する部分が、単純マトリクス駆動時の画素となる。単純マトリクス駆動時の画素は、後述の表示画素１３Ａと一致していてもよいし、複数の表示画素１３Ａごとに対応していてもよい。
下側電極１２が、例えば、図４に示したように、面内に２次元配置された複数の部分電極１２Ａを含んで構成されていてもよい。さらに、上側電極１４が、例えば、図４に示したように、表示面１０Ａと対向する領域全体に広がるシート状電極となっていてもよい。この場合、駆動部２０は、例えば、複数の部分電極１２Ａをアクティブマトリクス駆動することにより、表示層１３の表示の全体または一部を変化させる（例えば消去する）ようになっている。このとき、表示層１３のうち、部分電極１２Ａと対向する部分が、アクティブマトリクス駆動時の画素となる。アクティブマトリクス駆動時の１つの画素が、後述の１つの表示画素１３Ａに割り当てられていてもよいし、複数の表示画素１３Ａに割り当てられていてもよい。また、アクティブマトリクス駆動時の複数の画素が、１つの表示画素１３Ａに割り当てられていてもよい。
図５は、表示層１３の最小単位である表示画素１３Ａの断面構成の一例を表すものである。表示層１３は、表示面１０Ａと対向する領域に２次元配置された複数の表示画素１３Ａを有している。表示画素１３Ａは、分散媒１３３と、分散媒１３３中に設けられた複数の第１要素１３１および複数の第２要素１３２とを有している。表示画素１３Ａは、さらに、分散媒１３３と、複数の第１要素１３１および複数の第２要素１３２とを封入するマイクロカプセル１３４を有している。
第１要素１３１は、磁性体である。磁性体は、例えば、四酸化三鉄、三酸化二鉄、または、各種フェライトである。磁性体は、例えば、鉄、マンガン、ニッケル、コバルト、クロム等の金属であってもよいし、コバルト、ニッケル、マンガン等を含む合金であってもよい。第１要素１３１は、上で例示した材料で構成されている場合、暗表示向けの色（具体的には、黒色またはそれに近い色合い）の粒子となっている。第１要素１３１は、磁性体の性質を持つ粒子（すなわち磁性粒子）である。磁性粒子の粒径は、例えば、０．１μｍ〜２０μｍとなっている。第１要素１３１は、例えば、磁性体（すなわち磁性粒子）を含むものであってもよい。第１要素１３１は、例えば、磁性粒子を樹脂に混ぜ合わせたものであってもよい。
第２要素１３２は、非磁性体である。非磁性体は、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウムまたはチタン酸カリウム等の金属酸化物である。非磁性体は、例えば、硫酸バリウムまたは炭酸カルシウムなどの無機塩であってもよいし、ポリビニルナフタレンなどの有機化合物であってもよい。第２要素１３２は、上で例示した材料で構成されている場合、明表示向けの色（具体的には、白色またはそれに近い色合い）の粒子となっている。第２要素１３２は、非磁性体の性質を持つ粒子（すなわち非磁性粒子）である。非磁性粒子の粒径は、例えば、０．１μｍ〜１μｍとなっている。第２要素１３２は、例えば、非磁性体（すなわち非磁性粒子）を含むものであってもよい。第２要素１３２は、例えば、非磁性粒子を樹脂に混ぜ合わせたものであってもよい。
第１要素１３１および第２要素１３２の少なくとも一方が帯電している。具体的には、上記磁性粒子および上記非磁性粒子の少なくとも一方が電気的に修飾されている。以下に、電気的に修飾された磁性粒子の製造方法の一例について説明する。なお、電気的に修飾された非磁性粒子についても、下記と同様の方法で製造可能である。
水酸化ナトリウム４２．６２４ｇとケイ酸ナトリウム０．３６９ｇとを水４３ｇに溶解させて溶液Ａを得た。次に、溶液Ａを攪拌しながら黒色磁性粒子（四酸化三鉄）５ｇを溶液Ａに加えて攪拌（１５分間）を行った後、超音波攪拌（３０℃〜３５℃で１５分間）を行った。次に、溶液Ａを加熱（９０℃）した後、０．２２ｍｏｌ／ｃｍ3の硫酸１５ｃｍ3（＝ｍｌ）と、ケイ酸ナトリウム６．５ｍｇおよび水酸化ナトリウム１．３ｍｇが溶解された水溶液７．５ｃｍ3とを溶液Ａに２時間かけて滴下した。次に、溶液Ａを冷却（室温）した後、溶液Ａに１ｍｏｌ／ｃｍ3の硫酸１．８ｃｍ3を加えた。次に、溶液Ａに対して遠心分離（３７００ｒｐｍで３０分間）を行った後、デカンテーションを行った。次に、溶液Ａをエタノールに再分散してから、遠心分離（３５００ｒｐｍで３０分間）とデカンテーションと交互に２回ずつ行った。次に、溶液Ａにエタノール５ｃｍ3と水０．５ｃｍ3との混合液を加えて超音波攪拌（１時間）して、シラン被覆黒色磁性粒子の分散溶液を得た。
次に、水３ｃｍ3と、エタノール３０ｃｍ3と、Ｎ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］−Ｎ’−（４−ビニルベンジル）エチレンジアミン塩酸塩（４０％メタノール溶液）４ｇとを混合して攪拌（７分間）した後、その混合溶液に上記の分散溶液を全量投入した。次に、混合溶液を攪拌（１０分間）した後、遠心分離（３５００ｒｐｍで３０分間）を行った。次に、デカンテーションを行った後、混合溶液をエタノールに再分散してから遠心分離（３５００ｒｐｍで３０分間）を行う洗浄作業を２回繰り返した。次に、デカンテーションを行ったのち、減圧環境（室温）中で乾燥（６時間）した後、さらに減圧環境（７０℃）中で乾燥（２時間）して固形物を得た。
次に、上記固形物にトルエン５０ｃｍ3を加えて溶液Ｂとしたのち、溶液Ｂをロールミルで攪拌（１２時間）した。次に、溶液Ｂを３つ口フラスコに移し、アクリル酸２−エチルヘキシル１．７ｇを投入した後、窒素気流下で攪拌（２０分間）を行った。次に、溶液Ｂを攪拌（５０℃で２０分間）し、ＡＩＢＮ０．０１ｇがトルエン３ｃｍ3に溶解された溶液Ｃを溶液Ｂに加えた後、加熱（６５℃）した。次に、溶液Ｂを攪拌（１時間）した後、冷却（室温）してから酢酸エチルと一緒にボトルに流し込み、遠心分離（３５００ｒｐｍで３０分間）を行った。続いて、デカンテーションを行った後、ボトルの中身を酢酸エチルに再分散させてから遠心分離（３５００ｒｐｍで３０分間）を行う洗浄作業を３回繰り返した。続いて、減圧環境（室温）中で乾燥（１２時間）した後、さらに減圧環境（７０℃）中で乾燥（２時間）した。これにより、黒色磁性粒子からなる黒色の電気泳動粒子が得られた。
マイクロカプセル１３４は、例えば、アラビアガム・ゼラチンの複合膜、ウレタン樹脂、またはウレア樹脂等からなる。分散媒１３３は、例えば水、アルコール類、エステル類、ケトン類、脂肪族直鎖炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、またはカルボン酸塩等からなる。分散媒１３３には、界面活性剤が添加されていてもよい。
[作用]
図６は、磁界Ｈが入力されたときの表示層１３の作用の一例を表すものである。上述したように、第１要素１３１が磁性体であり、第２要素１３２が非磁性体である。そのため、ペン３０から入力された磁界Ｈに起因して、第１要素１３１に対して、下側電極１２から上側電極１４に向かう磁力が働く。その結果、第１要素１３１が上側電極１４側（または上側基板１５側）に変位し、上側電極１４に接触ないしは近接する。その一方で、ペン３０から入力された磁界Ｈによって第２要素１３２は特段、変位しないが、第１要素１３１の、上側電極１４近傍への密集に起因して、第２要素１３２が下側電極１２（または下側基板１１側）方向に押し出される。つまり、表示層１３は、ペン３０が表示面１０Ａに接触すると、ペン３０の接触部分において、暗表示（例えば黒表示）となる。
図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃは、電界Ｅが入力されたときの表示層１３の作用の一例を表すものである。図７Ａ〜図７Ｃは、第１要素１３１が正帯電となっており、第２要素１３２が負帯電となっているときの表示層１３の作用の一例を表すものである。図８Ａ〜図８Ｃは、第１要素１３１が正帯電となっており、第２要素１３２が帯電していないときの表示層１３の作用の一例を表すものである。図９Ａ〜図９Ｃは、第１要素１３１が帯電しておらず、第２要素１３２が負帯電となっているときの表示層１３の作用の一例を表すものである。
第１要素１３１が正帯電となっており、第２要素１３２が負帯電となっている場合には、駆動部２０は、上側電極１４および下側電極１２に対して、上側電極１４の電位が下側電極１２よりも高い電位となる電圧を印加する。駆動部２０は、例えば、図７Ａ、図７Ｃに示したように、上側電極１４に正電圧を印加すると共に下側電極１２に負電圧もしくはグラウンド電圧（ゼロボルト）を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図７Ｂに示したように、上側電極１４にグラウンド電圧（ゼロボルト）を印加すると共に下側電極１２に負電圧を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図７Ｄに示したように、上側電極１４に正電圧を印加すると共に下側電極１２に上電極１４よりも相対的に小さい値の正電圧を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図７Ｅに示したように、上側電極１４に負電圧を印加すると共に下側電極１２に上側電極１４よりも大きい値の負電圧を印加する。これにより、表示層１３内には、上側電極１４から下側電極１２に向かう電界Ｅが発生する。従って、下側電極１２および上側電極１４から入力された電界Ｅに起因して、第１要素１３１に対して、上側電極１４から下側電極１２に向かうクーロン力が働き、第２要素１３２に対して、下側電極１２から上側電極１４に向かうクーロン力が働く。その結果、第１要素１３１が下側電極１２側（または下側基板１１側）に変位し、下側電極１２に接触ないしは近接すると共に、第２要素１３２が上側電極１４側（または上側基板１５１側）に変位し、上側電極１４に接触ないしは近接する。つまり、表示層１３は、上側電極１４および下側電極１２に対して上述の電圧が印加されると、マトリクス駆動時の画素単位で明表示（例えば白表示）となる。
また、第１要素１３１が正帯電となっており、第２要素１３２が帯電していない場合にも、駆動部２０は、上側電極１４および下側電極１２に対して、上側電極１４の電位が下側電極１２よりも高い電位となる電圧を印加する。駆動部２０は、例えば、図８Ａ、図８Ｃに示したように、上側電極１４に正電圧を印加すると共に下側電極１２に負電圧もしくはグラウンド電圧（ゼロボルト）を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図８Ｂに示したように、上側電極１４にグラウンド電圧（ゼロボルト）を印加すると共に下側電極１２に負電圧を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図８Ｄに示したように、上側電極１４に正電圧を印加すると共に下側電極１２に上電極１４よりも相対的に小さい値の正電圧を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図８Ｅに示したように、上側電極１４に負電圧を印加すると共に下側電極１２に上側電極１４よりも大きい値の負電圧を印加する。これにより、表示層１３内には、上側電極１４から下側電極１２に向かう電界Ｅが発生する。従って、下側電極１２および上側電極１４から入力された電界Ｅに起因して、第１要素１３１に対して、上側電極１４から下側電極１２に向かうクーロン力が働く。その一方で、上側電極１４および下側電極１２から入力された電界Ｅによって第２要素１３２は特段、変位しないが、第１要素１３１の、下側電極１２近傍への密集に起因して、第２要素１３２が上側電極１４方向に押し出される。つまり、表示層１３は、上側電極１４および下側電極１２に対して上述の電圧が印加されると、マトリクス駆動時の画素単位で明表示（例えば白表示）となる。
また、第１要素１３１が帯電しておらず、第２要素１３２が負帯電となっている場合にも、駆動部２０は、上側電極１４および下側電極１２に対して、上側電極１４の電位が下側電極１２よりも高い電位となる電圧を印加する。駆動部２０は、例えば、図９Ａ、図９Ｃに示したように、上側電極１４に正電圧を印加すると共に下側電極１２に負電圧もしくはグラウンド電圧（ゼロボルト）を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図９Ｂに示したように、上側電極１４にグラウンド電圧（ゼロボルト）を印加すると共に下側電極１２に負電圧を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図９Ｄに示したように、上側電極１４に正電圧を印加すると共に下側電極１２に上電極１４よりも相対的に小さい値の正電圧を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図９Ｅに示したように、上側電極１４に負電圧を印加すると共に下側電極１２に上側電極１４よりも大きい値の負電圧を印加する。これにより、表示層１３内には、上側電極１４から下側電極１２に向かう電界Ｅが発生する。従って、下側電極１２および上側電極１４から入力された電界Ｅに起因して、第２要素１３２に対して、下側電極１２から上側電極１４に向かうクーロン力が働く。その一方で、上側電極１４および下側電極１２から入力された電界Ｅによって第１要素１３１は特段、変位しないが、第２要素１３２の、上側電極１４近傍への密集に起因して、第１要素１３１が下側電極１２方向に押し出される。つまり、表示層１３は、上側電極１４および下側電極１２に対して上述の電圧が印加されると、マトリクス駆動時の画素単位で明表示（例えば白表示）となる。
以上をまとめると、表示層１３は、ペン３０から入力される磁界Ｈに起因して第１要素１３１が変位することにより、マイクロカプセル１３４単位（表示画素１３Ａ単位）で表示を変化させる（描画する）ことができる。さらに、表示層１３は、下側電極１２および上側電極１４から入力される電界Ｅに起因して第１要素１３１および第２要素１３２のうち、帯電している要素が変位することにより、表示面１０Ａ全体またはマトリクス駆動時の画素単位で表示を変化させる（消去する）ことができる。
ところで、表示を消去する場合、上側電極１４に正電圧を印加すると共に下側電極１２に負電圧を印加することで、第１要素１３１および第２要素１３２の変位速度（消去速度）を大きくすることができる。しかし、何らかの制約で、上側電極１４および下側電極１２のいずれか一方を、グラウンド電圧（ゼロボルト）にする必要がある場合がある。しかし、この場合であっても、図７Ｂ、図７Ｃ、図８Ｂ、図８Ｃ、図９Ｂ、図９Ｃに示したように、第１要素１３１および第２要素１３２の少なくとも一方を帯電させることにより、表示を消去することができる。また、何らかの制約で、第１要素１３１および第２要素１３２のいずれか一方を帯電させることが難しい場合がある。しかし、この場合であっても、上側電極１４および下側電極１２に対して、上側電極１４の電位が下側電極１２よりも高い電位となる電圧を印加することにより、表示を消去することができる。
また、上側電極１４および下側電極１２の少なくとも一方が複数の部分電極（１２Ａ，１４Ａ）で構成されている場合、表示層１３のうち、上側電極１４と下側電極１２とが互いに対向する部分が、マトリクス駆動時の画素となる。そのため、駆動部２０は、マトリクス駆動時の所定の画素だけで、上側電極１４および下側電極１２の電位差を、表示層１３の表示が暗表示から明表示に変化し始める閾値の電位差よりも大きくすることができる。このように、電界Ｅを部分的に大きくすることにより、表示を部分的に消去することができる。
例えば、ユーザが表示装置１に対して、表示面１０Ａ内の所定の領域の消去指令を入力したとする。このとき、駆動部２０は、その消去指令に基づいて、所定の領域に対応する、マトリクス駆動時の画素に対して消去動作を行う。具体的には、駆動部２０は、所定の領域に対応する、マトリクス駆動時の画素だけで、上側電極１４および下側電極１２の電位差を、上記閾値の電位差よりも大きくする。このように、電界Ｅを部分的に大きくすることにより、表示面１０Ａ内の所定の領域だけを消去することができる。
また、上側基板１５および上側電極１４が剛性の低い材料で形成されており、駆動部２０が上側電極１４および下側電極１２の間に上記閾値よりも小さい電位差を印加している場合、以下のような部分消去が可能となる。具体的には、ユーザが消去したい部分を表示面１０Ａ側から非磁性の棒（例えばペン３０の裏側の端部）などで押してやる。これにより、表示層１３の厚さが部分的に狭くなり、電界Ｅの強度が部分的に上記閾値を超える。このようにして、電界Ｅを部分的に大きくすることにより、表示面１０Ａ内の所定の領域だけを消去することもできる。
[効果]
次に、表示装置１の効果について説明する。表示装置１では、上側電極１４および下側電極１２から入力される電界Ｅに起因して、表示層１３の表示が変化する。そのため、表示層１３の表示を消去する際には、上側電極１４および下側電極１２から入力される電界Ｅを利用することができる。例えば、電界Ｅを表示層１３全体に入力することにより、表示面１０Ａ全面を一度に消去することができる。しかも、表示面１０Ａの消去を、電界Ｅを利用して行うので、磁界を利用した消去の場合よりも、消去残しを生じ難くすることができる。
また、表示装置１では、ペン３０から入力される磁界Ｈに起因して、表示層１３の表示が変化する。そのため、表示面１０Ａへ描画する際には、ペン３０から入力される磁界Ｈを利用することができる。ここで、ペン３０から磁界Ｈを入力した場合、表示面１０Ａへの描画の高速応答を実現することができる。このように、表示装置１において、描画時には磁界Ｈを利用し、消去時には電界Ｅを利用した場合には、高速描画と一括消去を兼ね備え、しかも消去残しの生じ難い表示装置を実現することができる。
また、表示装置１において、上側電極１４および下側電極１２の少なくとも一方が複数の部分電極（１２Ａ，１４Ａ）で構成されている場合、表示層１３のうち、上側電極１４と下側電極１２とが互いに対向する部分が、マトリクス駆動時の画素となる。そのため、マトリクス駆動時の所定の画素において、上側電極１４および下側電極１２の電位差を、上記閾値の電位差よりも大きくした場合には、表示面１０Ａ内の所定の領域だけを消去することができる。また、マトリクス駆動時の全ての画素において、上側電極１４および下側電極１２の電位差を、上記閾値の電位差よりも大きくした場合には、表示面１０Ａ全体を消去することができる。つまり、表示装置１において、上側電極１４および下側電極１２の少なくとも一方を複数の部分電極（１２Ａ，１４Ａ）で構成することにより、表示面１０Ａを部分的に消去したり、表示面１０Ａ全体を一度に消去したりすることができる。従って、この場合には、高速描画、一括消去および部分消去を兼ね備え、しかも消去残しの生じ難い表示装置を実現することができる。
＜２．第２の実施の形態＞
[構成]
図１０は、本技術の第２の実施の形態に係る表示装置２の断面構成の一例を表すものである。表示装置２は、上記実施の形態の表示装置１において、表示層１３の代わりに表示層１６を設けたものに相当する。そこで、以下では、表示層１６について主に詳述し、上記実施の形態の表示装置１の構成と共通する構成についての記述を適宜、省略するものとする。
図１１は、表示層１６の最小単位である表示画素１６Ａの、ＸＺ面と平行な面での断面構成の一例を表すものである。図１２は、表示画素１６Ａの、ＸＹ面と平行な面での断面構成の一例を表すものである。表示層１６は、表示面１０Ａと対向する領域に２次元配置された複数の表示画素１６Ａを有している。表示画素１６Ａは、分散媒１３３と、分散媒１３３中に設けられた複数の第１要素１３１および複数の第２要素１３２とを有している。表示画素１６Ａは、さらに、分散媒１３３を複数の領域に空間分離するスペーサ１６Ｂを有している。
スペーサ１６Ｂは、一対の基板（下側基板１１および上側基板１５）の間隙を規制するものである。スペーサ１６Ｂは、例えば、図１２に示したように、格子状となっており、分散媒１３３を方形状の複数の領域に空間分離している。なお、スペーサ１６Ｂは、例えば、分散媒１３３を六角形状または円形状の複数の領域に空間分離していてもよい。スペーサ１６Ｂは、例えば、絶縁性の材料によって形成されている。スペーサ１６Ｂは、例えば、樹脂材料をスクリーン印刷により、方形状、六角形状または円形状の格子にして印刷したのち、ＵＶ硬化または加熱硬化させることにより、形成されたものである。
[作用]
本実施の形態の表示層１６の作用は、上記実施の形態の表示層１３の作用と共通している。表示層１６は、ペン３０から入力される磁界Ｈに起因して第１要素１３１が変位することにより表示を変化させる（描画する）ことができる。このとき、第１要素１３１および第２要素１３２はスペーサ１６Ｂで区切られた表示画素１６Ａ内で移動するので、表示面１０Ａ内での反射率のばらつきを抑えることができる。さらに、表示層１６は、下側電極１２および上側電極１４から入力される電界Ｅに起因して第１要素１３１および第２要素１３２のうち、帯電している要素が変位することにより、表示面１０Ａ内の反射率のばらつきを抑えて表示を変化させる（消去する）ことができる。
[効果]
次に、本実施の形態の表示装置２の効果について説明する。表示装置２では、上側電極１４および下側電極１２から入力される電界Ｅに起因して、表示層１６の表示が変化する。そのため、表示層１６の表示を消去する際には、上側電極１４および下側電極１２から入力される電界Ｅを利用することができる。例えば、電界Ｅを表示層１６全体に入力することにより、表示面１０Ａ全面を一度に消去することができる。しかも、表示面１０Ａの消去を、電界Ｅを利用して行うので、磁界を利用した消去の場合よりも、消去残しを生じ難くすることができる。
また、表示装置２では、ペン３０から入力される磁界Ｈに起因して、表示層１６の表示が変化する。そのため、表示面１０Ａへ描画する際には、ペン３０から入力される磁界Ｈを利用することができる。ここで、ペン３０から磁界Ｈを入力した場合、表示面１０Ａへの描画の高速応答を実現することができる。このように、表示装置２において、描画時には磁界Ｈを利用し、消去時には電界Ｅを利用した場合には、高速描画と一括消去を兼ね備え、しかも消去残しの生じ難い表示装置を実現することができる。
また、表示装置２において、上側電極１４および下側電極１２の少なくとも一方が複数の部分電極（１２Ａ，１４Ａ）で構成されている場合、表示層１６のうち、上側電極１４と下側電極１２とが互いに対向する部分が、マトリクス駆動時の画素となる。そのため、マトリクス駆動時の所定の画素において、上側電極１４および下側電極１２の電位差を、上記閾値の電位差よりも大きくした場合には、表示面１０Ａ内の所定の領域だけを消去することができる。また、マトリクス駆動時の全ての画素において、上側電極１４および下側電極１２の電位差を、上記閾値の電位差よりも大きくした場合には、表示面１０Ａ全体を消去することができる。つまり、表示装置２において、上側電極１４および下側電極１２の少なくとも一方を複数の部分電極（１２Ａ，１４Ａ）で構成することにより、表示面１０Ａを部分的に消去したり、表示面１０Ａ全体を一度に消去したりすることができる。従って、この場合には、高速描画、一括消去および部分消去を兼ね備え、しかも消去残しの生じ難い表示装置を実現することができる。
また、上側基板１５および上側電極１４が剛性の低い材料で形成されており、駆動部２０が上側電極１４および下側電極１２に上記閾値よりも小さい電位差を印加している場合、以下のような部分消去が可能となる。具体的には、ユーザが消去したい部分を表示面１０Ａ側から非磁性の棒（例えばペン３０の裏側の端部）などで押してやる。これにより、表示層１６の厚さが部分的に狭くなり、電界Ｅの強度が部分的に上記閾値を超える。このようにして、電界Ｅを部分的に大きくすることにより、表示面１０Ａ内の所定の領域だけを消去することもできる。
＜３．第２の実施の形態の変形例＞
上記第２の実施の形態において、スペーサ１６Ｂは、例えば、図１３に示したように、柱状となっていてもよい。この場合、スペーサ１６Ｂは、分散媒１３３を複数の領域に空間分離しておらず、一対の基板（下側基板１１および上側基板１５）の間隙を規制する役割しか持っていない。このようにした場合、表示層１６に占める、スペーサ１６Ｂの割合が少なくなるので、表示装置２に対して、より柔軟性（可撓性）を持たせることができる。
＜４．第３の実施の形態＞
[構成]
図１４は、本技術の第３の実施の形態に係る表示装置３の断面構成の一例を表すものである。表示装置３は、上記実施の形態の表示装置２において、表示層１６の代わりに表示層１７を設けたものに相当する。そこで、以下では、表示層１７について主に詳述し、上記第２の実施の形態の表示装置２の構成と共通する構成についての記述を適宜、省略するものとする。
図１５は、表示層１７の最小単位である表示画素１７Ａの、ＸＺ面と平行な面での断面構成の一例を表すものである。図１６は、表示画素１７Ａの、ＸＹ面と平行な面であって、かつＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表すものである。図１７は、表示画素１７Ａの、ＸＹ面と平行な面であって、かつＢ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表すものである。
表示層１７は、表示面１０Ａと対向する領域に２次元配置された複数の表示画素１７Ａを有している。表示画素１７Ａは、分散媒１３３と、分散媒１３３中に設けられた複数の第１要素１３１および繊維状構造体１３５とを有している。表示画素１７Ａは、さらに、一対の基板（下側基板１１および上側基板１５）の間隙を規制すると共に分散媒１３３を複数の領域に空間分離するスペーサ１６Ｂを有している。繊維状構造体１３５は、多孔質層を構成するものであり、繊維径（直径）に対して長さが十分に大きい繊維状物質である。繊維状構造体１３５は、下側電極１２および上側電極１４から離れた位置（つまり、下側電極１２と上側電極１４の間隙の中途）に配置されている。
繊維状構造体１３５は、第１要素１３１と同一極性を有するものである。具体的には、繊維状構造体１３５では、その表面が、第１要素１３１と同じ極性を有する官能基によって修飾されている。表示層１７は、第１要素１３１の光学的反射特性と繊維状構造体１３５の光学的反射特性（以下、単に反射特性とする。）との違いによりコントラストを生じさせる。具体的には、表示層１７は、第１要素１３１に電界Ｅが印加されると、その電界Ｅが印加された範囲内において第１要素１３１は繊維状構造体１３５に形成された細孔１３６を経由して移動することにより、明表示と暗表示の切り替えを行うようになっている。
第１要素１３１は帯電している。具体的には、第１要素１３１を構成する磁性粒子が電気的に修飾されている。第１要素１３１は極性を備えた荷電粒子である。詳細は後述するが、第１要素１３１の表面にはアクセプタ性またはドナー性を有する官能基が結合されている。繊維状構造体１３５が第１要素１３１と相反する極性を有する場合には、第１要素１３１が細孔１３６を通過する際に吸着、または移動が阻害され、表示特性が低下する虞がある。これに対して、本実施の形態では、繊維状構造体１３５の表面に第１要素１３１と同じ極性の官能基が付加されている。これにより、細孔１３６内における第１要素１３１の吸着が抑制される。
繊維状構造体１３５の表面には、例えば、アミン系官能基の他、ケイ素原子（Ｓｉ）、チタン原子、アルミニウム原子あるいはシロキサン（−Ｓｉ−Ｏ−）、チタネート（−Ｔｉ−Ｏ−）、アルミネート（−Ａｌ−Ｏ−）が結合されている。アミン系官能基とは、アミノ基、イミノ基、アミド基を指すものである。繊維状構造体１３５の表面は、第１要素１３１と同じ極性を有するものであれば特に限定されない。繊維状構造体１３５と、上記官能基との結合の種類は特に問わないが、共有結合していることが好ましい。上述したように、第１要素１３１は繊維状構造体１３５の細孔１３６内を移動することから、第１要素１３１と繊維状構造体１３５とは接触すると考えられる。このため繊維状構造体１３５と上記官能基との結合力が弱い場合には、繊維状構造体１３５から上記官能基が脱離する虞がある。
繊維状構造体１３５の修飾方法、即ち、表面処理方法は特に限定されないが、温和な条件下で行うことが好ましく、例えばシランカップリング剤を用いた気相反応を行うことが好ましい。繊維状構造体１３５が形成する隙間（細孔１３６）やその構造が、第１要素１３１の移動にとって重要であるため、構造を変化させることなく修飾を行う必要があるからである。繊維状構造体１３５は、複数の細孔１３６を有している。この繊維状構造体１３５には、例えば、図１８に示したように、複数の第３要素１３７が含まれていてもよい。このとき、複数の第３要素１３７は、繊維状構造体１３５により保持されている。
繊維状構造体１３５では、１つの繊維がランダムに絡み合っていてもよいし、複数の繊維が集合してランダムに重なっていてもよいし、双方が混在していてもよい。複数の繊維状構造体１３５が表示層１７に設けられている場合、各繊維状構造体１３５は、１または２以上の第３要素１３７を保持している。
繊維状構造体１３５は３次元立体構造物となっている。これは、光（外光）が乱反射（多重散乱）するため、繊維状構造体１３５の反射率が高くなると共に、その高い反射率を得るために繊維状構造体１３５の厚さが薄くて済むからである。これにより、表示層１７のコントラストが高くなると共に、第１要素１３１を移動させるために必要なエネルギーが低くなる。また、細孔１３６の平均孔径が大きくなると共に数が多くなるため、第１要素１３１が細孔１３６を経由して移動しやすくなるからである。これにより、応答速度が速くなると共に、第１要素１３１を移動させるために必要なエネルギーがより低くなる。
繊維状構造体１３５に複数の第３要素１３７が含まれているのは、光がより乱反射しやすくなるため、繊維状構造体１３５の反射率がより高くなるからである。これにより、表示層１７のコントラストがより高くなる。
この繊維状構造体１３５は、例えば、高分子材料または無機材料等のいずれか１種類または２種類以上であり、他の材料でもよい。高分子材料は、例えば、ナイロン、ポリ乳酸、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル、ポリエチレンオキシド、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルクロライド、ポリウレタンである。高分子材料は、例えば、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリサルフォン、ポリビニルピロリドン、ポリビニリデンフロリド、ポリヘキサフルオロプロピレン、セルロースアセテート、コラーゲン、ゼラチン、キトサンまたはそれらのコポリマー等であってもよい。無機材料は、例えば、酸化チタン等である。中でも、繊維状構造体１３５の形成材料としては、高分子材料が好ましい。これは、反応性（光反応性等）が低い、即ち化学的に安定であるため、繊維状構造体１３５の意図しない分解反応が抑制されるからである。なお、繊維状構造体１３５が高反応性の材料により形成される場合には、その繊維状構造体１３５表面は任意の保護層（図示せず）により被覆されることが好ましい。
繊維状構造体１３５を構成する繊維は、上記のように繊維径に対して長さが十分に大きい繊維状であれば、特に限定されない。具体的には、繊維状構造体１３５を構成する繊維は、直線状でもよいし、縮れていたり、途中で折れ曲がっていたりしてもよい。また、繊維状構造体１３５を構成する繊維は、一方向に延在しているだけに限らず、途中で１または２以上の方向に分岐していてもよい。繊維状構造体１３５の形成方法は、特に限定されないが、例えば、相分離法、相反転法、静電（電界）紡糸法、溶融紡糸法、湿式紡糸法、乾式紡糸法、ゲル紡糸法、ゾルゲル法またはスプレー塗布法等であることが好ましい。繊維径に対して長さが十分に大きい繊維状物質を容易かつ安定に形成しやすいからである。
繊維状構造体１３５の平均繊維径は、特に限定されないが、できるだけ小さいことが好ましい。光が乱反射しやすくなると共に、細孔１３６の孔径が大きくなるからである。ただし、平均繊維径は、繊維状構造体１３５が後述する第３要素１３７を保持できるように決定される必要がある。このため、繊維状構造体１３５の平均繊維径は、１０μｍ以下であることが好ましい。なお、平均繊維径の下限は、特に限定されないが、例えば、０．１μｍであり、それ以下でもよい。この平均繊維径は、例えば、走査型電子顕微鏡等を用いた顕微鏡観察により測定される。なお、繊維状構造体１３５の平均長さは任意でよい。
特に、繊維状構造体１３５を構成する繊維はナノファイバーであることが好ましい。光が乱反射しやすくなるため繊維状構造体１３５の反射率がより高くなると共に、単位体積中に占める細孔１３６の割合が大きくなるため、第３要素１３７が細孔１３６を経由して移動しやすくなるからである。これにより、コントラストがより高くなると共に、第１要素１３１を移動させるために必要なエネルギーがより低くなる。ナノファイバーとは、繊維径が０．００１μｍ〜０．１μｍであると共に長さが繊維径の１００倍以上である繊維状物質である。ナノファイバーは、静電紡糸法により形成されていることが好ましい。繊維径が小さい繊維状構造体１３５を容易かつ安定に形成しやすいからである。
この繊維状構造体１３５は、第１要素１３１とは異なる反射特性を有していることが好ましい。具体的には、繊維状構造体１３５の反射特性は、特に限定されないが、少なくとも繊維状構造体１３５全体は第１要素１３１を遮蔽可能であることが好ましい。上述したように、第１要素１３１の反射特性と繊維状構造体１３５の反射特性との違いにより、コントラストを生じさせるためである。このため、分散媒１３３中において光透過性（例えば無色透明）の繊維状構造体１３５は好ましくない。ただし、繊維状構造体１３５の反射特性が実質的に非泳動粒子２２の反射特性により決定される場合には、繊維状構造体１３５の反射特性は任意でよい。
細孔１３６の平均孔径は、特に限定されないが、中でも、できるだけ大きいことが好ましい。第１要素１３１が細孔１３６を経由して移動しやすくなるからである。このため、細孔１３６の平均孔径は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。繊維状構造体１３５の厚さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ〜１００μｍである。繊維状構造体１３５の遮蔽性が高くなると共に、第１要素１３１が細孔１３６を経由して移動しやすくなるからである。
第３要素１３７は、繊維状構造体１３５により保持（固定）されており、電気泳動しない粒子である。この第３要素１３７の形成材料は、例えば、第１要素１３１の形成材料と同様であり、後述するように第３要素１３７が担う役割に応じて選択される。なお、第３要素１３７は、繊維状構造体１３５により保持されていれば繊維状構造体１３５から部分的に露出していてもよいし、繊維状構造体１３５の内部に埋設されていてもよい。
この第３要素１３７は、第１要素１３１とは異なる反射特性を有している。第３要素１３７の反射特性は、特に限定されないが、少なくとも繊維状構造体１３５全体は第１要素１３１を遮蔽可能であることが好ましい。上記したように、第１要素１３１の反射特性と繊維状構造体１３５の反射特性との違いにより、コントラストを生じさせるためである。
ここで、第３要素１３７の形成材料は、コントラストを生じさせるために第３要素１３７が担う役割に応じて選択される。具体的には、第３要素１３７が明表示する場合の材料は、第１要素１３１が明表示する場合に選択される材料と同様である。一方、第３要素１３７が暗表示する場合の材料は、第１要素１３１が暗表示する場合に選択される材料と同様である。中でも、第３要素１３７が暗表示する場合に選択される材料としては、金属酸化物が好ましい。優れた化学的安定性、定着性および光反射性が得られるからである。コントラストを生じさせることができれば、第３要素１３７の形成材料は、第１要素１３１の形成材料と同じ種類でもよいし、違う種類でもよい。
［作用］
図１９は、磁界Ｈが入力されたときの表示層１７の作用の一例を表すものである。上述したように、第１要素１３１が磁性体である。そのため、ペン３０から入力された磁界Ｈに起因して、第１要素１３１に対して、下側電極１２から上側電極１４に向かう磁力が働く。その結果、第１要素１３１は、繊維状構造体１３５の細孔１３６を経由して、上側電極１４側（または上側基板１５側）に変位し、上側電極１４に接触ないしは近接する。その一方で、ペン３０から入力された磁界Ｈによって繊維状構造体１３５は特段、変位しないが、第１要素１３１の、上側電極１４近傍への密集に起因して、繊維状構造体１３５の上面が第１要素１３１によって覆い隠される。つまり、表示層１７は、ペン３０が表示面１０Ａに接触すると、ペン３０の接触部分において、暗表示（例えば黒表示）となる。
図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃは、電界Ｅが入力されたときの表示層１７の作用の一例を表すものである。図２０Ａ〜図２０Ｃは、第１要素１３１が正帯電となっているときの表示層１７の作用の一例を表すものである。第１要素１３１が正帯電となっている場合には、駆動部２０は、上側電極１４および下側電極１２に対して、上側電極１４の電位が下側電極１２よりも高い電位となる電圧を印加する。駆動部２０は、例えば、図２０Ａ、図２０Ｃに示したように、上側電極１４に正電圧を印加すると共に下側電極１２に負電圧もしくはグラウンド電圧（ゼロボルト）を印加する。また、駆動部２０は、例えば、図２０Ｂに示したように、上側電極１４にグラウンド電圧（ゼロボルト）を印加すると共に下側電極１２に負電圧を印加する。また、駆動部２０は、例えば、上側電極１４に正電圧を印加すると共に下側電極１２に上電極１４よりも相対的に小さい値の正電圧を印加する。また、駆動部２０は、例えば、上側電極１４に負電圧を印加すると共に下側電極１２に上側電極１４よりも大きい値の負電圧を印加する。これにより、表示層１７内には、上側電極１４から下側電極１２に向かう電界Ｅが発生する。従って、下側電極１２および上側電極１４から入力された電界Ｅに起因して、第１要素１３１に対して、上側電極１４から下側電極１２に向かうクーロン力が働く。その結果、第１要素１３１が繊維状構造体１３５の細孔１３６を経由して、下側電極１２側（または下側基板１１側）に変位し、下側電極１２に接触ないしは近接する。その一方で、電界Ｅによって繊維状構造体１３５は特段、変位しないが、第１要素１３１の、下側電極１２近傍への密集に起因して、繊維状構造体１３５の上面が露出する。つまり、表示層１７は、上側電極１４および下側電極１２に対して上述の電圧が印加されると、表示層２０の表示の全体または一部において、明表示（例えば白表示）となる。
以上をまとめると、表示層１７は、ペン３０から入力される磁界Ｈに起因して第１要素１３１が変位することにより表示を変化させる（描画する）ことができる。このとき、第１要素１３１および第２要素１３７はスペーサ１６Ｂで区切られた表示画素１６Ａ内で移動するので、表示面１０Ａ内での反射率のばらつきを抑えることができる。さらに、表示層１７は、下側電極１２および上側電極１４から入力される電界Ｅに起因して第１要素１３１が変位することにより、表示面１０Ａ内の反射率のばらつきを抑えて表示を変化させる（消去する）ことができる。
[効果]
次に、表示装置３の効果について説明する。表示装置３では、上側電極１４および下側電極１２から入力される電界Ｅに起因して、表示層１７の表示が変化する。そのため、表示層１７の表示を消去する際には、上側電極１４および下側電極１２から入力される電界Ｅを利用することができる。例えば、電界Ｅを表示層１７全体に入力することにより、表示面１０Ａ全面を一度に消去することができる。しかも、表示面１０Ａの消去を、電界Ｅを利用して行うので、磁界を利用した消去の場合よりも、消去残しを生じ難くすることができる。
また、表示装置３では、ペン３０から入力される磁界Ｈに起因して、表示層１７の表示が変化する。そのため、表示面１０Ａへ描画する際には、ペン３０から入力される磁界Ｈを利用することができる。ここで、ペン３０から磁界Ｈを入力した場合、表示面１０Ａへの描画の高速応答を実現することができる。このように、表示装置３において、描画時には磁界Ｈを利用し、消去時には電界Ｅを利用した場合には、高速描画と一括消去を兼ね備え、しかも消去残しの生じ難い表示装置を実現することができる。
また、表示装置３において、上側電極１４および下側電極１２の少なくとも一方が複数の部分電極（１２Ａ，１４Ａ）で構成されている場合、表示層１７のうち、上側電極１４と下側電極１２とが互いに対向する部分が、マトリクス駆動時の画素となる。そのため、マトリクス駆動時の所定の画素において、上側電極１４および下側電極１２の電位差を、上記閾値の電位差よりも大きくした場合には、表示面１０Ａ内の所定の領域だけを消去することができる。また、マトリクス駆動時の全ての画素において、上側電極１４および下側電極１２の電位差を、上記閾値の電位差よりも大きくした場合には、表示面１０Ａ全体を消去することができる。つまり、表示装置３において、上側電極１４および下側電極１２の少なくとも一方を複数の部分電極（１２Ａ，１４Ａ）で構成することにより、表示面１０Ａを部分的に消去したり、表示面１０Ａ全体を一度に消去したりすることができる。従って、この場合には、高速描画、一括消去および部分消去を兼ね備え、しかも消去残しの生じ難い表示装置を実現することができる。
また、上側基板１５および上側電極１４が剛性の低い材料で形成されており、駆動部２０が上側電極１４および下側電極１２に上記閾値よりも小さい電位差を印加している場合、以下のような部分消去が可能となる。具体的には、ユーザが消去したい部分を表示面１０Ａ側から非磁性の棒（例えばペン３０の裏側の端部）などで押してやる。これにより、表示層１３の厚さが部分的に狭くなり、電界Ｅの強度が部分的に上記閾値を超える。このようにして、電界Ｅを部分的に大きくすることにより、表示面１０Ａ内の所定の領域だけを消去することもできる。
＜５．第３の実施の形態の変形例＞
図２１は、上記第３の実施の形態において、表示画素１７Ａの、ＸＹ面と平行な面であって、かつ図１５のＡ−Ａ矢視線に対応する部分の断面構成の一変形例を表すものである。図２２、図２３は、表示画素１７Ａの、ＸＹ面と平行な面であって、かつ図１５のＢ−Ｂ矢視線に対応する部分の断面構成の一例を表すものである。
上記第３の実施の形態において、スペーサ１６Ｂは、例えば、図２１、図２２、図２３に示したように、柱状となっていてもよい。この場合、スペーサ１６Ｂは、分散媒１３３を複数の領域に空間分離しておらず、一対の基板（下側基板１１および上側基板１５）の間隙を規制する役割しか持っていない。このようにした場合、表示層１７に占める、スペーサ１６Ｂの割合が少なくなるので、表示装置３に対して、より柔軟性（可撓性）を持たせることができる。
＜６．第４の実施の形態＞
[構成]
図２４は、本技術の第４の実施の形態に係る表示装置４の断面構成の一例を表すものである。表示装置４は、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１，２，３の表示パネル１０の背後にセンサ装置４０を設けたものに相当する。表示装置４では、駆動部２０が、表示パネル１０だけでなく、センサ装置４０も駆動するようになっている。以下では、センサ装置４０および駆動部２０について主に説明し、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１，２，３との共通点についての説明を適宜、省略するものとする。
図２５は、センサ装置４０の断面構成と、駆動部２０の機能ブロックとを表している。センサ装置４０は、下側基板１１に接して設けられ、上側基板１５の、ペン３０による押圧を検出するものである。センサ装置４０は、静電容量型であり、例えば、電極基板４０Ａを、導電層４１および導電層４７で上下方向から挟み込んだ構成となっている。電極基板４０Ａは、例えば、絶縁層４２、下側電極４３、絶縁層４４、上側電極４５および絶縁層４６を、導電層４１側から順に有している。センサ装置４０は、例えば、導電層４１と電極基板４０Ａとの間に間隙を有しており、この間隙を維持する複数のスペーサ４８を有している。センサ装置４０は、例えば、導電層４７と電極基板４０Ａとの間にも間隙を有しており、この間隙を維持する複数のスペーサ４９を有している。複数のスペーサ４８および複数のスペーサ４９は、センサ装置４０の厚さ方向から見たときに、互いに重なり合わないように配置されている。
導電層４１および導電層４７は、センサ装置４０と外部との間で形成される静電容量の変化がセンサ装置４０の内部に影響しないようするシールド層としての機能を有する。導電層４１および導電層４７は、固定電位となっており、例えば、グラウンド電位となっている。導電層４１および導電層４７は、例えば、ＳＵＳ、鉄などの金属板によって構成されている。導電層４１および導電層４７は、例えば、フィルム上にアルミなどの金属薄膜、カーボン、ＣＮＴ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ナノメタルワイヤ、銀細線などを製膜したものによって構成されていてもよい。導電層４７は、例えば、下側電極１２を兼ねていてもよい。この場合、スペーサ４９の代わりに下側基板１１が設けられていてもよいし、スペーサ４９と導電層４７との間に下側基板１１が設けられていてもよい。
下側電極４３は、導電層４１と対向する位置に配置されている。下側電極４３は、第３方向（図中ではＸ方向）に延在する複数の部分電極を含んで構成されている。つまり、下側電極４３および導電層４１は、第３方向と直交する第４方向（図中ではＹ方向）の座標位置における静電容量の変化を検出できるようになっている。上側電極４５は、導電層４７と対向する位置に配置されている。上側電極４５は、第４方向（図中ではＹ方向）に延在する複数の部分電極を含んで構成されている。つまり、上側電極４５および導電層４７は、第３方向（図中ではＸ方向）の座標位置における静電容量の変化を検出できるようになっている。下側電極４３および上側電極４５は、例えば、フィルム上にアルミなどの金属薄膜、カーボン、ＣＮＴ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ナノメタルワイヤ、銀細線などを製膜したものによって構成されている。
絶縁層４２は、導電層４１と下側電極４３とを互いに絶縁分離するものである。絶縁層４４は、下側電極４３と上側電極４５とを互いに絶縁分離するものである。絶縁層４６は、上側電極４５と導電層４７とを互いに絶縁分離するものである。絶縁層４２、絶縁層４４および絶縁層４６は、例えば、スクリーン印刷しＵＶ硬化あるいは熱硬化できるハードコート剤などによって構成されている。また、絶縁層４６は、スピンコートした感光性樹脂をフォトリソグラフィによりパターニングして作製したものであってもよい。
本実施の形態では、駆動部２０は、センサ装置４０の出力に基づいて描画データを生成し外部に出力するものである。駆動部２０は、例えば、図２５に示したように、検出回路２１、演算部２２、記憶部２３および出力部２４を有している。
検出回路２１は、例えば、センサ装置４０の静電容量の変化を、電極基板４０Ａに流れる電流量の変化で読み取る。検出回路２１は、例えば、電極基板４０Ａに含まれる複数の下側電極４３および複数の上側電極４５を切り替えるスイッチ素子と、電極基板４０Ａに交流信号を供給する信号源と、電流・電圧変換回路とを有している。スイッチ素子は、例えば、マルチプレクサである。マルチプレクサの一端側に設けられた複数の端子が、各下側電極４３および各上側電極４５の一端に１つずつ接続されており、マルチプレクサの他端側に設けられた１つの端子が信号源および電流・電圧変換回路に接続されている。
検出回路２１は、例えば、複数の下側電極４３を順次１つずつ選択するとともに、複数の上側電極４５を順次１つずつ選択する。これにより、検出回路２１は、例えば、交流信号を複数の下側電極４３に順次１つずつ印加するとともに、複数の上側電極４５に順次１つずつ印加する。このとき、例えば、図２６、図２７に示したように、表示面１０Ａにペン３０が接触したり、押圧されたりすると、電極基板４０Ａの静電容量が変化し、その変化が電極基板４０Ａに流れる電流量を変化させる。検出回路２１は、例えば、その電流量の変化を電圧の変化に変換し、演算部２２に出力する。表示面１０Ａにペン３０が接触した場合であっても、わずかではあるが、電極基板４０Ａが変形し、電極基板４０Ａの静電容量が変化する。なお、図２６は、表示面１０Ａにペン３０を接触させたときの表示パネル１０およびセンサ装置４０の断面構成の一例を簡略化して表したものである。図２７は、表示面１０Ａにペン３０を押圧したときの表示パネル１０およびセンサ装置４０の断面構成の一例を簡略化して表したものである。
演算部２２は、検出回路２１から出力された電圧の変化を評価することにより、表示面１０Ａにおけるペン３０の接触もしくは押圧の位置を検出する。さらに、演算部２２は、検出回路２１から出力された電圧の変化を評価することにより、表示面１０Ａにおけるペン３０の押圧の大きさを導出する。演算部２２は、導出した位置データ（センサ装置４０の出力に基づいて生成した追記データ）と、記憶部２３に格納された描画データとを互いに重ね合わせることにより、描画データを生成する。演算部２２は、導出した位置データ（センサ装置４０の出力に基づいて生成した追記データ）と、記憶部２３に格納された描画データとを互いに重ね合わせることにより生成した描画データを、記憶部２３に格納するとともに、出力部２４に出力する。記憶部２３は、演算部２２からの描画データを格納する。出力部２４は、演算部２２からの描画データを外部に出力する。
[効果]
次に、表示装置４の効果について説明する。表示装置４では、表示パネル１０側で電界Ｅおよび磁界Ｈを利用した描画がなされる。そのため、例えば、電界Ｅを利用して表示面１０Ａ全面を一度に消去することができる。しかも、表示面１０Ａの消去を、電界Ｅを利用して行うので、磁界を利用した消去の場合よりも、消去残しを生じ難くすることができる。また、表示面１０Ａへ描画する際には、ペン３０から入力される磁界Ｈを利用することができる。ここで、ペン３０から磁界Ｈを入力した場合、表示面１０Ａへの描画の高速応答を実現することができる。このように、表示装置４において、描画時には磁界Ｈを利用し、消去時には電界Ｅを利用した場合には、高速描画と一括消去を兼ね備え、しかも消去残しの生じ難い表示装置を実現することができる。
また、表示装置４において、上側電極１４および下側電極１２の少なくとも一方を複数の部分電極（１２Ａ，１４Ａ）で構成することにより、表示面１０Ａを部分的に消去したり、表示面１０Ａ全体を一度に消去したりすることができる。従って、この場合には、高速描画、一括消去および部分消去を兼ね備え、しかも消去残しの生じ難い表示装置を実現することができる。
また、表示装置４では、センサ装置４０側で、表示パネル１０の表示面１０Ａに描画された画像に対応する描画データが生成される。具体的には、ペン３０を用いて表示面１０Ａへ描画する際の、ペン３０の表示面１０Ａへの接触もしくは押圧がセンサ装置４０によって検出され、その検出の結果を利用して上記描画データが生成される。つまり、上記描画データの生成に際して、表示パネル１０の存在が邪魔にならない。これは、センサ装置４０が、導電層４１，４７で電極基板４０Ａを電気的にシールドした状態で、電極基板４０Ａと導電層４１，４７との間に形成される静電容量の変化を利用して、表示面１０Ａへのペン３０の接触もしくは押圧を検出しているからである。
また、表示装置４では、上記描画データの生成と、表示パネル１０への表示とは、互いに同期している。しかし、上記描画データの生成と、表示パネル１０への表示とは、ともに、ペン３０の、表示面１０Ａへの接触もしくは押圧をきっかけにして行われるので、センサ装置４０と、表示パネル１０との間でのデータの受け渡しが無い。そのため、上記同期のための回路を別途、設ける必要がないので、表示装置４の回路構成は、その分だけ簡素化されている。
なお、表示装置４は、例えば、図２８に示したように、表示面１０Ａに描画された画像を消去するモード（消去モード）を設定するモード設定部２５を有していてもよい。なお、図２８では、モード設定部２５が駆動部２０内に設けられている場合が例示されているが、表示パネル１０またはセンサ装置４０に設けられていてもよい。モード設定部２５は、例えば、インターフェースにボタンを有し、このボタンにより消去モードの設定を行うことができるようになっていてもよい。駆動部２０は、消去モードにおいて、消去したい部分が表示面１０Ａ側から非磁性の棒（例えば、ペン３０の裏側の端部）などで押されたときに、センサ装置４０の出力に基づいて、押された位置を消去したい位置として特定する。駆動部２０は、さらに、表示面１０Ａのうち消去したい位置（消去位置）の画像を消去するように、上側電極１４および下側電極１２に電圧を印加する。このようにして、表示面１０Ａの部分消去を行うこともできる。
以上、実施の形態およびその変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）
離間して互いに対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板の間隙に配置され、磁界および電界の変化に応じて表示を変える表示層と、
前記表示層に電界を印加する電極と、
先端に磁石を有するペンと
を備えた
表示装置。
（２）
前記表示層は、分散媒と、前記分散媒中に設けられた複数の第１要素および複数の第２要素とを有し、
前記第１要素は、磁性体、または前記磁性体を含むものであり、
前記第２要素は、非磁性体、または前記非磁性体を含むものであり、
前記第１要素および前記第２要素の少なくとも一方が帯電している
（１）に記載の表示装置。
（３）
前記第１要素は、磁性粒子であり、
前記第２要素は、非磁性粒子もしくは非磁性の繊維状構造体である
（２）に記載の表示装置。
（４）
前記第２要素は、前記非磁性粒子であり、
前記磁性粒子および前記非磁性粒子の少なくとも一方が電気的に修飾されている
（３）に記載の表示装置。
（５）
前記第２要素は、前記繊維状構造体であり、
前記磁性粒子が電気的に修飾されている
（３）に記載の表示装置。
（６）
前記表示層は、前記分散媒と、前記複数の第１要素および前記複数の第２要素とを封入する複数のマイクロカプセルをさらに有する
（４）に記載の表示装置。
（７）
前記表示層は、前記ペンから入力される磁界に起因して前記第１要素が変位したり、前記電極から入力される電界に起因して前記第１要素および前記第２要素のうち、帯電している要素が変位したりすることにより表示を変化させる
（６）に記載の表示装置。
（８）
前記表示層は、前記一対の基板の間隙を規制すると共に前記分散媒を複数の領域に空間分離する第１スペーサをさらに有する
（４）に記載の表示装置。
（９）
前記表示層は、前記ペンから入力される磁界に起因して前記第１要素が変位したり、前記電極から入力される電界に起因して前記第１要素および前記第２要素のうち、帯電している要素が変位したりすることにより表示を変化させる
（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記表示層は、前記一対の基板の間隙を規制する複数の柱状の第２スペーサをさらに有する
（４）に記載の表示装置。
（１１）
前記表示層は、前記ペンから入力される磁界に起因して前記第１要素が変位したり、前記電極から入力される電界に起因して前記第１要素および前記第２要素のうち、帯電している要素が変位したりすることにより表示を変化させる
（１０）に記載の表示装置。
（１２）
前記表示層は、前記一対の基板の間隙を規制すると共に前記分散媒を複数の領域に空間分離する第３スペーサをさらに有する
（５）に記載の表示装置。
（１３）
前記表示層は、前記ペンから入力される磁界に起因して前記第１要素が変位したり、前記電極から入力される電界に起因して前記第１要素が変位したりすることにより表示を変化させる
（１２）に記載の表示装置。
（１４）
前記表示層は、前記一対の基板の間隙を規制する複数の柱状の第４スペーサをさらに有する
（５）に記載の表示装置。
（１５）
前記表示層は、前記ペンから入力される磁界に起因して前記第１要素が変位したり、前記電極から入力される電界に起因して前記第１要素が変位したりすることにより、表示を変化させる
（１４）に記載の表示装置。
（１６）
前記電極に対して電圧を印加することにより前記表示層の表示を変化させる第１駆動部をさらに備えた
（１）ないし（１５）のいずれか一項に記載の表示装置。
（１７）
前記電極は、前記一対の基板のうち一方の基板寄りに設けられた第１電極と、前記一対の基板のうち他方の基板寄りに設けられた第２電極とを有し、
前記第１駆動部は、前記第１電極および前記第２電極に対して電圧を印加することにより、前記表示層の表示の全体または一部を消去する
（１６）に記載の表示装置。
（１８）
前記第１電極は、第１方向に延在する複数の第１部分電極を含んで構成され、
前記第２電極は、前記第１方向と交差する第２方向に延在する複数の第２部分電極を含んで構成され、
前記第１駆動部は、前記第１電極および前記第２電極を単純マトリクス駆動することにより前記表示層の表示の全体または一部を消去する
（１６）に記載の表示装置。
（１９）
前記第１電極または前記第２電極は、２次元配置された複数の第３部分電極を含んで構成され、
前記第１駆動部は、前記複数の第３部分電極をアクティブマトリクス駆動することにより前記表示層の表示の全体または一部を消去する
（１７）に記載の表示装置。
（２０）
前記第１駆動部は、前記第１電極および前記第２電極に対して、前記表示層の表示が暗表示から明表示に変化し始める閾値よりも小さい電位差を印加する
（１７）に記載の表示装置。
（２１）
前記一対の基板、前記第１電極および前記第２電極は、光透過性を有する
（１６）に記載の表示装置。
（２２）
前記第１電極寄りの前記基板および前記第１電極は、光透過性を有し、
前記第２電極寄りの前記基板および前記第２電極のうち、少なくとも前記第２電極は、光吸収性を有する
（１７）に記載の表示装置。
（２３）
前記第１電極寄りの前記基板および前記第１電極は、光透過性を有し、
前記第２電極寄りの前記基板および前記第２電極のうち、少なくとも前記第２電極は、光反射性を有する
（１７）に記載の表示装置。
（２４）
前記第２電極寄りの前記基板に接して設けられ、前記第１電極寄りの前記基板の、前記ペンによる押圧を検出するセンサ部と、
前記センサ部の出力に基づいて描画データを生成し外部に出力する第２駆動部と
をさらに備えた
（１７）に記載の表示装置。
（２５）
前記描画データを格納する記憶部をさらに備え、
前記第２駆動部は、前記センサ部の出力に基づいて生成した追記データと、前記記憶部に格納された描画データとを互いに重ね合わせることにより、前記描画データを生成すると共に前記記憶部に格納する
（２４）に記載の表示装置。
（２６）
前記表示面に描画された画像を消去する消去モードを設定するモード設定部をさらに備え、
前記第２駆動部は、前記消去モードにおいて、前記センサ部の出力に基づいて、消去位置を特定し、前記表示面のうち前記消去位置の画像を消去するように、前記第１電極および前記第２電極に対して電圧を印加する
（２４）に記載の表示装置。
１，２，３，４…表示装置、１０…表示パネル、１０Ａ…表示面、１１…下側基板、１２，４３…下側電極、１２Ａ，１４Ａ…部分電極、１３，１６，１７…表示層、１３Ａ，１６Ａ，１７Ａ…表示画素、１４，４５…上側電極、１５…上側基板、１６Ｂ，４８，４９…スペーサ、２０…駆動部、２１…検出回路、２２…演算部、２３…記憶部、２４…出力部、２５…モード設定部、３０…ペン、３１…把持部、３２…磁石、４０…センサ装置、４０Ａ…電極基板、４１，４７…導電層、４２，４４，４６…絶縁層、１３１…第１要素、１３２…第２要素、１３３…分散媒、１３４…マイクロカプセル、１３５…繊維状構造体、１３６…細孔、１３７…第３要素、Ｅ…電界、ＧＮＤ…グラウンド電位、Ｈ…磁界。

Claims (21)

  1. 離間して互いに対向配置された一対の基板と、
    前記一対の基板の間隙に配置され、磁界および電界の変化に応じて表示を変える表示層と、
    前記表示層に電界を印加する電極と、
    先端に磁石を有するペンと、
    前記電極に対して電圧を印加することにより前記表示層の表示を変化させる第１駆動部と
    を備え、
    前記表示層は、分散媒と、前記分散媒中に設けられた複数の第１要素および複数の第２要素とを有し、
    前記第１要素は、磁性体、または前記磁性体を含むものであり、
    前記第２要素は、非磁性体、または前記非磁性体を含むものであり、
    前記第１要素および前記第２要素の双方が帯電しており、
    前記第１要素および前記第２要素の帯電の正負が互いに異なっており、
    前記電極は、前記一対の基板のうち一方の基板寄りに設けられた第１電極と、前記一対の基板のうち他方の基板寄りに設けられた第２電極とを有し、
    前記第１駆動部は、前記第１電極および前記第２電極に対して電圧を印加することにより、前記表示層の表示の全体または一部を消去し、
    前記第１駆動部は、前記第１電極および前記第２電極に対して、前記表示層の表示が暗表示から明表示に変化し始める閾値よりも小さい電位差を印加する
    表示装置。
  2. 離間して互いに対向配置された一対の基板と、
    前記一対の基板の間隙に配置され、磁界および電界の変化に応じて表示を変える表示層と、
    前記表示層に電界を印加する電極と、
    先端に磁石を有するペンと
    を備え、
    前記表示層は、分散媒と、前記分散媒中に設けられた複数の第１要素および複数の第２要素とを有し、
    前記第１要素は、磁性体、または前記磁性体を含むものであり、
    前記第２要素は、非磁性体、または前記非磁性体を含むものであり、
    前記第１要素が帯電しており、
    前記第２要素は、繊維状構造体である
    表示装置。
  3. 前記表示層は、前記分散媒と、前記複数の第１要素および前記複数の第２要素とを封入する複数のマイクロカプセルをさらに有する
    請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記表示層は、前記一対の基板の間隙を規制すると共に前記分散媒を複数の領域に空間分離する第１スペーサをさらに有する
    請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記表示層は、前記一対の基板の間隙を規制する複数の柱状の第２スペーサをさらに有する
    請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記表示層は、前記一対の基板の間隙を規制すると共に前記分散媒を複数の領域に空間分離する第３スペーサをさらに有する
    請求項２に記載の表示装置。
  7. 前記表示層は、前記一対の基板の間隙を規制する複数の柱状の第４スペーサをさらに有する
    請求項２に記載の表示装置。
  8. 前記電極に対して電圧を印加することにより前記表示層の表示を変化させる第１駆動部をさらに備えた
    請求項２ないし請求項７のいずれか一項に記載の表示装置。
  9. 前記電極は、前記一対の基板のうち一方の基板寄りに設けられた第１電極と、前記一対の基板のうち他方の基板寄りに設けられた第２電極とを有し、
    前記第１駆動部は、前記第１電極および前記第２電極に対して電圧を印加することにより、前記表示層の表示の全体または一部を消去する
    請求項８に記載の表示装置。
  10. 前記第１電極は、第１方向に延在する複数の第１部分電極を含んで構成され、
    前記第２電極は、前記第１方向と交差する第２方向に延在する複数の第２部分電極を含んで構成され、
    前記第１駆動部は、前記第１電極および前記第２電極を単純マトリクス駆動することにより前記表示層の表示の全体または一部を消去する
    請求項１または請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記第１電極または前記第２電極は、２次元配置された複数の第３部分電極を含んで構成され、
    前記第１駆動部は、前記複数の第３部分電極をアクティブマトリクス駆動することにより前記表示層の表示の全体または一部を消去する
    請求項１または請求項９に記載の表示装置。
  12. 前記第１駆動部は、前記第１電極および前記第２電極に対して、前記表示層の表示が暗表示から明表示に変化し始める閾値よりも小さい電位差を印加する
    請求項９に記載の表示装置。
  13. 前記一対の基板、前記第１電極および前記第２電極は、光透過性を有する
    請求項１または請求項９に記載の表示装置。
  14. 前記第１電極寄りの前記基板および前記第１電極は、光透過性を有し、
    前記第２電極寄りの前記基板および前記第２電極のうち、少なくとも前記第２電極は、光吸収性を有する
    請求項１または請求項９に記載の表示装置。
  15. 前記第１電極寄りの前記基板および前記第１電極は、光透過性を有し、
    前記第２電極寄りの前記基板および前記第２電極のうち、少なくとも前記第２電極は、光反射性を有する
    請求項１または請求項９に記載の表示装置。
  16. 前記第２電極寄りの前記基板に接して設けられ、前記第１電極寄りの前記基板の、前記ペンによる押圧を検出するセンサ部と、
    前記センサ部の出力に基づいて描画データを生成し外部に出力する第２駆動部と
    をさらに備えた
    請求項１または請求項９に記載の表示装置。
  17. 前記描画データを格納する記憶部をさらに備え、
    前記第２駆動部は、前記センサ部の出力に基づいて生成した追記データと、前記記憶部に格納された描画データとを互いに重ね合わせることにより、前記描画データを生成すると共に前記記憶部に格納する
    請求項１６に記載の表示装置。
  18. 表示面に描画された画像を消去する消去モードを設定するモード設定部をさらに備え、
    前記第２駆動部は、前記消去モードにおいて、前記センサ部の出力に基づいて、消去位置を特定し、前記表示面のうち前記消去位置の画像を消去するように、前記第１電極および前記第２電極に対して電圧を印加する
    請求項１６に記載の表示装置。
  19. 離間して互いに対向配置された一対の基板と、
    前記一対の基板の間隙に配置され、磁界および電界の変化に応じて表示を変える表示層と、
    前記表示層に電界を印加する電極と、
    先端に磁石を有するペンと、
    前記電極に対して電圧を印加することにより前記表示層の表示を変化させる第１駆動部と、
    前記第２電極寄りの前記基板に接して設けられ、前記第１電極寄りの前記基板の、前記ペンによる押圧を検出するセンサ部と、
    前記センサ部の出力に基づいて描画データを生成し外部に出力する第２駆動部と
    を備え、
    前記表示層は、分散媒と、前記分散媒中に設けられた複数の第１要素および複数の第２要素とを有し、
    前記第１要素は、磁性体、または前記磁性体を含むものであり、
    前記第２要素は、非磁性体、または前記非磁性体を含むものであり、
    前記第１要素および前記第２要素の双方が帯電しており、
    前記第１要素および前記第２要素の帯電の正負が互いに異なっており、
    前記電極は、前記一対の基板のうち一方の基板寄りに設けられた第１電極と、前記一対の基板のうち他方の基板寄りに設けられた第２電極とを有し、
    前記第１駆動部は、前記第１電極および前記第２電極に対して電圧を印加することにより、前記表示層の表示の全体または一部を消去する
    表示装置。
  20. 前記描画データを格納する記憶部をさらに備え、
    前記第２駆動部は、前記センサ部の出力に基づいて生成した追記データと、前記記憶部に格納された描画データとを互いに重ね合わせることにより、前記描画データを生成すると共に前記記憶部に格納する
    請求項１９に記載の表示装置。
  21. 表示面に描画された画像を消去する消去モードを設定するモード設定部をさらに備え、
    前記第２駆動部は、前記消去モードにおいて、前記センサ部の出力に基づいて、消去位置を特定し、前記表示面のうち前記消去位置の画像を消去するように、前記第１電極および前記第２電極に対して電圧を印加する
    請求項１９に記載の表示装置。
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